Lista de Ejercicios

Dispositivo y Circuitos Analógicos

Unidad 1 Diodos

Respecto a la zona de directa del diodo, usando la ley exponencial

1.- Un diodo de silicio con n = 1.5. Encuentre el cambio de voltaje si la corriente cambia de 0.1mA a
10mA

Resp. 172.5mV

2.- Un diodo de unión con n = 1 y tiene v = 0.7V a i = 1mA. Encuentre la caída de voltaje para
i = 0.1mA e i = 10mA.

Resp. 0.64V, 0.76V

3.- Para el circuito de la figura.

VDD = 5V y R = 10k

Suponga que el diodo tiene una diferencia

de potencial de 0.7V para una corriente de
1mA y que el voltaje se incrementa en 0.1V
si la corriente aumenta en una década. Halle
ID y VD utilizando:

a) Iteración
b) Modelo aproximado del diodo en DC con VD0 = 0.65V y rD = 20
c) Modelo simplificado del diodo de 0.7V

4.- En el circuito mostrado, los diodos son idénticos.

Cuando en un diodo tiene 0.7V a una corriente de 1mA, n = 1.

a) Determine VO cuando la carga RL vale 150

b) Encuentre VO sin carga

5.- Tomando en cuenta que los diodos son ideales, calcule las
corrientes I de los circuitos a) y b). (2P c/u)

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6.-Diseñe el circuito de la figura para que proporcione un voltaje
de salida de 2.4V. Suponga que el diodo tiene una diferencia
de potencial de 0.7V para una corriente de 1mA y que el
voltaje se incrementa en 0.1V si la corriente aumenta en una
década.

7.- Diseñe un circuito rectificador de ½ onda con las siguientes

especificaciones de diseño:

a) Usar transformador de 220/12Vrms a una frecuencia de 60Hz

b) Tomar en cuenta la caída de voltaje de diodo de 0.7V
c) La carga es de 100
d) El voltaje de rizado será a lo más 3.5V

Al final del diseño dibuje el circuito completo

8.- Diseñe un circuito rectificador de onda completa toma central con las siguientes especificaciones
de diseño:

a) Usar transformador de 220/24Vrms a una frecuencia de 60Hz

b) Tomar en cuenta la caída de voltaje de diodo de 0.7V
c) La carga es de 200
d) El voltaje de rizado será a lo más 3.5V

9.- Diseñe un circuito rectificador de onda completa tipo puente con las siguientes especificaciones de
diseño:

a) Usar transformador de 220/18Vrms a una frecuencia de 60Hz

b) Tomar en cuenta la caída de voltaje de diodo de 0.7V
c) La carga es de 100
d) El voltaje de rizado será a lo más 2.5V

10.- Para una señal vO rectificada de media onda con una amplitud pico VP y una frecuencia f de la
señal de entrada vI, halle.

a) Valor medio
b) Valor rms

11.- Para una señal vO rectificada de onda completa con una amplitud pico VP y una frecuencia f de la
señal de entrada vI, halle.

a) Valor medio
b) Valor rms

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12.- Para los circuitos de la figura justifique la función de transferencia vO/vI correspondiente.

13.- Para el circuito mostrado determine la función de transferencia vO/vI

14.-Para los circuitos que se encuentran en la figura los diodos son ideales, encuentre los valores de
voltaje y corriente indicados.

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15.- En cada uno de los circuitos de diodo ideal mostrados en la figura, vI es una onda senoidal pico de
10V, a una frecuencia de 1kHz. Dibuje la onda resultante en vO. ¿Cuáles son los valores positivos y
negativos?

16.-Suponiendo que los diodos de los circuitos son ideales, encuentre los valores de los voltajes y
corrientes indicados.

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17.- En el circuito mostrado, ambos diodos tienen n = 1,
pero D1 tiene diez veces el área de unión de D2 ver nota.
¿Qué valor de V se obtiene?
Para un valor de V = 50mV ¿qué corriente I2 se necesita?

Nota: si D2 tiene esta característica de

operación: 1mA a 0.7V, entonces D1
tendrá 10mA a 0.7V

18.-En el circuito mostrado en la figura, los diodos son idénticos,

conduciendo 10mA a 0.7V y 100mA a 0.8V. Encuentre el valor de
R para que V sea 80mV.

19.- En el circuito que se muestra en la figura, I es una corriente

DC y vS es una señal senoidal. Los condensadores C1 y C2 son
muy grandes (); su función es asegurar que el diodo esté en
directa acoplar la señal al diodo en DC (según el teorema de la
superposición).

Utilice el modelo de pequeña señal para

demostrar que la componente de AC de vO es:

nVT
vo  v s
nVT  IRS

Si vs = 10mV, encuentre vO para

I = 1mA, 0.1mA y 1A. sean Rs = 2k y n = 2.
¿A qué valor de I vO se vuelve la mitad de vs?

20.- Se debe diseñar un regulador Zener en paralelo para proporcionar un voltaje regulado de unos
10V. Se ha especificado que el Zener de 10V a 1W disponible en el mercado es 1N4740. Tiene una
caída de potencial de 10V a una corriente de prueba de 25mA y rZ es 7. La fuente de
alimentación tiene un valor nominal de 20V, pero puede variar en ±25%. Se necesita que el
regulador proporcione una corriente de carga de 0 a 20mA. Diseñe para una corriente mínima de
Zener de 5mA.

a) Encuentre VZ0
b) Calcule el valor necesario de R
c) ¿Cuál es la variación máxima que ocurrirá en la salida para la variación de la entrada?

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21.- El circuito de la figura, el Opamp es ideal
con niveles de saturación de ±12V. Los
diodos tienen una caída de voltaje de
0.7V cuando conducen. Hallar v- , vA y vO
para:

a) vI = +1V
b) vI = +2V
c) vI = -1V
d) vI = -2V

22.-Grafique la curva de transferencia vO vs vI. Considere la caída de potencial de 0.7V en el diodo

cuando conduce.

23.- Encuentre con claridad la función de transferencia

vO vs vI del circuito de la figura para -20V < vI <
+20V. Suponga que los diodos se pueden
representar mediante el modelo lineal con VD0 =
0.65V y rD = 20. El Zener de 8.2V se mide a una
corriente de 10mA y rZ = 20.

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24.- Grafique la función de transferencia vO vs vI del circuito
mostrado sobre un intervalo de ±10 de señales de
entrada. Asuma que los diodos son ideales.

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Unidad 2 Mosfet

1.- Suponga que Q1 es idéntico a Q2. El NMOS tiene Vt =

0.6V, nCox = 200A/V2, L = 0.8m y W = 4m.
Encuentre la corriente y el voltaje de drenaje de Q2.
Considere que la corriente ID que circula por Q1 es
40A.

Ejemplo de estrategia
Para solucionar el problema, una estrategia de solución sería:

- Observar el circuito – qué nos están solicitando hallar

(dónde están las incógnitas) – qué datos disponemos
- Para determinar VD2, se necesita conocer la corriente I2 dado que VD2 = 3V – (I2)(20k)
- Para hallar I2, se requiere saber cómo opera el NMOS2. Además se puede apreciar que VGS de ambos
NMOS son idénticos por la conectividad y asumimos que está en la zona de saturación.
- Por Q1 determinamos el VGS que tenemos como dato I1.

2.- Los transistores NMOS y PMOS del circuito de la figura tienen

kn’(W/L)n = kp’(W/L)p = 1mA/V2 y
Vtn = -Vtp = 1V. Encuentre las corrientes de drenaje IDn e IDp y
el voltaje vo para vi = 0V, +2.5V y -2.5V.

3.- Diseñe el circuito de la figura para establecer

una ID = 0.5mA y VD = 10V. El Mosfet tiene Vt =
1V y kn’(W/L) = 1mA/V2. La fuente VDD vale 15V.

4.- Considere que VDD = VSS = 10V, I = 0.5mA,

RG = 4.7M, RD = 15k, Vt = 1.5V y kn’(W/L) = 1mA/V2.
Encuentre VGS, VG, VD, VS. Además calcule los valores de gm y
ro suponiendo que VA = 75V.

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5.- Para los transistores NMOS del circuito de la figura tienen Vt =
1V, nCox = 120A/V2, L1 = L2 =1m. Encuentre los valores de W
para Q1 y Q2, y el valor de R para obtener los valores de voltaje y
corriente indicados.

6. Para los transistores NMOS del circuito de la figura tienen Vt =

1V, nCox = 120A/V2, L1 = L2 = L3 = 1m. Encuentre los valores
de W para Q1, Q2 y Q3 para obtener los valores de voltaje y
corriente indicados.

7.-En los circuitos mostrados, los transistores están caracterizados por Vt = 2V y k’(W/L) = 1mA/V2.

Encuentre los voltajes marcados de V1 a V7.

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8. En los circuitos mostrados, los transistores están caracterizados por Vt = 1V y k’(W/L) = 0.4mA/V2.
Encuentre los voltajes marcados de V1 a V8.

9. Para cada uno de los circuitos

mostrados, encuentre los voltajes
de nodo indicados. Los transistores
NMOS tienen un
Vt = 1V y kn’(W/L) = 2mA/V2.

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10. Para los circuitos mostrados, nCox = 2.5pCox = 20A/V2, |Vt| =1V, L = 10m y
W = 30m (Para el circuito (c) W = 75m). Encuentre las corrientes y tensiones indicadas.

11. Para los dispositivos de los circuitos de la

figura nCox = 50A/V2, L = 1m y
W = 10m, Vt = 1V. Encuentre V2 e I2. ¿Cómo
cambian estos valores si Q3 y Q4 son
cambiados por otros con W = 100m?

12. Los transistores de la figura tienen Vt = 1V y kn’

= 100A/V2. Encuentre los valores de V1, V2 y
V3 para cada uno de los siguientes casos.

a) (W/L)1 = (W/L)2 = 20
b) (W/L)1 = 1.5(W/L)2 = 20

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13. Diseñe el circuito de la figura para que el PMOS opere
en saturación con VD = 1V e ID = 1mA bajo las
siguientes condiciones:

a) |Vt| = 1V y kp’(W/L) = 0.5mA/V2

b) |Vt| = 2V y kp’(W/L) = 1.25mA/V2

14. En el circuito de la figura, el NMOS tiene un Vt = 0.9V y VA = 50V y opera con VD = 2V.

Determine:

a) gm y ro
b) Rin
c) Av (vo/vi)
d) ¿Cuál será VD y la ganancia AV si I aumenta a 1mA?

15. Se muestra un amplificador de fuente común. Si el transistor tiene Vt = 1V y kn’(W/L) = 2mA/V2 :

a) Determine el punto Q
b) Determine gm
c) Halle Rin y AV

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16. Se muestra un esquema para acoplar y amplificar un pulso de alta frecuencia. No se dan los datos
del NMOS y el circuito usa un cable coaxial de 50. El transistor Q1 opera como fuente común y Q2
opera como puerta común. Para una operación apropiada del sistema la Rin2 debe ser 50, esto es
para evitar reflexiones de señal en alta frecuencia.

Si se sabe que el punto de polarización de Q1 es igual que Q2 ¿Cuál es la amplitud de los pulsos de
corriente id1? ¿Cuál es la amplitud de los pulsos de voltaje vd1? ¿Cuál valor de RD se necesita para
proporcionar pulsos de 1V en vd2?

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Unidad 3 BJT

1. Diseñe el circuito de la figura de manera que IC sea 2mA y VC = 4V.

Considere  = 200.

2.- Para el circuito mostrado, el voltaje de emisor fue medido y

resultó igual a -0.7V. Si  = 50, calcule IE, IB, IC y VC.

3.- El circuito mostrado en la figura, la medición indica que VB =

+1.0V y VE es +1.7V. ¿Cuáles son los parámetros  y  para
el transistor? ¿Qué voltaje VC se espera en el colector?

4.- Se desea evaluar los voltajes de nodos y las corrientes en

todas las ramificaciones del circuito de la figura. Suponga
que  = 100 en ambos transistores.

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5.- Diseñe el circuito para que VC sea 4V y la IC sea
2mA. La fuente VCC es 10V y el  = 100. Use
criterios de diseño.

6.- Para la configuración de base común. Diseñe el circuito

para establecer una corriente IE de 1mA y proveer una
ganancia máxima posible para una señal en el colector
de ± 2V. Las fuentes son respectivamente +10V y -5V

vBE

7- Si iC  I S e VT
, complete la tabla adjunta.

Transistor a b c d e

VBE (mV) 690 690 580 780 820

IC(mA) 1.000 1.000 10.10

IB(A) 50 7 120

IE(mA) 1.070 0.137 75.00

IS

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8. Para los circuitos de la figura, suponga un  =100. Determine los valores solicitados.

9. Determine el  de cada transistor para los circuitos mostrado.

10. Para los circuitos mostrados, determine los voltajes y las corrientes de base, emisor y colector.
Suponga  = 30 y que |VBE| = 0.7.

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11. Para el circuito de la figura selecciones un valor para RE de modo que el transistor
se sature con un SAT = 10. Suponga VEB = 0.7V y |VECsat| = 0.2V

12. Para cada uno de los circuitos saturados de la figura, determine IB, IC e IE.
Use |VBE| = 0.7V y |VCEsat| = 0.2V

13. Considere la operación del circuito de la figura para VB a -1V, 0V y

+1V. Suponga que VBE es 0.7V para corrientes normales y que  es
muy alta. ¿Qué valores de VE y VC resultan? ¿Para qué valor de VB el
transistor está justo en el borde de la conducción? Para esta
condición: ¿Qué valores de VE y VC corresponden? Así mismo,
determine el valor de VB para el cual el transistor opere en
saturación con una sat = 2.

14.

Para el circuito mostrado en la figura

suponga que   1y VBE = 0.5V en el borde de conducción.
¿Cuáles son los valores de VE y VC para VB = 0V? ¿Para qué
valor de VB el transistor está saturado? Para este caso, ¿qué
valores de VE y VC resultan?

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15. Para el circuito de la figura VE = 1V. Dada la suposición que |VBE| = 0.7V.
¿Cuáles son los valores de VB, IB, IE, IC, VC,  y ?

16. Para los circuitos mostrados en la figura, determine los voltajes de nodo y las corrientes en las
ramificaciones marcados. Suponga que  es muy alto y |VBE|= 0.7V.

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17. Para el circuito mostrado, con |VBE| y Vdiodo = 0.7V,  = , determine los voltajes de VB1, VE1, VC1,
VB2, VE2, VC2, primero con R retirado (a circuito abierto) y con R conectada.

18. Determine los voltajes de nodos indicados para:

a)  = 

b)  = 100

19.

Para el circuito de la figura, encuentre VB y

VE para vi = 0V, +3V, -5V y -10V. Los BJT
tienen un valor de  = 100.

20. Suponiendo que los transistores se encuentran en saturación. Calcule los valores de sat.

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21. En el circuito de la figura, Si  = , encuentre una
expresión para IO en función de VCC,  y las resistencias.
Si R1 = R2, ¿Cómo se modifica la expresión para IO?

22.

Para el circuito mostrado, si  = 0.99 y

VBE = 0.7V, determine:

a) El punto Q
b) gm y ro, si VA = 100V
c) Rin y Rout
d) AV y Ai
e) La ganancia global vo/vsig

23. El amplificador de emisor común. La fuente VCC = 12V,

 = 100, VA = 100V, VBE = 0.7. Diseñe el circuito para que
el punto Q sea: IC = 2mA y VCE = 4V y la ganancia AV sea
-8V/V.

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24. El circuito mostrado, es un amplificador de dos etapas de emisor común. VCC = 15V, la primera
etapa tiene los siguientes componentes: R1 = 100k, R2 = 100k, RE = 3.9k, RC = 6.8k y  = 100.
Determine el punto Q de la primera etapa. Diseñe la segunda etapa para que IC2 = 1mA y VCE2 = 7V.
Si RL = 1k, evalúe la ganancia de voltaje vo/vb1.

25. En el circuito de la figura vseñal es una onda senoidal de amplitud pequeña,

Determine la Rin y la ganancia vo/vseñal. Suponga que  = 100. Si vbe se limita a
5mV ¿Cuánto valdrá el nivel de vseñal y vo?

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