Lucrarea 2 de Laborator

Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

Creşterea complexităţii circuitelor electronice, performanţele ridicate, necesitatea de a reduce

timpul de proiectare şi nu în cele din urmă reducerea costurilor de proiectare şi realizare a circuitelor
integrate au impus în ultimele decenii utilizarea programelor de simulare a circuitelor electronice.
În anii 1970, la Universitatea Berkeley din California, un colectiv de cercetători ce-l includea şi pe
Andrei Vladimirescu, absolvent al Facultăţii de Electronică din Bucureşti, a dezvoltat un program universal
de simulare a circuitelor electronice numit Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis sau pe
scurt SPICE.

OBIECTIVE
Scopul laboratorului este familiarizarea studenților cu mediul PSpice, simularea unor circuite
simple și înțelegerea parametrilor de model ai dispozitivelor active de circuit.
Software-ul utilizat pentru prima lucrare este pachetul care încorporează LT Spice, de la
adresa : http://www.linear.com/designtools/software/

INTRODUCERE
PREGĂTIRE
Se recomandă studenților utilizarea calculatoarelor personale portabile pe care va fi instalat
anterior PSpice din LTspice IV descărcat de la http://www.linear.com/designtools/software/ și vor fi
desenate circuitele propuse pentru acest laborator. În cadrul laboratorului va fi analizată funcționarea
acestora și parametrii de model ai dispozitivelor semiconductoare active .

MOD DE LUCRU

1. Se propune studierea următorului circuit simplu, care poate fi deschis din biblioteca

Program Files\ LTC\LTSpice IV\Examples\EDUCATIONAL\stepmodelparam.asc

2. Selectați File -> Open ->. stepmodelparam.asc

3. Acum, vă aflați deja în mediul SCHEMATIC în care circuitul cu un tranzistor bipolar este gata
desenat.
Vizualizați circuitul și meniurile.
4. Acum sunteți gata pentru a simula circuitul.Selectați Simulate->Edit Simulation Command-
>OK și apoi din meniul SCHEMATIC apăsați RUN. Acum puteți vizualiza analiza DC Sweep, cu
care ați fost familiarizați în lucrarea precedentă, dar mai complex, variind 2 surse. Prima linie de
comandă afișată sub circuit descrie exact această analiză.
5. Pentru acest circuit simplu, mai există și o a doua linie
de comandă. Pentru început o vom șterge prin simpla
poziționare pe ea și Click dreapta.După ce ați șters
a doua linie de comandă veți salva fișierul cu un alt
nume într-un director de lucru permis .
6. Acum edităm prima linie și o reducem la
.dc V1 0 10 10m
7. Din meniul Simulate -> Run .
8. Din meniul View ->Visible Traces
9. Alegem I(I1)

TEMA 1. Ce reprezintă acest grafic?

1
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

TEMA 2. Ștergeți acest grafic. Indicație selectați eticheta graficului

din mijloc sus.
10. Acum reedităm prima linie și o aducem la forma inițială
.dc V1 0 10 10m I1 10u 50u 10u
TEMA 3. Ce reprezintă aceste grafice? De ce sunt 5 grafice afișate?
Înțelegeți forma complexă a comenzii.
11. Ștergeți graficele . Afișați IC(Q1).
12. Reveniți la fișierul original prin redeschiderea lui.
TEMA 4. Căutați în HELP comanda din a doua linie
.step NPN 2N2222(Vaf) 100 50 25

13. Selectați modelul de tranzistor prin poziționare și click dreapta.

TEMA 4. Refaceți a doua linie de comandă, variind β F conform

anexei, pagina 6, de la valoarea de 35 la valoarea de 100. Rulați și
notați rezultatele. În foile de catalog β F poate fi găsit cu notația h fe
sau h21e.
14. Selectați File -> Open ->. audioamp.asc

2
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

TEMA 5.
Explicați comanda accesând help-ul .ac oct 10 1 100Meg.
15. Realizați in LT Spice și simulați circuitul următor. Afișați graficul curentului de drenă.

16. Caracteristica de transfer ID – VGS

Această caracteristică se obţine prin menţinerea constantă a tensiunii V DD şi variaţia tensiunii VGG
între 0,1 şi 12 V cu un pas de 0,1V. Se simulează caracteristica de transfer I D – VGS ce are drept ecuaţie :
k 
I D  n  VGS  VT  2 sau I D   VGS  VT  2
2 2

TEMA 6. NOTAȚI valoarea tensiunii extrasă de pe curba simulată ID-

VGG acolo unde ID devine 1uA. Ce legătură există cu tensiunea de prag.
3
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

In circuitul anterior schimbați modelul tranzistorului, cu comanda Pick New MOSFET, selectând
de exemplu tranzistorul AP9465GEM, avand pragul VT0 =1,8V

TEMA 7 Urmăriți valoarea tensiunii de prag pe curba simulată ID-

VGG. din directiva SPICE. Care este legătura între V GS și VGG ?
TEMA 8. Extrageți parametrul kn. NOTAȚI deducerea lui kn.
TEMA 9. Estimai si notați transconductanța gm, mai întâi analitic
apoi din grafic.
TEMA 10. Cum se poate vizualiza fenomenul de "conducție sub
prag"?
17. Vizualizarea caracteristicii de ieșire ID =f(VDS)
Indicație directiva SPICE .dc VDD 10m 12 10m
18. Realizați următoarea oglindă simplă de curent.
19. Simulați și vizualizați Vout.
20. TEMA Rulați următoarele circuite oglindă de curent

TEME SUPLIMENTARE
TEMA 1. Adăugarea unor biblioteci suplimentare

4
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

Schimbați modelul tranzistorului. Pentru aceasta folosiți biblioteca log018.l .

Inserați o directivă din meniul Edit, SPICE Directive. Apoi tastați calea bibliotecii și tipul de tensiune de
alimentare, de exemplu inserați una din comenzile exemplu:

EXEMPLUL1 .lib '/home/user/log018.l' TT pentru 1.8V tranzistoare N sau PMOS

EXEMPLUL2 .lib '/home/user/log018.l' TT_3V pentru 3.3V tranzistoare N sau PMOS
EXEMPUL 3 .lib ‘C:\Program Files\LTC\LTspiceIV\lib\cmp\log018.l’ TT

*Se pot folosi următoarele tipuri de tranzistoare:

TT : typical model for 1.8V devices
SS : Slow NMOS Slow PMOS model for 1.8V devices
FF : Fast NMOS Fast PMOS model for 1.8V devices
SF : Slow NMOS Fast PMOS model for 1.8V devices
FS : Fast NMOS Slow PMOS model for 1.8V devices
TT_3V : typical model for 3.3V devices
SS_3V : Slow NMOS Slow PMOS model for 3.3V
devices
FF_3V : Fast NMOS Fast PMOS model for 3.3V
devices
SF_3V : Slow NMOS Fast PMOS model for 3.3V
devices
FS_3V : Fast NMOS Slow PMOS model for 3.3V
devices
TT_NA : typical model for 1.8V native NMOS
SS_NA : Slow NMOS for 1.8V native NMOS
FF_NA : Fast NMOS for 1.8V native NMOS
SF_NA : Slow NMOS for 1.8V native NMOS
FS_NA : Fast NMOS for 1.8V native NMOS
TT_3VNA : typical model for 3.3V native NMOS
SS_3VNA : Slow NMOS for 3.3V native NMOS
FF_3VNA : Fast NMOS for 3.3V native NMOS
SF_3VNA : Slow NMOS for 3.3V native NMOS
FS_3VNA : Fast NMOS for 3.3V native NMOS

TEMA 2 MODELE PENTRU CIRCUITE INTEGRATE

. Alegeți următoarele modele pentru componente
nmos4 – NMOS
pmos4 – PMOS
voltage – Voltage source
• Right click NMOS & PMOS schimbați modelul cu nch și pch
• Introduceti date (W,L, M; ignorati AD, AS, etc )
TEMA3 . Simulați următorul circuit

5
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

TEMA4 . Explicați și experimentați cum se schimbă curentul prin

tranzistorul din biblioteca externă. Simulați circuitul de la punctul 15
cu noul parametru modificat.
TEMA 5 OGLINDĂ DUBLĂ DE CURENT

6
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

7
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare

8
 Lucrarea 2 de Laborator
Modele pentru SPICE ale dispozitivelor semiconductoare