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MOSFET
DESCRIPCIÓN:
El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S,
Source), drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin
embargo, el sustrato generalmente está conectado internamente al
terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos
MOSFET de tres terminales.
PASOS PARA LA
MEDICIÓN DE MOSFET
1- En la función de diodos del multimetro, vamos a colocar la punta de prueba negra ( -) del
multimetro, en el terminal Drain y la punta roja (+) en el terminal Source.
Resultado de la prueba: Se debe obtener una medida de 513mv o similar (Los resultados
varían según el tipo de FET). Sino se obtiene ninguna lectura, el FET esta en circuito
abierto. Si la lectura es baja, el FET esta en cortocircuito.
2 – Sin retirar la punta negra del terminal Drain, colocamos la punta roja en el terminal
Gate.
3- Ahora regresamos la punta roja al terminal Source, con lo que la juntura Drain – Source
se activa.
Resultado de la prueba: Entre Drain y Source se obtiene una lectura baja, alrededor de
0.82v, debido a que el FET se “enciende”. Para desactivar el FET, se debe cortocircuitar
sus 3 terminales por medio de un elemento metálico, así el FET regresara a su estado de
reposo.
Canal
N
Modos de operación[editar]
El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones
de operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales. En la presente discusión
se utiliza un modelo algebraico que es válido para las tecnologías básicas antiguas, y se
incluye aquí con fines didácticos. En los MOSFET modernos se requieren modelos
computacionales que exhiben un comportamiento mucho más complejo.
Para un transistor NMOS de enriquecimiento se tienen las siguientes regiones:
Cuando VGS < Vth
donde Vth es la tensión de umbral del transistor
n = 1 + CD/COX
(condensador MOS)
Polisilicio n+ p+
Tipo de puerta
Metal φ m ~ Si banda de φ m ~ Si banda de
conducción valencia