UNIVERSIDAD

MAYOR
DE SAN ANDRES
FACULTAD DE INGENIERIA
INFORME N°2
“CARACTERISTICAS DEL T R
A TRANSISTOR Y APLICACIONES”
ESTUDIANTE:
Poma Arguata Michael Alejandro
DOCENTE: ING. OROPEZA Grupo: E13
MATERIA: ELECTRONICA 1 (ETN – 503)
LA PAZ – BOLIVIA
 INFORME #2

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR Y A

P APLICACIONES
I) OBJETIVO PRINCIPAL

Analizar la estructura interna de los transistores, comprobando el estado interno de los

mismos, tipos de transistores, así como la identificación de sus terminales y estudiar las
características tensión vs corriente y determinar el punto de trabajo estático del transistor

II) OBJETIVOS ESPECIFICOS

a) Aprender a identificar el tipo de transistor con la ayuda solo de un multímetro.

b) Mostrar como se prueban los transistores BJT y JFET con la sección óhmetro del
multímetro

e) Determinar las curvas características e componentes activos, mediante el método punto

a punto, en la configuración emisor común y fuente común y trazar la reacta de carga en
continua verificando su concepto.

h) Aplicar el funcionamiento de un transistor como regulador de tensión.

III) MARCO TEORICO

Los dispositivos de tres terminales son los componentes básicos de los amplificadores, de los
que existen dos tipos, denominados: transistores bipolares y transistores unipolares, y se
caracterizan por el tipo de corriente en sus terminales, ya sean huecos (p) o electrones (n),
pero entre los dos se diferencian por el control de la corriente a su salida, y ambos transistores
constituyen la base de los amplificadores.

a) TRANSISTORES BIPOLARES
Un transistor bipolar está formado por dos uniones pn en contraposición. Físicamente, el
transistor está constituido por tres regiones semiconductoras denominadas emisor, base y
colector. Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados NPN y PNP:

Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo

B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En
esta situación gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar
ésta, debido a su poco grosor y débil dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturación: El diodo colector está polarizado directamente y es transistor se

comporta como una pequeña resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la
corriente de base no provoca un aumento de la corriente de colector, ésta depende
 exclusivamente de la tensión entre emisor y colector. El transistor se asemeja en su
circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeños aumentos de la corriente de base
corresponden grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi
independiente de la tensión entre emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo
B-E ha de estar polarizado en directa, mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado
en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener
el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es
prácticamente nula y por ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como
un interruptor abierto.

b) TRANSISTORES UNIPOLARES

Este dispositivo a diferencia de los transistores bipolares, para su funcionamiento no depende

del paso de los portadores por las junturas, que crean barreras de energía potencial, este echo
permite establecer diferencias sustanciales, en los principios físicos de dopaje, y hay dos tipos
de estos transistores: los de efecto de campo unión FET y los de compuerta aislada
denominado MOSFET.
 IV) MATERIAL UTILIZADO
- 2 Protoboard.
- 3 sondas.
- 1 cable (positivo y negativo) para la fuente.
- 1 generador de funciones.
- Un osciloscopio.
- Una fuente de tensión continúa.
- 2 transistores bipolares 2N3906 y BC548
- 2 transistores unipolares BF245.
- Resistencias de 100, 2.2K, 100K, 1K, ohmios.
- 2 multímetros.
- Cables para unir nodos en los protoboard.
- Estilete o pelador de cable.

V) MAGNITUDES, MEDIDAS Y ANALISIS DE DATOS

a) IDENTIFICANDO TRANSISTORES

El método para saber las terminales es realizar todas las combinaciones y mantener uno
constante para los otros varíen.

Las variaciones que vamos a hacer son: +B-E, -B+E, +C-B, -C+B, +C-E, -C+E. y el que
tenga el mayor valor es el emisor. Si es un BJT debe cumplir.
 NPN cumplir +B-E y –C+B

PNP cumplir –B+E y +C-B

PARA NPN:

PARA PNP:
b) PROBANDO TRANSISTORES CON MULTIMETRO

BJT BC558 BC 548

PINES PNP NPN
+B-E ----------- 712
-B+E 708 -----------
+C-B 702 -----------
-C+B ----------- 710
+C-E ----------- -----------
-C+E ----------- -----------

FET 2N5460 BC 244A

PINES CANAL P CANAL N
+G-S ----------- 2K
-G+S 2K -----------
+D-G 2K -----------
-D+G ----------- 2K
+D-S 310 300
-D+S 325 300
e) RECTA DE CARGA

TRANSISTOR: BF245A Experimental

VDS [V] ID [mA] VDS [V] ID [mA]
3,25 11,8
4,21 10,7 4,49 10,04
5,21 9,79 5,59 9,14
6,34 8,66 6,52 8,07
7,79 7,22 7,7 7,02
8,48 6,52 8,82 5,92
9,34 5,66 10,53 4,07
10,4 4,57 11,7 3,09
11,8 3,22 12,75 2,07
13,15 1,53 13,93 0,94
14,9 0,07 14,42 0
 VI) CONCLUSIONES.

En este laboratorio de características del transistor y aplicaciones, de acuerdo a los puntos

que debemos desarrollar se en el inciso a) se aprendió a identificar el transistor solo con la
ayuda del multímetro también se logró ver sus características en la sección del óhmetro del
multímetro, en el inciso b), con estos conocimientos básicos del transistor se llega a conocer
mejor su manera de trabajo y sus terminales ya que todo esto nos es útil para luego poder
polarizarlos y trabajar en su zona lineal conociendo como hay que utilizarlos, en nuestro
último inciso se ve la característica de carga del transistor que tiene una zona de trabajo lineal.

De todos los puntos aprendimos como son sus características del transistor y sus diferentes
aplicaciones que se le puede dar en las diferentes zonas de saturación en la lineal y su zona
activa.