Nanoestructuras Semiconductoras

Los dispositivos electrónicos utilizados en la nanoelectrónica y

Resumen — La nanotecnología se lleva a cabo debido a ciertos
factores y estructura propias de la materia, en este artículo se
llevará a cabo un análisis de las nanoestructuras semiconductoras
que permiten el desarrollo de la nanotecnología. De acuerdo a
capítulos que ya estudiamos, cuando el tamaño de una estructura
se reduce, las nuevas estructuras de dimensiones nanométricas
presentan fenómenos diferentes a gran escala y que son de
naturaleza cuántica. En este trabajo se analizará la
fundamentación física en el que se basan las nanoestructuras y que
son aplicadas a transistores de alta frecuencia.
I. INTRODUCCIÓN: NANOESTRUCTURAS Y
SEMICONDUCTORES DE BAJA
DIMENSIONALIDAD
En general, cuando al menos una de las dimensiones de una
estructura se encuentra dentro del rango de los nanómetros, es
decir que sea comparable a la longitud de onda De Broglic para el
movimiento de electrones, presentara propiedades físicas que es
la base del funcionamiento de dispositivos de última generación.
nanotecnología en su mayoría están basados en las
heterouniones1, a diferencia de los transistores bipolares formados
por homouniones (silicio en su mayoría). La heterounión formado
por la diferencia de energías de la banda prohibida de cada
semiconductor permite el confinamiento de electrones en la
intercara de la unión produciéndose fenómenos cuánticos.
II. FÍSICA DE LOS SEMICONDUCTORES DE
BAJA DIMENSIONALIDAD
En el análisis de las propiedades de los dispositivos nano
eléctricos se ejecutará un confinamiento ciánico producido por el
moviente de electrones al estar una región muy pequeña (del
orden de su longitud de onda λ). Una de las estructuras más
practicas es una placa de arseniuro de galio (GaAs) de anchura
nanométrica rodeada en ambos lados por AlxGa1-xAs en la que los
átomos de galio del GaAs han sido sustituidos por Al. Este
compuesto con x =3 presenta un gap semiconductor de alrededor
de 2,0 eV bastante superior al GaAs (1,4 eV).

Si nos orientamos a los avances tecnológicos es posible identificar
que la fabricación de estructuras cada vez más pequeñas a tomado
relevancia e interés en muchos científicos e investigadores y este
tema es comparable a tamaños menores de unos pocos
nanómetros. Asimismo, de aplicaciones en la industria, han
permitido descubrir nuevos fenómenos como es el del efecto Hall
cuántico (observación de la magnoresistencia de electrones en los
transistores MOSFET).
El diagrama de bandas del conjunto AlGaAs-GaAs- AlGaAs, es
como se indica en la figura 2, en donde los electrones de la banda
de conducción del GaAs se encuentran limitados por una barrera
de 0,4 eV. Así también los huecos de la banda de valencia están
limitados por una barrera de 0,2 eV, resultando que la suma de las
alturas de las barreras será igual a la diferencia entre los gaps del
AlGaAs y del GaAs.

Las estructuras semiconductoras nanométricas se clasifican según

el número de dimensiones espaciales de tamaño reducido como se
observa en la Figura 1, y que se los nombra a continuación:

✓ Pozo cuántico (estructura 2D): Una de las

dimensiones es nanométrica.
✓ Hilos cuánticos (1D): Posee una dimensión
Figura 2: Estructura de bandas de pozos cuánticos de AlGaAs-GaAs-
macroscópica, y AlGaAs. [1]
✓ Punto cuántico (0D): tiene las tres dimensiones
nanométricas.
Si se hace referencia a los semiconductores se denominan de baja
dimensionalidad.

Figura 3: b) Niveles de energía de los electrones en el pozo cuántico. c)

Figura 1:Esquema de diferentes estructuras cuánticas de baja
Subbandas de energía correspondientes a los niveles de energía de b)
dimensionalidad [2]
[1]

1
Uniones formadas por dos semiconductores de diferente gap.
Según la geometría de la estructura el movimiento de los
electrones y los huecos en dirección perpendicular a las intercaras
(eje z, Figura 2 y 3) no está permitido, debido a que los electrones
y los huecos se encuentran situados en el interior de los pozos de
potencial de anchura a y alturas de 0,4 y 0,2 eV. Pero en las
direcciones espaciales de las intercaras (x,y) los portadores se
pueden mover libremente, este constituye un ejemplo típico de lo
que se conoce como pozo de potencial. Se enfocará en los
electrones puesto que el semiconductor AlGaAs de tipo n, a altas
temperaturas produce una concentración alta de electrones libres
en la banda de conducción, que pasan al interior del pozo
localizado en el GaAs, donde la energía potencial es menor.
- En tanto que en los compuestos III-V los electrones presenta
una masa efectiva muy pequeña, lo que admite una mayor
movilidad; por el contrario, los huecos tienen masas efectivas
muy altas y su movilidad es menor.
- El problema de una partícula localizada en un pozo de
potencial cuadrado es fácil de resolver de forma exacta
cuando las paredes de potencial son de alturas infinitas, sin
embargo, para este caso las paredes del pozo de potencial son
de alrededor de 0,4 eV, la anchura del pozo en la dirección z
es tan pequeña que permite utilizar los resultados que se
obtienes a partir de la resolución de la ecuación de
Schrödinger para una caja de paredes infinitas.
Resulta que la energía cinética de los electrones está cuantificada
en una serie de niveles, cuyo valor viene dado por la ecuación:
ℏ2 𝜋 2 2
𝐸𝑛 = 𝑛 𝑛 = 1,2 … [1]
2𝑚𝑒 𝑎2
Donde,
me: masa efectiva de los electrones dentro del material del pozo,
𝑎: anchura del pozo.
En la Ecuación 1, los efectos cuánticos del tamaño son tanto
mayores cuando menor es la anchura del pozo y la masa
efectiva de los electrones, por lo tanto, las nanoestructuras de
GaAs son muy convenientes ya que el valor de la masa efectiva
de los electrones es muy pequeño, tan solo de 0,067 mo, donde
mo es la masa de los electrones en el espacio libre.
Movimiento de los electrones en el interior del pozo cuántico
formado por GaAs. - A lo largo de la dirección z los electrones
se encuentran confinados y el valor de la energía correspondiente
a esta dirección viene dada por la ecuación 1. Por otra parte, al
poder moverse los electrones libremente en el plano (x,y) de la
intercara, la energía correspondiente coincidirá con la de los
electrones libres, excepto por el hecho de que su masa es la masa
efectiva. La ecuación de Schrödinger divide la función de onda de
los electrones en tres dimensiones x, y, z, permitiendo obtener una
expresión aproximada para la energía cinética como la suma de
las correspondientes a los ejes x, y, z.
Por lo que la energía E se escribe como:
ℏ2
𝐸𝑛 = (𝑘 2 + 𝑘𝑦2 ) + 𝐸𝑛 [2]
2𝑚𝑒 𝑥
donde En viene dada por la ecuación 1. Las magnitudes kx y ky
representan las componentes del vector de onda k de los
electrones en las direcciones x e y, respectivamente, cuyo valor en
función del momento cristalino viene dado por la ecuación
𝑝 = ℏ𝑘
donde ℏ es la constante de Planck, h, dividida por 2π. Como se
observa que los dos términos de la ecuación 2 corresponder a la
expresión de la energía cinética en el plano (x,y) para una elección
libre que, en función del momento cristalino, es 𝐸 = 𝑝2 ⁄2𝑚 =
(𝑝𝑥2 + 𝑝𝑦2 )⁄2𝑚.
En la figura 3b se han presentado los niveles permitidos de la
energía de los electrones correspondiente a la dirección del eje z,
dados por la ecuación 1. Sin embargo en el plano (x,y) los niveles
no están cuantificados y los electrones se mueven en una banda
de energía, de acuerdo con los primeros términos de la ecuación
2. En efecto para un valor fijo de n, la energía E varia de forma
continua en función de los valores de kx o ky. En la figura 3c se ha
representado la variación de la energía para una dirección
cualquiera en el plano (x,y), en donde el eje horizontal puede ser
tanto kx como ky. Para cada valor fijo En, que coincide con el
fondo de las parábolas, los valores de E en función de k forman
las denominadas subbandas de energía de los electrones en el pozo
potencial.
III. HETEROUNIONES MODULADAS EN
DOPAJE
Además de las uniones p-n, las llamadas heterouniones, en donde
se podría incluir la unión metal-semiconductor y la estructura
metal-oxido-semiconductor, constituyen los bloques básicos de
casi todos los dispositivos electrónicos.
Probablemente la unión AlGaAs-GaAs, es la más utilizada,
aunque las heterouniones Si-Ge se utilizan también en
aplicaciones como transistores bipolares. En esta sección se
analizará las heterouniones de compuesto III-V que son la base de
los transistores de efecto de campo con estructura modulada en
dopaje MOSFET.
Figura 4: Diagrama de la banda de conducción en una heterounión
AlGaAs-GaAs, antes del trasvase de carga de un lado a otro de la
intercara entre los dos semiconductores.
Supongamos como se ve en la figura 4 una heterounión donde el
semiconductor de la izquierda es arseniuro de galio dopado con
aluminio, mientas que el de la derecha es arseniuro de galio de
tipo intrínseco. Esta estructura se denominada heterounión
modulada en dopaje. Primero consideremos la situación
hipotética de la figura 3a en la que los dos semiconductores están
en contacto, antes de iniciarse el trasvase de carga de un lado a
otro de la intercara que los separa. En la gráfica se ha representado
las bandas de conducción y de valencia, así como el nivel de Fermi
de los semiconductores en cada lado, que es el caso del AlGaAs
está cerca de dicha banda por ser de tipo n, mientras que en el caso
del GaAs estará localizado cerca de la mitad del gap.
Evidentemente las bandas son planas puesto que los materiales
son neutros y tiene un dopaje uniforme.
Si el AlGaAs y GaAs, entran en contacto, parte de los electrones
cruzan la interfaz hasta una situación de equilibrio. Caso similar
se da de la unión p-n originando un campo eléctrico que provoca
un doblamiento de las bandas de energía. En esta situación se
produce una barrera de potencial. Producido de la diferencia de
los valores de los gaps de los semiconductores. Obsérvese la
figura 5.
Figura 5: Situación una vez que se alcanza el equilibrio.
Lo más destacado de las bandas de heterounion es la formación
de un pozo cuántico para electrones de forma triangular,
limitada por las barreras de potencial. En esta especie de pozo
los electrones se encuentran libres para moverse por el plano (x,y)
a lo largo de la intercara, pero su movimiento a lo largo de z estará
cuantificado.
Un efecto interesante es cuando el movimiento de los electrones
es paralela a la intercara permitiéndole una movilidad muy
elevada puesto que no son frenados por las impurezas, cuyo uso
más común son los transistores MODFET 2 de alta frecuencia.
IV. POZOS CUÁNTICOS
Si enfrentamos dos heterouniones, colocados simétricamente y a
una pequeña distancia la una de la otra, se obtiene un pozo de
potencial para las bandas de valencia y de conducción, tal como
se muestra en la figura siguiente:
Figura 6: Diagrama de bandas de energía de la estructura de AlGaAs-
GaAs-AlGaAs cuando el espesor del GaAs es grande.
2 3
Es un transistor de efecto de campo dopado por modulación, trabaja
en frecuencias de 26 a 30GHz con 17dB de ganancia.
Conforme la distancia entre las dos heterouniones se hace menor,
el fondo del pozo será prácticamente plano, como se observa en
la figura siguiente:
Figura 7: Ídem. para espesor del GaAs de escala nanométrica.
Cuando se utilizan los pozos cuánticos en dispositivos
optoelectrónicos (fotodetectores de infrarrojo 3), la señal provista
por un único pozo no alcanza la suficiente magnitud. Por tanto, es
necesario utilizar un conjunto de pozos cuánticos en estructuras
denominadas pozos cuánticos múltiples (PCM), formados por
unos 50 pozos individuales y con un espesor de 1µm. El espectro
de niveles de energía del PCM es similar al de un pozo
individual.
“Los pozos cuánticos encuentran aplicaciones interesantes en
una serie de dispositivos optoelectrónicos y transistores”.
V. SUPERREDES
Figura 8: Barrera de potencial única de anchura b.
Supongamos primero una simple barrera de potencial (figura 8),
entre dos regiones planas, como por ejemplo la barrera que
resultaría entre dos pozos de potencial consecutivos de la banda
de conducción cuando se añade una unión GaAs-AlGaAs a la
estructura descrita con anterioridad. Se sabe que una partícula
localizada a un lado de la barrera puede pasar al lado opuesto
siempre y cuando su energía cinetica sea mayor que la de la
barrera, EB, sin embargo, esto suele contradecirse con el efecto
túnel.
Figura 9: Pozo cuántico de anchura a rodeado por dos barreras de
potencial de anchura b, mostrando los niveles de energía permitidos.
Otro ejemplo es cuando se tienen dos barreras con un pozo
cuántico entre ellas como se observa en la figura 9. Esta estructura
semiconductora es la base del diodo túnel resonante. Veremos
entonces que, si un electrón incide a un lado de la primera barrera,
la probabilidad de atravesar toda la estructura es muy grande
QWIP es un dispositivo optoelectrónico fabricado mediante diferentes
materiales semiconductores que permite la detección de radiación
infrarroja. Uno de los más comunes utiliza AlGaAs y GaAs.
cuando su energía coincide con los niveles electrónicos en el pozo
de potencial.
Una estructura semiconductora con múltiples aplicaciones
tecnológicas es la superred, representada en la siguiente figura:
Figura 10: Múltiples pozos cuánticos formando una superred de periodo
d=a+b, donde las anchuras a y b son suficientemente pequeñas. En este
caso, los niveles se distribuyen formando bandas de energía.
De acuerdo a la figura 10, la superred está formada por muchos
pozos cuánticos idénticos, colocados sucesivamente y separados
por barreras de potencial. En las superredes, las energías
permitidas para los electrones forman bandas de energía.
- En el caso de los sólidos semiconductores, en las superredes
también se forman bandas de energía permitidas para los
electrones.
- En las superredes también se encuentran una cierta
periodicidad en la estructura, como consecuencia de ellos, la
anchura de las bandas y de los gaps entre ellas, es mucho
menor que en el caso de las bandas en sólidos, del orden de
decimas de eV. De hecho, para las superredes, se recurre
frecuentemente a los términos minibandas y “minigaps4”.
- Las superredes están formadas por AlGaAs-GaAs (un
material dopado tipo n y otro intrínseco) y se los denomina
superredes moduladas en dopaje. Existen superredes de
Si-Ge, denominadas composicionales y otras superredes
nipi.
VI. PUNTOS CUÁNTICOS E HILOS
CUÁNTICOS
Puntos Cuánticos. - constituidos por monocristales, con sus tres
dimensiones nanométricas (estructura OD).
Hilos Cuánticos. – presentan dos dimensiones nanométricas
(estructura ID).
- Los puntos cuánticos presentan un gran numero de átomos,
de 104 a 106.
- Los puntos cuánticos presentan algunas propiedades físicas
similares a las de átomos individuales por lo que a menudo
se los conoce también con el nombre de átomos artificiales.
- La energía necesaria para quitar o añadir un electrón del
punto se llama energía de ionización o energía de carga del
punto cuántico.
- Las propiedades de los puntos cuánticos se estudian
registrando sus características eléctricas de carga y descarga,
4
El minigap es una banda de los semiconductores de energías prohibidas
entre la banda de valencia y la de conducción, muy reducida.
efecto denominado boclaje de Coulomb, útil en los
transistores de un solo electrón.
Los niveles de energía de los electrones confinados en un punto
cuántico pueden calcularse de forma aproximada suponiendo el
caso simple en el que los electrones de la banda de conducción
están confinados por una barrera de potencial de paredes infinitas.
Los niveles de energía vienen dados por la siguiente ecuación:
ℏ2 𝜋 2 𝑛12 𝑛22 𝑛32
𝐸𝑛1𝑛2 𝑛3 = ( + + ) [3]
2𝑚𝑒 𝑎𝑥2 𝑎𝑦2 𝑎𝑧2
Donde, 𝑛1 , 𝑛2 , 𝑛3 = 1,2, …,
La siguiente figura muestra el espectro típico de energías de un
punto cuántico, formado por un conjunto de picos muy intensos
para la densidad de estados posibles de electrones en el punto
cuántico.
Figura 11: Densidad de estados y espectro de energía correspondiente a
un punto cuántico típico.
“Los puntos cuánticos, encuentran aplicaciones tanto en
optoelectrónica (láseres de punto cuántico) como en
nanoelectrónica (transistores de un solo electrón).”
Si en un pozo cuántico los electrones están confinados en su
movimiento en una dirección espacial, mientras que en las otras
dos se comportaban como prácticamente libres, podemos pensar
en una estructura en forma de hilo cuántico, pero obligando a que
los electrones se puedan mover libremente en una sola dirección,
mientras que su movimiento en las otras dos se encuentran
confinado por sendas cajas de potencial.
- Los hilos cuánticos son menos aplicados debido a su
dificultad de fabricación.
- Ejemplo del uso de hilo cuántico es la estructura de silicio
poroso, útil en la construcción de diodos emisores de luz
(LED).
VII. PROPIEDADES ÓPTICAS DE
NANOESTRUCTURAS
Las propiedades ópticas de las nanoestructuras difieren
notablemente de las de los sólidos cristalinos, ya que los estados
de energía de los electrones presentan unos niveles y bandas de
energía que vienen influenciados por la dimensionalidad y tamaño
de la nanoestructura.
Para un cristal 3𝐷 la función densidad de estados, 𝑍(𝐸), en la
región de energías próximas al fondo de la banda de conducción
y el tope de la banda de valencia depende de la energía siguiendo
una función parabólica, en caso de semiconductores en 2D el
comportamiento de la función densidad de estados posibles es
muy diferente ya que es totalmente independiente de la energía y
viene dada por la expresión.
𝑚𝑒
𝑍(𝐸) = [4]
𝜋ℏ2
La función densidad de estados de un pozo cuántico tiene la forma
de una escalera como se muestra en la siguiente figura:
Figura 12: Función densidad de estados para un gas electrónico en un
pozo cuántico.
Si tenemos en cuenta el diagrama de bandas de un pozo cuántico
la energía de 0 a 𝐸1 no está permitida y por ello la densidad de
estados vale cero. Si 𝐸1 < 𝐸 < 𝐸2 , los electrones sólo pueden
estar en la subbanda 𝑛 = 1 y el valor de la función densidad
estados será 𝑚𝑒 /𝜋ℏ2 . Para el intervalo entre 𝐸2 𝑦 𝐸3, los estados
pueden estar localizados en la subbanda 𝑛 = 1 o en la 𝑛 = 2 y
consecuentemente la función densidad de estados valdrá el doble
de la anterior 2𝑚𝑒 /𝜋ℏ2 y así sucesivamente.
Figura 13: a) Excitón en un cristal masivo. b) Excitón en un pozo
cuántico.
Los efectos excitónicos 5 adquieren una gran importancia en
relación a lo que ocurre en el cristal masivo. La energía de enlace
del par electrón-hueco que forma el excitón será mucho mayor
cuando este localizado en un pozo cuántico. En el pozo cuántico
los electrones y huecos se ven forzados a estar mucho más cerca
5
O excitación elemental, de los sólidos formada por un electrón y un
hueco ligados a través de la interacción coulombiana. Se da únicamente
en semiconductores y aislantes.
uno del otro, ya que ambos se encuentran atrapados en sus
correspondientes pozos cuánticos, están situados en el mismo
espacio. El excitón adquiere entonces aproximadamente una
forma elipsoidal aplastada en lugar de la forma esférica que
tendría en el sólido 3D como se muestra en la figura 13.
La energía es tres o cuatro veces mayor en el caso de los pozos
cuánticos.
El espectro de absorción óptica para un pozo cuántico medido a
una temperatura de 6𝐾. En este espectro se indica las transiciones
ópticas entre los niveles excitónicos de los electrones y de los
huecos. Los huecos ligeros (ℎ𝑙) y pesados ℎ𝑝 lo cual es
consecuencia del desdoblamiento de la banda de valencia del
𝐺𝑎𝐴𝑠, otra observación importante es la creciente absorción a
medida que aumenta la energía, fiel reflejo de la dependencia de
la función densidad de estados con la energía.
Figura 14: Espectro de absorción óptica de una estructura de pozos
cuánticos múltiples del tipo 𝐺𝑎𝐴𝑠 − 𝐴𝑙𝐴𝑠.
Los puntos cuánticos muestran niveles discretos en lugar de
bandas, la función densidad de estados vendrá representada por
líneas muy intensas a ciertas energías.
Figura 15: Espectro de absorción óptica de puntos cuánticos de
nanocristales de sulfuro de cadmio de diversos tamaños.
A modo de ejemplo para cuatro tamaños de nanocristales de
Sulfuro de Cadmio, para los nanocristales de tamaño 33𝑛𝑚 no se
observa efectos cuánticos y el espectro es similar al del cristal
masivo, cuando el tamaño se reduce por debajo de 2,2 𝑛𝑚 el
espectro de absorción se ve desplazado hacia la derecha que el
𝑔𝑎𝑝, determinado ópticamente (intersección de las curvas con el
eje horizontal), pasa de 2,6 𝑒𝑉 a unos 3,6 𝑒𝑉. Para los valores más
pequeños de los nanocristales los anchos picos excitónicos se
hacen más destacables, el color de los nanocristales cambia con el
tamaño como consecuencia del aumento del borde de absorción
óptico lo que constituye una de las propiedades ópticas
características de los nanocristales, asociada a los llamados
efectos cuánticos de tamaño.
VIII. PROPIEDADES DE TRANSPORTE EN
NANOESTRUCTURAS
Los electrones se mueven por la acción de un campo eléctrico
dentro del plano de la estructura, es decir:
✓ Paralelamente a las intercaras, los electrones se
comportan prácticamente como si fueran libre, se
conoce generalmente como paralelo u horizontal, y su
tratamiento físico es en cierto modo parecido al de un
semiconductor tridimensional.
✓ Cuando el electrón se mueve perpendicularmente a las
intercaras que lo confinan, el fenómeno físico es
completamente distinto ya que está basado
principalmente en el efecto túnel, llamado
perpendicular o vertical.
Cuando el electrón se traslada en el transporte paralelo por la
acción de un campo eléctrico, su velocidad está limitada
fundamentalmente por la interacción del electrón con defectos de
la red cristalina. Esta interacción es, en definitiva, lo que da lugar
al concepto de resistencia, igual que en el caso de un
semiconductor convencional. Los dos mecanismos más
importantes de dispersión de los electrones, que ocurren durante
su movimiento son
✓ A la interacción con los átomos de la red cristalina.
✓ A la interacción con las impurezas semiconductoras.
Cuanto más alta es la temperatura de un cristal los átomos vibran
con mayor amplitud, lo que hace que el número de fonones
aumente y, por lo tanto, también aumente la resistividad del
material, por el contrario, a bajas temperaturas los fenómenos de
dispersión con fonones se reducen y la resistividad que muestra el
material viene determinada principalmente por la interacción
coulombiana de los electrones con las impurezas del
semiconductor.
Las intercaras no son completamente planas a nivel atómico.
La facilidad con la que se traslada un portador de carga por la
acción de un campo eléctrico está garantizada por su movilidad,
definida como el cociente entre la velocidad de la partícula y la
magnitud del campo eléctrico.
A modo de ejemplo, en heterouniones del tipo 𝐴𝑙𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠 si
trabajamos a bajas temperaturas, cuando se mide la conductividad
en transporte paralelo a la intercara se encuentran unos valores
muy altos para la movilidad de los electrones.
IX. CONDUCTANCIA CUÁNTICA
Cuando se mide la corriente en función del voltaje en
nanoestructuras se observan fenómenos físicos de cuantificación
completamente novedosos y que no tienen una analogía clásica.
Uno de estos fenómenos es la denominada conductancia
cuántica, que aparece cuando se hace pasar un corriente de
electrones en un canal muy estrecho y corto a la vez. En este caso,
el movimiento de los electrones puede ser de tipo balístico si las
dimensiones del estrechamiento son menores que el recorrido
libre medio de los electrones. Este caso se presenta, por ejemplo,
en la región de inversión en la intercara de la heteroestructura de
𝐴𝑙𝐺𝑎𝐴𝑠/𝐺𝑎𝐴𝑠 cuando se aplica un electrodo de puerta entre dos
electrodos (fuente y drenador) formando un transistor tipo
MOSFET.
- Un método para reducir la anchura del canal consiste en la
utilización de una puerta dividida a través de una separación
de dimensiones nanométricas, esto lo podemos visualizar en
la fig. 16 a.
Aplicando tensiones suficientemente negativas en la puerta es
posible producir el estrangulamiento del canal que se produce en
el espacio entre los dos electrodos. Además, es posible regular la
anchura del canal variando la tensión aplicada a la puerta por
encima del valor de estrangulamiento.
- La Figura 16 b. muestra los valores de la conductancia para
una de estas estructuras, medida a 0,6 K. Se observa que la
conductancia está cuantificada, variando en pequeños saltos
al aumentar el voltaje negativo de la puerta, siguiendo una
ecuación del tipo:
2𝑒 2
𝐺= 𝑛 𝑛 = 1,2,3 [5]
ℎ
La ecuación 5 puede ser demostrado matemáticamente de un
modo relativamente sencillo para el caso de nanoestructuras
semiconductoras con geometrías simples. El origen de la
cuantificación se debe a la estructura de subbandas. Así, al
aumentar el voltaje, participarán en la corriente electrones
provenientes de un mayor número de subbandas, cada vez más
energéticas, lo cual hace que el valor de la conductancia G vaya
aumentando en cantidades constantes de 2𝑒 2 /ℎ. Cuando se
habla en términos de resistencia, al cuanto anterior le corresponde
el valor:
ℎ
= 25812,8 𝑜ℎ𝑚𝑖𝑜𝑠 [6]
𝑒2
a) b)
Figura 16. a) Constricción nanométrica en una heteroestructura de
AIGaAs-GaAs mediante el estrechamiento producido entre dos
electrodos de puerta. b) Conductancia cuántica de la corriente a través
del canal entre los electrodos
 X. El EFECTO HALL CUANTICO donde 𝜌 es ahora el denominado tensor de resistividad, inverso a
la conductividad, 𝜎. Las ecuaciones anteriores, aplicadas al caso
El efecto Hall consiste en la aparición de una diferencia de
2D, permiten obtener la siguiente expresión para la resistividad
potencial en una cinta/barra conductora (metálica o
transversal 𝜌𝑥𝑦
semiconductora) circulada por una intensidad I y sometida a un
campo magnético externo perpendicular a la dirección de la 𝐹𝑦 𝐵
corriente. 𝜌𝑥𝑦 = =− [10]
𝑖𝑥 𝑛𝑒
Así, supongamos, que se aplica una diferencia de potencial entre
Con objeto de apreciar mejor el interés del efecto Hall cuántico
los extremos de una barra semiconductora. El campo eléctrico
(EHC) y su notable diferencia con el clásico, veamos
𝐹𝐻 generado a lo largo de la dirección x crea entonces una
seguidamente cuáles son los resultados que se obtienen en el
densidad de corriente, que denominaremos j. Si al semiconductor
EHC, descubierto en 1980 por von Klitzing. En la Figura 18 viene
se aplica de forma simultánea n campo magnético constante B en
representado el esquema de la estructura MOSFET utilizada para
la dirección z, perpendicular a 𝐹𝐻 los electrones en su movimiento
medir este efecto. Recordemos que en un dispositivo MOS
están sometidos a la fuerza de Lorentz, dirigida en la dirección y,
convencional es preciso aplicar un voltaje 𝑉𝑜 positivo en el
todo esto lo podemos observar en la fig. 17
electrodo de puerta para inducir la creación de un canal inversor
Los electrones se desviarán entonces hacia la cara inferior del de electrones. Además, la concentración de electrones en el canal
semiconductor, que se cargará negativamente mientras que la cara es tanto mayor cuanto más alto es el voltaje aplicado. Este canal
superior de la muestra se cargará positivamente. Estas cargas superficial se puede considerar como una estructura 2D sobre el
crean a su vez el campo eléctrico, 𝐹𝐻 de modo que, en el substrato de silicio.
equilibrio, la fuerza que ejerce sobre los electrones, −𝑒𝐹𝐻 es
igual y de sentido contrario a la fuerza de Lorentz. Debido a esta
igualdad de fuerzas se tendrá:

1
𝐹𝐻 = 𝑣𝑥 𝐵 = − 𝑗 𝐵 [7]
𝑛𝑒 𝑥

siendo n la concentración de portadores en el semiconductor. En

la última igualdad se ha hecho use de la relación entre la densidad
de corriente y la velocidad de los portadores:

1
𝑅𝐻 = − [8]
𝑛𝑒

que se determina de la ecuación anterior, se denomina constante

de Hall y nos da tanto el signo de los portadores, negativo en el
caso discutido de los electrones, como la concentración n de
portadores. Por esta razón, la medida de la constante de Hall en
semiconductores constituye una de las herramientas más
utilizada para la determinación de las características eléctricas
del material en los procesos de dopaje.
Figura 17: Conducción de corriente en una barra semiconductora
orientada a lo largo del eje x, con un campo magnético aplicado a lo
largo del eje z.
Utilizando la expresión para la relación entre los
vectores 𝑗 𝑦 𝐹 podemos escribir:
𝐹 = 𝜌𝑗 [9]
Figura 18: Observación del efecto Hall cuántico por Von
Klitzing en un transistor MOSFET de silicio
La medida del voltaje Hall 𝑉𝐻 , se hace entre dos electrodos
situados a un lado y otro del canal, y su valor debe ser
proporcional a la resistividad transversal, 𝜌𝑥𝑦 . Como
consecuencia de ello, un aumento del voltaje aplicado a la puerta
del transistor debería conducir a una disminución de 𝑉𝐻 , ya que
la concentración de electrones en el canal es cada vez mayor. Sin
embargo, contrariamente al resultado que se esperaría
clásicamente, se observa que el voltaje Hall muestra una caída
con una serie de tramos horizontales, los cuales se ajustan a una
variación en cuantos, de la resistencia transversal, también
denominada resistencia Hall, 𝑅𝐻 en unidades ℎ/𝑒 2 , es decir
𝑉𝐻 ℎ
𝑅𝐻 = = − 2 𝑖 = 1,2, … [11]
𝐼𝑥 𝑖𝑒
Hay que señalar que los valores de 𝑅𝐻 sólo dependen de
constantes universales (la carga del electrón 𝑒, y la constante de
Planck, ℎ), y por tanto, son independientes del material y de otros
parámetros experimentales.
 ✓ La temperatura es muy importante en las
nanoestructuras, debido a que de esta depende las
propiedades de la estructura en investigación.
✓ Para las cantidades más pequeñas de los nanocristales
los anchos picos excitónicos se hacen más relevantes,
mientras que para los grandes no se aprecian efectos
cuánticos.
✓ El valor de la resistencia de Hall 𝑹𝑯 depende de las
constantes universales: carga del electrón, 𝑒, y la
constante de Planck, ℎ.
✓ El movimiento de los electrones se realiza debido al
campo eléctrico dentro del plano de una estructura.

Figura 19: Observación del efecto Hall cuántico en XII. REFERENCIAS

heteroestructuras de AIGaAs-GaAs.

Hoy día, el efecto Hall cuántico se suele medir en

heteroestructuras de AlGaAs/GaAs donde los plateaus se
observan mejor que en la estructura MOSFET del caso anterior
debido a la mayor movilidad de los electrones en la dirección
longitudinal, es decir paralela a la unión. En la figura X la
magnitud variable es el campo magnético B. Para ciertos valores
de B hay grandes saltos, en términos fraccionarios de ℎ/𝑒 2 , de la
resistencia Hall. Simultáneamente, a estos valores les
corresponden grandes picos de la resistencia longitudinal. Es de
destacar que la alta precisión en la medida del primer plateaus de
𝑅𝐻 hace que el patrón de resistencia se defina ahora en términos
del valor: ℎ/𝑒 2 = 25812,807 ohmios.
La explicación teórica del EHC es compleja y se basa en
conceptos avanzados de Física del Estado Sólido. Además
todavía existe alguna controversia sobre los mecanismos exactos
que lo producen. Esto, sin embargo, no es óbice para decir que se
basa en las propiedades de los sistemas 2D: subbandas, función
de estados 2D y en la cuantificación en niveles de bandas de las
órbitas ciclotrónicas6 de los electrones bajo la acción de un campo
magnético.
[1] Albella, J. Martínez Duart and F. Agulló-Rueda,
Fundamentos de microelectrónica, nanoelectrónica y
fotónica. Madrid: Pearson Prentice Hall, 2005.
[2] "Quantum Effects Quantum dots are semiconducting
single crystals with almost zero defects ranging in size
from 1 to 20 nanometers. Quantum dots can be
synthesized. - ppt video online download",
Slideplayer.com, 2018. [Online]. Disponible:
http://slideplayer.com/slide/6626512/. [Consultado: 13-
Ene- 2018].
[3] “Aceleradores”, kambry.es, 2018 [online] disponible en:
http://kambry.es/Apuntes%20Web/Paginas%20web%2
0de%20Matematicas/Analisis_Algebra/Fisica/cuantica
/Aceleradores.htm
[4] Suárez Arias, F. (2007). Aspectos de crecimiento,
fabricación y caracterización de diodos láser basados en
nanoestructuras semiconductoras.

XI. CONCLUSIONES

✓ Los arreglos de tamaños de nanómetros tienen

particularidades únicas de nivel cuántico, y resultan con
efectos impresionantes que permite el desarrollo de la
nanotecnología y nanoelectrónica y su aplicación en la
vida cotidiana.
✓ Las heterouniones establecen los bloques básicos de
casi todos los dispositivos electrónicos, lo que se puede
evidenciar en la fabricación de transistores de alta
frecuencia.
✓ Las heterouniones de compuesto III-V son la base de los
transistores de efecto de campo con estructura
modulada en dopaje MOSFET. El compuesto de la
unión AlGaAs-GaAs, es la más manipulada, aunque las
heterouniones Si-Ge se utilizan también en aplicaciones
como transistores bipolares.

6
Los radios de giro son directamente proporcionales a la velocidad (la
que consideramos constante) que lleva la partícula.