Laboratorio Dispositivos

Luis Alfredo Ortiz Fajardo

luis.ortizf@campusucc.edu.co
Luis Felipe Pachón Cárdenas
luis.pachonc@campusucc.edu.co
Universidad Cooperativa de Colombia

I. ABSTRACT

In this laboratory report you can observe the

different behavior of some solid-state devices
such as the diode and the transistor. The Figura 1. Configuración electrónica del diodo
results of the different variations presented by
these electronic elements will be obtained as
El diodo está construido por dos tipos de
their electrical conditions change.
materiales un “P” y un “N”
II. INTRODUCCION Material tipo P

En este laboratorio se podrá observar el Este material se obtiene a través de un

diferente comportamiento de algunos
dispositivos de estado solido como lo son el
diodo y el transistor. Se obtendrán los
resultados de las diferentes variaciones que
presentan estos elementos electrónicos a
medida que sus condiciones eléctricas
cambian.
III. OBJETIVOS
• Diseñar e implementar circuitos básicos de
electrónica para observar el
comportamiento de dichos elementos.
• Familiarizar al estudiante con las
propiedades de los dispositivos de estado
sólido.
• Fortalecer habilidades de medición.
IV. MARCO TEÓRICO
Diodo:
El diodo es un componente electrónico que
solo permite el flujo de la electricidad en un
solo sentido, debido a esto su funcionamiento
se parece a un interruptor el cual abre o
cierra los circuitos. Este dispositivo está
conformado por dos tipos de materiales
diferentes los cuales se traducen a dos
terminales, un ánodo (+) y un cátodo (-).
proceso de dopado, en el cual se añaden
átomos al semiconductor para aumentar el
número cargas positivas o huecos.
Material tipo N
Este material también se obtiene llevando a
cabo un proceso de dopado, en este proceso
también se añaden átomos al semiconductor,
pero con la diferencia que se aumenta el
número de cargas negativas o electrones.
Diodo Zener:
Los diodos Zener se usan para mantener un
voltaje fijo. Están diseñados para trabajar de
una forma confiable de manera que pueden
ser utilizados en polarización inversa para
mantener fijo el voltaje entre sus terminales.
se les puede distinguir de los diodos comunes
por su símbolo y su código ya que suelen ser
BZX o BZY, su tensión inversa de ruptura está
grabada con la letra V en lugar del punto
decimal 4V7 = 4.7V
Figura 2. Configuración electrónica del diodo Zener.
Transistor:
El transistor consta de tres cristales
semiconductores (usualmente de silicio)
unidos entre sí. Según como se coloquen los
cristales hay dos tipos básicos de transistores
bipolares.
NPN en este caso un cristal P está situado
entre dos cristales N. Son los más comunes.
V. PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Se deben implementar los siguientes circuitos
en los cuales se requiere observar el
comportamiento del diodo, diodo Zener y el
transistor.
1) Se debe anotar la variación de los
voltajes del diodo y la resistencia de
acuerdo con la guía de laboratorio y
realizar la grafica con respecto a las
medidas tomadas con respecto a la
corriente también medida en el
siguiente circuito.

Figura 3
PNP en este caso un cristal N está situado
entre dos cristales P

Figura 5. Montaje eléctrico para polarizar en directa un

diodo de silicio 1N4007.

2) De acuerdo a la guía de laboratorio se

Figura 4 debe conectar una fuente de corriente
alterna con una frecuencia de 2 kHz
La capa de en medio es mucho más estrecha con diferentes voltajes indicados en la
que las otras dos. misma y mostrar la grafica obtenida en
el osciloscopio
En cada uno de estos cristales se realiza un
contacto metálico, lo que da origen a tres
terminales:
• Emisor (E): Se encarga de proporcionar
portadores de carga.
• Colector (C): Se encarga de recoger
portadores de carga.
• Base (B): Controla el paso de corriente
a través del transistor. Es el cristal de
Figura 6. Montaje eléctrico para medir un diodo Zener.
en medio. El conjunto se protege con
una funda de plástico o metal.
 3) Implementar el siguiente circuito y VI. ANÁLISIS DE RESULTADOS
tomar los voltajes y corrientes A continuación, se mostrará los datos y
indicados en la guía de laboratorio. gráficos obtenidos de acuerdo a cada circuito
planteado.

1) Se podrá evidenciar los datos tomados

en la tabla 1 y su respectiva grafica en
donde se muestra la variación de
corriente con respecto al voltaje
aplicado en el circuito

V(V) 0,2 0,4 0,6

Vdiodo(V) 24,6mV 350mV 481mV
Vres(V) 3,5mV 65mV 139mV
I(A) 0,6uA 0,20mA 1,51mA
V(V) 0,8 1 1,4
Vdiodo(V) 527mV 551mV 581mV
Vres(V) 293mV 470mV 865mV
I(A) 3mA 6,1mA 10,4mA
V(V) 2 4 8
Figura 7. Montaje eléctrico para polarizar un transistor Vdiodo(V) 601mV 647mV 684mV
en emisor común.
Vres(V) 1,25 V 3,34 V 7,16 V
4) En el siguiente circuito se debe medir I(A) 17,39mA 40,47mA 87,6mA
el voltaje entre la base y el emisor, Vbe V(V) 10 14
y entre el colector y el emisor Vce para Vdiodo(V) 693mV 709mV
el valor más bajo posible de señal en la Vres(V) 9,04 V 13,05 V
base (unos 20 mV aproximadamente). I(A) 111,7mA 159,8mA
Y medir el Vce dependiendo del voltaje
que aplique en la base del emisor. Tabla 1. Datos tomados en la implementación de la
figura 5.

Figura 8. Montaje eléctrico para polarizar un transistor

en emisor común para estudiar la amplificación de una
señal eléctrica. Figura 9. Grafica mV/mA
 2) Se mostrará las gráficas simuladas en V = 6V
el programa proteus en donde se
evidencia la variación de la señal de
entrada con respecto a la de salida de
acuerdo a la variación de voltaje en la
entrada.

V= 0.5V

Figura 13. Variación de señal

V = 10V

Figura 10. Variación de señal

V = 2V

Figura 14. Variación de señal

V = 20V

Figura 11. Variación de señal

V = 4V

Figura 15. Variación de señal

Figura 12. Variación de señal

 3) Se realiza la implementación del
circuito numero en el programa proteus
y en la tabla 2 encontraremos los datos
obtenidos.
4) Se puede evidenciar los diferentes
voltajes medidos de la señal alterna
con una variación en el voltaje DC, la
primera grafica tiene un VDC de 10V y
la segunda de 4V

Figura 16. Implementación del Montaje eléctrico para

Figura 17. Implementación del Montaje eléctrico para
polarizar un transistor en emisor común.
polarizar un transistor en emisor común con VDC 10V y
evidenciar su amplificación.
Vcc(V) Vce(V) Vbe(V) VRc(V)
MEDIDAS 10V 7,1V 0,72V 2,9V
VRb(V) Ib(V) Ic(A) Ie(A)
MEDIDAS 9,28V 0A 10,8mA 10,8mA

Tabla 2. Datos tomados en la implementación de la

figura 16.

Logramos observar que el voltaje inicial de 10

voltios se reparte entre Vbe + VRb y al mismo
tiempo entre Vce + VRc
También se puede evidenciar que la corriente
que entra a la base es aproximadamente 0 ya
que en la base se encuentra la resistencia de
100 kilomhios la cual es muy grande con
respecto a la otra resistencia presente en el Figura 18. Implementación del Implementación del
Montaje eléctrico para polarizar un transistor en emisor
circuito y recordando que la resistencia es común con VDC 4V y evidenciar su amplificación.
inversamente proporcional a la corriente.
 VII. CONCLUSIONES.
• Se logro diseñar e implementar los
circuitos planteado en la guía de
laboratorio para observar el
comportamiento de los elementos
solicitados para cada circuito.
• Se logro darle un entendimiento más
profundo a las propiedades de los
dispositivos de estado sólido.
• Las mediciones fueron fundamentales para
recordar conceptos básicos en electrónica
para la toma de datos en los circuitos.

VIII. REFERENCIAS

https://www.ingmecafenix.com/electronica/
diodo-semiconductor/

https://www.ingmecafenix.com/electronica/
el-transistor/