Tarea No.

1 del Celdas Solares de Silicio (2019, INAOE)

Fecha de entrega por confirmar. Por favor, comente cada uno de los
resultados obtenidos en cada uno de los siguientes problemas.

1. Usando el modelo del átomo de Bohr determine la energía de enlace

(ED) y el radio de Bohr (rD) del electrón que no forma parte del
enlace covalente de un átomo pentavalente dentro la red de silicio.

2. Calcule el ancho de la banda de energía prohibida (Eg), la densidad

intrínseca de portadores (ni) y las densidades efectivas de estados en las
bandas de conducción y valencia (Nc y Nv) del Si, Ge y GaAs a 300, 400,
500, 600 K.

3. Calcular la posición del nivel de Fermi intrínseco (Ei) en silicio

intrínseco a 77, 300, 400 K. ¿Es razonable suponer que el nivel Ei está a la
mitad de la banda prohibida?

4. Una barra semiconductora de GaAs es dopada con estaño (Sn). Si el

estaño reemplaza a los átomos de galio en la red cristalina, ¿La barra
semiconductora es tipo N o tipo P? Explique.

5. Encontrar las concentraciones de electrones y huecos (n y p) y el nivel de

Fermi en “una barra de silicio” a una temperatura de 300 K. Finalmente,
dibuje el diagrama de bandas de energía simplificado, para cada uno de los
siguientes casos y suponiendo ionización completa:

Caso 1
a) ND = 1x1012 cm-3, b) ND = 1x1016 cm-3, c) ND = 1x1018 cm-3, d) ND =
5x1019 cm-3.
Caso 2
a) NA = 1x1012 cm-3, b) NA = 1x1017 cm-3, c) NA = 1x1018 cm-3, d) NA =
5x1019 cm-3

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6. Calcule el nivel de Fermi en silicio dopado con fósforo a 1×10 15, 1×1017
y 1×1019 cm-3 temperatura ambiente y suponiendo ionización completa.
Usando los resultados obtenidos, verifique si la suposición de ionización
completa es justificada. Usar
ND
n  N D 1  F ( E D ) 
E  ED
1  exp( F )
kT
7. Hallar las concentraciones de electrones y huecos (n y p), movilidades
(), y resistividades (ρ), en “una barra de silicio” a una temperatura de
300 K y suponiendo ionización completa, para cada una de las siguientes
concentraciones de dopantes: a) 5x1015 átomos de boro cm-3, b) 2x1016
átomos de boro y 1.5x1016 átomos de arsénico cm-3 y c) 5x1016 átomos de
boro y 1x1017 átomos de arsénico cm-3 y 1x1017 átomos de galio cm-3
8. Una muestra de silicio tiene la siguiente densidad de electrones:
N(x)=1X1018 cm-3exp(-x/2X10-6 m)
Además, hay un campo eléctrico uniforme con un valor de 2kV/cm en la
muestra. Grafique la densidad de corriente total en función de la
posición. El coeficiente de difusión es 30 cm2/s y la movilidad es 1000
cm2/Vs.
9. Una barra de silicio intrínseco es dopada con átomos donadores
N D  N 0 exp ax
Hallar a) El campo eléctrico en equilibrio E(x) en equilibrio térmico en el
rango para el cual ND > ni, y grafique el campo eléctrico en función de la
distancia. Si a = 1cm-1.
10. Calcule la concentración de portadores mayoritarios y minoritarios bajo
iluminación y en estado estable en silicio tipo n, cuando G L=1×1016cm-3s-1,
ND=1×1015cm-3 y τp=τn= 10×10-6s.
11. Una barra de silicio tipo n esta dopada con 2×10 16 átomos de As cm-3,
tiene 2×1015cm-3 centros de recombinación en el cuerpo, y 1×1010cm-2
centros de recombinación superficiales. a) Encontrar el tiempo de vida en
el cuerpo, la longitud de difusión de los portadores, la velocidad de
recombinación superficial bajo condiciones de baja inyección. Los valores
de σp y σs son 5×10-15 y 2×10-16 cm2, respectivamente. b) Si la barra de
silicio es iluminada uniformemente, y la luz produce 1×10 17 pares electrón-
hueco/cm-s. ¿Cual es la concentración de huecos en la superficie?
12. Un exceso de portadores es inyectado en una de las superficies de una
barra de silicio de grosor W, y son extraídos en la superficie opuesta donde
pn(W) = pn0. Si no existe campo eléctrico en la región 0<x<W. Derive la
expresión de las densidades de corriente en ambas superficies.