UNMSM CIRCUITOS ELECTRÓNICOS

EL TRANSISITOR BIPOLAR NPN .CARACTERÍSTICAS BÁSICAS

1. Indicar y explicar cada una de las especificaciones de funcionamiento de un transistor bipolar.

EL TRANSISTOR BIPOLAR
El transistor bipolar es un operador electrónico con tres patillas o terminales de conexión, cuyos nombres
son. Colector, base y emisor. En resumen su funcionamiento normal es el siguiente: La corriente principal va
de colector a emisor o al revés, según se trate de un transistor NPN o PNP respectivamente. La carga o
receptor a controlar se conecta directamente a colector. A medida que se aumenta el valor de la intensidad a
la base (también VBE) el transistor permite la circulación de corriente de colector a emisor y por tanto el
funcionamiento de la carga conectada a él.

Cuando la tensión entre base y emisor y por tanto la

corriente de base, es lo suficientemente alta, mayor de
VOFF, el transistor está dispuesto a dejar pasar
corriente entre colector y emisor, con lo que un receptor
conectado directamente a colector podrá funcionar al permitirle que la corriente que lo atraviesa llegue hasta
negativo.

Por tanto en los circuitos de transistores hay que

distinguir dos subcircuitos: el circuito de
polarización o de la base y el circuito de colector
o de la carga.
 El circuito de polarización va a determinar cómo va a funcionar el transistor, es decir
si se encuentra en corte, activa o saturación (si conduce ente C y E o no). Es el
circuito que alimenta la base y por tanto el que controla IB y VBE.
 El circuito de carga es donde está conectado el receptor que queramos que funcione
y que será gobernado por el transistor. El receptor debe conectarse siempre
directamente al Colector del transistor.

REGÍMENES DE FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR

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Estudiaremos los regímenes de funcionamiento del transistor en función de la tensión base-emisor. Antes de
esto definiremos dos parámetros fundamentales del transistor. VBEOFF O simplemente VOFF es la tensión
VBE por debajo de la cual se considera que el transistor no permite el paso de corriente de colector a
emisor. Se dice que el transistor NO CONDUCE. Habitualmente VOFF= 0.2 o 0.6 V VBEON o simplemente
VON es la tensión por encima de la cual el transistor conduce plenamente, es decir permite muy bien el paso
entre colector y emisor. Habitualmente suele ser 0.7V.
FUNCIONAMIENTO EN CORTE (VBEVBEOFF)
El transistor se encontrará en corte siempre que VBEVBEOFF. En esta región el transistor no conduce y
por tanto el receptor conectado a colector no funcionará.
FUNCIONAMIENTO EN ACTIVA
La tensión base-emisor se encuentra entre VOFF<VBE<VON. En esta región el transistor conduce aunque
no lo hace plenamente y por tanto el receptor conectado a colector no funcionará a plena potencia.
FUNCIONAMIENTO EN SATURACIÓN
Cuando la tensión VBEVON, el transistor conducirá plenamente, y ya aunque sigamos aumentando la
tensión base-emisor, no conducirá mejor, la base se encuentra saturada. El receptor conectado a la base
funcionará a plena potencia.

FUNCIONAMIENTO
DEL TRANSISTOR EN
CONMUTACIÓN
Cuando hacemos funcionar en transistor solamente en las regiones de corte y de saturación se dice que le
hacemos funcionar en CONMUTACIÓN. En este estado funciona igual que lo haría un interruptor, es decir o
no conduce o conduce plenamente, y por tanto la carga conectada al colector no funciona o funciona
plenamente respectivamente.
Nosotros estudiaremos el funcionamiento del transistor en conmutación.

CORRIENTES Y GANANCIA DEL TRANSISTOR

Las corrientes de un transistor son:
o Ib = corriente de la base
o Ic = corriente de colector
o Ie = corriente de emisor

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Según la ley de Kirchhoff de los nudos, la corriente que sale de

un nudo es la suma de las que entran a él, por tanto:
IE= IB+IC
Cuando el transistor está trabajando en la región activa, la corriente de colector depende la corriente de la
base según la ecuación
Ib = Ic/
Donde  es la ganancia del transistor que suele ser de valor 100. Se puede intuir que Ib es una intensidad
muy pequeña respecto de Ic, del orden de 100 veces más pequeño. Por tanto se puede afirmar que
Por tanto IE = Ic + Ic/  Ic

CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR

A. Circuito básico de polarización:

La corriente que controla la base, y por tanto el

funcionamiento del transistor es proporcionada por
una fuente de alimentación VBB, mientras que la corriente que alimenta al receptor principal (la
bombilla) es proporcionada por un fuente diferente Vcc.
No suele emplearse en la práctica pues disponer de dos fuentes de alimentación distintas es caro y no
es práctico.

B. Circuito de Autopolarización

Es el circuito más utilizado ya que solamente hay que

utilizar una fuente de alimentación.

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Para su estudio debemos diferenciar los dos subcircuitos: el de polarización o de la base y el de carga o
colector.

El circuito de polarización es el formado por R1,

R2 y Rb. El papel que desempeñan en el circuito
son:
 La resistencia Rb, del orden de 1 o 2 K, su función es proteger la base de sobretensiones. No
es imprescindible por lo que podría quitarse del circuito.
 R1 y R2 forman un divisor de tensión y sirven para proporcionar la tensión que necesita la base
para hacer funcionar el transistor en la región de funcionamiento deseada. Nosotros asumiremos
que dado que la intensidad de base es muy pequeña, la caída de tensión en R2 es la misma que
tendrá la base del transistor y por tanto la que gobierna su funcionamiento. Las ecuaciones que
rigen este circuito, en este caso, son las de un circuito con dos resistencias en serie.

IT = Vcc / (R1+R2)
VR2 = IT x R2
Es decir, con a través de las ecuaciones anteriores determinamos la región de funcionamiento del transistor.

C. Circuito de Autopolarización modificado

Funciona exactamente igual que el de

autopolarización estudiado anteriormente. En este
caso la ventaja es que R2 es variable y podemos
gobernar el funcionamiento del transistor a nuestro antojo según variemos el valor de R2. Además
podríamos hacer que R2 fuese una LDR o una termorresistencia de forma que se conseguiría que el
funcionamiento del transistor se rigiera por la luz o la temperatura ambiente respectivamente.
Nota: podrían intercambiarse R1 por R2 y el funcionamiento del circuito sería igual que en el caso anterior
solo que las variaciones en R2 provocarían el efecto contrario en el funcionamiento de la carga conectada al
colector.

2. De los manuales, obtener los datos de los transistores bipolares: 2N3904 (AC127), (25C784T TR59)

El transistor 2N3904 es uno de los más comunes transistores NPN generalmente usado para amplificación.
Este tipo de transistor fue patentado por Motorola Semiconductor en los años 60, junto con el Transistor
PNP 2N3906, y representó un gran incremento de eficiencia, con un encapsulado TO-92 en vez del antiguo
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encapsulado metálico. Está diseñado para funcionar a bajas intensidades,

bajas potencias, tensiones medias, y puede operar a velocidades razonablemente altas. Se trata de un
transistor de bajo costo, muy común, y suficientemente robusto como para ser usado en experimentos
electrónicos.
Es un transistor de 200 miliamperios, 40 voltios, 625 milivatios, con una Frecuencia de transición de
300 MHz, con una beta de 100. Es usado primordialmente para la amplificación analógica.
El Transistor PNP complementario del 2N3904 es el 2N3906. El Transistor NPN 2N2222 es otro transistor
muy popular, con características similares al 2N3904, pero que permite intensidades mucho más elevadas.3
No obstante, en todas las aplicaciones que requieren baja intensidad, es preferible el uso del 2N3904.
El Transistor 2N3904 es un transistor muy popular para aficionados debido a su bajo costo.

3. Determinar el punto de operación del circuito del experimento.

Donde:
𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 𝑅 ∗ 𝑅2
𝑉𝐵𝐵 = ; 𝑅𝐵 =
𝑅 + 𝑅2 𝑅 + 𝑅2

Hallamos los valores máximos de 𝐼𝐶 y 𝑉𝐶𝐸 :

𝑉𝐶𝐶 12 𝑉
𝐼𝐶𝑚𝑎𝑥 = = ≅ 9.84 𝑚𝐴 ; 𝑉𝐶𝐸𝑚𝑎𝑥 = 𝑉𝐶𝐶 = 12 𝑉
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 1 𝐾Ω + 220 Ω

 Haciendo 𝑅 = 56 𝐾Ω (𝑃1 = 0 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 3.38 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 56 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (56 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 15.79 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 56 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.38 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶𝑄 = = ≅ 8.96 𝑚𝐴
𝑅𝐵 15.79 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
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𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (8.96 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 1.07 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 3.38 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 44.66 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 15.79 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐸 = (8.96 𝑚𝐴) ∗ (220 Ω) ≅ 1.97 𝑉

TABLA 2 (𝑅 = 56 𝐾Ω)
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝛽 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉) 𝑉𝐸 (𝑉)

8.96 𝑚𝐴 44.66 µ𝐴 200 1.07 𝑉 0.7 𝑉 1.97 𝑉

 Haciendo 𝑅 = 68 𝐾Ω (𝑃1 = 12 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 2.93 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 68 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (68 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 16.62 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 68 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2.93 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶𝑄 = = ≅ 7.36 𝑚𝐴
𝑅𝐵 16.62 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝑄 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (7.36 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 3.02 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 y 𝑉𝐸 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2.93 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 36.65 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 16.62 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)
𝑉𝐸 = 𝐼𝐶𝑄 ∗ 𝑅𝐸 = (7.36 𝑚𝐴) ∗ (220 Ω) ≅ 1.62 𝑉

TABLA 3 (𝑅 = 68 𝐾Ω)
𝑉𝐸 (𝑉)
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 𝐼𝐵 (µ𝐴) 𝛽 𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 𝑉𝐵𝐸 (𝑉)
1.62 𝑉
7.36 𝑚𝐴 36.65 µ𝐴 200 1.62 𝑉 0.7 𝑉

Con estos valores podemos trazar nuestra recta de carga y ubicar los puntos de trabajo Q1 y Q2:
 Haciendo 𝑅 = 156 𝐾Ω (𝑃1 = 100 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 1.48 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 156 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (156 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 19.28 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 156 𝐾Ω + 22 𝐾Ω

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𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.48 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶 = = ≅ 2.47 𝑚𝐴
𝑅𝐵 19.28 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (2.47 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 8.99 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 1.48 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 12.28 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 19.28 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo 𝑅 = 306 𝐾Ω (𝑃1 = 250 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 0.80 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 306 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (306 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 20.52 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 306 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.7 𝑉 (Silicio) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.80 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐶 = = ≅ 0.31 𝑚𝐴
𝑅𝐵 20.52 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ 𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (0.31 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 11.62 𝑉
(𝑅
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.80 𝑉 − 0.7 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 1.54 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 20.52 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo 𝑅 = 556 𝐾Ω (𝑃1 = 500 𝐾Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 0.46 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 556 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (556 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 21.16 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 556 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 ≅ 0.4 𝑉 (Suposición) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
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𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.46 𝑉 − 0.4 𝑉
𝐼𝐶 = = ≅ 0.18 𝑚𝐴
𝑅 21.16 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 𝐵 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (0.18 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 11.78 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.46 𝑉 − 0.4 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 0.92 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 21.16 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)

 Haciendo 𝑅 = 1056 𝐾Ω (𝑃1 = 1 𝑀Ω):

𝑉𝐶𝐶 ∗ 𝑅2 (12 𝑉) ∗ (22 𝐾Ω)

𝑉𝐵𝐵 = = ≅ 0.24 𝑉 ;
𝑅 + 𝑅2 1056 𝐾Ω + 22 𝐾Ω
𝑅 ∗ 𝑅2 (1056 𝐾Ω) ∗ (22 𝐾Ω)
𝑅𝐵 = = ≅ 21.55 𝐾Ω
𝑅 + 𝑅2 1056 𝐾Ω + 22 𝐾Ω

𝑅𝐶 = 1 𝐾Ω ; 𝑅𝐸 = 220 Ω ; 𝑉𝐵𝐸 → 𝑉𝐵𝐵 (𝐼𝐵 ≈ 0) ; 𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 ; 𝛽 = 200

En la malla 1:
𝐼𝐶
𝑉𝐵𝐵 = 𝑅𝐸 ∗ 𝐼𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 + 𝑅𝐵 ∗ 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐵 =
𝛽
𝑅𝐵
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 𝐼𝐶 (𝑅𝐸 + )
𝛽
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.24 𝑉 − 0.24 𝑉
𝐼𝐶 = = ≈ 0 𝑚𝐴
𝑅𝐵 21.55 𝐾Ω
𝑅𝐸 + 220 Ω +
𝛽 200
En la malla 2:
𝑉𝐶𝐶 = 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) + 𝑉𝐶𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 ∗ (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 12 𝑉 − (0 𝑚𝐴) ∗ (1.22 𝐾Ω) ≅ 12 𝑉
Hallamos 𝐼𝐵 :
𝑉𝐵𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 0.24 𝑉 − 0.24 𝑉
𝐼𝐵 = = ≅ 0 µ𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 16.62 𝐾Ω + (201) ∗ (220 Ω)

TABLA 5
1056 𝐾Ω
R 156 𝐾Ω 306 𝐾Ω 556 𝐾Ω
0 𝑚𝐴
𝐼𝐶 (𝑚𝐴) 2.47 𝑚𝐴 0.31 𝑚𝐴 0.18 𝑚𝐴
0 µ𝐴
𝐼𝐵 (µ𝐴) 12.28 µ𝐴 1.54 µ𝐴 0.92 µ𝐴
12 𝑉
𝑉𝐶𝐸 (𝑉) 8.99 𝑉 11.62 𝑉 11.78 𝑉