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Abstract— This report presents the different circuit Zona de saturación: La juntura base-emisor se encuentra
configurations using BJT transistors based on the different polarizada en directo (VBE≥0.7), lo que permite que exista una
polarizations and characteristics that can present, in turn corriente de base IB, que puede llegar a tomar un valor tan alto
presents the calculations both theoretical and those obtained by que el transistor intentaría conducir también una corriente de
the Practice, doing analyses that differ from each other and how colector muy grande, sin exceder la corriente máxima del
each configuration allows us to use them for different occasions dispositivo gracias a RC. La resistencia equivalente entre el
as well as avoid the possible failures in these. colector y el emisor aparece con un valor pequeño haciendo que
prácticamente se presente un corto circuito en la trayectoria de
Resumen— En el siguiente informe se presentan las diferentes colector a emisor
configuraciones de circuitos empleando transistores BJT en base
a las distintas polarizaciones y características que este puede I. DESARROLLO DE LA PRACTICA.
presentar, a su vez se presentan los cálculos tanto teóricos como
los obtenidos por la práctica, haciendo análisis en que difieren uno
del otro y de qué forma cada configuración nos permite Materiales:
emplearlos para distintas ocasiones así como evitar las posibles
fallas en estos mismos. Osciloscopio.
Multímetros.
INTRODUCCION.
Generador de señales.
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado Diodos y resistencias.
sólido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W. Fuente DC.
Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio Caimanes.
Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas
inglesas BJT (bipolar junction transistor). Se trata de un Transistores 2N3904 y 2N3906
dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales Cautín.
(llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp: Protoboard.
-Selección de transistores:
Para este caso se eligió los transistores 2N3904 Y 2N3906, en la
tabla 1.1 y 1.2 se observa las betas tomadas para ambos
transistores en base a 3 multímetros empleados.
Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, este puede operar MULTIMETRO 2N3904
según 4 modos diferentes, según estas uniones sean: BETAS
ß1 Q1 ß2 Q2 ß3 Q3
Zona activa: La juntura base-emisor debe estar polarizada en 289 263 297
directo (VBE ≥ 0.7 V) y la juntura base-colector debe estar 205 240 221
polarizada en inverso. En esta zona la relación entre las corrientes Multímetro genérico 301 372 295
IC y IB va a depender de un parámetro intrínseco del transistor Tabla 1.1. Betas obtenidas por los multímetros en base al 2N3904.
que es comúnmente llamado β.
Figura 1.1. Polarización fija para el BJT (en el caso trabajo con PNP).
𝑉𝑐𝑐 = −12 𝑣
𝑉𝑏𝑏 = −3𝑣 Figura 1.4. Simulación de la polarización fija con PNP.
𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴
ß = 218 2. Polarización fija con resistencia en el emisor: Para el
En este caso nuestra Ib está dada por: segundo punto se nos pide realizar el circuito que se observa en la
figura 2.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido en 0.85,
𝐼𝑐 10𝑚𝐴 debido a que el último número del segundo integrante es 9, por
𝐼𝑏 = = = 45.98𝑢𝐴
ß 218 criterio se debe implementar un transistor NPN (como la figura)
para la configuración, los cálculos respectivos se observan a
Las resistencias serán: continuación.
𝑉𝑟𝑐 6𝑣
𝑅𝑐 = = = 600Ω
Ic 10𝑚𝐴
𝐼𝑐 10𝑚𝐴
𝐼𝑏 = = = 43.29𝑢𝐴
ß 231
Las resistencias serán: Figura 2.4. Simulación de la polarización fija con resistencia en el emisor.
𝑉𝑏𝑏 − 𝑉𝑏𝑒 2.3𝑣 3. Polarización con realimentación del colector: Para el tercer
𝑅𝑏 = = = 34.68𝑘Ω
Ib 43.29𝑢𝐴 punto se nos pide realizar el circuito que se observa en la figura
3.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido en 0.5, debido a que
𝑉𝑟𝑐 0.9𝑣 el último número del segundo integrante es 9, por criterio se debe
𝑅𝑐 = = = 90Ω
Ic 10𝑚𝐴 implementar un transistor NPN (como la figura) para la
configuración, los cálculos respectivos se observan a
𝑉𝑟𝑐 0.9𝑣 continuación.
𝑅𝑒 = = = 89.64Ω
Ic 10.04𝑚𝐴
𝑉𝑟𝑐 3𝑣
𝑅𝑐 = = = 300Ω
Ic 10𝑚𝐴
𝑉𝑟𝑒 3𝑣
𝑅𝑒 = = = 298.80Ω
Ie 10.04𝑚𝐴
Vrc y Vre son de 3v ya que el ejercicio nos menciona que el punto
Q es de 0.5 es decir, en el colector emisor del transistor debemos
tener un voltaje de 6v, por ende los otros 6v restantes de la
alimentación Vcc deben caer en los elementos restantes en esa
malla que es Rc y Re.
𝑉𝑟𝑐 3.6𝑣
𝑅𝑐 = = = 180Ω
Ic 20𝑚𝐴
𝑉𝑟𝑒 3.6𝑣
𝑅𝑒 = = = 179.55Ω
Ie 20.05𝑚𝐴
ß ∗ 𝑅𝑒 = 67.5 𝑘
𝑉𝑏 3.6 + 0.7
Figura 3.4. Simulación de la polarización con retroalimentación en el colector. 𝐼2 = = = 53.75𝑢𝐴
R2 80𝑘Ω
4. Polarización por divisor de voltaje: Para el cuarto punto se I1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 53.75𝑢𝐴 + 53.19𝑢𝐴 = 106.94𝑢𝐴
nos pide realizar un circuito por divisor de voltaje como se
observa en las figura 4.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏 12𝑣 − 4.3𝑣
en 0.4, debido a que el último número del segundo integrante es 𝑅1 = = = 72𝑘Ω
I1 106.94𝑢𝐴
9, por criterio se debe implementar un transistor NPN (como la
figura) para la configuración, los cálculos respectivos se observan
a continuación. Vrc y Vre son de 3.6v ya que el ejercicio nos menciona que el
punto Q es de 0.4 es decir, en el colector emisor del transistor
debemos tener un voltaje de 4.8v, por ende los otros 7.2v restantes
de la alimentación Vcc deben caer en los elementos restantes en
esa malla que es Rc y Re.
𝑉𝑟𝑒 1.875𝑣
𝑅𝑒 = = = 93.7Ω
Ie 10.03𝑚𝐴
𝑉𝑐𝑐 = 20 𝑣
Figura 5.4. Simulación de la polarización por fuente dual.
𝑉𝑒𝑒 = 5 𝑣
6. Curva característica del BJT: Para el sexto inciso se nos pide
implementar el circuito que se observa en las figura 6.1, haciendo La beta general estará dada por el promedio de los 10 valores de
un barrido de la fuente V2 de 0 v a 10 v en intervalos de 1v e ir Ic entre Ib que se observan en la tabla 6.1 así:
anotando los valores Ic, Vce e Ib respectivamente, los datos
arrojados por los multímetros se observan en la tabla 6.1 a ∑𝐼𝑐/𝑛𝑐 20𝑚𝐴
ß= = = 313
continuación. ∑Ib/nb 63.89𝑢𝐴
.
7. Multi etapa: Para el ultimo inciso se nos pide realizar un circuito como
se observa en las figura 7.1, a su vez pidiendo que el transistor nos disipe
una potencia de 180mW y un Qdc de 0.3, los datos respectivos se
observan a continuación.
Intervalos Ib Ic Vce
de voltaje
0v 0 uA 0 0v
1v 3.83uA 1.2mA 0.185 v
2v 13.09uA 4.1mA 0.288 v
3v 24.28uA 7.6mA 0.411 v Figura 7.1. Diseño propuesto (multietapa)
4v 31.94uA 10mA 0.520 v
5v 45.68uA 14.3mA 0.694 v 𝑉𝑐𝑐 = 18 𝑣
𝐼𝑐1 = 10𝑚𝐴
6v 54.31uA 17mA 0.844 v
𝐼𝑐2 = 20𝑚𝐴
7v 62.3uA 19.5mA 1.01 v
𝐼𝑐3 = 33.3𝑚𝐴
8v 69uA 21.6mA 1.22 v ß1 = 250
9v 73.80uA 23.1mA 1.65 v ß2 = 300
10 v 82.4uA 25.8mA 1.92 v ß3 = 267
Tabla 6.1.Valores Ic, Vce e Ib al realizar el barrido en V2 para el
circuito de la figura 6.1. Tras realizar los cálculos por cada etapa se obtuvieron los siguientes
En base a la Ic y Vce medidos se procede a realizar la gráfica valores de resistencia.
IcvsVce, la cual se observa en la figura 6.2 a continuación. Etapa1:
𝑅1 = 153𝑘Ω
𝑅2 = 120𝑘Ω
Ic vs Vce 𝑅𝑐 = 450Ω
30 𝑅𝑒 = 448Ω
25 Etapa2:
𝑅𝑐 = 260Ω
20
𝑅𝑒 = 189Ω
15 Etapa3:
𝑅𝑐 = 256Ω
10
𝑅𝑒 = 260Ω
5
0 En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon
0 0.5 1 1.5 2 2.5 comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 7.1 a continuación:
Figura 6.2. Comportamiento de los valores Ic vs Vce
Variable V. Teórico V. Practico Error Cuarto punto: El punto donde se realizó la polarización por
Vcc 18 v 18 v 0% divisor de voltaje nos presenta la mayor estabilidad de la
Vce3 5.4 v 6.12 v 11.76% ganancia, al acercar el elemento calefactor se presenta el cambio
ß1 250 253 1.18% obviamente pero de una forma sumamente menor con respecto a
ß2 300 300 0% las tres anteriores polarizaciones y esto lo asumimos al divisor que
ß3 267 272 1.38% maneja en la base para esta configuración, las resistencias 1 y 2
Tabla 7.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual.
nos aseguran que la variación de la corriente de base no influya
tanto en la ganancia o en la respuesta de salida, por lo que se
La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización dual para
observa que esta es la configuración más aceptable si se desea que
el circuito no presente tanta variación con respecto.
el NPN3904 se puede observar en la figura 7.3.
V. BIBLIOGRAFIA.
[1] L. Thomas Floyd, Dispositivos Electricos, 8va Edicion.
[2] L. Robert Boylestad, Teoria de circuitos y dispositivos electronicos, 10ma
Edicion.
[3] [1]Introducción al análisis de circuitos, Boylestad, 10 Edición. México 2004.
[4] http://moodle2.uptc.edu.co/moodle_presencial/pluginfile.php/65708/mod_r
esource/content/1/FACULTAD%20DE%20INGENIERIA%20presentacion
%201.0.pdf
[5] http://quidel.inele.ufro.cl/~jhuircan/PDF_CTOSII/reguieee.pdf
[6] https://electronicavm.files.wordpress.com/2011/03/amplificadores-clase-a-
y-b1.pdf
[7] http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
04/cce/practicas/encapsulados/encapsulados.htm#Encapsulado%20de%20T
ransistores
[8] https://www.fisicarecreativa.com/informes/infor_em/var_resistencia_tempe
ratura.pdf.