Sunteți pe pagina 1din 10

Tranzistoare bipolare

Pentru un amplificator de semnal, TB trebuie sd r[m6n[ in RAN pentru orice valoare instantanee a
semnalului, altfel se produce distorsionarea semnalului prin
limitarea acestuia. Dac[ se impune curentul de colector Is gi
tensiunea de alimentare Vgg, atunci exist?i o rezistenfi optimd
pentru circuitul din fig. 4.24 care permite o excursie maximd a
tensiunii de ieqire v6e (fhri s[ se iasl din RAN). io ng. 4.28 se lcz
poate observa ci v5p are o excursie maximl dac[ Is
Icr
vn, =vcc
2
Vcc vcn
Valoarea optimd pentru Rceste:
I/

R- : '('c
" 2 .1 . CE

Pentru Rc de valoare mic[ panta dreptei de sarcinl este


mai mare gi excursia de tensiune la iegire este limitat[ prin Fig.4.2S.Ilustrareadeplasdrii
blocarea TB. punctului instantaneu de funcfionare
pe dreapta de sarcinS.
Pentru Rc de valoare mare, panta dreptei este mici gi la
cregterea amplitudinii tensiunii de iegire se ajunge mai intdi in
regiuneade saturafie.
Daci seimpun: Vcc $i Rs, atunci curentulde colectoroptim (pentruo excursiemaximi a tensiunii de
iegire)este:
v^^
'l l\bt {
t' -
f _ LL

2.fu
[]
{k
Modelul tranzistorului bipolar cu parametrii h

Modelul cu parametrii h (hibrizi) al TB se poate obfine dacd se


considerd dispozitivul ca fiind un diport. Un diport este un element de circuit
sau circuit cu doui borne de intrare - port de intrale - gi doui borne de
iegire - port de iegire. Altfel spus, TB este considerat o ,,cutie neagrd" cu
doui borne de intrare gi doud borne de ieqire. Prin bornele de intrare va
circula curentul de intrare, L iar tensiunea dinhe bornele de intrare, ll se Fig. 4.29.Notafii pentru
numegte tensiune de intrare. in mod analog prin bomele de iegire circuli TB tratat ca diport.
curentul de ieqire, !.o iar tensiunea V. dintre bornele de iegire se numegte
tensiunede ieqire. in fig. 4.29 s-auilustrat acestenotaf;i.
Se va considera c[ Ii qi Yo sunt variabilele diportului.
Astfel, relaliile matematice ce definesc modelul cu parametrii L
hibrizi al TB sunturm[toarele:
V,=h,'It+h,'I!- ) (4.2e)
I o= h f' 1 ,+ h o ' Vo (4.30) \4
Termeni ce intervin in cele doud ecuafii sunt subliniafi
deoarece valorile pe care le pot lua sunt numere complexe (cu
parte reali gi parte imaginard). Modelul cu parametrii h este Fig.4.30.Circuitulechivalent
al TB
cu parametriih.
valabil gi la frecven{e inalte. Pentru frecven{e joase se poate
consideracn tolr termenii din rela{iile (4.29) 9i (a30) sunt reali.

21
Dispozitive electronice

Semnificaliaindiciloresteunnltoarea:i-input(intrare),a-output(ieqire),r-revers(invers),f-
forward (drect).
Semnifica{ia parametrilor h este urmdtoarea:
vl
h, = ?l - impedanta de intrare, cu iegirea in scurtcircuit;
r-i lrt
-=o
tl
h^ =
-u ?l deiegire,cu intrareain gol;
- admitantra
L'lt.=o
fl
r ol
h, I - factor de transfer (arnplificare) direct, cu iegirea in scurtcircuit;
Lt_. ^

h,=? - factor de transfer in tensiune invers, cu intrarea in gol;


4=0
Indici pentru parametrii h, folosifi in special in cataloagele penfu TB, pot fr diferifi de cei prezentali anterior.
O echivalen{E a celor doui variante de notalii este urmdtoarea:
h, = hn, h, = kn, hf = hrr,, ho = hzz
Rela{iile (4.29) 9i (a30) conduc la circuitul echivalent cu parametrii h al TB, ilustrat ?nfig. 4.30.
Deoarece diportul are patru borne, iar TB numai 3, una din bornele TB va fi comuni la intrare gi la
iegire. Astfel, borna comund a TB se conecteazd la bornele din partea de jos ale diportului din frg. 4-29.
Fiecare din cele trei borne ale TB poate fi borni comund in circuitul de curent alternativ (c.a.). De remarcat
ci borna comund a TB in circuitul de c.a. determini tipul de conexiune a acestuia. Ca urmare, modelul cu
parametrii h se poate aplica pentru cele trei conexiuni posibile ale TB:
- conexiunea emitor comun (EC);
- conexiunea bazi comund @C);
- conexiunea colector comun (CC).
Pentru exemplificare vom prezenta cel mai utiluatmodel cu paxametrii h, cel pentru conexiunea EC.

Modelul tranzistorului bipolar cu parametrii h pentru eonexiunea emitor comun

io ng. 4.3la este ilustrat diportul cu TB in conexiunea EC. Borna emitor este conectati atAt la intrare
cit qi la iegire, motiv pentru care conexiunea se numegte emitor comun. in circuitele de curent alternativ ale
amplificatoarelor cu TB, in conexiune EC, borna emitorului este la masd.
Circuitul echivalent cu parametrii h pntru conexiunea EC este prezentat in fig. 4.31b. Indicii
parametrilor au primit in plus litera e (de la emitor) deoarece aceasti borni a TB este cea comuni.
Dacd se compari modelul cu paramekii h cu cel natural, considerdnd urmitoarele simplificiri:

t----------l E
a)
Fig. 4.31.a) Diportul cu TB in conexiuneaEC;
b) circuitul echivalental TB cu parametrii h pentruconexiuneaEC.
22
Tranzistoare bipolare

lb

f'4T-fi"fi""
a) b)
Fi5.4.32.Aplicalia4.8.a) Schema de c.a.;
b) circuitul echivalentla semnalmic, frecvenfejoase.

b," 70, bl -+ *
atunci se pot face urmdtoarele aproximiri:
h* =ro, hf" =hrrn = f = g*.ro
in cataloagelepentru TB vom gisi ca parametruh21".De exemplu, TB tip BC 107 are h21"inte 125 qi 500.

Aplica{ia 4.8

Pentru circuitul din frg. 4.22 (eu aceeaqi schemi de curent continuu ca gi cel din fig. a.11)
cunoaqte:Rc: I kCl, V56 : lzV $i T (Vee: 0,7 V, Fr: F: 100 Si Is: 10{44).
Se cere:
a) parametrii dinamici pentru T gi regiunea ?n care func{ioneaz[;
b) schema de curent alternativ;
c) schemaechivalenti la semnal mic, frecvenfe joase;
d) amplificarea in tensiune gi rezisten{a de intrare.

Rezolvare

Regimul static pentru T a fost analizat in aplicalia 4.3 qi s-a obfinut:


T(Vuu : 0,7 V, Ycs= 7V, Icx 5 mA) > T esteinRAN.
a) Paramehii dinamici se determind cu rela{iile (4.21) qi (4.24):
g^ = 4O.Ic :40.5 :200 mAlV

,o= F' =]$=0,5fto


' g^ 200
b),c) Schemade curentalternativqi schemaechivalentiila semnalmic suntilustratein fig. 4.3}a"respectivb.
d) Amplificarea in tensiunegi rezistenp de in*are sedetermini pe schemadin fig. 4.32b.
- g^ ' v u ' Rc
au=b - = -g ^ . & = -2 0 0 . 1= -2 0 0
vi Yb"

vr"
4= !i-it -
it
= lo = 0,5 ftc)

Aplica{ia 4.9

Pentru cireuitul din fig.4.33a (cu aceeagisehemdde curent continu-uca cel din frg. 4.2A - aplica,tia
4.6) se cunoagte:Rur : 84 kCl, Rs2:36 kf,l, Rc: 5 kC),RE: 5 kf,), Vcc: 12 V 9i T (V"": 0,6 V, 9r : hr" :
100,h.":0, l6u: 0). Cr, C2 gi C3sunt C- la frecvenfade lucru.

23
Dispozitiveelectronice

Secere:
a) parametriidinamicipentruT gi regiuneain carefuncfioneazl;
b) schemade curentalternativ;
c) schemaechivalentE la semnalmic, frecvenlemedii;
d) amplificareain tensiunegi rezistenfade intrare.
Vcc

.*tt

Rezolvare

a) RegimulstaticpentruT a fost analizatinaplicafia4.6 gi s-aob{inut:


T(Vnn: 0,6 V; Vco: 6,34V; Ic= 0,566mA\:+ T estein RAN.
Parametrii
dinamicisunt: g^ = 4A.Ic = 40.0,566=22,64 =-22,6mAlV

h* =b-= = 4,4t7= 4,4 ld)


" g^ =922,64
b) Schemade c.a.esteilustrati in fig. 4.nb.
c) Schemaechivalentila semnalmic frecventemedii esteilustrat[ in fig. 4.31c.S-auneglijatparametriih,. gi
ho..
d) Ca gi in aplicafia4.8,T estein conexiunea
EC, ca urmare:
du= -g m. Rc = -2 2 , 6 ' 5= -1 1 3

& = Rr,llh,,
= ?:'4!, =3'74=3,7tc{)
25+ 4,4

unde R n=R
a , l l R , =*,'1 " , = :!' t:- = 2.5,2= 25ke
Ru,+ Rr, 84+ 36

24
Tranzistoare bipolare

4.9.2. Modelarea tranzistorului bipolar la semnal mic qi frecvenle inalte; principalele frecven{e
caracteristice

in fig. 4.23 este prezentat modelul natural al TB, la {:


frecvenfe joase, in variante simplificate. In modelarea TB la B
frecvenle inalte va trebui si se find cont de capacitdlile
parazite care apar. Un model natural al TB mult mai precis,
valabil la semnalmic este ptezentatin fig' 4.34. Reamintim cb
acest circuit echivalent pentru dispozitiv este valabil in c'a.
dac5: TB este in RAN 9i daci se indeplineqte condifia de
semnalmic, precizatdin relalia (4.I7)'
Parametrii modelului au urmdtoarelesemnificafii: Fig.4.34.Modelulnaturalal TB
pentrusemnalmic, frecvenfeinalte.
166,-rezistenla caluzatddebaza sublire;
C,- capacitateade difuzie a jonc,tiunii emitorului;
ru gi ro - determinatede modularea grosimii bazei;
Cu corespunderegiunii active abazei;
g. $i rn au fost precizali la modelareaTB la semnalmic qi frecvenfejoase.

Principalele frecven{e caracteristice ale TB

Pentru estimareaprincipalelor frecvenfe caracteristiceale TB, fp qi f1, se determini amplificarea in


curent a TB in conexiunea EC, cu ieqirea in scurtcircurt (R" --0) - fig. 4.35a. Din schemaechivalentd
valabildla semnalmic - fig. 435.b- rezultb:

c.+c,,

a
Fig. 4.35. Determinareaamplific[rii in curent in scurtcirouit pentru conexiuneaEC: a) schema
de c.a.;b) schemaec'hivalentd la semnalmic; c) circuitulechivalentintre B 9i E.
l r = -8^ ' l b' " (4.31)
i,

Impedanla vdzutd intre bornele B gi E ale TB este ilustratd in fig. 4.35c. Daci se are in vederec6
r* )) 1ngi deci se poate neglija ru, atunci se poate scrie urmdtoarearelalie:
i^
vtb = (4.32)
j-t----,-
+ jat( c, *cr )
r-
in care i6:ii.
Rezult[ amplificarea in curent in scurtcircuit pentru TB in conexiuneaEC:
_8"
A,(iat) ='-J-= L =
-o
= F(iat) (4.33)
li ln L * jr(c,*c,) r +t;ft;c)=
rn

incare fo:9.'to.

25
Dispozitive electronice

CAndfrecvenla f ---+0 gi deci implicit 0) --- 0, amplificarea in curent in scurtcircuit estemaxim6:


A,(0) = B(0) = -fo = -5.. ro
Amplificareain curentnormatbla Ar(0)areexpresia:
, A,( jat) I I
n''
A L -
,^ = - ( 4. 34)
A,(o) r il;;e=q- * ';'
a)B

Frecven{a fp
Rezultd frecvenla fs, la care amplificarea in curent scade de Ji ori fald de valoarea maximd
(echivalentcu o scdderecu 3 dB - se citeqtedecibeli):
I
, -'p
rp- - (4.3s)
27T-t;re:+c)
Amplificarea in curent normatd, exprimatd in decibeli este:
= 2otslA,,(
l,l,,"1iat)1aa) ir)l (4.36)
Pentru frecven{i zero qi pentru frecvenfa fp se rezult6:

)1aa) = 2olsI = odB


ll.,"1o
L
= =
ll',( j atp)l(dB) 20lg(I / "lz 1 -3dB

Frecven{a de tiiere - fr

Frecvenfade tdiere estecea pentru care amplificarea in curent (nenormatd)are valoarea 1:

=1 - of .1=l -,P' ,1=


,
ir,
l,q,( )l=
l , , , =
' ' ' i, lT*j,,;erc)l=li;*p;7;1
Seobline:

lf,=
t ---f2 =?-:;-\:F,'.fB g.3i)
-1=r
2n'r , \ C, + Cu ) 2 r. \ C u * -, 1
-
Cum peestede ordinul sutelorrez:ultdc6:
f, >> fp
De exemplu,pentruTB de tip BD 135,fr : 50 MHz [3],,acesta
fiind un TB dejoasi frecvenfd.
Un
tra#istor deinalti frecven!5,detip BFY 90 arefi: 1400MHz t3l.

Exemplude calculpentru frecvenfade tiiere


TB: B : 100,rn: 5 kC),Cn= 100pF,Cu= 20 pF. Seoblinedin(4.37):
Parametri

fr = =26,5IIHz

rJzual,Cn ia valori intre 10 pF gi l0 nF, iar Cu ia valori intre zecimi de pF qi 50 pF. Efectul
capacitdliiparazrteCuestemultiplicatde amplificareain tensiune(a) a etajuluicu TB (vezi teoremaMiller
prezentatdin finalul capitolului).Ca urmare,in conexiunileTB in careauestemare (de exempluin EC),
influenlacapacitdliiCupoatefi mai maredec0ta capacitdtiiC".

26
Tranzistoare bipolare

4.10. Teorema Miller qi duala sa


4.10.1.Teorema Miller

Considerim un circuit cu functia de transfer in tensiune:

k:b
vt
cunoscuti qi impedanfaZ conectatdintre intrare qi iegire, ca in fig. 4.36a. Se cere s[ se echivalezeimpedanfa
Zcuo impedanfdZyinparalelpeintrareqioimpedanldZ2inparalelpeiegire,catnfig.4.36b.

,l i2

Z2
I
lv'
t"
Fig.4.36. Teorema Miller: a) schemainifiali, cu impedanfaZintre intrare gi iegire; b) schema
rezultatddin echivalareala intrare gi la ieqire a impedanteiZ
-
Pentru ca impedan{ade intrare a celor doud circuite din fig. 4.36 sd,fie aceeagitrebuie ca \ prin Z:
(. u,)
v,lI--l
,,) _v,(t-t<)
i._rr-rz ='\
'ZZZ
sd fie egal cu i1 prin 21:
. yl
l ,=-
'21

v Z r.
Rezultd: Z-t -- (4.38)
' I -k
Pentru ca impedanlade ieqirea celor doudcircuite din fig. 4.36 s6,fie aceeaqitrebuie cai2prinZ:

= u,) =!zk - l
i, =Y - !.( ,-
z zl' u")- z k
sd fie egal cui2prin22:
. v)
a1 - -
'22

h
Rezultd: Z.= Z ' " (4.3e)
" k- L

Observa,tie

Teorema Miller esteutilS dacd se poate estima separatfuncfia de transfer in tensiune, k = L.


v1

27
Dispozitive electronice

Aplica{ia4.10
Pentrucircuitul din fig. 4.37 se cere sb se echivalezerezistenfaRs pe circuitul de curent alternativ,
cu o rezistenfdechivalentdpe intrare gi una echivalentd pe iegite (si se aplice teorema Miller). Se dau:
fu:4kf), RB:500kOgi g.:8OmA/V.
Vcc
tu
Rg Cz

Aplicafia
Fig.4.37. 4.r0:a)schema eila
drnechivararearaintrare
i::,#1;;Htffiiift*6

Amplificareain tensiune,la frecvenfemedii,pentruamplificatorulcu TB in conexiunea


EC este:

au = L Z -g * . Rc = -8 0 . 4 = -3 2 0
vl

Utilizand relafiile (4.38) 9i (a.39) oblinem:


D
r\8 RB 500
Ro,= =-=-:1,56k12
I- o, I+g,.R, 1+ 80.4

Ruz= R,-3- = Ru4 = 5oo


:?- = 5ookt)
ou-I - 8^' R, - I 320+ 1

4.10.2.Duala teoremeiMiller

Considerlmun circuit cu functiade transferin curent:


i.
o r= -1
t1

cunoscutd,frg. 4.38a.Se cere sd se echivalezecu circuitul din fig. 4.38b.

t. l .)
ut - --7 a r = -1
tI lI

Fig.4.38.DualateoremeiMiller: a) schema inifiali,:cuimpedanlaZparcursadeir piiz;


b) schemarezultatldin echivalarea qi
la intrare la ieqirea impedan[eiZ

28
Tranzistoare bipolare

Aplicdnd teorema lui Kirchhoff pentru tensiuni pe ochiul de intrare al circuitului din fig. 4.38a,
respectiv
4.38b,oblinem:
r t=!i+ZQ,+ir)
v, : Z,i ,+v,
Oblinemrelafiapentnt21:
/\
z,' =z[t *?l= zQ- o,) (4.40)
\. i, )
in mod asemdnitor oblinem pentru ochiul de iegire al celor doui circuite:
\
V2=Vo+ Z\ lt- t.+ l 2)

v, = Zrir+vo
Rezult6:

Z z = Z ' a ' -l (4.4r)


clr

Aplicafia 4.11
Pentru circuitul din fig. 4.39 se cere sI se echivalezerezistenfaRr pe circuitul de curent alternativ,
cu o rezistenfl echivalentdpe intrare gi una echivalentdpe ieqire (sd se aplice duala teoremei Miller). Se dau:
R6:4kO, RE:lkQ gi Bf Bq:200.

Vcc

Rc vr RBr Rsz
T
Vo Y2

Es i"

Fig. 4.39. Aplica{ia 4.ll: a) schemainifiald; b)schemade c.a.; c) schemarczultatddin


echivalareala intraregi la iegirea rezistenleiRg

Amplificarea in curent este:


lr..

i, i"
At = -1= -:s- = -Fo = -200
It ln

Utifizendrela{iile(4.40)qi (a.41)seobfine:
Rrt = Ru(]- a,)= 1(I + 200) = 201kd2
to!=;' :
Rnt= Rrg!:J = ,- l,oo5ke = Ikdy
ar - 200
Observalie:Un rezistor aflat in emitorul unui TB se vede din bizi de (p+1) ori mai mare.

Temi
Pentru un amplificator in conexiuneaEC sd se echivalezela intrare capacitateaCp. Se se demonstrezecd:
c + g .' Rr ) c,
",:Q
29
Dispozitive electronice

Bilan{ul energeticin circuitul colectorului


F-1{Vcc

Pentru analiza puterilor disipate intr-un amplificator cu TB vom


R"* f* .
ttfo
| ..
consideracircuitul din fig. 4.40. in lipsa semnalului, considerAndecualia
'f
scrisi pe ochiul de iegire: \, r--"-l'F-l
u*6
Vcc =V"u + R".1, ) 1".'
pe careo inmullim cu Is, obfinem:
IJ .
Fig.4.41.Etajde
V rr'I, V ru ' 1 , + Rr'It, amplificarecu TB

+ + +
l-;"'*l
I absorbita I
lode
.u'*'ul
tr;l F;;-l
I disipataI I disipataI
o"'u
I c.c. I I I lo'*l
In prezenfa semnalului sinusoidal la intrare, astfel inc6t curentul de colector si aibi componenta
variabilS sinusoidald,conform relafiei:
ic=Ic+1,'sinatt
Puterile disipate in gircuit sunt:

vrr.I, = vr".I, -)o, t: + Ii + Rr.Il


|n,
+ +
tt-.'-l
Iabsorbita I
I dela sursaI
tr;l
I disipataI
derB
dec.c. I I I
I

Se observi cd pentru aceastd schemd de amplificator, TB disipd putere maxim[ in lipsa semnalului.
Randamenfulamplificatorului cregtedacd amplitudinea curentului de colector, I" creqte.

dinernic6si limilareaanplitudiriii semnalului


Caracteristica
Bibliosrafie

1. O. Dragomirescu,D. Moraru, ComponenteSi circuite electronicepasive,Ed.BREN, Bucuregti,2003.


2. N. Drdguldnescu,C. Miroiu, D. Moraru, ABC Electronicainimagini. Componentepasive,Ed. Tehnicd,Bucuregti,
1990.
3. N. Driguldnescu, Agenda radioelectronistului, edilia a II-a, Ed. Tehnic6, Bucuregti, 1989.
4. I. LilA, M. Rbducu, Componente Si circuite pasive, indrumar de laborator, Ed. UniversitAfli din Pitegti, Pitegti,
t 997.
5. S. Pagca,N. Tomescu, I. Sztojanov,Electronicd analogicd Si digitald, vol. I , Ed. Albastri, Cluj-Napoca, 2004.
6. D. Dascdlu, A. Rusu, M. Profrescu, I. Costea, Dispozitive Si circuite electronice, Ed, Didacticd gi Pedagogicd,
Bucuregti,1982.
7. G. Vasilescu,$. Lungu, Electronicd,Ed. Didacticdgi Pedagogici,Bucuregti,l98l .
8. David Comer, Donald Comer, Fundqmentqls of Electronic Circuit Design, John Wiley & Sons,Inc., USA, 2003.
9. Thomas L. Floyd, Dispozitive electronice, Ed. Teora, 2003.

30