UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA

PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 1

CARACTERÍSTICA I – V DEL DIODO DE UNION

EQUIPO REQUERIDO
 Instrumentos: Multímetro digital (DMM).
 Componentes: Dos resistores de 1 K y dos de 1 M a 0.5 W y 5%; dos diodos de silicio 1N4004 y dos
de germanio 1N60 o equivalente.
 Fuente DC.
 1 cautín.

PROCEDIMIENTO

1. Prueba del Diodo

Ejecute esta prueba al diodo de silicio y de germanio usando la función prueba de diodo del multímetro y
escriba los resultados en la tabla 1.
Tabla 1.
Prueba Si Ge
En directo
En inverso
Basado en los resultados de las mediciones diga cuál es el estado de los diodos.

2. Características I-V de los diodos polarizados en directo

En esta parte del experimento se obtendrán suficientes datos para graficar las características de los diodos de
Si y Ge polarizados en directo.

a) Implemente el circuito de la figura 1. con la fuente DC

ajustada en 0V. Mida el resistor y escriba su valor en el
diagrama del circuito.

Figura 1.

b) Incremente el voltaje de la fuente hasta que en VR se lean los voltajes indicados en la tabla 2, luego mida
VD y calcule ID y escríbalos en dicha tabla.
Tabla 2. (Si)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
c) Reemplace el diodo de silicio por el del germanio y repita el paso b). Escriba los resultados en la tabla 3.
Tabla 3. (Ge)
VR(V) 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD(V)
ID(mA)
d) Grafique ID versus VD en la figura 2. para los diodos de silicio y de germanio, iniciando las gráficas en el
origen del sistema. Identifique cada curva e indique claramente en ellas los puntos de la tabla usados
para obtener la curva. Sea muy cuidadoso en la ubicación de dichos puntos.
e) Explique las similitudes y las diferencias entre estas curvas.
 Figura 2.

3. Polarización en inverso
a) Implemente el circuito de la figura 3., mida el resistor y
escriba su valor en el diagrama del circuito. Debido a que la
corriente de saturación inversa es muy pequeña, es necesario
usar la resistencia de 1 M para que el voltaje medido a
través de ella tenga una magnitud mensurable.

Figura 3.
VR
b) Mida el voltaje VR. Calcule la corriente de saturación inversa usando la fórmula: Is  . Rm es la
Rmed . Rm
resistencia interna del multímetro y se debe tener en cuenta debido al gran valor de la resistencia R. Si no
conoce ese dato use típicamente el valor de 10 M. Escriba los resultados en la tabla 4.
c) Repita lo anterior para el diodo de germanio y escriba los resultados en la misma tabla.
Tabla 4.
Si Ge
Rm
VR (med.)
IS (calculada)
RD (calculada)

d) Compare los resultados de IS y explique sus diferencias.

e) Determine la magnitud de la resistencia DC (RD) para los dos diodos y escriba los resultados en la tabla
anterior.
f) Son los valores de esa resistencia suficientemente altos para considerar al diodo como un circuito abierto
si se usa en un circuito en serie con un resistor cuyo valor esté en un rango bajo de K.

4. Resistencia Estática (RD)

a) Usando la curva del diodo de silicio de la figura 2. determine el VD correspondiente a los niveles de
corriente indicados en la tabla 5. Luego determine RD para cada nivel de corriente y escríbalos en dicha
tabla. Escriba cómo realiza estos cálculos.
Tabla 5.
Si Ge
ID (mA) VD RD VD RD
0.2
 1
5
10

b) Cuál es la tendencia de RD para el diodo cuando la corriente aumenta y el punto de operación del diodo se
mueve hacia la sección de crecimiento vertical de la característica. Explique este comportamiento.

5. Resistencia Dinámica (rd)

a) Con la ecuación respectiva determine rd para el diodo de silicio alrededor de ID = 9 mA usando la curva de
la figura 2. Escriba el procedimiento para realizar esta labor.
b) Determine la resistencia dinámica para esa misma corriente usando la ecuación obtenida por cálculo a
partir de la ecuación de corriente del diodo.
Compare los resultados de a) y b) y explique la diferencia.
c) Repita los pasos a) y b) para ID = 2 mA.
Compare estos resultados y explique la diferencia.
Los resultados anteriores escríbalos en la tabla 6.
Tabla 6.
ID (mA) rd (cal. por gráf.) rd (cal. por ecuac.)
9
2

6. Voltaje Umbral (VT)

Determine gráficamente el potencial de umbral de los diodos usando las curvas obtenidas en la figura 2.
muestre este resultado en dicha gráfica y escríbalos en la
tabla 7.
Tabla 7.
Si Ge
VT (V)

7. Demostración de los Efectos de la Temperatura

Implemente el circuito de la figura 1. usando el diodo de silicio y ajuste la fuente para que VR = 1 V con lo
cual se establece una corriente de aproximadamente 1 mA.
a) Coloque el voltímetro en los terminales del diodo y observe lo que sucede con la lectura cuando se calienta
el diodo con el cautín. Escriba el efecto en VD cuando este se calienta.
b) Enfríe el diodo y coloque el voltímetro en los terminales del resistor, observe lo que sucede con la lectura
cuando se calienta el diodo con el cautín. Escriba el efecto en VR.
VR
Como ID = , escriba el efecto en la corriente del diodo como resultado de su calentamiento.
R
VD
c) Como RD = , escriba el efecto en dicha resistencia cuando se incrementa la temperatura del diodo.
ID
d) ¿El diodo semiconductor tiene un coeficiente de temperatura positivo o negativo? Explique su respuesta.

ACTIVIDAD FINAL DE LA PRACTICA

Al finalizar la practica debe entregar un documento con los resultados de los valores medidos.

NOTA

Las respuestas a las preguntas formuladas se deben ubicar en el numeral correspondiente a solución a
cuestionario.
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LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 2

RECTIFICACIÓN DE MEDIA ONDA Y DE ONDA COMPLETA

EQUIPO REQUERIDO
 Instrumentos: Multímetro digital (DMM) y osciloscopio.
 Componentes: Dos resistores de 2.2 K y uno de 3.3 K a 0.25 o 0.5 W y 5%; cuatro diodos de silicio
1N4004.
 Generador de audio.
 Transformador con secundario 6 – 0 – 6.

GENRALIDADES

1. Para los cálculos de los voltajes de salida instantáneo (vo) y promedio (Vo(DC)), usar para los diodos el
modelo de potencial constante.
2. Las mediciones con el multímetro (R, VAC y VDC) se deben hacer en la escala adecuada para obtener la
mayor exactitud en la medición.
3. Las mediciones con el osciloscopio se deben hacer de la siguiente manera:
a) Seleccionar las sensibilidades horizontal y vertical adecuadamente para presentar solo un ciclo en
la pantalla y obtener la mayor exactitud en el período y la amplitud de la señal.
b) El interruptor AC-GND-DC se debe colocar en la posición DC a menos que se diga lo contrario.
c) La línea horizontal central de la pantalla se toma como eje de referencia o cero voltios.
d) En los dibujos de las tensiones vo teóricas y medidas se deben escribir los valores máximo y mínimo.

PROCEDIMIENTO

1. Medición del Voltaje Umbral de los diodos y de los resistores

Mida el voltaje umbral (VT) usando la función prueba de diodo del multímetro y mida los 3 resistores. Escriba
los resultados en la tabla 1.
Tabla 1.
D1 D2 D3 D4 R1 R2 R3

2. Rectificación de Media Onda

a) Implemente el circuito de la figura 1. Ajuste el generador de
audio para que suministre una señal alterna senoidal de 8 VP-P y
1000 Hz, use el osciloscopio para realizar esta medición.

Calcule y escriba las sensibilidades horizontal y vertical del

osciloscopio en la tabla 2.
Figura 1.

Tabla 2.
Rectificador de media onda Rectificador de onda completa
Sensibilidad horizontal Sensibilidad vertical Sensibilidad horizontal Sensibilidad vertical

b) La onda senoidal de entrada (e) se dibuja a trazos en la figura 2.

 Figura 2.
c) Calcule y dibuje vo en la figura 3.

Figura 3.

d) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 3.

e) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 3. Calcule el error porcentual entre el
valor calculado y el valor medido y escríbalo en la tabla 3.
VDC ( calc.)  VDC ( med .)
E (%) =  100%
VDC ( calc .)

f) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 4 (similar a la figura 3).

g) Mida el voltaje sobre el diodo (vD) con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 5 (similar a la figura 3).

h) Mida vo con el osciloscopio colocando el interruptor AC-GND-DC en la posición AC y dibuje la señal en la

figura 6 (similar a la figura 3). Explique el efecto que se presenta en la señal vo. ¿Cree usted que el área bajo
la curva por encima del eje de referencia es igual al área
bajo la curva por debajo del eje de referencia?

i) Invierta el diodo de la figura 1, calcule y dibuje vo en la

figura 7. Tenga en cuenta la polaridad de vo.

j) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 3.

Figura 9.

K) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 3, tenga en cuenta la polaridad de dicho
voltaje para su correcta medición. Calcule el error porcentual entre el valor calculado y el valor medido y
escríbalo en la tabla 3.

l) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 8 (similar a la figura 3).

3. Rectificación de Media Onda (continuación)

a) Implemente el circuito de la figura 9.

b) Calcule y dibuje vo en la figura 10 (similar a la figura 3).

c) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 3. Para dicho cálculo utilice la siguiente fórmula
Area total 2VO ( P )  (VT )
Vo( DC )  
2 2
d) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 3. Calcule el error porcentual entre el
valor calculado y el valor medido y escríbalo en la tabla 3.

e) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 11 (similar a la figura 3).

f) ¿Cuál es la diferencia más notable entre las formas

de onda de las figuras 11 y 4? ¿Por qué ocurre esa
diferencia?

4. Rectificación de Media Onda (continuación)

a) Implemente el circuito de la figura 12.

Figura 12.
b) Calcule y dibuje vo en la figura 13 (similar a la figura 3).

c) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 14 (similar a la figura 3).

d) Invierta el diodo en la figura 12 y mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 15 (similar a la
figura 3).
Tabla 3.
Valor calculado 2.d) 2.j) 3.c)
Valor medido 2.e) 2.k) 3.d)
Error porcentual

5. Rectificación de Onda Completa

(configuración tipo puente)

a) Implemente el circuito de la figura 16.

Asegúrese de conectar correctamente los
diodos, en caso de duda solicite la
orientación del profesor o del monitor.

Figura 16.
Todas las mediciones con osciloscopio en este tipo de rectificador y en el siguiente se deben hacer usando
las sensibilidades horizontal y vertical que deben calcular y escribir en la tabla 2.

b) Use el valor V(rems) teórico del secundario del transformador y dibuje esa señal senoidal en la figura 17
(similar a la figura 2) para aproximadamente solo un ciclo de la señal.

c) Mida con el multímetro el V(rms) del secundario del transformador y escríbalo en la tabla 4, con dicho
valor calcule el V(P) y escríbalo en dicha tabla.

Tabla 4.
V(rms) medido V(P) calculado
Valor calculado 5.e) 5.i)
Valor medido 5.f) 5.j)
Error porcentual

d) Calcule y dibuje vo en la figura 18 (similar a la figura 3).

e) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 4.

f) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 4. Calcule el error porcentual entre el
valor calculado y el valor medido y escríbalo en la tabla 4.

g) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 19 (similar a la figura 3).

h) Reemplace los diodos D3 y D4 por resistores de 2.2 K, calcule y dibuje vo en la figura 20.

i) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 4.

j) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 4. Calcule el error porcentual entre el
valor calculado y el valor medido y escríbalo en la tabla 4.

k) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 21 (similar a la figura 3).

l) ¿Cuál es el efecto más notable que se obtiene al reemplazar los diodos por resistores?

6. Rectificación de Onda Completa

(configuración con transformador
con tap central)

a) Implemente el circuito de la figura

22. Mida el valor Vrms entre cada
extremo y el tap central del
secundario del transformador con
el multímetro y escríbalo en la tabla
5. Calcule VP entre cada extremo y
el tap central del secundario del
transformador usando los voltajes
medidos en el literal anterior y escríbalo en la tabla 5. Figura 22

Tabla 5.
V1rms (med.) V2rms (med.) V1P (calc.) V2P (calc.)
Valor calculado 6.c) 6.f)
Valor medido 6.d) 6.f)
Error porcentual

b) Calcule y dibuje vo en la figura 23 (similar a la figura 3).

c) Calcule Vo(DC) y escriba el resultado en la tabla 5.

d) Mida Vo(DC) usando el multímetro y escriba el resultado en la tabla 5. Calcule el error porcentual entre el
valor calculado y el valor medido y escríbalo en la tabla 5.
e) Mida vo con el osciloscopio y dibuje la señal en la figura 24 (similar a la figura 3).

f) Invierta los diodos de la figura 22 y repita los pasos b) a d). Dibuje vo en las figuras 25 y 26 y escriba los
Vo(DC) calculado y medido en la tabla 5.

ACTIVIDAD PREVIA Y FINAL DE LA PRACTICA

Al iniciar la práctica debe entregar un documento que contenga la información solicitada en los siguientes
literales: 2- a), c), d), i), j); 3- b) y c); 4- b); 5- b), d), e), h) e i); 6- b), c), f).

Al finalizar la práctica debe entregar un documento que contenga los resultados de los valores medidos.

NOTA: Las comparaciones, explicaciones y respuestas a las preguntas formuladas se deben ubicar en el
numeral correspondiente a solución a cuestionario.

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PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 3

DISEÑO DE UN RECTIFICADOR DE ONDA COMPLETA CON FILTRO Y REGULADOR DE TENSIÓN

CON DIODO ZENER

EQUIPO REQUERIDO
 Instrumentos : Multímetro digital (DMM) y osciloscopio.
 Componentes : Resistores y capacitor de acuerdo a resultados de diseño; cuatro diodos de silicio 1N4004.
 Transformador con secundario 6 – 0 – 6.

PROCEDIMIENTO

1. Problema
Diseñar un regulador de tensión zener que entregue una tensión de aproximadamente 7.5 V a una carga cuya
corriente varia entre 0 y 30 mA. La tensión de entrada al regulador es suministrada por un rectificador de
onda completa tipo puente con capacitor de filtro el cual es alimentado desde la red pública de
aproximadamente 120 Vrms y 60 Hz a través del transformador con secundario 6 – 0 – 6 y esta tensión puede
tener una variación de 2 V. El diodo zener está determinado por las características presentadas en la hoja de
datos suministradas en clases.

De acuerdo a los resultados obtenidos para los valores de los componentes, haga las aproximaciones o las
combinaciones que considere pertinentes según cada caso para la adquisición correcta de dichos
componentes.

2. Regulador de tensión con zener

a) Proceda de la misma forma que en el numeral 5 literales a) a f) de la practica anterior, pero con VT = 0.7
V y reemplace el resistor de 3.3 K por el capacitor de filtro previamente calculado, además implemente la
sección del regulador.

b) Calcule el valor de Vr de la señal filtrada y escriba el resultado en la siguiente tabla.

Vr (calc.) Vr(med.) E (%)
c) Mida el valor de Vr usando el osciloscopio y encuentre el error porcentual entre el valor calculado y valor
medido y escríbalos en la tabla anterior.

d) Calcule la regulación de línea del regulador, calcule el cambio en el voltaje de salida del regulador
producido por el cambio total en el voltaje de entrada del regulador, calcule la regulación de carga del
regulador y escriba los resultados en la siguiente tabla.
Reg. línea VL Reg. carga
Valor calc.
Valor med.
E (%)

e) Mida con la ayuda del osciloscopio la regulación de línea y el cambio en el voltaje de salida del regulador
producido por el cambio total en el voltaje de entrada del regulador y encuentre el error porcentual entre
los valores medidos y calculados. Mida con la ayuda del multímetro la regulación de carga y encuentre el
error porcentual entre el valor medido y el valor calculado. Escriba estos resultados en la tabla anterior.

ACTIVIDAD PREVIA Y FINAL DE LA PRACTICA

Al iniciar la practica debe entregar un documento que contenga la información correspondiente a todos los
cálculos del respectivo diseño.

Al finalizar la practica debe entregar un documento que contenga los resultados de los valores medidos.

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LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 4

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PROCEDIMIENTO

1. Medición del Transistor: Conocida la distribución de los pines mida el transistor usando la función prueba
de diodo del multímetro y escriba los resultados obtenidos en un cuadro adecuado prestando especial
atención en esas mediciones para determinar el pin del colector. Además, si es posible mida DC (hFE) para
compararlo con los valores que se van a obtener en la practica.

2. Características de salida
a) Implemente el circuito mostrado
 Mida RC y escriba su valor: RC (medido) =
b) Ajuste el potenciómetro de 1 M hasta obtener VRB = 3.3 V y calcule IB.
c) Ajuste el potenciómetro de 5 K hasta obtener VCE = 2 V.
d) En las condiciones anteriores mida VRC y VBE y escríbalos en el cuadro adjunto.
e) Ajuste el potenciómetro de 5 K para aumentar VCE desde 2 V a los valores indicados en el cuadro.
Asegúrese que IB se mantenga en el valor calculado en el literal b) para todos los rangos de valores de
VCE dados en el cuadro.
f) Para cada valor de VCE mida y escriba VRC y VEE. Use la escala de mV para VBE.
g) Repita los pasos b) a f) para todos los valores de VRB indicados en el cuadro. Para cada valor de VRB
calcule la correspondiente IB.
h) Después de obtener estos datos calcule los valores de IC e IE.
i) Usando los datos anteriores dibuje la característica del colector del transistor en una gráfica como la
mostrada. Use la escala adecuada para IC y cada nivel de IB.

3. Calculo de  y 
Para cada característica dibujada calcule los valores correspondientes de  y  y escríbalos en el cuadro.
VRB(V) IB(A) VCE(V) VRC(V) IC(mA) VBE(V) IE(mA) DC DC
Medido Calc. Medido Medido Calc. Medido Calc. Calc. Calc.
2
4
6
3.3 8
10
12
14
16
2
4
6
6.6 8
10
12
14
2
4
9.9 6
8
10
2
 4
13.2 6
8
2
16.5 4
6

ANÁLISIS DE RESULTADOS

a) Encuentra variaciones significativas en  y  en las diferentes regiones de las características.

En qué región se encuentra los valores mayores de . Especifique usando los valores relativos de VCE e IC.
En qué región se encuentra los valores menores de . Especifique usando los valores relativos de VCE e IC.
b) Encuentre los niveles máximos y mínimos de  y márquelos en la gráfica usando la notación máx y mín.
c) En general,  disminuye o aumenta con los aumentos en IC.
d) En general,  aumenta o disminuye con los aumentos en VCE.
e) El efecto de VCE en  es mayor o menor que el efecto de IC.

Ejercicio

1. Calcule el valor promedio de  usando los datos del cuadro. En qué parte de las características se
encuentra típicamente el valor del  promedio.
Es razonable usar este valor de  (promedio) para la mayoría de aplicaciones?

2. Calcule el valor promedio de VBE usando los datos del cuadro.

Es razonable usar el valor de 0.7 V para VBE en el análisis de redes con transistores de silicio si su valor
real es desconocido.

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LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 5

POLARIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

PROCEDIMIENTO

Implemente el circuito mostrado. Mida el  de los transistores a fin de compararlos con los calculados.
1. Determinación de 
a) Mida RB y RC
b) Mida VBE y VRC
c) Usando los valores medidos de RB, RC, VBE y VRC calcule IB e IC
d) Usando los valores calculados de IB e IC calcule  DC
RB(med) RC(med) VBE(med) VRC(med) IB(calc) IC(calc) DC(calc)

2. Polarización Fija
a) Usando el valor de  calculado anteriormente y los valores medidos de RB, RC y VBE calcule IB e IC.
b) Usando los resultados de 2 a) calcule y mida VB, VC, VE, VCE, VBC y escríbalos en el cuadro
IB IC VB VC VE VCE VBC
Calculados
Medidos
c) Repita todo lo anterior con un transistor que tenga un  mayor que el del 2N3904, se recomienda usar
el 2N4401 o su equivalente.
Escriba los valores de las cantidades indicadas en el cuadro:
TRANSISTOR VCE(V) IB(mA) IC(mA) 
2N3904
2N4401
Los valores de IB e IC corresponden a los calculados según el literal 1 c) y VCE es el valor medido.
d) Calcule los cambios en porcentaje de las cantidades indicadas en el cuadro:
% %IC %VCE %IB

 ( 4401)   (3904)
Use formulas como la mostrada: % =  100 %
 (3904)
3. Polarización por división de voltaje
Implemente el circuito mostrado.
 a) Mida y escriba los valores R1, R2, RC, RE.
b) Use el valor de  calculado en el numeral 1 c) y calcule las cantidades indicadas en el cuadro:
2N3904 VB VE VC VCE VBC IB IE IC
Calculado
Medido
c) Mida VB, VE, VC, VCE, VBC. Además, mida VR1 y VR2 con la mayor exactitud posible (el multímetro muestre
milésimas y centésimas). Luego calcule IB, IE, IC, I1, I2, usando los valores medidos de los voltajes y los
resistores y escriba los resultados en el cuadro anterior.
d) Repita todo lo anterior con el transistor 2N4401 o su equivalente. Escriba los valores de las cantidades
indicadas en el cuadro:
TRANSISTOR VCE(V) IB(mA) IC(mA) 
2N3904
2N4401
Los valores de IB e IC corresponden a los calculados según el literal 3 c) y VCE es el valor medido.

e) Calcule los cambios en porcentaje de las cantidades indicadas en el cuadro usando formulas como la
mostrada en el literal 2 d).
% %IC %VCE %IB

ANÁLISIS DE RESULTADOS

Para la red con polarización fija:

1. ¿Porqué no se hace directamente la medición de VRB para el calculo de IB?
2. Compare los resultados de los valores calculados en el literal 1 c) con los de 2 a) y haga los comentarios
del caso.
3. Compare los resultados de los valores calculados y los valores medidos en el cuadro del literal 2 b) y haga
los comentarios del caso.

Problemas y Ejercicios

1. a) Calcule la IC(sat.) en el circuito con polarización fija para los dos transistores.
b) Calcule la IC(sat.) en el circuito con polarización por división de voltaje para los
dos transistores.
c) ¿Las corrientes anteriores son sensibles al ? Explique.
2. a) ¿En la red con polarización fija hay cambio en el punto Q cuando se cambia el
transistor 2N3904 por el 2N4401?
b) Lo anterior, pero para polarización por división de voltaje.
c) En los dos tipos de polarización, si el transistor se cambia por uno de  mayor, ¿el punto Q se mueve
hacia la región de saturación o a la de corte?

3. a) Para polarización fija escriba la ecuación de IB e IC en términos de los elementos

del circuito (VCC, R´S, ).
b) Si se asume que I1 e I2 es mucho mayor que IB debido a que I1  I2, escriba la ecuación de IC en
términos de los elementos del circuito.
c) Según los resultados a y b, explique la razón por la cual IC es mas sensible a los cambios de  en uno
de los dos circuitos.

USCO INGENIERIA ELECTRONICA

LABORATORIO DE ELECTRONICA ANALOGA I
PRACTICA No. 6

TRANSISTOR BIPOLAR OPERANDO EN CONMUTACION

OBJETIVOS
1. Recordar la prueba de transistores con el multímetro.
2. Medir los parámetros involucrados con el transistor bipolar trabajando en conmutación (corte y
saturación).
3. Calcular algunos parámetros de este modo de operación con las mediciones anteriores.

EQUIPOS Y MATERIALES REQUERIDOS

Multímetro digital. Protoboard. 3 transistores 2N3904.
1 piloto axial de 12V. 4 LED rojos. Resistores RC1, RB1, RC2, RB2 de acuerdo a diseño.
5 cables caimán-caimán. Alambre telefónico.

NOTA: 1. Piloto axial de 12V a 50mA.

2. Para los LED asuma VF=2V e IF=15mA.
3. Para los resistores también haga el cálculo de la potencia.
4. Deben proveer dos fuentes reguladas de 15V y 7V.
2.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.
Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1 RB1 RC1 RP VB VRC1 VCE VCB VP
Medidos

2.2 Transistor operando en saturación: Aplique Vi=7V.

a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q1 VB VRC1 VCE VCB VP
Medidos

b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los cálculos indicados en el cuadro.
Q1 RP IB IC β(forzada)
Calculados

3. Transistor en conmutación controlando diodos LED

Monte en el protoboard el circuito de la figura 2.

3.1 Transistor operando en corte: Aplique Vi = 0V.

Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2 RB2 RC2 RD VB VRC2 VCE VCB VD
Medidos

3.2 Transistor operando en saturación: Aplique Vi = 7V.

a) Realizar las mediciones indicadas en el cuadro.
Q2 VB VRC2 VCE VCB VD
Medidos
 b) Usando las mediciones realizadas que sean del caso, haga los cálculos indicados en el cuadro.
Q2 RD IB IC β(forzada)
Calculados

ANALISIS DE RESULTADOS
1. Para el circuito de la figura 1 explicar:
a) La diferencia presentada entre la resistencia medida y calculada del piloto axial.
b) Según las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qué el transistor está en corte.
c) Según las mediciones realizadas explicar con 2 razones por qué el transistor está en saturación.

2. Para el circuito de la figura 2: explicar la diferencia presentada entre la resistencia medida y calculada para
cada LED.

ACTIVIDAD PREVIA Y POSTERIOR A LA PRACTICA

Al iniciar la práctica debe entregar un documento con los resultados de los cálculos RB1, RB2, RC1 y RC2 (valor
y potencia) usando para ello los valores de los parámetros dados para el piloto axial, los LEDs y β. Resumir
esos resultados en un cuadro similar al de la directiva.

Al finalizar la práctica debe entregar un documento con los resultados de las mediciones dadas. Dichos
resultados se deben presentar en cuadros similares a los de la directiva.

UNIVERSIDAD SURCOLOMBIANA
PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA
LABORATORIO ELECTRÓNICA I
PRACTICA No. 7

AMPLIFICADOR EMISOR – COMUN Y COLECTOR - COMUN

PROCEDIMIENTO

1. Polarización
a) Implemente el circuito mostrado y escriba los valores medidos para los resistores en un cuadro
adecuado.
 b) Calcule los voltajes de polarización VB, VE, VC, IE y la resistencia dinámica re y escríbalos en un cuadro
adecuado.
c) Mida los voltajes de polarización VB, VE, VC; escríbalos en un cuadro adecuado y compárelos con los
valores calculados. También calcule IE y re usando los valores medidos para VE y RE. Compare este
valor de re con el calculado antes.

2. Ganancia de voltaje
a) Calcule la ganancia de voltaje del amplificador.
b) Aplique en la entrada una tensión senoidal de 30 mVp-p y f = 1 KHz. Observe la señal en la salida para
asegurarse que no está distorsionada. Mida Vo con el osciloscopio y calcule la Av sin carga. Compare el
valor medido con el valor calculado.

3. Impedancia de entrada
a) Calcule la Zi usando el  medido con el multímetro digital.
b) Para medir Zi conecte un resistor de 1 k entre el generador y C1. Aplique la señal de 30 mVp-p y mida
Vi, luego con los valores medidos para Vg, Vi y RX calcule Zi.

Compare el valor medido con el valor calculado.

4. Impedancia de salida
a) Calcule la Zo.
b) Retire la RX conectada en la entrada. Aplique la señal de 30 mVp-p en la entrada. Escriba el valor de Vo
medido en el literal 2 b). Luego conecté una resistencia de carga de 3 K y mida el voltaje de salida con
carga Vi.

Con los valores medidos para Vo, VL y RL calcule Zo y compárelo con el valor calculado en a).

5. Medición con el osciloscopio

a) Dibuje las señales de entrada y de salida mostradas por el osciloscopio, mida Vg con el canal 1 y Vo
con el canal 2 colocando la perilla AC – GND – DC en AC. También dibuje las señales observadas si la
perilla se coloca en DC. Use como referencia en el primer caso la línea horizontal central y en el
segundo caso la línea horizontal inferior.
 b) Aumente la tensión de entrada hasta que la salida se distorsione hacia la saturación o al corte y
escriba la tensión de entrada que produce dicha situación. Luego aumente mas la entrada hasta que la
salida se distorsione también en el otro sentido (corte o saturación) y escriba la tensión de entrada.
Compare esta tensión de entrada con la máxima tensión de entrada obtenida por calculo.

AMPLIFICADOR COLECTOR - COMUN

1. Polarización
a) Implemente el circuito mostrado y con los valores medidos para los resistores en la sección anterior
calcule los voltajes de polarización VB, VE, VC, IE. Con el valor calculado para IE calcule el valor de re.

b) Mida los voltajes de polarización VB, VE, VC y compárelos con los valores calculados. También calcule IE
y re usando los valores medidos para VE y RE. Compare este valor de re con el calculado antes.

2. Ganancia de voltaje
a) Calcule la ganancia de voltaje del amplificador.
b) Aplique en la entrada una tensión senoidal de 1 VRMS y f = 1 KHz. Mida Vo con el osciloscopio y luego
calcule la Av. Compare el valor de Av obtenido por medición con el valor calculado.

3. Impedancia de entrada
a) Calcule la Zi usando el  medido con el multímetro digital.
b) Para medir Zi conecte un resistor de 10 k entre el generador y C1 como se hizo en la sección anterior.
Aplique una señal de 2 VRMS y mida Vi, luego con los valores medidos para Vg, Vi y RX calcule Zi.
Compare el valor medido con el valor calculado.

4. Impedancia de salida
a) Calcule la Zo.
b) Retire la RX conectada en la entrada. Aplique una señal de 20 mVRMS en la entrada y mida el Vo. Luego
conecte una resistencia de carga RL de 100  y mida el voltaje de salida con carga VL.
Con los valores medidos para Vo, VL y RL calcule Zo y compárelo con el valor calculado en a).

5. Medición con el osciloscopio

Repita lo indicado en el numeral 5 de la sección anterior.

ACTIVIDAD PREVIA Y FINAL DE LA PRÁCTICA

Al iniciar la práctica debe entregar los cálculos de los dos amplificadores y al finalizar los resultados de los
valores medidos.