Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Informatică si Ingineria sistemelor

Lucrarea de Laborator Nr.2

La disciplina: Circuite și Dispozitive Electronice

Tema: Studierea tranzistoarelor bipolare

Elaborat: st. Grupei C-171 F/R

Domenti Tudor

Verificat: conf.univ.,dr.,
Ababii Nicolae

Chișinău 2019
Scopul lucrarii:
Ridicarea caracteristicilor statice ale tranzistorului bipolar in conexiune cu
baza comuna(BC) si cu emitor comun(EC) si deterinarea parametrilor si
semnalelor mici ”h”.

Schema electrica:

Fig.1. Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar in conexiune BC.

Fig.2 Schema Schema electrica pentru trasarea experimentala a caracteristicilor

statice ale tranzistorului bipolar in conexiune EC.
Tabelul 1. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de intrare a
tranzistorului bipolar in conexiune BC.
UEB,mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250
UCB=0 0 0 0 0 0.1 0.2 0.5 1.1 3.4 6 10.6
IE, mA
UCB=-5V 0 0 0 0 0.1 0.2 0.6 1.2 5.5 8.5 15.4
Tabelul 2. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de iesire a
tranzistorului bipolar in conexiune BC.
UCB,V 0 2 4 6 8 10 12 14
IE=5mA 4.9 4.8 4.9 5 5 5 5.1 5.1
IC, mA
IE=10mA 9.7 9.9 10 10 10.1 10.1 10.2 10.3

Tabelul 3. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de intrare a

tranzistorului bipolar in conexiune EC.
UBE,mV 20 40 60 80 100 120 140 160 200 220 250
UCE=0 0 0 0 0 0 0.1 0.2 0.4 0.6 1 1.5
IB, mA
UCE=-5V 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0.1 0.2

Tabelul 4. Dataele experimentale pentru ridicarea caracteristicelor de iesire a

tranzistorului bipolar in conexiune EC.
UCE,mV 0 0.5 1 1.5 2 3 4 6 8 10 12
IC, IB=200A 0.1 7.6 8 8.1 8.2 8.6 8.8 9.8 11 12.3 13.4
mA IB=300A 0.2 11.6 12.1 12.6 13.2 13.9 14.6 16.1 17.7 20 23.1