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Universidad Nacional Mayor de

San Marcos

FACULTAD DE INGENIERÍA
ELÉCTRICA, ELECTRÓNICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

Compendio de Informes

Curso : Lab. Dispositivos Electrónicos

Alumnos :

Bastidas Cerazo Luis Angel 10190258

Profesor : Ing. Luis Ponce Martínez

Ciclo : 3°

2011
Contenido:
EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador .....................................................................................................................................3

EXPERIMENTO Nº2
El Diodo Emisor de Luz o LED ..................................................................................................................... 12

EXPERIMENTO Nº3
El Diodo Zener........................................................................................................................................... 16

EXPERIENCIA Nº 4
Fuente de alimentacion no regulada ......................................................................................................... 21

EXPERIMENTO Nº 5
Fuente de Alimentación Regulada con Zener ............................................................................................ 27

LABORATORIO Nº6
Polarización del Transistor BJT ................................................................................................................... 32

LABORATORIO Nº 7
DIAC ............................................................................................................................................................ 49

LABORATORIO Nº8
Oscilador Practico con UJT ......................................................................................................................... 54

LABORATORIO Nº9
Oscilador Practico con PUT ........................................................................................................................ 59

LABORATORIO Nº 10
El Dimmer ....................................................................................................... Error! Bookmark not defined.
EXPERIMENTO Nº1
El Diodo Rectificador

I. OBJETIVOS

Utilizar características de operación de los diodos semiconductores.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Una fuente de corriente continua variable.

 Un Multímetro.

 Un Miliamperímetro y un Microamperímetro.

 Un diodo semiconductor de SI y GE.

 Un Voltímetro de C.C.

 Resistencia de 100Ω

 Cables y conectores.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un diodo es un elemento de dos terminales cuya característica tensión-corriente no es


lineal. Está formado por un cristal semiconductor dopado de tal manera que una mitad es tipo
"p" y la otra "n", constituyendo una unión “p - n”. La terminal que corresponde con la parte "p"
se llama ánodo y el que coincide con la "n" es el cátodo. Este diodo está compuesto por un cristal
de silicio o de germanio dopado, es decir, al que se le han incluido impurezas. El dopado del silicio
(o del germanio) se realiza para variar sus propiedades de semiconductor.

El diodo deja circular corriente a través suyo cuando se conecta el polo positivo de la
batería al ánodo, y el negativo al cátodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexión
opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversión de corriente
alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificación.

En resumen, son aplicables las condiciones que se describen en la figura 1.2.


El diodo semiconductor está constituido fundamentalmente
por una unión P-N, añadiéndole un terminal de conexión a
cada uno de los contactos metálicos de sus extremos y una
cápsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los
terminales que corresponden al ánodo (zona P) y al cátodo
(Zona N)

PRUEBA ESTÁTICA PARA UN


DIODO SEMICONDUCTOR

La resistencia del diodo en polarización directa


debe ser muy baja comprada con el nivel de
polarización inversa. Mientras más alta sea la
corriente, menor será el nivel de resistencia. Para la
situación de polarización inversa la lectura debe ser
bastante alta.

NOTA:

Una alta lectura en la resistencia en ambas


direcciones indica con claridad una condición abierta
(dispositivo defectuoso), mientras que una lectura muy
baja de la resistencia en ambas direcciones quizá indique
un dispositivo en corto.
REGIÓN ZENER

Existe un punto en el cual la aplicación de un voltaje demasiado negativo dará por


resultado un agudo cambio en las características, como lo muestra la figura 1.22. La corriente se
incrementa a una velocidad muy rápida en una dirección opuesta a aquella de la región de voltaje
positivo.

El potencial de polarización inversa que da como resultado este cambio muy drástico de
las características se le llama potencial Zener y se le da el símbolo Vz.

La región de avalancha (Vz) se puede acercar al eje vertical al incrementar los niveles de:
dopado en los materiales
tipo p y tipo n. Sin
embargo, mientras Vz
disminuye a niveles muy
bajos, como -5 V, otro
mecanismo llamado
ruptura Zener contribuirá
con un cambio agudo en
la característica. Este
cambio rápido en la
característica a cualquier
nivel se denomina región
Zener, y los diodos que
utilizan esta porción
única de la característica
de una unión p-n son los
diodos Zener. La región Zener del diodo semiconductor descrito se debe evitar si la respuesta de
un sistema no debe ser alterada completamente por el severo cambio en las características de
esta región de voltaje inverso.

El máximo potencial de polarización inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la
región Zener se conoce como voltaje pico inverso (referido simplemente como el valor PIV, por
las iniciales en inglés de: Peak Inverse Voltage) o PRV, por las iniciales en inglés de: Peak Reverse
Voltage).
IV. PROCEDIMIENTO:

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas en inversas del diodo de silicio.
Registrar los datos en la tabla 1.

2. Armar el circuito de la figura 1.

a. Ajustando el voltaje con el potenciómetro, observar y medir la corriente y el voltaje


directo de diodo, registrar sus datos en la tabla 2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos como


en (a), registrando los datos en la tabla 3.

R. Directa R. Inversa
2.44 MΩ 

TABLA 1. (SI)

Vcc(v) 0.50 0.54 0.59 0.66 0.79 0.90 1.22 1.79 2.30 2.83
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(v) 0.49 0.52 0.55 0.58 0.61 0.64 0.67 0.69 0.72 0.73
TABLA2

Vcc(v) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 1.99 3.99 6 8 10 11.99 14.99 19.99
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA3

3. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directa e inversa del diodo de germanio.
Registrar los datos en la tabla 4.

R. Directa R. Indirecta
7.55 KΩ 
TABLA 4

4. Repetir el circuito de la figura 1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2;


proceder a llenar la tabla 5 y 6.

Vcc(v) 0 0.18 0.25 0.31 0.44 0.56 0.88 1.25 1.48 1.66 2.03 2.61
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(v) 0 0.17 0.20 0.23 0.26 0.29 0.33 0.37 0.38 0.40 0.42 0.45
TABLA 5

Vcc(v) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Vd(v) 0 0.99 1.99 3.99 5.99 7.98 9.97 11.97 14.85 17.94 19.92
Id(µA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
TABLA 6
V. CUESTIONARIO FINAL:
1. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (SI) calcular la resistencia
dinámica del diodo.

25
Id vs Vd (polarización directa)
20

15
Corriente
(mA)
10

0
0 0.2 0.4 0.6 0.8
Voltaje (V)

Debido a que la intensidad de corriente (Id) en la zona de crecimiento vertical es 20 mA,


entonces podemos remplazarla en la siguiente fórmula (forma diferencial de la resistencia
dinámica):

26 𝑚𝑉 26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 = = = 1.3 Ω
𝐼𝑑 20 𝑚𝐴
1
Id vs Vd (polarización inversa)
0.9
0.8
0.7
0.6
Corriente (µA)0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

2. Construir el gráfico Id=F(Vd) con los datos 5 y 6 (Ge) resistencia dinámica del diodo.

Id vs Vd (polarización directa)
25

20

15
Corriente
(mA) 10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
Voltaje (V)

En este caso la resistencia dinámica se hallará con la siguiente fórmula:


𝑉𝑑 0.4 − 0.3
𝑟𝑑 = = = 0.012 𝐾Ω
𝐼𝑑 12.3 − 4.5
Id vs Vd (polarización inversa)
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Corriente 0.4
(µA) 0.3
0.2
0.1
0
0 5 10 15 20 25
Voltaje (V)

3. Interpretar los datos obtenidos en las tablas.

 En el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 2 podemos notar


que a medida que se incrementa la intensidad de corriente se llega a un donde el
voltaje del diodo es casi estable. Este resultado es de esperarse ya que el diodo de
silicio tiene un voltaje en polarización directa aproximadamente de 0.7 voltios
(comercialmente).

 El gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 3 observamos que


pesar de incrementar el voltaje del diodo (Vd) la corriente a través de este no
aumenta. Esto se debe a que la resistencia del diodo en polarización inversa es muy
grande.

 Análogamente en el gráfico de la curva característica correspondiente a la TABLA 4


se dan las mismas observaciones solo que para el caso del Germanio (Ge) el voltaje
en polarización directa es aproximadamente de 0.3 voltios (comercialmente).

 Finalmente en la gráfica correspondiente la TABLA 5 no hay se da el paso de


corriente a través del diodo, debido a que este se encuentra polarizado
inversamente.
4. Exponer sus conclusiones en el experimento.

 Lo primero que podemos concluir acerca del diodo semiconductor es que este
dispositivo en de tipo unidireccional, debido a que la corriente circulara a través de
él si es que esta en polarización directa, mientras que estando en polarización
inversa la corriente no lo hará (idealmente).

 Sobre la corriente de polarización inversa o de fuga se puede decir que idealmente


es nula, pero en casos reales se ha comprobado que esta corriente es del orden de
los microamperios (µA) o nanoamperios (nA).

 Se puede notar del contrastes entre las curvas características del diodo hecho del
silicio contra el diodo hecho de germanio, que el primero alcanza más rápidamente
la región de condición en comparación con el segundo.
EXPERIMENTO Nº2
El Diodo Emisor de Luz o LED

I. OBJETIVOS

Proporcionar los conocimientos necesarios a fin de comprender correctamente la práctica de


los LEDS.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un LED tipo TIL 203.

 Un Multímetro a pilas.

 Un Miliamperímetro de 10mA.

 Un voltímetro de 5v.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Un led es un diodo que trabaja en polarización directa, el cual en lugar de disipar la


energía en forma de calor, lo hace en forma de luz. Estos tipos de diodos están fabricados de
galio, arsénico o fósforo y la caída de tensión en polarización directa suele ser de unos 2 V.

Los led pueden


radiar luz roja, verde,
amarilla, naranja o
infrarroja (invisible).
Los led que producen
una radiación visible se
utilizan en los
instrumentos, mientras
que los de radiación
invisible encuentran su
aplicación en los
sistemas de alarma
antirrobos
principalmente.
Como se muestra en la figura 1.54 con su símbolo gráfico, la superficie conductora
conectada al material p es mucho más pequeña, con objeto de permitir la emisión de un número
máximo de fotones de energía lumínica. Observe en la figura que la recombinación de los
portadores inyectados debido a la unión con polarización directa genera luz, que se emite en el
lugar en que se da la recombinación. Puede haber, desde luego, alguna absorción de los paquetes
de energía de los fotones en la superficie misma, pero un gran porcentaje se encuentra disponible
para salir, según se muestra en la figura.

IV. PROCEDIMIENTO:

1. Realizar el siguiente circuito:

2. Variando el voltaje de alimentación, obtenga el voltaje Vd de acuerdo con los valores


del cuadro Nº 1; mida y anote el valor de la corriente de diodo (Id.)

Cuadro Nº 1
Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

Id(µA) 0 0 14.5 22 35 47 60
3. Con los datos obtenidos en el cuadro Nº 1, trazar la curva correspondiente
considerando Id=f(Vd).

70
Id vs Vd
60
50
40
Corriente 30
(µA) 20
10
0
0 0.5 1 1.5 2
Voltaje (V)

4. Disminuya el voltaje de alimentación a 0v. luego invierta el LED y repita las medidas
anteriores de acuerdo con el cuadro Nº 2.

+Vd(v) 0.5 1 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0

NOTA: No sobrepase la tensión de Vd de 1.7v

5. ¿Qué nota en el LED? ¿Se ilumina?

Sí, este se ilumina cuando sobrepasa aproximadamente los 13.9 v en polarización


directa (observado en el laboratorio).

6. ¿Cuándo trabaja correctamente el LED?

Después de haber colocado tanto en directa como en inversa las polaridades del LED, se
puede notar que este trabaja solo en polarización directa.
V. CONCLUSIÓN FINAL

Concluido este Experimento se obtienen las siguientes conclusiones:

 El LED es un componente que conduce en una sola dirección y emite luz de intensidad
luminosa creciente en cuanto sobrepasa el umbral de conducción (1.4v).

 El motivo por el cual no se recomienda sobrepasar el valor de 1.7 v, es que, a este valor
el LED no trabaja eficientemente, más aún, se corre el peligro de una ruptura en el
instrumento.

 En el silicio y el germanio el mayor porcentaje de energía se genera en forma de calor y la


luz emitida es insignificante. Mientras que en otros materiales, como el fosfuro arseniuro
de galio (GaAsP) o fosfuro de galio (GaP), el número de fotones de energía de luz emitida
es suficiente para crear una fuente de luz muy visible.
EXPERIMENTO Nº3
El Diodo Zener

I. OBJETIVOS

Dar los conocimientos necesarios para la comprensión práctica del funcionamiento del diodo
Zener.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un diodo Zener para 12 v.

 Un Multímetro a pilas.

 Un Miliamperímetro de 50mA.

 Un voltímetro de 20v.

 Una resistencia de 1 KΩ.

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

El diodo zener es un tipo especial de


diodo, que siempre se utiliza polarizado
inversamente. En este caso la corriente circula en
contra de la flecha que representa el diodo. Si el
diodo zener se polariza en sentido directo se
comporta como un diodo rectificador común.
Cuando el diodo zener funciona polarizado
inversamente mantiene entre sus terminales un
voltaje constante.

Se analizará el diodo Zener, no como un


elemento ideal, si no como un elemento real y se
debe tomar en cuenta que cuando éste se polariza
en modo inverso si existe una corriente que circula
en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de
muy poco valor.
La región Zener de la figura 1.47 se analizó con cierto nivel de detalle en la parte teórica
concerniente al Experimento 1. La característica cae de manera casi vertical en un potencial de
polarización inversa denotado como Vz. El hecho de que la curva caiga abajo y lejos del eje
horizontal, en vez de arriba y lejos para la región positiva VD. revela que la corriente en la región
Zener tiene una dirección opuesta a aquella de un diodo con polarización directa.

Esta región de características únicas se utiliza


en el diseño de los diodos Zener, los cuales tienen el
símbolo gráfico que aparece en la figura 1.48a. Tanto
el diodo semiconductor como el diodo Zener se
presentan uno al lado de otro en la figura 1.48 con
objeto de asegurar que la dirección de la conducción
se comprenda con todo detalle junto con la
polarización requerida del voltaje aplicado. El diodo
semiconductor, en el estado "encendido", soportará
una corriente en la dirección de la flecha en el
símbolo. Para el diodo Zener la dirección de la
conducción es opuesta a la de la flecha sobre el
símbolo, de acuerdo con el comentario en la
introducción de esta sección. Observe, a su vez, que la
polarización de VD y de Vz es igual, como si se
hubieran obtenido en caso de que cada uno hubiera
sido un elemento resistivo.
IV. PROCEDIMIENTO:

NOTA: El procedimiento a describirse, puede emplearse para cualquier diodo zener, pero, se
tendrá cuidado con el voltaje de dicho diodo.

7. Realizar el siguiente circuito de la figura A:

8. Variando el voltaje de alimentación, complementar los datos solicitados en la Tabla


N°1.

Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28

Iz 4.8
0 0 0 1.5m 550m 1.2 1.6 2.4 3 3.5 4.1
(mA)
Vz (V) 4.9 7.9 10 11.5 12 11.99 11.9 12 11.9 12 11.9 12

9. ¿Qué comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito N° 1 A?

En un principio el diodo Zener no conduce ninguna corriente, pero a medida que se la va


aumentando en voltaje de “alimentación” (Val.) entonces el voltaje del Zener (Vz)
aumenta hasta que en cierto punto queda prácticamente estable.
10. Invierta la posición del diodo Zener de acuerdo la figura 1B y completar la Tabla N° 2
variando los valores del voltaje de alimentación.

Val.(v) 5 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28

Iz (mA) 1.2 2.1 2.8 3.3 3.9 4.6 5.1 5.8 6.3 6.9 7.5 8.1

Vz (V) 0.7 0.7 07 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8 0.8

11. ¿Qué comportamiento tiene el diodo Zener para el circuito de la figura N° 1B??

En este caso, a pesar de que se le está aumentando el Val. al diodo y que por
consiguiente aumenta también la corriente Iz, el Vz no varía, manteniéndose estable.

12. Con los datos obtenidos en las Tablas N°1 y 2, trazar la gráfica correspondiente para el
comportamiento del diodo zener experimentado.

Gráfico N°1:

Iz vs Vz
6

3
Corriente
(µA) 2

0
0 5 10 15
Voltaje (V)
Gráfico N°2:

9
Iz vs Vz
8
7
6
5
Corriente
4
(mA) 3
2
1
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Voltaje (V)

V. CONCLUSIÓN FINAL

 El diodo Zener es un componente, que polarizado inversamente, puede utilizarse como


un estabilizador de tensión (voltaje).
EXPERIENCIA Nº 4
FUENTE DE ALIMENTACION NO REGULADA

I. OBJETIVOS

Observar y analizar experimentalmente el voltaje de salida de una fuente de alimentación


simple.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

 Multímetro

 Miliamperímetro

 Microamperímetro

 Resistencia de 1K

 Capacitores

 Transformador

 Puente rectificador o 4 diodos rectificadores en conexión tipo puente.

 Osciloscopio

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

Las fuentes de alimentación son equipos electrónicos cuya función en convertir el


voltaje de la red, la cual es de tipo alterno (sin polaridad) a un voltaje en continua, para luego
alimentar los circuitos que deseamos analizar. En este caso, nuestra fuente será la fuente de
alimentación básica. Conformada por un transformador cuya función es reducir la amplitud de la
señal de entrada de la red, así como de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la etapa de
potencia conectada a la red, y la de salida. Luego, los 4 diodos rectificadores en puente se
encargar de dejar pasar solo uno de los ciclos de la alterna. Se dice entonces que los diodos
rectificaron al voltaje de entrada. Lo simple de esta fuente radica en el hecho de que emplea un
capacitor como filtro. El capacitor se carga y descarga, tratando de linealizar la salida, hecho que
como veremos, no se logra de manera eficaz.
IV. PROCEDIMIENTO

TR1
BR1

220VAC-60HZ Vin

C1 IL RL
100u 20k +88.8 Vo
TRAN-2P2S AC Volts

Implementar el circuito de la figura.


Donde C1 se irá cambiando a distintos valores (ver la tabla).
Llenar la tabla.

CONDENSADORES (F)
2W04G
47 100 470 1000 2200

Vin 18.50V 18.50V 18.50V 18.50V 18.50V

VinPP 37.00V 37.00V 37.00V 37.00V 37.00V

VinEF 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V

VinDC 0 0 0 0 0

VinRMS 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V 13.08V

V0 16.43V 15.30V 16.53V 16.68V 16.77V

VDC 0 0 0 0 0

IL 0.75mA 0.72mA 0.74mA 0.74mA 0.74mA

Vr 0.25V 0.08V 0.15V 5mV 4mV

VrEF 0.07V 0.02V 0.04V 1.44mV 1.15mV


Dibujar V0

Etapa de entrada.-

TR1

220VAC-60HZ Vin

Etapa de rectificación.-

TR1
TRAN-2P2S BR1

220VAC-60HZ Vin

RL
C1 20k
2W04G 100u

TRAN-2P2S
Etapa de filtro.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ Vin

RL
C1 20k
100u

Para: 2W04G

C1=47F C1=100F

TRAN-2P2S
C1=470F C1=1000F

C1=2200F
V. CONCLUSIONES

 El voltaje de rizo son las fluctuaciones de alterna que se mantienen tras el proceso de
rectificación y filtro. Una fuente de alimentación eficiente debe reducir este rizo al
mínimo.

 La capacitancia del condensador electrolítico determina la amplitud del voltaje de rizo.


A mayor capacitancia, menor rizo, y a menor capacitancia, mayor rizo.

 La resistencia de carga también influye en el rizo.


EXPERIMENTO Nº 5
Fuente de Alimentación Regulada con Zener

I. OBJETIVOS

Analizar el voltaje de salida de una fuente de alimentación regulada con diodo zener.

II. MATERIALES Y/O INSTRUMENTOS

 Multímetro

 Miliamperímetro

 Microamperímetro

 Osciloscopio

 Trasformador

 4 Diodos rectificadores en conexión puente

 Condensador electrolítico

 Diodo Zener

 Resistencia (carga)
III. PROCEDIMIENTO

Implementar el circuito de la figura.

TR1
BR1

R1
220VAC-60HZ Vin
100

RL
C1 D1 IL 100k +88.8 Vo
2200u 1N4728A AC Volts
TRAN-2P2S

Llenar la tabla
2W04G
CONDENSADORES (F)

50 100 470 1000 2200

Vin 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V 12.73V

VinPP 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V 25.46V

VinEF 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V

VinDC 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

VinRMS 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V 9.00V

V0 9.39V 9.38V 9.38V 9.39V 9.38V

VRZ 1.99V 1.99V 1.99V 1.93V 2.01V

VZ 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V

VDC 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V 9.39V

IL 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA 0.10mA

Vr 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00

VrEF 0.00 0.00 0.00 0.00 0.00


Etapa de entrada.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ

C1
2200u
TRAN-2P2S

2W04G

Etapa de rectificación.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ

RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S

2W04G
Etapa de filtro.-

TR1
BR1

220VAC-60HZ

C1
2200u
TRAN-2P2S

2W04G
Etapa de regulación.-

TR1
BR1

R1
220VAC-60HZ
100

RL
C1 D1 100k
2200u 1N4728A
TRAN-2P2S

2W04G

IV. CONCLUSIONES

Observamos que el voltaje de salida en la carga es constante. Lo cual indica que el diodo
zener elimina el rizado y regula el voltaje manteniéndolo constante sin importar la carga.
LABORATORIO Nº6
Polarización del Transistor BJT

I. OBJETIVOS

Conocer la polarización por corriente de base de base y tipo H, calcular el punto Q y ver la
respuesta en Ac de dicho transistor NPN.

II. MATERIALES E INSTRUMENTOS

 Transistor BC548

 Resistencias (1K, 3K, 10K, 100K)

 Capacitores (10 uF, 100 uF)

 Generador de señales

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

El transistor BJT (Bilpolar Junction Transistor en inglés) o transistor de juntura bilateral,


es un dispositivo electrónicos de tres capas, de las cuales derivan sus dos tipos: PNP o NPN. Actúa
básicamente como una fuente de voltaje o corriente controlada por corriente de base, ello
debido a la juntura PN base – emisor, que se polariza en directa, lo cual permite controlar el flujo
de corriente a través de la juntura de colector – emisor mediante el ensanchamiento o
alargamiento del campo eléctrico entre las juntura PN.
Transistor tipo NPN

Transistor tipo PNP

Su curva característica se hace en función de todas las corrientes de base posibles para
el transistor sin que este sufra daños. Dicha curva presenta tres zonas, la zona de corte,
saturación y la zona activa o de amplificación.

Curvas características del transistor BJT y las zonas de corte y saturación indicadas
IV. PRIMERA PARTE: POLARIZACIÓN POR CORRIENTE DE BASE

Implementar el siguiente circuito:

RB RC
100k 3k
Fig 1

VCC Llenar la siguiente tabla


12v

Q1
BC548

IC (mA) 3.94

IE (mA) 4.05

IB (mA) 0.11

IRC (mA) 3.94

IRB (mA) 0.11

VCC 12

VRC 11.8

VRB 11.3

VCE 0.2

VBE 0.7

VCB -0.52

VC 0.19

VB 0.72

VE 0.00
Invertir la fuente y llenar tabla nuevamente.

IC (uA) -0.24

IE (uA) -0.24

IB (uA) -0.24

IRC (mA) -0.24

IRB (mA) -0.24

VCC -12

VRC (uV) -720

VRB -0.01

VCE -12

VBE -12

VCB -0.01

VC -12

VB -12

VE 0.00
Cambiar Rb=1M, llenar tabla.

IC (mA) 2.84

IE (mA) 2.85

IB (mA) 0.01

IRC (mA) 2.84

IRB (mA) 0.01

VCC 12

VRC 8.85

VRB 11.3

VCE 3.42

VBE 0.7

VCB 2.74

VC 3.50

VB 0.7

VE 0.00
V. SEGUNDA PARTE: POLARIZACIÓN POR DIVISOR DE VOLTAJE O TIPO H

Implementar el siguiente circuito:

R1 RC
Fig 2
100K 3k

Llenar la siguiente tabla.


Q1 VCC
BC548 12v
IC (mA) 0.43

IE (mA) 0.43
R2 RE
10k 1k
IB (uA) 1.41

IR1 (mA) 0.11

IR2 (mA) 0.11

IRE (mA) 0.43

VCC 12

VR1 10.9

VR2 1.08

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.7

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

VCB 9.63
Cambiar R1 por R2 y llenar tabla.

IC (mA) 2.79

IE (mA) 3.52

IB (mA) 0.73

IR1 (mA) 0.77

IR2 (mA) 0.04

IRE (mA) 3.52

VCC 12

VR1 7.7

VR2 4.2

VRE 3.52

VRC 8.37

VE 3.52

VC 3.63

VB 4.3

VCE 0.78

VBE 0.11

VCB -0.67
Ubicar el punto Q en la recta de Carga para cada figura

Para la figura 1:

Para la malla 1:

𝑰𝒃 × 𝑹𝒃 + 𝑽𝑩𝑬 = 𝑽𝑪𝑪

Para la malla 2:

𝑰𝑪 × 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 = 𝑽𝑪𝑪

Pero sabemos que:

𝑰𝑬 = 𝒉𝑭𝑬 × 𝑰𝑩

Y que:

𝑰𝑪 ≅ 𝑰𝑬 ∧ 𝑽𝑩𝑬 ≅ 𝟎. 𝟕𝒗

En 1:

𝑰𝑩 × 𝑹𝑩 + 𝟎. 𝟕 = 𝟏𝟐

𝟏𝟏. 𝟑
𝑰𝑩 = = 𝟎. 𝟏 𝒎𝑨
𝑹𝑩

Luego, como ICQ=4.05 mA

𝑰𝑬
𝒉𝑭𝑬 = = 𝟑𝟔. 𝟖𝟏
𝑰𝑩

Lo cual concuerda con la hoja de datos.

Así, solo nos falta obtener Vce en el punto de trabajo.

De 2:

𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪𝑸 × 𝑹𝑪 = 𝟏𝟐𝑽 − 𝟑. 𝟗𝟒𝒎𝑨 × 𝟑𝑲 = 𝟎. 𝟐𝒗

Así, ya tenemos nuestro punto Q = (0.2V,4.05mA)


Ahora, hallamos la IE MÁX, de 2:

𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝑴Á𝑿 = = 𝟒 𝒎𝑨
𝑹𝑪

Ubicando el punto en la recta de carga:

El transistor está en la zona de saturación.


Para el voltaje negativo, las junturas Base – Emisor y Colector-Emisor se polariza en inversa, por
lo que solo tenemos allí la corriente de fuga de 0.24 uA. El transistor está en la zona de
saturación, por lo que el voltaje VCE es igual al voltaje de la fuente.

Luego, el punto de trabajo Q sería: Q(12,-0.24)

El transistor está en corte.

Para RB=1M, el tipo de configración varía el hfe, por lo que esta debe reemplazarse por el
descrito en el manual. Al reemplazar los datos se obtiene:

Reemplazando los datos en las ecuaciones dadas tenemos:

ICQ=2.84mA

VCEQ=3.4 V

Entonces, nuestro nuevo punto Q de trabajo es Q=(3.4V, 2.84mA)


El transistor está en la zona activa.

Para la figura 2:

Primero, hallemos el equivalente de Thevenin del


divisor de voltaje:
R1 RC
100K 3k 𝑹𝑩𝑩 = 𝑹𝟏 ∥ 𝑹𝟐

𝟏𝟎𝟎𝑲 × 𝟏𝟎𝑲
Q1 VCC 𝑹𝑩𝑩 = = 𝟗. 𝟎𝟗𝑲
BC548 12v 𝟏𝟎𝟎𝑲 + 𝟏𝟎𝑲
Luego, el VCAB, por divisor de voltaje:
R2 RE
10k 1k 𝑹𝟐
𝑽𝑩𝑩 = × 𝑽𝑪𝑪 = 𝟏. 𝟐𝑽
𝑹𝟏
Reemplazando estos datos en el circuito original:

En 1:

𝑽𝑩𝑩 = 𝑰𝑩 × 𝑹𝑩𝑩 + 𝑽𝑩𝑬 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬

Para este caso VBE=0.7V,

𝑰𝑬
𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑩𝑬 = × 𝑹𝑩𝑩 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬
𝒉𝑭𝑬

De esta ecuación obtenemos el hfe


del transistor:

𝑰𝑬 × 𝑹𝑩𝑩
𝒉𝑭𝑬 = = 𝟎. 𝟑𝟓
𝟏𝟏. 𝟑𝒗 − 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬

De 2:

𝑽𝑪𝑪 = 𝑰𝑪 × 𝑹𝑪 + 𝑽𝑪𝑬 + 𝑰𝑬 × 𝑹𝑬

Pero IC=IE para este caso:

𝑽𝑪𝑪 − 𝑽𝑪𝑬
𝑰𝑪 =
𝑹𝑪 + 𝑹𝑬

De donde obtenemos IC máx:

𝑽𝑪𝑪
𝑰𝑪 𝑴Á𝑿 = = 𝟒𝒎𝑨
𝑹𝑪 + 𝑹 𝑬

Por último, calculemos los valores de Ic y Vce en el punto de trabajo:

De 1:

𝑽𝑩𝑩 − 𝑽𝑩𝑬
𝑰𝑪𝑸 = = 𝟎. 𝟒𝟐𝒎𝑨
𝑹𝑩𝑩
+ 𝑹𝑬
𝒉𝑭𝑬
Para calcular VCEQ, de 2:

𝑽𝑪𝑬𝑸 = 𝑽𝑪𝑪 − 𝑰𝑪𝑸 (𝑹𝑪 + 𝑹𝑬 ) = 𝟏𝟎. 𝟑𝟐𝒗

Por lo tanto, el punto Q será: Q= (10.32v; 0.42mA)

Vemos que el punto Q de trabajo está cercano a la zona de corte, aunque básicamente está en
la zona de amplificación o activa.

Cambiemos ahora R1 por R2, y reemplacemos estos valores en las ecuaciones descritas
anteriormente:

Ahora tenemos VBB=10.91v

Reemplazando en las ecuaciones 1 y 2 obtenemos nuestro nuevo punto Q de trabajo.

ICQ=2.7mA

VCEQ=0.1v

Ubicando este punto en la característica del transistor tenemos:


Ahora vemos que el transistor no trabaja, pues su punto Q está fuera de su recta de carga.
Implementar el siguiente circuito.

V1
12V

C1

10uF

R1 RC
100K 3k
C2

10uF
Q1 Vo
BC548

R2 RE
10k 1k C3
100uF

Fig 3
Llenar la siguiente tabla:

IC (mA) 0.42

IE (mA) 0.43

IB (uA) 1.45

IR1 (mA) 0.10

IR2 (mA) 0.11

IRE (mA) 0.42

VCC 12

VR1 10.8

VR2 1.07

VRE 0.43

VRC 1.29

VE 0.43

VC 10.6

VB 1.08

VCE 10.3

VBE 0.65

VCB 9.62

Vemos que los datos son idénticos a los obtenidos con el circuito sin las fuentes sinodales, lo
cual nos dice que la recta de carga de DC del transistor BJT es la misma.

VI. CONCLUSIONES
 El transistor BJT sirve como amplificador electrónico, pues presenta una ganancia de
voltaje en el emisor.

 Existen diversos circuitos de polarización para los BJT, en función de la manera en que
se quiere que trabaje.

 La recta de carga ubica todos los puntos de trabajo posibles del transistor para
diferentes corrientes de base. Un transistor trabajando en algún punto fuera de esta
recta está siendo utilizado de manera incorrecta.

 Al invertir el voltaje de alimentación en el primer circuito, llevamos al transistor a la


zona de corte, pues la juntura base – emisor se polarizó en inversa, provocando un
campo muy fuerte entre colector y emisor, dejándolo abierto.

 Al cambiar la resistencia por una de 1M, se llevó finalmente al transistor a la zona activa.

 En el segundo caso, al invertir las resistencias de base, solo se alteró la corriente de la


base, llevando el punto de trabajo fuera de la recta de carga.
LABORATORIO Nº 7
DIAC

I. OBJETIVOS

Proporcionar experimentalmente las características del DIAC.

II. MATERIALES Y EQUIPOS

 DIAC DB3

 Multímetro a pilas.

 Miliamperímetro de 20 mA

 Voltímetro para 100v.

 Resistencia de 4.7K

III. FUNDAMENTO TEÓRICO

El DIAC es un dispositivo de potencia bidireccional, formada por 4 junturas PNPN, con


dos terminales llamados simplemente ánodo 1 o ánodo 2. Básicamente es un diodo de disparo
bidireccional para los tiristores, en especial para el TRIAC.

Se comporta como dos diodos en oposición, que se disparan cuando la tensión entre sus
ánodos llega o supera a la tensión de disparo proporcionada por el fabricante.
Curva característica del DIAC. Vemos como
a partir de cierto V, el DIAC comienza a conducir.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Realizar el siguiente circuito:

O A 60v

R1
4.7k

+88.8
Volts

+88.8
D1 Volts
DIAC

+88.8
Amps

2. Variando la tensión de la alimentación, partiendo de cero, determinar los valores de V 2 e


I con cada valor de V1.

3. En correspondencia de largas variaciones de la intensidad I, variar esmeradamente el


voltaje V1. Anotar los valores obtenidos en la tabla correspondiente.
4. Invierta las conexiones del DIAC y repetir las mediciones llevando los valores a la parte
correspondiente de la misma tabla.

5. Trazar la gráfica I= f(v) y observe el comportamiento general de la curva.

A partir del gráfico, vemos que el voltaje de activación del DIAC es 40 v voltios. Ello,
pues antes de que el voltaje llegue a ese valor, la corriente a través del DIAC es muy pequeña
(tiende a cero), mientras que pasado ese voltaje, el DIAC entra en conducción.
6. Tomando en consideración los valores de la tabla y la curva obtenida con estos valores,
determine el comportamiento del DIAC.

V2(v) I(mA)
V1(v)
DIRECTA INVERSA DIRECTA INVERSA

0 0 0 0 0

15 15.16 -15.06 0 0

30 30.18 -30.17 0 0

32 30.54 -29.89 0.350 -0.5

34 29.33 -28.89 1.050 -1.1

36 28.68 -28.18 1.6 -1.65

38 28.17 -26.78 2.150 -2.4

39 27.94 -26.52 2.4 -2.6

40 26.68 -26.23 2.8 -2.9

42 26.3 -25.8 3.4 -3.45

44 25.9 -25.41 3.85 -4

46 25.59 -25.2 4.4 -4.45

48 25.3 -24.85 4.8 -5

50 25.06 -24.55 5.15 -5.4


V. CONCLUSIONES

 El DIAC es un dispositivo bidireccional, cuyo equivalente son dos diodos en oposición.

 El DIAC es un tipo de tiristor controlado por el voltaje entre sus ánodos. Mientras el voltaje
entre sus terminales sea menor que este voltaje, el DIAC no conduce. Una vez que lo hace,
el voltaje a través de él disminuye para luego incrementarse, ello quiere decir que el DIAC
entró en conducción.

 El DIAC se usa generalmente como elemento de disparo de los TRIAC’s, así como para el
control de sistemas de potencia, como en los Dimmer’s.

 El DIAC utilizado es el DB3, cuyo voltaje de activación es 40 voltios en ambos sentidos


(bidireccional).
LABORATORIO Nº8
Oscilador Practico con UJT
(Transistor de Unión Única)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar todo lo necesario a fin de lograr los conocimientos a prácticos sobre el UJT.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un UJT tipo 2N2646

 Resistencias (15K, 470 ohm, 22 ohm)

 Potenciómetro de 20K.

 Capacitor de 100 μF – 16v.

 Osciloscopio.

 Una fuente de alimentación.

III. CARACRTERÍSTICAS DEL UJT:

El transistor mono unión (UJT) se utiliza generalmente para generar señales de disparo
en los SCR. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre
B1 y B2 la mono unión tiene las características de una resistencia ordinaria.
a) Estructura física, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente y d) símbolo.

IV. PROCEDIMIENTO

1. Implementamos el siguiente circuito.

VCC

R1
2k

R2
470
RV1
10K

2N2646
UJT

Vout

R3
C1 22
100uF
2. Ajustamos el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd.
Conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 1 y tierra. Y así obtenemos
la siguiente curva en el osciloscopio.

3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre la Base 2 y tierra. Y así
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.
4. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre el emisor y tierra. Y así
obtenemos la siguiente curva en el osciloscopio.

V. CIRCUITO CON UJT:


VI. CONCLUSIONES:

 El circuito con UJT sirve para generar señales para dispositivos de control como
Tiristores o Triac.

 Observamos que el capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del


transistor UJT, cuando esto sucede este se descarga a través de la unión Emisor-
B1.

 Luego el capacitor se descarga hasta que llega a un voltaje (aprox. 2.5v), con este
voltaje el transistor UJT se apaga (es decir deja de conducir entre E-B1); y el
capacitor inicia su carga otra vez.
LABORATORIO Nº9
Oscilador Practico con PUT
(Transistor de Unión Programable)

I. OBJETIVOS:

Proporcionar las características y la prueba de los PUT para poder emplear correctamente.

II. MATERIALES Y EQUIPOS:

 Un PUT tipo 2N6027.

 Una fuente de alimentación.

 Resistencias de 180K, 16K y 56 ohm.

 Un potenciómetro de 20K.

 Osciloscopio.

 Un condensador de 2200nF

III. CARACTERISTICAS DE UN PUT:

El PUT (Transistor Uniunión programable) es un dispositivo que, a diferencia del


transistor bipolar común que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas.

El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: cátodo K, ánodo
A, puerta G.

A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB
y VP que en el UJT son fijos. Los parámetros de conducción del PUT son controlados por la
terminal G
Este transistor tiene dos estados: Uno de conducción (hay corriente entre A y K y la
caída de voltaje es pequeña) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequeña.

Este transistor se polariza de la siguiente manera:

Cuando IG = 0,
VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ]
VG = n x VBB
donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las


resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que
el PUT estas resistencias están en el exterior y pueden modificarse.

Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es más débil que en el UJT y la tensión mínima
de funcionamiento es menor en el PUT.

IV. PROCEDIMIENTOS:

1. Implementamos el siguiente circuito:

VCC

R1 R3
180k 10k

PUT
2N6028

RV1

R2
C1 56
220nF

47K
2. Ajustando el amplificador vertical del osciloscopio para operar en modo cd, también
ajustamos la deflexión vertical y el barrido horizontal según sea necesario. Conectamos las
puntas de entrada vertical entre el ánodo y cátodo del PUT.

3. Ahora conectamos las puntas de entrada vertical entre


V. CONCLUSIONES:

 Observamos que el condensador se carga a través de la R=180K ohm hasta alcanzar


un voltaje de pico (Vp). Al alcanzar Vp, el PUT dispara y fluye la corriente de ánodo.
Entonces el condensador se descarga a través del circuito de baja impedancia de
ánodo-cátodo. Cuando el condensador se descarga en forma suficiente, la corriente
de ánodo cae por debajo del valor necesario para mantenerla en conducción, lo que
hace que el PUT se apague y la acción se repita continuamente.
Control de Iluminación con LDR

Se trata de un DIMMER, pero actuando como interruptor crepuscular. La diferencia


más apreciable que existe es la adición de un LDR en paralelo con C1. Este condensador se
carga a través de R1 hasta la tensión de conducción del DIAC,
Que origina el disparo del TRIAC; la lámpara se encenderá siempre que exista un nivel
bajo de iluminación. Por tanto un valor óhmico elevado del LDR permite a C1 alcanzar y
mantener la tensión de ruptura del DIAC.
Cuando la cantidad de luz que incide sobre la LDR es importante el valor óhmico de este
decrece considerablemente, impidiendo la carga de C1.En este estado la lámpara permanecerá
apagada al no conseguir suficiente tensión de cebado en extremos del citado condensador.

Entre los límites descritos, el conjunto permite un grado de iluminación de la lámpara


inversamente proporcional a la luz incidente sobre la LDR.

I. PROCEDIMIENTO

A partir de la explicación anterior pasaremos a poner en práctica lo expuesto siguiendo


el procedimiento que se detalla a continuación:

 Efectuar el montaje del circuito de la figura analizando su comportamiento con la


variación de iluminación ambiente.

 Se propone observar el efecto destellante que se produce en la lámpara cuando la


aproximamos a la LDR: la luz de la lámpara origina la disminución de la resistencia LDR,
con lo que el TRIAC queda bloqueado y la lámpara se apaga.
II. CONCLUSIONES

 El experimento demostró que el potenciómetro controlaba la cantidad de energía


proporcionada al led, el cual simula a la lámpara de potencia conectada en alterna.

 Se vio la bidireccionalidad del DIAC y del TRIAC.


RECURSOS INFORMÁTICOS Y BIBLIOGRÁFICOS
Durante la realización de este trabajo, se acudió a los siguientes recursos intelectuales:

FUENTES BIBLIOGRÁFICAS

“Teoría de Circuitos y Dispositivos Electrónicos”,8va Edición – Robert L. Boylestad – Louis


Nashelsky,

“Dispositivos Electrónicos”, 4ta Edición, Thomas Floyd.

“Dispositivos Electrónicos”, 2da Edición, Rodolfo N. Selva.

FUENTES INFORMÁTICAS

Diodo Rectificador:

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://www.unicrom.com/Tut_diodo.asp

http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm

Diodo LED:

http://es.wikipedia.org/wiki/Led

http://www.unicrom.com/Tut_diodo_led.asp

http://www.iearobotics.com/personal/ricardo/articulos/diodos_led/index.html
Diodo Zener:

http://es.wikipedia.org/wiki/Diodo_Zener

http://www.unicrom.com/Tut_diodozener_.asp

Fuentes de Alimentación

http://es.wikipedia.org/wiki/Fuente_de_alimentaci%C3%B3n

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Fuentes-alimentacion.php

http://www.electronica-basica.com/fuente-de-alimentacion.html

http://www.unicrom.com/Tut_rectificador_onda_completa_puente.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_de_onda_completa

http://www.electronica-electronics.com/fuentes/Fuentes-de-alimentacion-no-reguladas.html

http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3.htm

http://www.ucontrol.com.ar/forosmf/explicaciones-y-consultas-tecnicas/regulacion-con-diodo-
zener-problemas/

DIAC

http://es.wikipedia.org/wiki/Diac

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_diac/diac.htm

http://www.unicrom.com/Tut_DIAC.asp

UJT y PUT

http://www.unicrom.com/Tut_transistor_ujt.asp

http://www.unicrom.com/tut_funcionamiento-ujt.asp

http://www.angelfire.com/electronic2/electronicaanalogica/ujt.html
http://www.unicrom.com/cir_oscilador_con_ujt.asp

http://konnan2001.galeon.com/OSCILADOR.HTML

http://www.electronicafacil.net/circuitos/Oscilador-relajacion.html

http://www.unicrom.com/Tut_put.asp

http://es.wikipedia.org/wiki/PUT

http://www.unicrom.com/Tut_put_funcionamiento.asp

http://es.scribd.com/doc/52035204/10/DISPARO-POR-PUT

SCR y TRIAC

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_scr/pag_scr.htm

http://www.monografias.com/trabajos78/rectificador-controlado-silicio-scr/rectificador-
controlado-silicio-scr.shtml

http://www.unicrom.com/Tut_scr.asp

http://proton.ucting.udg.mx/temas/circuitos/omar/Omar.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Triac

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm

http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp

Dimmer

http://es.wikipedia.org/wiki/Dimmer

http://www.unicrom.com/cir_dimmer_cntrl_motor.asp

http://electrounico.blogspot.com/2009/07/circuito-dimmer.html
XSC1

Ext Trig
+
R1 _

1.0kΩ A
_
B
_
+ +

R4 R2
1.0kΩ
500kΩ
50 %
Key=A
Q1
2N6028
V1
12 V
C1
R3
1µF
1.0kΩ