Universidad Nacional Mayor de San Marcos

(Universidad del Perú, DECANA de América)

Laboratorio de Dispositivos Electrónicos

INFORME FINAL
Profesor: José Luis Mestas
Estudiante:
 Depaz Paico, Marco Santiago

Fecha de entrega: 18/05/2019

Horario: Sábado de 10:00-12:00 am

2019
  INFORME FINAL:
DIODO DE SILICIO:

R directa R inversa
1.4 MΩ ꝏ

Tabla del diodo de silicio con polaridad directa.

Vcc(v) 0.5 0.51 0.57 0.65 0.77 0.89 1.19 1.74 2.31 2.84
Id(mA) 0.1 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 10.0 15.0 20.0
Vd (v) 0.4 0.47 0.52 0.59 0.6 0.65 0.69 0.71 0.72 0.77

Tabla del diodo de silicio con polaridad inversa.

Vcc(v) 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0

Id(uA) 1.83 3.8 5.56 7.3 9.21 10.2 14.9 20
Vd (v) 18.2 38.2 55.8 74.0 92.2 12.0 152 200

DIODO DE GERMANIO:

R directa R inversa
112.6 kΩ ꝏ

Tabla del diodo de germanio con polaridad directa.

Vcc(v) 0.3 0.348 0.418 0.539 0.670 1.015 1.402 1.662 1.862 2.282 2.903
Id(mA) 0.2 0.4 0.8 1.6 2.5 5.0 8.0 10.0 12.0 15.0 20.0
Vd (v) 0.29 0.32 0.38 0.42 0.43 0.51 0.59 0.63 0.79 0.81 0.91

Tabla del diodo de germanio con polaridad inversa.

Vcc(v) 1.0 2.0 4.0 6.0 8.0 10.0 12.0 15.0 18.0 20.0
Id(mA) 6.1 18.2 36.4 55.8 76 9.32 12.2 14.6 18 20
Vd (v) 0.61 1.8 3.63 5.5 7.8 9.12 11.8 14.9 17.9 19.9

CUESTIONARIO FINAL.

1. Construir el grafico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 2 y 3 (Si) calcular la

resistencia dinámica del diodo.
 TABLA N° 2 (POLARIDAD DIRECTA)
25

20

Id (mA) 15

10

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
Vd (v)

La resistencia del diodo con polaridad directa varia en forma descendente desde
4000 Ω hasta 38.5 Ω
TABLA N°3 (POLARIDAD INVERSA)
250

200

150
Id (uA)

100

50

0
0 5 10 15 20 25
Vd (v)

La resistencia del diodo con polaridad inversa varia en forma ascendente desde
9.95 M Ω hasta 10M Ω

2. Construir el grafico Id=F(Vd) con los datos de la tabla 5 y 6 (Ge) calcular la

resistencia dinámica del diodo.
 TABLA N°5 (POLARIDAD DIRECTA)
25

20

Id (mA) 15

10

0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
Vd (v)

La resistencia del diodo con polaridad directa varia en forma descendente desde
1450 Ω hasta 45.5 Ω

TABLA N°6 (POLARIDAD INVERSA)

250

200

150
Id (mA)

100

50

0
0 5 10 15 20 25
Vd (v)

La resistencia del diodo con polaridad inversa varia en forma ascendente desde
100 Ω hasta 995 Ω
3. Interpretar los datos obtenidos de las tablas.
En las tablas se puede apreciar una proporción directa entre la corriente y el
voltaje del diodo en los casos de los 2 diodos con la polaridad directa y la polaridad
inversa.
4. Exponer sus conclusiones.

En conclusión, al final del experimento se obtuvieron los datos de la corriente del

diodo y el voltaje del diodo estaban en una proporción directa cuando estaban
siendo analizadas en polarización directa e inversa, también nos dimos cuenta que
a medida que aumenta la corriente y el voltaje en el diodo cuando está en
polarización directa la resistencia del diodo decrece y cuando estaba en polarización
inversa la resistencia del diodo aumentaba cuando aumentaba la corriente y el
voltaje en el diodo.
 DIODO DE SILICIO Y DIODO DE GERMANIO
I. INTRODUCCIÓN. –
En este informe final hablaré sobre el diodo de silicio y el diodo de germanio que han sido
empleados para la realización del experimento N°1, las aplicaciones que tienen estos diodos
y sus precios de cada uno.

II. TEORÍA. –
 DIODO DE SILICIO: El Diodo de silicio conduce en dirección contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura, eléctricamente son similares al diodo Zener, pero
funciona bajo otro fenómeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando el campo eléctrico
inverso que atraviesa la unión p-n produce una onda de ionización, similar a una avalancha,
produciendo una corriente.

 DIODO DE GERMANIO: Un diodo de germanio es parte de un circuito eléctrico que conduce

una señal eléctrica a través del diodo solo en una dirección, estos están hechos de un
material semiconductor y también impurezas añadidas al germanio, por lo que permitirá la
cantidad correcta de corriente a través suyo.

III. APLICACIÓN. –
Los diodos de silicio poseen alta conductividad, usado en el procesamiento y detección de señales
de radiofrecuencias de manera muy eficaz, con un tiempo de recuperación inversa. Los diodos de
germanio a diferencia de los diodos de silicio e utilizar en circuitos eléctricos que requieran de una
baja potencia; la polarización de voltaje en estos diodos es mucho más baja y esto permite que el
circuito donde se emplee un diodo de germanio sea más eficiente eléctricamente, es por esto que
son más usados en circuitos de precisión.

IV. EVALUACIÓN ECONÓMICA. –

MATERIAL PRECIO
Diodo de Silicio S/0.30
Diodo de Germanio S/0.60
TOTAL s/0.90
 V. RECOMENDACIÓN. –
Una vez concluido el experimento N° 01 se recomienda principalmente: tener un concepto
previo de los temas que se están realizando, también se recomienda leer la guía de
laboratorio para tener una noción de los pasos que tienes que realizar y por último se
recomienda tener a la disposición todos los materiales disponibles para realizar un buen
experimento y no tener inconvenientes al realizar los procedimientos del experimento
realizado.
VI. CONCLUSIÓN. –
En conclusión, hemos aprendido sobre la importancia que tienen los diodos de silicio y
germanio en los circuitos electrónicos como es el caso del diodo de silicio que se emplea en
la detección de radio frecuencias y el diodo de germanio en los circuitos que requieren de
una baja potencia.
VII. BIBLIOGRAFIA. –

https://www.cdmxelectronica.com/nuevos_productos/componentes/activos/diodos/diod
o-de-germanio-1n4148/

https://onubaelectronica.es/diodo-silicio.htm