Integración de la fotónica y la electrónica

Introducción
El mercado de PICs está creciendo rápidamente, dado a que es ampliamente utilizado en las
telecomunicaciones. Hoy en día las principales tecnologías de plataforma son la integración
monolítica basada en fosfuro de indio (InP) y la fotónica basada en silicio (Si). La primera nos ofrece
la integración de componentes fotónicos, la segunda basada en silicio nos ofrece una mayor
compatibilidad con las instalaciones de procesos CMOS.
Integración fotónica y electrónica
En un inicio, tanto el diseño de integración microelectrónica como fotónica y el desarrollo de
tecnología estuvieron estrechamente conectados. Con la creciente complejidad del circuito, esta
estrecha conexión se volvió cada vez más difícil. Hoy en día, la integración monolítica basada en InP
y la fotónica de Si son las dos principales tecnologías de integración en la fotónica. La ventaja de Si
es que se produce en una fundición CMOS, que proporciona un entorno de fabricación bien
controlado y escalable rápidamente debido a que los sustratos de Si son significativamente más
grandes que los de InP. Pero, la fotónica de Si carece de fuentes de luz y amplificadores, lo que limita
su potencial para la integración a gran escala. En general, la integración monolítica basada en InP
ofrece actualmente la gama más completa de funcionalidad fotónica.
Diferencias entre la Integración fotónica y electrónica:
Aunque la integración microelectrónica y fotónica muestra muchas similitudes, también hay
diferencias marcadas. Los bloques de construcción fotónicos son bloques más grandes que operan a
mayor potencia que los transistores.
Si bien la fotónica no se escalará a las mismas densidades de componentes observadas en la
electrónica CMOS, la aplicación de tecnologías basadas en membrana crea una hoja de ruta al nivel
de decenas de miles de componentes por chip. Lo que planteará nuevos desafíos en términos
mecánicos y
electrónicos se hace más crítica. Se han identificado una amplia gama de estrategias para la conexión
de chip y wafer, y la integración de circuitos fotónicos y electrónicos. Estos pueden ir desde la
incorporación de un subconjunto de funciones fotónicas en la electrónica, hasta la integración en 3D,
la integración híbrida y la integración heterogénea.
A. Integración híbrida
Se define como el ensamblaje de chips prefabricados que tiene como requisito la alineación de sub-
micras para el ensamblaje de chip a sustrato, o el uso de chips más grandes que incorporan la adopción
de modo. Basado en esto las conexiones de RF entre moduladores, detectores y controladores se
pueden combinar en un mismo chip.
B. Integración 3D
Gracias a la utilización de vías a través de silicio ofrece redes bidimensionales de pads de enlace y
una ruta para cientos de conexiones eléctricas, pero el uso de estos pads limita la densidad de
componentes en el lado fotónico.
C. Integración heterogénea
Esta integración nos ofrece una ruta totalmente escalable para combinar fotónica y electrónica, que
puede implementarse en el wafer (en el paper se presenta una figura en donde se ve el alineamiento
precios de la capa fotónica de silicio con los láseres). Un problema de este método de integración es
el agregar la electrónica como una tercera capa aumenta la complejidad del procesamiento.
Se tiene un enfoque alternativo al heterogéneo en el cual mediante la unión de arriba hacia debajo de
InP o de CMOS, eliminando el sustrato de InP y el procesamiento a escala de wafer de las
interconexiones eléctricas con vías a través de la capa de unión óptica y de aislamiento térmico, sin
la necesidad de agrandar Pads de enlace, ahorrando superficie. Este enfoque se llama IMOS.
D. IMOS
En esta disposición se requiere un enfriamiento a doble cara para transferir calor tanto de la capa
fotónica como de la electrónica. Los circuitos fotónicos basados en membranas ofrecen crear un plano
fotónico sobre un plano de control electrónico. Las membranas utilizadas en el enfoque fotónico
tienen las mismas características de una guía de onda a escalas de micras, las cuales son utilizadas en
los productos PIC actualmente.
Conclusiones
Las nuevas tecnologías para la integración de la fotónica y la electrónica para poder tener una mayor
funcionalidad, hemos visto la integración híbrida y 3D las cuales tienen un problema con el lado
fotónico, mientras la integración heterogénea nos ofrece escalabilidad a la combinación entre fotónica
y electrónicas, pero teniendo el problema de una gran complejidad de procesamiento, aspecto que es
disminuido gracias a la IMOS, la cual está siendo utilizada actualmente..