INVENTORES DEL TRANSISTOR

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Antes de la II Guerra Mundial, Bell Telephone (actual AT&T) comenzó a estudiar la

física del estado sólido poniendo el énfasis en los semiconductores, materiales que
conducen pequeñas corrientes eléctricas y que hasta cierto punto ya se utilizaban.
William Shockley intuyó que una descarga eléctrica aplicada desde fuera podía
mover los electrones de un semiconductor de modo que éste actuara como
amplificador.
La guerra interrumpió la investigación, pero se hicieron otros hallazgos, como el de
la Purdue University, que descubrió que el germanio era un material útil para esta
función.
En cuanto terminó la guerra, Shockley organizó su equipo y descubrió que su teoría
no funcionaba porque la corriente eléctrica no podía penetrar el semiconductor. Pero
sus estudios fueron la base para la invención del transistor.
No solo existe un único inventor del transistor, se puede afirmar que en realiza
fueron tres. Por tanto la respuesta a quién inventó el transistor es:

1. John Bardeen
2. Walter Houser Brattain
3. William Bradford Shockley

Y respecto a la pregunta dónde y cuándo se inventó el transistor, la respuesta es:En

la ciudad de Morristown, Estado de Nueva Jersey, Estados Unidos para la compañía
Bell Telephone (Nueva York) en el año 1947.
La cosa fue de la siguiente manera: el físico e ingeniero eléctrico
estadounidense John Bardeen (1908-1991) tenía una teoría sobre la naturaleza de la
superficie del semiconductor que podría justificarlo.
Una prueba con películas inferiores mostró que la corriente pasaría si era
transmitida a través de un electrolito en contacto con la superficie; pero esto no
funcionó con el germanio porque el efecto resultó ser el opuesto al esperado.
Tras varios experimentos junto al físico Walter Houser Brattain (1902-1987), llegaron
al transistor de punta de contacto, donde la corriente que fluye hacia un contacto es
controlada por otra que fluye por un segundo contacto.
Pero lamentablemente, el primer transistor era ruidoso, no controlaba grandes
cantidades de energía y sus aplicaciones eran limitadas.
El físico estadounidense William Bradford Shockley (1910-1989) tuvo la idea
del transistor de unión, que corrigió la mayoría de los problemas. Otras mejoras
incluían reemplazar el germanio con silicio.
Shockley creía que como la idea original había sido suya, él debería recibir todo el
crédito y se lo dijo a Bardeen y Brattain por separado. Mientras que Bardeen se enojó
mucho, Walter Houser Brattain le contestó: “¡Demonios, Shockley, en esto hay gloria
suficiente para todos!”.
La compañía Bell planeaba obtener una patente a nombre de Shockley, pero
descubrió que el prolífico Julius Lilienfeld había patentado algo prácticamente
idéntico a la idea de Shockley.
De modo que la patente del transistor de punto-contacto original se basó en el
trabajo de Bardeen y Brattain. Fue presentada el 17 de junio de 1948 y publicada
como US 2524035 y GB 694021.

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Después de finalizada la Segunda Guerra Mundial el director del laboratorio Mervin

Kelly buscó un grupo de científicos que dieran con la solución a los problemas que
causaba el tubo de vacío y tenía algo en mente para reemplazarlo: los
semiconductores. ¿Qué es un semiconductor? Un elemento que en determinadas
condiciones puede conducir la electricidad (por ejemplo, a una temperatura alta),
pero si cambiamos esas condiciones deja de permitir el paso de electrones. Los más
importantes son el silicio (Si) y el germanio (Ge).

El director del nuevo equipo de investigadores fue William Shockley, un visionario

capaz de ver la importancia de los transistores antes que nadie, Walter Brattain, un
físico experimental capaz de construir y reparar prácticamente cualquier cosa y John
Bardeen, capaz de ir más allá en la comprensión de los fenómenos aparentemente
complejos y exponerlos de la manera más sencilla posible. Tres personajes con una
marcada personalidad, lo que les llevaría a alguna que otra confrontación, lo que se
manifestó a la hora de repartirse los méritos.
En 1947, durante el conocido como "Mes milagroso" entre el 17 de noviembre y el 23
de diciembre realizaron infinidad de pruebas para mejorar el dispositivo hasta llegar
a conseguir su objetivo: el primer transistor de contacto puntual, hecho con dos púas
de metal (oro) que se presionan sobre la superficie de material semiconductor
(germanio) en posiciones muy próximas entre sí.

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En diciembre de 1947, John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford

Shockley marcarían un punto de inflexión en campo de la tecnología y la electrónica
con el desarrollo del primer transistor, el transistor bipolar; un proyecto
desarrollado en los Laboratorios Bell de Estados Unidos con el objetivo de encontrar
un sustituto de las válvulas de vacío. Por este hallazgo, los tres investigadores fueron
galardonados con el Premio Nobel de Física en el año 1956 y abrieron la puerta a
toda una revolución tecnológica que nos ha llevado, por ejemplo, a los procesadores
Ivy Bridge de Intel que, en 160 milímetros cuadrados, son capaces de alojar
alrededor de 1.400 millones de transistores.