CARACTERISTICAS Y POLARIZACIONES DEL TRANSISTOR BJT

Dayan Styben Auzaque Lancheros

Facultad de Ingeniería
Programa de Ingeniería Electrónica extensión Tunja
Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia
Tunja, Boyacá - Colombia
dayan.auzaque@uptc.edu.co

Abstract— This report presents the different circuit Zona de saturación: La juntura base-emisor se encuentra
configurations using BJT transistors based on the different polarizada en directo (VBE≥0.7), lo que permite que exista una
polarizations and characteristics that can present, in turn corriente de base IB, que puede llegar a tomar un valor tan alto
presents the calculations both theoretical and those obtained by que el transistor intentaría conducir también una corriente de
the Practice, doing analyses that differ from each other and how colector muy grande, sin exceder la corriente máxima del
each configuration allows us to use them for different occasions dispositivo gracias a RC. La resistencia equivalente entre el
as well as avoid the possible failures in these. colector y el emisor aparece con un valor pequeño haciendo que
prácticamente se presente un corto circuito en la trayectoria de
Resumen— En el siguiente informe se presentan las diferentes colector a emisor
configuraciones de circuitos empleando transistores BJT en base
a las distintas polarizaciones y características que este puede I. DESARROLLO DE LA PRACTICA.
presentar, a su vez se presentan los cálculos tanto teóricos como
los obtenidos por la práctica, haciendo análisis en que difieren uno
del otro y de qué forma cada configuración nos permite Materiales:
emplearlos para distintas ocasiones así como evitar las posibles
fallas en estos mismos.  Osciloscopio.
 Multímetros.
INTRODUCCION.
 Generador de señales.
El transistor bipolar fue el primer dispositivo activo de estado  Diodos y resistencias.
sólido. Fue inventado en 1949 en los Laboratorios Bell por W.  Fuente DC.
Schockley, J. Bardeen y W. Brattain (que recibieron el premio  Caimanes.
Nobel en 1956). También se suele denominar por sus siglas
inglesas BJT (bipolar junction transistor). Se trata de un  Transistores 2N3904 y 2N3906
dispositivo formado por dos uniones y que tiene tres terminales  Cautín.
(llamados emisor, base y colector). Hay dos tipos, npn y pnp:  Protoboard.

II. ANALISIS DE RESULTADOS

-Selección de transistores:
Para este caso se eligió los transistores 2N3904 Y 2N3906, en la
tabla 1.1 y 1.2 se observa las betas tomadas para ambos
transistores en base a 3 multímetros empleados.

Puesto que el BJT tiene cuatro uniones, este puede operar MULTIMETRO 2N3904
según 4 modos diferentes, según estas uniones sean: BETAS
ß1 Q1 ß2 Q2 ß3 Q3
Zona activa: La juntura base-emisor debe estar polarizada en 289 263 297
directo (VBE ≥ 0.7 V) y la juntura base-colector debe estar 205 240 221
polarizada en inverso. En esta zona la relación entre las corrientes Multímetro genérico 301 372 295
IC y IB va a depender de un parámetro intrínseco del transistor Tabla 1.1. Betas obtenidas por los multímetros en base al 2N3904.
que es comúnmente llamado β.

Zona de corte: La juntura base-emisor se encuentra sin

polarizar (VBE≤0.7), en cuyo caso no existen corrientes en el
transistor. La resistencia equivalente entre el colector y el emisor
tiende a un valor muy grande haciendo que prácticamente se
presente un circuito abierto en la trayectoria de colector a emisor.
 MULTIMETRO 2N3906 En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon
BETAS comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
ß1 Q1 ß2 Q2 ß3 Q3 se observa en la tabla 1.3 a continuación:
301 342 311
285 306 293
Multímetro genérico 346 382 351
Tabla 1.2. Betas obtenidas por los multímetros en base al 2N3906. Variable V. Teórico V. Practico Error
Vcc 12 v 12.1 v 0.82%
1. Polarización fija: Para el primer punto se nos pide Vbb 3v 3v 0%
realizar el circuito que se observa en la figura 1.1, a su Ib 28.90uA 29.02uA 3.04%
vez pidiendo un punto Q establecido en 0.5, debido a que Ic 10mA 10.1mA 0.99%
el último número del segundo integrante es 9, por criterio Vce 6v 5.78 v 3.66%
Rb 79.58kΩ 79.5 kΩ 0.10%
se debe implementar un transistor PNP para la
Rc 600Ω 598Ω 0.33%
configuración, los cálculos respectivos se observan a
ß 346 346-350 1%
continuación. Tabla 1.3.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual.

La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización fija del

PNP3906 se puede observar en la figura 1.4.

Figura 1.1. Polarización fija para el BJT (en el caso trabajo con PNP).

𝑉𝑐𝑐 = −12 𝑣
𝑉𝑏𝑏 = −3𝑣 Figura 1.4. Simulación de la polarización fija con PNP.
𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴
ß = 218 2. Polarización fija con resistencia en el emisor: Para el
En este caso nuestra Ib está dada por: segundo punto se nos pide realizar el circuito que se observa en la
figura 2.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido en 0.85,
𝐼𝑐 10𝑚𝐴 debido a que el último número del segundo integrante es 9, por
𝐼𝑏 = = = 45.98𝑢𝐴
ß 218 criterio se debe implementar un transistor NPN (como la figura)
para la configuración, los cálculos respectivos se observan a
Las resistencias serán: continuación.

𝑉𝑏𝑏 − 𝑉𝑏𝑒 2.3𝑣

𝑅𝑏 = = = 50𝑘Ω
Ib 45.98𝑢𝐴

𝑉𝑟𝑐 6𝑣
𝑅𝑐 = = = 600Ω
Ic 10𝑚𝐴

Vrc es de 6v ya que el ejercicio nos menciona que el punto Q es

de 0.5 es decir, en el colector emisor del transistor debemos tener
un voltaje de 6v, por ende los otros 6v restantes de la alimentación
Vcc deben caer en el único elemento restante en esa malla que es
Rc. A su vez los voltajes se presentan negativos al ser la
configuración PNP.

Figura 2.1. Polarización fija para el BJT con resistencia en el emisor.

 𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣
𝑉𝑏𝑏 = 3𝑣
𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴
ß = 231
En este caso nuestra Ib está dada por:

𝐼𝑐 10𝑚𝐴
𝐼𝑏 = = = 43.29𝑢𝐴
ß 231

Las resistencias serán: Figura 2.4. Simulación de la polarización fija con resistencia en el emisor.

𝑉𝑏𝑏 − 𝑉𝑏𝑒 2.3𝑣 3. Polarización con realimentación del colector: Para el tercer
𝑅𝑏 = = = 34.68𝑘Ω
Ib 43.29𝑢𝐴 punto se nos pide realizar el circuito que se observa en la figura
3.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido en 0.5, debido a que
𝑉𝑟𝑐 0.9𝑣 el último número del segundo integrante es 9, por criterio se debe
𝑅𝑐 = = = 90Ω
Ic 10𝑚𝐴 implementar un transistor NPN (como la figura) para la
configuración, los cálculos respectivos se observan a
𝑉𝑟𝑐 0.9𝑣 continuación.
𝑅𝑒 = = = 89.64Ω
Ic 10.04𝑚𝐴

Vrc y Vre son de 0.9v ya que el ejercicio nos menciona que el

punto Q es de 0.85 es decir, en el colector emisor del transistor
debemos tener un voltaje de 10.2v, por ende los otros 1.8v
restantes de la alimentación Vcc deben caer los elementos
restantes de esa malla que es Rc y Re.

En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon

comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 2.1 a continuación:

Variable V. Teórico V. Practico Error

Vcc 12 v 12.1 v 0.82%
Vbb 3v 3v 0%
Ib 43.29uA 41.6uA 3.90%
Ic 10mA 11.8mA 15.25%
Figura 3.1. Polarización con realimentación en el colector.
Vce 10.2 v 10.52 v 3.04%
Rb 34.68k 34.6 kΩ 0.23%
𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣
Rc 90 85.1Ω 5.44%
𝐼𝑐 = 10𝑚𝐴
Re 89.64 80Ω 10.75%
ß = 205
ß 231 232 0.43%
Tabla 2.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual. En este caso nuestra Ib está dada por:

La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización fija con 𝐼𝑐 10𝑚𝐴

𝐼𝑏 = = = 48.78𝑢𝐴
resistencia en el emisor del NPN3904 se puede observar en la figura 2.4. ß 205

Las resistencias serán:

𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑟𝑒 − 𝑉𝑟𝑐 − 𝑉𝑏𝑒 5.3𝑣

𝑅𝑏 = = = 108.65𝑘Ω
Ib 48.78𝑢𝐴

𝑉𝑟𝑐 3𝑣
𝑅𝑐 = = = 300Ω
Ic 10𝑚𝐴

𝑉𝑟𝑒 3𝑣
𝑅𝑒 = = = 298.80Ω
Ie 10.04𝑚𝐴
Vrc y Vre son de 3v ya que el ejercicio nos menciona que el punto
Q es de 0.5 es decir, en el colector emisor del transistor debemos
tener un voltaje de 6v, por ende los otros 6v restantes de la
alimentación Vcc deben caer en los elementos restantes en esa
malla que es Rc y Re.

En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon

comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 3.1 a continuación:

Variable V. Teórico V. Practico Error

Vcc 12 v 12 v 0%
Ib 48.78uA 48.5uA 0.41%
Ic 10mA 9.93mA 0.7%
Vce 6v 6.02 v 0.33%
Rb 108.65k Ω 108k Ω 0.55% Figura 4.1. Polarización por divisor de voltaje.
Rc 300Ω 300 Ω 0%
Re 298Ω 300 Ω 0.66% 𝑉𝑐𝑐 = 12 𝑣
ß 205 206 0.48% 𝐼𝑐 = 20𝑚𝐴
Tabla 3.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual. ß = 312
En este caso nuestra Ib está dada por:
La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización por
realimentación en el colector para el NPN3904 se puede observar en la 𝐼𝑐 20𝑚𝐴
figura 3.4. 𝐼𝑏 = = = 53.19𝑢𝐴
ß 312

Las resistencias serán:

𝑉𝑟𝑐 3.6𝑣
𝑅𝑐 = = = 180Ω
Ic 20𝑚𝐴

𝑉𝑟𝑒 3.6𝑣
𝑅𝑒 = = = 179.55Ω
Ie 20.05𝑚𝐴

ß ∗ 𝑅𝑒 = 67.5 𝑘

Por ende se escoje R2 de 80k

𝑉𝑏 3.6 + 0.7
Figura 3.4. Simulación de la polarización con retroalimentación en el colector. 𝐼2 = = = 53.75𝑢𝐴
R2 80𝑘Ω

4. Polarización por divisor de voltaje: Para el cuarto punto se I1 = 𝐼2 + 𝐼𝐵 = 53.75𝑢𝐴 + 53.19𝑢𝐴 = 106.94𝑢𝐴
nos pide realizar un circuito por divisor de voltaje como se
observa en las figura 4.1, a su vez pidiendo un punto Q establecido 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏 12𝑣 − 4.3𝑣
en 0.4, debido a que el último número del segundo integrante es 𝑅1 = = = 72𝑘Ω
I1 106.94𝑢𝐴
9, por criterio se debe implementar un transistor NPN (como la
figura) para la configuración, los cálculos respectivos se observan
a continuación. Vrc y Vre son de 3.6v ya que el ejercicio nos menciona que el
punto Q es de 0.4 es decir, en el colector emisor del transistor
debemos tener un voltaje de 4.8v, por ende los otros 7.2v restantes
de la alimentación Vcc deben caer en los elementos restantes en
esa malla que es Rc y Re.

En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon

comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 4.1 a continuación:
 𝐼𝑐 = 20𝑚𝐴
Variable V. Teórico V. Practico Error ß = 325
Vcc 12 v 12 v 0% En este caso nuestra Ib está dada por:
Ib 53.19uA 59.1uA 10.52%
Ic 20mA 19.7mA 1.5% 𝐼𝑐 20𝑚𝐴
Vce 4.8 v 4.89 v 1.84% 𝐼𝑏 = = = 61.53𝑢𝐴
ß 325
Re 179.5 Ω 180 Ω 0.27%
Rc 180Ω 180 Ω 0%
Las resistencias serán:
R1 72k Ω 78k Ω 7.69%
R2 80k Ω 80k Ω 0%
𝑉𝑒𝑒 − 𝑉𝑒 2.425𝑣
ß 315 312 0.95% 𝑅𝑏 = = = 39.81𝑘Ω
Tabla 4.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual. Ib 61.53𝑢𝐴

La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización por 𝑉𝑟𝑐 1.875𝑣

𝑅𝑐 = = = 93.5Ω
divisor de voltaje del NPN3904 se puede observar en la figura 4.4. Ic 10𝑚𝐴

𝑉𝑟𝑒 1.875𝑣
𝑅𝑒 = = = 93.7Ω
Ie 10.03𝑚𝐴

Vrc y Vre son de 1.875v ya que el ejercicio nos menciona que el

punto Q es de 0.75 es decir, en el colector emisor del transistor
debemos tener un voltaje de 11.25v, por ende los otros 3.75v
restantes de la alimentación Vcc-Vee deben caer en los elementos
restantes en esa malla que es Rc y Re.

En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon

comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 4.1 a continuación:

Variable V. Teórico V. Practico Error

Vcc 20v(15v) 15 v 0%
Figura 4.4. Simulación de la polarización por divisor de voltaje. Vee 5v 4.9 v 2%
Ib 61.53uA 60.2uA 2.16%
5. Polarización dual: Para el quinto inciso se nos pide realizar Ic 20mA 19.6mA 2%
un circuito como se observa en las figura 5.1, a su vez pidiendo Vce 11.25v 11.3 v 0.44%
un punto Q establecido en 0.75, los cálculos respectivos se Rb 39.8k Ω 39k Ω 2.01%
observan a continuación. Rc 187.5 Ω 180 Ω 3.74%
Re 186.9 Ω 180 Ω 3.69%
ß 330 325 1.51%
Tabla 5.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual.

La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización dual para

el NPN3904 se puede observar en la figura 5.4.

Figura 5.1. Polarización dual para el NPN.

𝑉𝑐𝑐 = 20 𝑣
Figura 5.4. Simulación de la polarización por fuente dual.
𝑉𝑒𝑒 = 5 𝑣
6. Curva característica del BJT: Para el sexto inciso se nos pide
implementar el circuito que se observa en las figura 6.1, haciendo La beta general estará dada por el promedio de los 10 valores de
un barrido de la fuente V2 de 0 v a 10 v en intervalos de 1v e ir Ic entre Ib que se observan en la tabla 6.1 así:
anotando los valores Ic, Vce e Ib respectivamente, los datos
arrojados por los multímetros se observan en la tabla 6.1 a ∑𝐼𝑐/𝑛𝑐 20𝑚𝐴
ß= = = 313
continuación. ∑Ib/nb 63.89𝑢𝐴
.
7. Multi etapa: Para el ultimo inciso se nos pide realizar un circuito como
se observa en las figura 7.1, a su vez pidiendo que el transistor nos disipe
una potencia de 180mW y un Qdc de 0.3, los datos respectivos se
observan a continuación.

Figura 6.1. Circuito base para determinar beta.

Intervalos Ib Ic Vce
de voltaje
0v 0 uA 0 0v
1v 3.83uA 1.2mA 0.185 v
2v 13.09uA 4.1mA 0.288 v
3v 24.28uA 7.6mA 0.411 v Figura 7.1. Diseño propuesto (multietapa)
4v 31.94uA 10mA 0.520 v
5v 45.68uA 14.3mA 0.694 v 𝑉𝑐𝑐 = 18 𝑣
𝐼𝑐1 = 10𝑚𝐴
6v 54.31uA 17mA 0.844 v
𝐼𝑐2 = 20𝑚𝐴
7v 62.3uA 19.5mA 1.01 v
𝐼𝑐3 = 33.3𝑚𝐴
8v 69uA 21.6mA 1.22 v ß1 = 250
9v 73.80uA 23.1mA 1.65 v ß2 = 300
10 v 82.4uA 25.8mA 1.92 v ß3 = 267
Tabla 6.1.Valores Ic, Vce e Ib al realizar el barrido en V2 para el
circuito de la figura 6.1. Tras realizar los cálculos por cada etapa se obtuvieron los siguientes
En base a la Ic y Vce medidos se procede a realizar la gráfica valores de resistencia.
IcvsVce, la cual se observa en la figura 6.2 a continuación. Etapa1:
𝑅1 = 153𝑘Ω
𝑅2 = 120𝑘Ω
Ic vs Vce 𝑅𝑐 = 450Ω
30 𝑅𝑒 = 448Ω
25 Etapa2:
𝑅𝑐 = 260Ω
20
𝑅𝑒 = 189Ω
15 Etapa3:
𝑅𝑐 = 256Ω
10
𝑅𝑒 = 260Ω
5
0 En base al montaje realizado, se tomaron los datos y se tabularon
0 0.5 1 1.5 2 2.5 comparando los valores teóricos y el error que presentan entre estos como
se observa en la tabla 7.1 a continuación:
Figura 6.2. Comportamiento de los valores Ic vs Vce
 Variable V. Teórico V. Practico Error
Vcc 18 v 18 v 0%
Vce3 5.4 v 6.12 v 11.76%
ß1 250 253 1.18%
ß2 300 300 0%
ß3 267 272 1.38%
Tabla 7.1.Valores teóricos vs prácticos y su error porcentual.
La simulación en el programa Pspice Orcad de la polarización dual para
el NPN3904 se puede observar en la figura 7.3.
Figura 7.3. Simulación del multietapa.
III. ANALISIS DE LOS PUNTOS
TRABAJADOS.
Primer punto: En el primer punto como se puede observar la
polarización fija presenta bastante inconvenientes con respecto a
la variación de beta ya que para todos los transistores estos
presentaban betas distintas en las sesiones trabajadas y al realizar
esta configuración se observa a través de la tabla 1.1 que los
valores teóricos en base a la corriente de colector y voltaje
colector emisor varían pero no de forma tan abrupta, a excepción
cuando se le acerca un elemento calefactor al transistor que en este
caso fue un cautin, al acercarlo la corriente de salida o de colector
nos varia de forma notable. A su vez los valores no son
exactamente los teóricos pues las resistencias que en este caso
fueron trimmers por más precisos que sean no se tendrá siempre
el valor exacto de estos elementos pasivos.
Segundo punto: Para el segundo punto o la configuración por
emisor común nos permite observar un comportamiento similar al
del inciso n1, los valores prácticos de las resistencias no nos
permiten tener los valores exactos que fueron calculados pero aun
así los valores se asemejan bastante, salvo que se le acerque un
elemento calefactor como el cautin, aunque para este caso, la
corriente cambiaba pero no de forma tan notable como en la
polarización fija aun así se observa que la configuración en emisor
no nos garantiza una estabilidad en la ganancia del transistor.
Tercer punto: La configuración por realimentación al igual que
los puntos 1 y 2 no ofrecen una estabilidad en la beta pues se
siguen notando estos cambios en la ganancia del transistor, aun
así esta polarización presenta más estabilidad con respecto a las
otras. Al igual los valores prácticos de las resistencias no son los
mismos que los teóricos y nos darán un cambio en los valores de
salida.
Cuarto punto: El punto donde se realizó la polarización por
divisor de voltaje nos presenta la mayor estabilidad de la
ganancia, al acercar el elemento calefactor se presenta el cambio
obviamente pero de una forma sumamente menor con respecto a
las tres anteriores polarizaciones y esto lo asumimos al divisor que
maneja en la base para esta configuración, las resistencias 1 y 2
nos aseguran que la variación de la corriente de base no influya
tanto en la ganancia o en la respuesta de salida, por lo que se
observa que esta es la configuración más aceptable si se desea que
el circuito no presente tanta variación con respecto.
Quinto punto: La polarización dual nos permite interpretar una
configuración similar a la de emisor, puede que
estabilice el circuito pero no de una forma tan aceptable
como el divisor pero si nos permite variar voltaje de
entrada para disminuir el cambio tan abrupto de la
ganancia si se llegase a presentar cambio de temperatura,
al igual que los demás los valores de los elementos
pasivos no son los mismos que los teóricos así que por
ellos también vamos a tener influencia de cambio en los
valores deseados con respecto a los teóricos.
Sexto punto: En base al sexto inciso se pudo comprobar el
comportamiento básico de un transistor cuando este se
encuentra en la zona activa, la realización de barridos nos
permite obtener un valor de ganancia el cual será
independiente a la temperatura ya que estos valores
tomados como Ic, Ib y Vce fueron tomados en un rango
donde despreciamos un cambio de temperatura
ambiente, además de esto la corriente de la base estaba
directamente relacionada con el cambio de voltaje que
hacíamos en Vbb o el barrido.
Septimo punto: La configuración de multietapa nos permite
interpretar todos los circuitos anteriores trabajados, al
tener en la primera etapa una configuración por divisor
de voltaje nos asegura que la ganancia no se afecte de
manera tan abrupta con respecto a la temperatura, la
etapa 2 con PNP nos permite nivelar el voltaje de la
resistencia en el tercer transistor con el fin de que se
obtenga el punto Q deseado que en este caso es de 0.3 =
5.4 v obteniendo en la practica un voltaje de 6.1 el cual
consideramos aceptable ya que aun teniendo la
polarización en la entrada no significa que el equipo
sufra por temperatura además los valores de los
elementos pasivos obviamente no son los mismos
calculados teóricamente.
IV. CONCLUSIONES
 Como se observó con todas las configuraciones,
deducimos que la polarización por divisor de voltaje es
la mejor configuración si deseamos tener una mayor
estabilidad en el circuito por temperatura.
 Para la configuración fija se observa que es simplemente
una configuración de practica pues es imposible
incrementar la estabilidad debido que no emplea
resistencia en el emisor, a excepción de dicha
polarización o de la de retroalimentación que variando
Re disminuiremos el cambio tan abrupto por temperatura
 pero aun así la reducción es mínima y si implica que el
voltaje deseado en el colector emisor del transistor varié.
 Al observar la curva característica se nota que a altas
frecuencias el comportamiento de este se empieza a
deflectar e incluso el transistor tiene a dejar la zona
activa y moverse tanto al corte como a la saturación.
 En general la practica nos permite interpretar y deducir
que los elementos semiconductores son elementos
fundamentales en la electrónica pero aun así presentan la
gran desventaja de ser susceptibles a la temperatura por
ello es primordial buscar la forma de evitar este
problema independiente de utilizar elementos externos
como disipadores, por ello la configuración por divisor
nos ofrece una excelente respuesta a ello.

V. BIBLIOGRAFIA.
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[2] L. Robert Boylestad, Teoria de circuitos y dispositivos electronicos, 10ma
Edicion.
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[5] http://quidel.inele.ufro.cl/~jhuircan/PDF_CTOSII/reguieee.pdf
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[7] http://electronica.ugr.es/~amroldan/asignaturas/curso03-
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[8] https://www.fisicarecreativa.com/informes/infor_em/var_resistencia_tempe
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