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2. Dieléctricos. 17
orden de un electrón libre por cada átomo) formando una especie de “gas electrónico”
que es el responsable de los fenómenos de conducción eléctrica.
+ + + +
+ + + +
+ + + + Iones fijos
+ + + +
+ + + +
+ + + + Electrones
libres
+ + + +
+ + + +
+ + + +
hacia la izquierda debido a que el electrón tiene una carga negativa y en consecuencia,
los electrones libres se acelerarán hacia esa parte. En la superficie del conductor, éste
ejerce una fuerza sobre dichos electrones que equilibra la fuerza debida al campo
externo, de modo que los electrones quedan ligados al conductor. (Si el campo externo es
muy intenso, los electrones pueden ser arrancados de la superficie. En electrónica esto se
denomina emisión de campo). Admitiremos aquí que el campo externo no es
suficientemente intenso como para vencer a las fuerzas que ligan los electrones a la
superficie.) El resultado es una densidad de carga superficial negativa en la cara izquierda
de la lámina y una densidad de carga superficial positiva en la cara derecha debido a la
eliminación de algunos de los electrones libres de esta cara. Ambas densidades de carga
esto implica que dado que el campo deriva del potencial (ecuación [1.79]) el potencial
en el interior del conductor deber ser contante.
r r r r
E = −∇V ⇒ Si E = 0 ⇒ Vcond .eq .electrostático = cte [2.2]
ya que hemos supuesto que en interior de la cavidad no hay carga. Esto implica
también que el potencial en la cavidad debe ser contante.
r r QS 2
∫ ⋅ dS = ε 0
S2
E [2.4]
r r QS 1
S1
∫ E ⋅ dS = ε0
; QS1 = q ≠ 0 ⇒ E ≠ 0 [2.5]
+
Una vez alcanzado el equilibrio electrostático el +q +
campo en el interior del conductor, en este caso, sigue
+ -q +
siendo nulo. Para cualquier superficie cerrada como S2 que
+
contenga a la cavidad y que se encuentre en interior del + +q S
S2 1
conductor se cumplirá, (aplicando el teorema de Gauss a +
+
esta superficie), que + + +
r r QS 2
∫ E ⋅ dS =
S2
ε0
; E = 0 ⇒QS 2 = 0 ⇒ QS 2 = q − q [2.6]
r
justamente en el exterior del conductor, podemos tomar E de modo que sea
perpendicular a dicha cara. La otra cara de la caja está en el interior del conductor en
r
donde E = 0 . No existe ningún flujo a través de la superficie cilíndrica de la caja debido
r
a que E es tangente a esta superficie. El flujo que sale de la caja es pues
r r
∫ E ⋅ dS = E S
S2
n [2.7]
siendo En el módulo del campo justo en el exterior del conductor y S el área de la cara
de la caja. La carga neta en el interior de la superficie gaussiana es σS. La ley de
Gauss nos da:
r r σS/ r σ
∫ E ⋅ dS = E S/ = ε
S2
n
0
⇒E= nˆ
ε0
[2.8]
+
– r +
– E=0 +
+ – +
– +
–
Q
C= [2.8]
V
siendo una característica del conductor que sólo depende de su forma y tamaño. La
unidad de capacidad en el S.I. es el Faradio (F) en honor a Michael Faraday (1791-
1867) y corresponderá, evidentemente, a un CV-1. Las dimensiones de la capacidad
son [C]=[M-1L-2I2T4].
Q Q
V = ⇒ C = = 4πε 0 R [2.9]
4πε 0 R V
es decir, menos de una milésima de faradio. Como el Faradio es una unidad muy
grande suelen utilizarse submúltiplos como el microfaradio ( 1µF = 10 −6 F ), el
Q
C= [2.10]
V1 − V2
σ σ
( )
r r d
V2 − V1 = − ∫ E ⋅ d l = − ∫ dx iˆ ⋅ iˆ = − d
ε 1 2 3 ε
C 0 0 0
+Q r -Q
1
E = σ iˆ σ
S ε de donde V1 − V2 = d=
Qd
0 ε0 ε0S
[2.11]
Q S
y así,: C = = ε0 [2.12]
V1 − V2 d
d
r Q
E= rˆ [2.13]
4πε 0 r 2 R1
r
integrando a lo largo de un camino radial ( d l = drrˆ ), R2
r r Q
R2
dr Q 1 2
R
V2 − V1 = − ∫ E ⋅ d l = − ∫ 2 ⇒ V2 − V1 = − 4πε 0 − r R
C
4πε 0 R1 r 1
Q 1 1
⇒ V1 − V2 = − [2.14]
4πε 0 R1 R2
Q 4π R1 R2
C= = ε o [2.15]
∆V R2 − R1
r λ
E= rˆ
2πε 0 r
λ λ
(ln r )RR22 = − λ ln R2
r r R2
dr
V2 − V1 = − ∫ E ⋅ d l = − ∫ ⇒ V2 − V1 = −
C
2πε 0 R1
r 2πε 0 2πε 0 R1
de forma que:
λ R Q R
V1 − V2 = ln 2 = ln 2 [2.16]
2πε 0 R1 2πε 0 L R1
donde hemos utilizado que la densidad lineal de carga (si la línea está cargada
homogéneamente) vale: λ = Q L siendo Q la carga total de de la armadura y L la
Q 2πε 0 L
C= = [2.17]
V1 − V2 ln(R2 R1 )
• Asociación Paralelo
Por tanto se cumple que ∆VC1 = ∆VC1 = ... = ∆VC1 ≡ ∆V . La carga almacenada
Qt = ∑ Qi = ∑ Ci ∆V [2.18]
i i
N
Qt
Ceq = = ∑ Ci [2.19]
∆V i =1
• Asociación serie
-Q +Q -Q ∆V = ∆V + ∆V + .... + ∆V [2.20]
+Q 1 2 N
con lo que
N
Q N 1
∆V = ∑ = Q ∑ [2.21]
∆V1 ∆V2 i =1 Ci i =1 C i
y así, finalmente:
1 Q 1
= =∑ [2.22]
Ceq ∆V i Ci
En este caso el circuito queda como se indica en el primer esquema. Para determinar la
carga hemos de conocer la diferencia de potencial a la que está sometido cada
condensador. Como sólo conocemos la diferencia de potencial a extremos de cada
conjunto de dos condensadores (C1, C2) y (C3, C4), los asociaremos para determinar la
carga de los condensadores equivalentes. El segundo esquema refleja el nuevo circuito
en el que cada condensador equivalente está sometido a la diferencia de potencial que
impone la fuente
a
a
C4 C1
V
V C34 C12
C3 C2
b
Siendo b
C12 =
C1C 2
=
(1µF)(3µF) = 3 µF y C = C 3 C 4 = (4µF)(2µF) = 4 µF
C1 + C 2 (1µF) + (3µF) 4 C 3 + C 4 (4µF) + (2µF) 3
34
3
Q12 = C12 Vab = µF × 15V = 11.25 µC
4
4
Q 34 = C 34 Vab = µF × 15V = 20.00 µC
3
Teniendo en cuenta que cuando dos condensadores están en serie cada uno de
ellos almacena la misma carga que el condensador equivalente, se cumplirá que:
Q12 = Q1 = Q 2 = 11.25 µC
Q 34 = Q 3 = Q 4 = 20.00 µC
a a a
C4 C1 C4 C1 C14
V V V
C3 C2 C3 C2 C23
b b b
Siendo
a
C1234 =
C14 C 23
=
(3µF)(7µF) = 2.1µF
C14 + C 23 (3µF) + (7µF)
V C1234
Apuntes de Fundamentos
b Físicos de la Informática. (© Dr. J. García Rubiano)
Lección 2. Propiedades eléctricas de la materia. 14
que también será la que almacenan los condensadores C14 y C23, de forma que
Q 1234 = Q 14 = Q 23 = 31.5 µC
Q14 31.5 µC
V14 = V1 = V4 = = = 10.5 V y
C14 3 µF
Q 23 31.5 µC
V23 = V2 = V3 = = = 4 .5 V
C 23 7 µF
QdQ
dU = [2.23]
C
Q
1 Q2
U = ∫ QdQ = [2.24]
C0 2C
Q2 1 1
U= = QV = CV 2 [2.25]
2C 2 2
2 2
σ Q
E= = ⇒ Q = ε 0 ES [2.26]
ε0 ε0 S
QV = (ε 0 ES )(Ed ) = ε 0 E 2Volumen ⇒ η =
1 1 1 U 1
U = = ε0E2 [2.27]
2 2 2 Volumen 2
dU 1
η= = ε0E2 [2.28]
dτ 2
1
U= ε 0 ∫ E 2 dτ [2.29]
2