>PROGRAMA DE TECNOLOGÍA EN INSTRUMENTACIÓN ELECTRÓNICA
UNIVERSIDAD DEL QUINDÍO <
Características Del Diodo De Juntura
Jheison Diaz Lopez. Programa de Tecnología en Instrumentación Electrónica, Facultad de Ciencias
Básicas y Tecnología, Universidad del Quindío - Colombia.
I. INTRODUCCION
El diodo es un componente electrónico de dos terminales,
diseñado para que la corriente fluya en un solo sentido. La
corriente fluye desde el terminal positivo (ánodo) hacia el
terminal negativo (cátodo), en los diodos físicos se identifica
el cátodo por una franja que se coloca en uno de los
extremos del diodo. Son dispositivos semiconductores que
tienen muchos tipos y aplicaciones, tales como diodos de
señal, diodos de protección para relés, diodos rectificadores,
Los diodos son elementos que poseen propiedades únicas de
los semiconductores y pueden ser encontrados en cualquier
tipo de circuito electrónico. Los diodos tienen
características diferentes entre su gran variedad, voltaje
de conducción, máxima corriente, en este laboratorio
analizaremos el comportamiento de los diodos de silicio y
germanio, posteriormente se hará las simulaciones en
proteus con sus respectivas gráficas.
II. OBJETIVOS
1. Estudiar el comportamiento eléctrico de los diodos
de Silicio y Germanio
2. Determinar la curva característica de V- I asociada
a los diodos de Silicio y Germanio
3. Simular el comportamiento de ambos dispositivos
en la herramienta Proteus
4. Mediante diferentes valores de voltaje de entrada,
calcular la corriente que circula por el diodo y
hacer la respectiva gráfica.
5. Calcular el porcentaje de error de la corriente que
circula por el diodo y el voltaje en sus terminales
entre los valores teóricos y prácticos.
III. MARCO TEORICO
Diodo: Uno de los usos primarios de los diodos es
cambiar la corriente alterna (AC) a corriente directa
(DC).Los diodos son representados por el símbolo: Y si
presentación física es variada la más común es: Los
1
materiales semiconductores utilizados para fabricar diodos
son el Germanio o silicio. La mayoría de diodos en uso son
de silicio, en la siguiente figura se muestra que un diodo está
compuesto por dos partes separados por una juntura también
denominada barrera o unión. Los extremos están fabricados
de: Germanio o silicio tipo P y Germanio o silicio tipo NEl
silicio utilizado para hacer diodos se presenta en formas
cristalinas, creado artificialmente en un laboratorio. Para ser
un material tipo N dentro del cristal se introducen unas
impurezas que tienen un electrón de valencianas que
el silicio. Las impurezas entonces agregan electrones extras,
denominados portadores electrizados como se muestra en la
siguiente figura: El otro extremo del cristal es un material
tipo P producido mientras la impurificación con una
impureza que tiene un electrón de valencia menos que el
silicio los portadores electrizados en los materiales tipo P
aparecen como cargas positivas denominados huecos. En un
material semiconductor el hueco es producido por la
ausencia de un electrón. En a juntura entre materiales tipo P
y N existe una barrera que es el resultado de la migración de
las cargas a través de la juntura. Las cargas que se combinan
con cargas opuestas dejan atrás sus iones que forman la
barrera está barrera es de 0.7 volts para el silicio y 0.3 para
el Germanio. La región cerca de la barrera es denominada
región de refracción.
Polarización directa del diodo: Cuando
un semiconductor diodo lo polarizamos de forma directa
conectándole una fuente de fuerza electromotriz o
suministro eléctrico (como una batería, por ejemplo), su
lado “P” se vuelve más positivo, lo que ocasiona que se cree
una diferencia en altura del “nivel de fermi” en la parte
negativa del diodo. Esto facilita que los electrones libres en
esa parte alcancen la “banda de conducción” y puedan
atravesar la unión o juntura “p-n” pasando a llenar los
“huecos” presentes al otro lado de la unión. De esa forma
los electrones alcanzarán la banda de conducción,
atravesarán la unión “p-n” y saltarán de un hueco a otro en
la parte positiva (P) hasta concluir finalmente su recorrido
en el polo positivo de la fuente de suministro eléctrico. La
situación que se produce se puede interpretar como:
electrones moviéndose en un sentido y huecos moviéndose
en sentido opuesto.
Polarización inversa del diodo: Cuando
el semiconductor diodo se polariza de forma inversa, el lado
positivo “P” de la unión “p-n” se vuelve negativo (debido a
estar conectado al polo negativo de la batería). En esas
condiciones el “nivel de fermi “correspondiente a esa parte
positiva crece en altura, impidiendo así que los electrones se
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puedan mover a través Del Cristal semiconductor. En la
ilustración se pueden observar unas flechas indicando la
dirección correspondiente al flujo electrónico tratando de
acceder al diodo por su parte positiva sin lograrlo, pues al
estar polarizado de forma inversa la “zona de depleción” se
amplía. Además, como se puede ver también, la diferencia
de altura del “nivel de fermi” en la parte positiva “P” del
diodo aumenta, mientras que en la parte negativa “N”
disminuye. Por tanto, bajo esas circunstancias los electrones
presentes en la parte negativa carecerán de la suficiente
energía para poder atravesar la unión “p-n”
Fig. 1. Diodo.
Diodos de silicio: El Diodo rectificador 1N4007 es un
rectificador de propósito general. Su función principal es la
de conducir corriente en un sola dirección. Un diodo es un
dispositivo electrónico que tiene dos terminales. Es decir
que tiene una polaridad en particular. Es decir que cuando se
polariza adecuadamente, este tiene una resistencia ideal
igual a 0 ohms. Por el contrario cuando se polariza en
inverso tiene una corriente ideal infinita. Finalmente el
diodo 1N4007 está fabricado de un material semiconductor
con una unión n-p. Esta familia de diodos de propósito
general generalmente tienen una capacidad de corriente de
1A. Se utilizan para adecuar un voltaje de corriente alterna y
poder finalizar o regularizar voltajes.
Fig. 2. Diodo de silicio 1N4007.
2
Diodos de germanio: El 1N4148 es un diodo discreto de
uso general con una velocidad de cambio alta y una
corriente máxima y puntuación de voltaje inverso regulares
para aplicaciones radiales, digitales y de audio. El diodo
1N4148 es un pequeño y rápido componente electrónico
fabricado de silicio, de alta conductividad, usado en el
procesamiento y detección de señales de radiofrecuencias de
manera muy eficaz, con un tiempo de recuperación inversa
de no más de 4 ns, su nombre sigue la nomenclatura JEDEC,
se encuentra generalmente en un encapsulado de vidrio de
tipo DO-35.
Los diodos de germanio a diferencia de los diodos de sillico
se utilizar en circuitos eléctricos que requieran de una baja
potencia; la polarización de voltaje en estos diodos es
mucho más baja y esto permite que el circuito donde se
emplee un diodo de germanio sea más eficiente
eléctricamente, es por esto que son más usados en circuitos
de precisión.
Otro diferencia entre estos diodos y los diodos de silicio es
que tiene su voltaje de polarización directa en 0.3 V, y los
diodos de silicio su voltaje de polarización directa es de 0.7
V.
Fig. 3. Diodo de germanio 1N4148.
Resistencia: Se denomina resistencia (sobre todo en México
y España) o resistor (en algunos países de Hispanoamérica,
aunque también se usa resistencia en el argot eléctrico y
electrónico) al componente electrónico diseñado para
introducir una resistencia eléctrica determinada entre dos
puntos de un circuito eléctrico. En otros casos, como en las
planchas, calentadores, etc., se emplean resistencias para
producir calor aprovechando el efecto Joule. Es un material
formado por carbón y otros elementos resistivos para
disminuir la corriente que pasa. Se opone al paso de la
corriente.
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Fig. 4. Resistencias.

Multímetro: También denominado tester, es un

dispositivo eléctrico y portátil, que le permite a una persona Fig. 6. Fuente de alimentación DC.
medir distintas magnitudes eléctricas que forman parte de un
circuito, como corrientes, potencias, resistencias,
capacitancia, continuidad, etc. Lista de materiales, herramientas y equipos:
Puede medir magnitudes en distintos rangos es decir, si
sabemos que vamos a medir una corriente de 10 A (Amper) - Protoboard.
entonces, elegiremos un rango de 1 A a 50 A. Puede medir - Multímetro.
corriente continua o corriente alterna de - Fuente de corriente DC.
forma digital o analógica. - Resistencias.
- Diodos.

IV. DESARROLLO Y EXPERIMENTOS

En esta práctica se proponen varios experimentos, como

determinar los terminales ánodo y cátodo del diodo, simular
los circuitos y variar su voltaje para observar el
comportamiento del diodo y generar sus curvas
características, en la misma simulación, modificar la fuente
de voltaje por un pulso de tensión entre (5 v/-5 v), usando el
graph mode, visualizar la corriente que atraviesa por ambos
diodos, tiempo de almacenamiento y caída. En la parte dos,
se propone la implementación en físico del circuito
anteriormente simulado, para comparar los valores reales
con los simulados.
Fig. 5. Multímetro digital.
En el apartado de simulación, se utilizó para verificar los
datos con respecto a la parte física.
Fuente: En este caso, fuente dc, es un dispositivo que
entrega una diferencia de potencial en su salida, sea alterna
o directa, se utilizara como variable física para la calibración
del instrumento.
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Fig. 9. Grafica característica Diodo de germanio.

Fig. 7. Diodo de germanio, simulación.

Fig. 10. Grafica característica Diodo de silicio.

El diodo de germanio tiene una resistencia teórica calculada

Fig. 8. Diodo de silicio, simulación.
de 2,89 ohmios, para el diodo de silicio su resistencia
calculada es de 5,53 ohmios.

A continuación obtenemos las tablas de simulaciones de

voltaje y corriente de los diodos (1N4148, 1N4007)
respectivamente, también encontraremos las tablas de los
valores medidos en el laboratorio de los dos diodos
estudiados, así mismo las tablas de porcentajes de erros de
cada uno de ellos, variaremos el voltaje desde 0.1v hasta 5.0
v, y compararemos estos voltajes y corrientes con los
obtenidos en las simulaciones.

Tabla 1. Simulación corriente, y voltaje diodo 1N4148.

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Datos voltaje, corriente y simulación del Diodo 1N4148 Tabla 3. Datos tomados en el laboratorio diodo 1N4148.
Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.1 0 0.10 Datos voltaje, corriente experimentales 1N4148
0.3 0.0025 0.30 Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.5 0.0179 0.46 0.1 0.001 0.16
0.7 0.132 0.57 0.3 0.0046 0.37
0.9 0.298 0.60 0.5 0.0536 0.47
1.1 0.478 0.62 0.7 0.1309 0.55
1.3 0.668 0.63 0.9 0.262 0.56
1.5 0.854 0.65 1.1 0.359 0.58
1.7 1.04 0.65 1.3 0.465 0.59
1.9 1.24 0.66 1.5 0.608 0.60
2.1 1.36 0.67 1.7 0.777 0.61
2.3 1.63 0.67 1.9 0.984 0.62
2.5 1.82 0.68 2.1 1.60 0.63
2.7 2.10 0.68 2.3 1.64 0.63
2.9 2.21 0.68 2.5 1.89 0.64
3.1 2.45 0.69 2.7 2.08 0.64
3.3 2.61 0.69 2.9 2.25 0.65
3.5 2.80 0.70 3.1 2.44 0.65
3.7 3.01 0.70 3.3 2.70 0.66
3.9 3.25 0.71 3.5 2.85 0.66
4.1 3.39 0.71 3.7 2.98 0.66
4.3 3.53 0.71 3.9 3.15 0.67
4.5 3.72 0.71 4.1 3.42 0.67
4.7 3.96 0.72 4.3 3.60 0.67
4.9 4.13 0.72 4.5 3.79 0.67
5.0 4.29 0.72 4.7 3.97 0.67
4.9 4.12 0.68
5.0 4.36 0.68
Tabla 2. Simulación corriente, y voltaje diodo 1N4007.
Tabla 4. Datos tomados en el laboratorio diodo 1N4007.
Datos voltaje, corriente y simulación del Diodo 1N4007
Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V) Datos voltaje, corriente experimental 1N4007
0.1 0.00002 0.10 Variación voltaje (V) Corriente(A, mA) Voltaje(V)
0.3 0.000175 0.30 0.1 0.0002 0.13
0.5 0.00514 0.45 0.3 0.0026 0.31
0.7 0.193 0.51 0.5 0.0128 0.40
0.9 0.362 0.54 0.7 0.167 0.44
1.1 0.545 0.56 0.9 0.327 0.47
1.3 0.732 0.57 1.1 0.447 0.48
1.5 0.921 0.58 1.3 0.556 0.49
1.7 1.11 0.59 1.5 0.756 0.50
1.9 1.32 0.60 1.7 0.835 0.51
2.1 1.51 0.60 1.9 0.99 0.52
2.3 1.69 0.61 2.1 1.23 0.52
2.5 1.88 0.61 2.3 1.32 0.52
2.7 2.08 0.62 2.5 1.43 0.53
2.9 2.24 0.62 2.7 1.56 0.54
3.1 2.48 0.63 2.9 1.76 0.54
3.3 2.67 0.63 3.1 1.94 0.54
3.5 2.87 0.63 3.3 2.30 0.55
3.7 3.06 0.64 3.5 2.40 0.55
3.9 3.23 0.64 3.7 2.51 0.56
4.1 3.42 0.64 3.9 2.7 0.56
4.3 3.65 0.64 4.1 3.01 0.57
4.5 3.85 0.65 4.3 3.10 0.59
4.7 4.05 0.65 4.5 3.31 0.60
4.9 4.25 0.65 4.7 3.40 0.60
5.0 4.36 0.65 4.9 3.70 0.61
5.0 3.82 0.62
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0.72 0.68 4%
Tabla 5. Porcentaje error de la corriente 1N4148.

Porcentaje error de la corriente en el diodo 1n4148 Tabla 7. Porcentaje error de la corriente 1N4007.
Simulación(A) Experimental(A, mA) Error (%)
0 0.001 0% Porcentaje error de la corriente en el diodo 1n4007
0.0025 0.0046 1% Simulación(A) Experimental(A, mA) Error (%)
0.0179 0.0536 4% 0.00002 0.0002 2%
0.132 0.1309 0% 0.000175 0.0026 24%
0.298 0.262 4% 0.00514 0.0128 128%
0.478 0.359 12% 0.193 0.167 3%
0.668 0.465 20% 0.362 0.327 4%
0.854 0.608 25% 0.545 0.447 10%
1.04 0.777 26% 0.732 0.556 18%
1.24 0.984 26% 0.921 0.756 17%
1.36 1.60 17% 1.11 0.835 26%
1.63 1.64 2% 1.32 0.99 32%
1.82 1.89 9% 1.51 1.23 28%
2.10 2.08 6% 1.69 1.32 36%
2.21 2.25 4% 1.88 1.43 46%
2.45 2.44 3% 2.08 1.56 52%
2.61 2.70 81% 2.24 1.76 51%
2.80 2.85 5% 2.48 1.94 54%
3.01 2.98 2% 2.67 2.30 37%
3.25 3.15 5% 2.87 2.40 47%
3.39 3.42 3% 3.06 2.51 57%
3.53 3.60 1% 3.23 2.7 56%
3.72 3.79 0% 3.42 3.01 46%
3.96 3.97 0% 3.65 3.10 56%
4.13 4.12 6% 3.85 3.31 56%
4.29 4.36 2% 4.05 3.40 65%
4.25 3.70 55%
4.36 3.82 55%
Tabla 6. Porcentaje error de el voltaje 1N4148.

Porcentaje error de el voltaje en el diodo 1n4148 Tabla 8. Porcentaje error de el voltaje 1N4007.
Simulación(V) Experimental(V, mV) Error (%)
0.10 0.16 0% Porcentaje error de el voltaje en el diodo 1n4007
0.30 0.37 7% Simulación(V) Experimental(V, mV) Error (%)
0.46 0.47 0% 0,1 0,13 3%
0.57 0.55 4% 0,3 0,31 1%
0.60 0.56 4% 0,45 0,4 5%
0.62 0.58 4% 0,51 0,44 7%
0.63 0.59 5% 0,54 0,47 7%
0.65 0.60 5% 0,56 0,48 7%
0.65 0.61 5% 0,57 0,49 8%
0.66 0.62 4% 0,58 0,5 8%
0.67 0.63 4% 0,59 0,51 8%
0.67 0.63 4% 0,6 0,52 8%
0.68 0.64 3% 0,6 0,52 8%
0.68 0.64 4% 0,61 0,53 8%
0.68 0.65 3% 0,61 0,53 8%
0.69 0.65 4% 0,62 0,54 8%
0.69 0.66 3% 0,62 0,54 8%
0.70 0.66 4% 0,63 0,55 8%
0.70 0.66 4% 0,63 0,55 8%
0.71 0.67 3% 0,63 0,56 8%
0.71 0.67 4% 0,64 0,56 8%
0.71 0.67 4% 0,64 0,56 7%
0.71 0.67 4% 0,64 0,57 7%
0.72 0.67 3% 0,64 0,57 7%
0.72 0.68 4% 0,64 0,59 6%
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0,65 0,6 5%
0,65 0,6 5%
0,65 0,61 4%
Mientras el voltaje del diodo sea mayor al voltaje generado
por la fuente, actuará como circuito abierto y no fluirá
corriente. Si se sobrepasa ese voltaje entonces el diodo
presenta las características de cortocircuito permitiendo de
este modo el paso de corriente. A medid que se aumenta el
voltaje en la fuente de poder los cambios de corriente no son
muy grandes, sin embargo vemos que si se sigue
aumentando el voltaje, la corriente en el diodo aumentará de
forma exponencial, como observamos en las simulaciones.
Para probar el estado de los diodos con el multímetro haceos
lo siguiente:
Se puede probar mejor un diodo si se mide la caída de
voltaje a través del diodo cuando está polarizado en directo.
Un diodo polarizado en directo actúa como un interruptor
cerrado, lo que permite que la corriente fluya.
El modo Prueba de diodos del multímetro produce un
pequeño voltaje entre los cables de prueba. El multímetro
luego muestra la caída de voltaje cuando los cables de
prueba están conectados a través de un diodo polarizado en
directo.
Fig. 11. Ánodo, cátodo.
Un buen diodo polarizado en directo muestra una caída de
voltaje que va de 0.5 a 0.8 voltios para los diodos de silicio
más comúnmente utilizados. Algunos diodos de germanio
tienen una caída de voltaje que va de 0.2 a 0.3 V, Un diodo
en cortocircuito tiene la misma lectura de caída de voltaje
(aproximadamente 0.4 V) en ambas direcciones
Un diodo está polarizado en directo cuando el cable de
prueba positivo (rojo) está conectado al ánodo y el cable de
prueba negativo (negro) está conectado al cátodo, Un diodo
se polariza de forma invertida cuando el cable de prueba
positivo (rojo) está conectado al cátodo y el cable de prueba
negativo (negro) está conectado al ánodo.
7
V. CONCLUSIONES
 Como se puede apreciar las gráfica del diodo en los
intervalos negativos de voltaje el diodo no conduce,
la corriente del diodo es cero. Cuando el diodo se
polariza directamente (voltaje positivo) empieza a
conducir, con lo cual hay un flujo de corriente en
él.
 En las gráficas ocurre algo similar, en los voltajes
negativos el diodo esta polarizado inversamente
con lo cual no hay flujo de corriente, para valores
positivos el diodo se polariza directamente, hay
flujo de corriente y a medida que el voltaje
aumenta la corriente crecerá.
 La corriente en los diodos aumenta cuando
variamos el voltaje y comienza a estabilizarse en 5
voltios.
 El cambio de las puntas de medición del
multímetro hace que el diodo se polarice
inversamente, ya que al seleccionar resistencia
óhmica en el multímetro, este funciona como una
fuente DC o de batería (en realidad es una batería
interna la que se conecta en el circuito) y hace
posible la comprobación del estado del diodo.
 En la polarización inversa del diodo, el multímetro
(digital) no marca nada, escomo que si se esté
midiendo un circuito abierto.
 Comparando los resultados de la tablas de los
diodos se llega a la conclusión de que el diodo de
germanio es el que menos voltaje necesita para
cada corriente, al contrario el silicio necesita más
para alcanzar la misma corriente que el diodo de
germanio.
 Los Diodos son muy utilizados para proteger
circuitos electrónicos.
VI. REFERENCIAS
[1] https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor
[2]https://es.wikipedia.org/wiki/Diodo
[3]https://www.ehowenespanol.com/caracteristicas-del-
diodo-germanio-del-diodo-silicio-lista_153695/
[4]https://www.finaltest.com.mx/product-p/art-8.htm
[5]https://www.studocu.com/es/document/universidad-de-
antioquia/fundamentos-de-electronica-
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analoga/practica/practica-3-conceptos-basicos-de-diodos-de-
juntura-ing-telecomunicaciones/3043360/view

[6]https://www.google.com/search?q=diodo+de+juntura&so
urce=lnms&tbm=isch&sa=X&ved=0ahUKEwjbhIX88IXiA
hXBJt8KHZtBA6kQ_AUIDigB&biw=1366&bih=618#imgr
c=tzcJsxYKbVDE3M:

[7]https://www.cdmxelectronica.com/nuevos_productos/co
mponentes/activos/diodos/diodo-de-germanio-1n4148/

[8]https://www.cdmxelectronica.com/nuevos_productos/co
mponentes/activos/diodos/diodo-de-germanio-1n4148/

[9]https://hetpro-store.com/diodo-1n4007/

[10]https://www.academia.edu/7851766/Informe_de_laborat
orio_electronica_CARACTERISTICAS_DEL_DIODO