TRANSISTOR BIPOLAR Y DE

EFECTO DE CAMPO
UNIDAD III

3.1 Transistor Bipolar (BJT)

 TRANSISTOR BJT

Transistor :
Dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo n y una de material tipo p o bien dos
capas de material tipo p y una tipo n.
 TRANSISTOR BJT

Transistor
Las capas exteriores son mucho mayores que la capa central
aproximadamente 150 veces.

El dopado de la capa central es mucho menor que el de las

capas exteriores casi siempre 10:1 o menos.
 TRANSISTOR BJT

OPERACIÓN :
El diodo emisor base en un transistor npn se polariza
directamente, el emisor inyecta portadores mayoritarios a la
base, dentro de la base los electrones pasan a ser portadores
minoritarios.
 TRANSISTOR BJT

OPERACIÓN :
El diodo base colector se polariza inversamente, los electrones
inyectados a la base desde el emisor incrementan la corriente
inversa de saturación Is y por lo tanto la corriente de colector.
 TRANSISTOR BJT

OPERACIÓN :

I E
I C
I B

I C
I Cmay
I CO min
 TRANSISTOR BJT

ANALOGÍA PARA BJT:

 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

El nombre se deriva del hecho que la base es común

tanto para la entrada como para la salida

El flujo de corriente mostrado es el convencional

 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

Curvas configuración base común:

Curva para circuito de entrada Curva para circuito de salida

CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
En la región activa

IC IE

En la región de corte

IC 0
VBE y VCE son inversos

En la región de saturación

V CB 0
 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

Alfa ( ) relación entre IC e IE

IC
dc
IE

El valor de alfa normalmente está entre 0.90 y 0.998

La corriente se muestra en sentido convencional

 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN
Entonces
IC IE I CBO

ICBO es la corriente de colector inversa en condiciones de

colector abierto I CBO 0
Para condiciones de ca donde el punto de operación
se desplaza.
IC
ca
IE
V CB cons tan te

ca y cd son muy cercanas entre sí

 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

Vi 200 mV
Ii 10 mA
Ri 20

Asumiendo que IC=IE

VL ILR 10 mA 5k 50 V
 CONFIGURACIÓN BASE COMÚN

ACCION AMPLIFICADORA DEL TRANSISTOR

VL 50 V
AV 250
Vi 200 mV

Los valores típicos de amplificación en base común varia entre

50 y 300.

La acción básica de amplificación se produce mediante la

transferencia de una corriente I de un circuito de baja
resistencia a un circuito de alta resistencia.

Transferencia + resistor = transistor

 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

Es la configuración mas común

La corriente se muestra en sentido convencional

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

Curvas características
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

 La magnitud de IB se encuentra en microamperes, mientras

IC está en miliamperes.

 Las curvas de IB no son tan horizontales como las de IE en la

configuración base común.

 La región activa es el cuadrante superior derecho.

 La región de saturación se encuentra a la izquierda de

VCEsat
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

 La región de corte no se encuentra tan bien definida ya que

IC no es igual a cero cuando IB es cero.

 La razón para esta diferencia se puede explicar de la

siguiente manera.

De la configuración base común sabemos que:

IC IE I CBO (1)
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

De la configuración base común sabemos que:

IE IC IB (2)

Sustituyendo 1 en 2:

IC IC IB I CBO

IB I CBO
IC
1 1
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

Considerando el caso en el que IB=0 A y sustituyendo un valor

típico de como 0.996, la corriente de colector sería:

(0 ) I CBO
IC
1 1 0 . 996

I CBO
IC 250 I CBO
0 . 004
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

De forma general:

I CBO
I CEO
1 IB 0 A

Para propósitos de amplificación sin distorsión la región de

corte se define:

IC I CEO
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

BETA
En el análisis de corriente directa los niveles de IC y de IB se
relacionen mediante un factor denominado
IC
dc
IB

El valor aproximado de la en los dispositivos reales está en

un rango de 50 a 400.
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

BETA
En las especificaciones del transistor la dc se muestra como
hFE .

Para condiciones de corriente alterna se define una beta de ca

como:

IC
ac
IB
V CE cons tan te

En las especificaciones ac se indica como hfe .

 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
BETA

(a) Determine IC cuando IB=30µA y VCE=10V.

(b) Determine IC cuando VBE=0.7V y VCE=15V
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN
BETA

(a) Determine dc y ac para IB=25µA y VCE=7.5V.

 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RELACIÓN ENTRE y

Tenemos que:

IE IC IB

IC IC
IC

1 1
1
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RELACIÓN ENTRE y

( 1)

1
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RELACIÓN ENTRE y

Recordando que:

I CBO
I CEO
1
y la equivalencia
1
1
1

I CEO ( 1 ) I CBO
 CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RELACIÓN ENTRE y

I CEO I CBO

También

IC IB

IE IC IB
CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

RELACIÓN ENTRE y

IE IB IB

IE ( 1) I B
 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN

Normalmente se emplea para acoplar impedancias, ya que

cuenta con una impedancia de entrada muy alta y una
impedancia de salida baja (contrario a la configuración base
común y emisor común).
 CONFIGURACIÓN COLECTOR COMÚN

Circuito de colector común es similar al de emisor común la

diferencia es que la resistencia de carga está conectada al
emisor.
 LIMITES DE OPERACIÓN

ICmax, Corriente máxima de colector o corriente continua de colector.

VCE, Voltaje colector emisor máximo (VCE, V(BR)CEO).
VCEsat, Voltaje colector emisor saturación.

Hoja de especificaciones y curvas

 EL NIVEL MÁXIMO DE POTENCIA

El nivel de disipación de potencia es:

PD V CE I C

Si se especifica una disipación de potencia máxima de

300mW.
P D
300 mW
V CE 6V
IC 50 mA

Se repite el paso anterior para el VCEmax y para otros valores

de IC, con lo que se obtiene la curva sobre la región lineal.
En caso de no contar con las curvas solo habrá que
asegurarse que la potencia disipada por el transistor no
exceda el valor de potencia especificado en la hojas de
datos.
HOJA DE DATOS
HOJA DE DATOS
ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES
 MEDICIÓN DE TRANSISTORES

EN LA PRACTICA DE LABORATORIO
FIN