EXPERIENCIA N° 1

DIODO SEMICONDUCTOR CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

I. OBJETIVOS

Verificar las características de operación de los

diodos semiconductores
IV. PROCEDIMIENTO

1. Usando el ohmímetro, medir las resistencias directas e inversas del diodo de

Silicio. Registrar los datos en la tabla 1.1

Tabla 1.1

Rdirecta Rinversa
1.98MΩ →∞

2. Implementar el circuito de la figura 1.1.

a. Ajustando la tensión de salida de la fuente de tensión (empezando de 0V),

observar y medir la corriente y la tensión directa del diodo. Llene la tabla 1.2.

b. Invertir el diodo verificando al mismo tiempo la polaridad de los instrumentos,

proceder como en a), registrando los datos en la tabla 1.3

FIGURA 1.1

Tabla 1.2

Vcc(V) 0.483 0.511 0.581 0.652 0.764 0.881 1.165 1.695 2.202 2.899
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.473 0.496 0.541 0.574 0.609 0.631 0.664 0.697 0.715 0.727
 Tabla 1.3

Vcc(V) 0.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.0 0.68 0.72 0.74 0.75 0.76 0.78 0.79 0.81
Id(mA) 0.0 13 13.08 54 74.3 95.8 115.2 152.1 171.5

3. Usando el ohmímetro, medir la resistencia directa e inversa del diodo de germanio. Registrar los
datos en la tabla 1.4

Tabla 1.4

Rdirecta Rinversa
6.12kΩ →∞

4. Repetir el circuito de la figura 1.1 para el diodo de germanio de manera similar al paso 2.

Proceda a llenar las tablas 1.5 y 1.6

Tabla 1.5

Vcc(V) 0.015 0.23 0.34 0.49 0.69 0.888 1.41 1.93 2.26 2.51 3.02 3.68
Id(mA) 0.0 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd(V) 0.015 0.23 0.29 0.39 0.51 0.61 0.83 1.02 1.12 1.20 1.31 1.49

Tabla 1.6

Vcc(V) 0.0 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id(mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Vd(V) 0 1 2.1 4.1 6.12 8.1 10.1 12.1 15.1 18.1 20.1