ESCUELA POLITECNICA NACIONAL

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA

PREPARATORIO Nº5

Tema: “CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET ”

Nombre: Diego Machado Álvarez Grupo: GR4

Fecha de elaboración: 13/12/2018

Objetivos:

-Diseñar el circuito de control para un MOSFET de potencia.

-Conocer las características de conmutación de los MOSFET’s

Desarrollo:

1.- Consultar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET y en base

a esta determinar las zonas de operación en aplicaciones de electrónica
potencia. Indique las condiciones para el encendido (Vth) y el apagado del
MOSFET.

El transistor de efecto de campo, METAL OXIDE SEMICONDUCTOR, básicamente

tiene 3 zonas de funcionamiento, y en qué región trabaje el semiconductor dependerá
de sus magnitudes eléctricas asociadas externas e internas.

Figura 1: Curvas características del funcionamiento del MOSFET.

Como se puede observar en la figura 1, se tiene las tres regiones de operación deo
MOSFET basadas principalmente en la corriente IDS, (corriente en los terminales del
drenador y de la fuente), y dos curvas representativas para el VDS y para VGS,
básicamente como en la mayoría de aplicaciones de electrónica de potencia el
MOSFET debe ser empleado como switch es decir debe trabajar en la zona de corte y
saturación, evitando en lo posible la región óhmica, debido a que los tiempos de
transición de MOSFET para entrar en las zonas de corte y de saturación son
realmente bajos, es considerado como un switch bastante rápido útil a altas
frecuencias.
Las características de conmutación del MOSFET se basan en pasar de la región de
corte a la región óhmica, al MOSFET se lo evitará polarizarlo en la región activa o de
saturación para evitar que este funcione como generador de corriente continua.
Para lograr entrar en la región óhmica, se debe lograr que el voltaje VGS sea bastante
mayor al voltaje de umbral especificado para el MOSFET, además se tiene que el VDS
debe ser menor a la diferencia entre el voltaje aplicado en GS y el de umbral:
VGS > 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) y VDS < ( VGS – 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ), en esta región se pierde la dependencia de ID
y VGS, y por lo tanto ID va a depender de los elementos externos al dispositivo.

De forma general el voltaje que se aplique de forma externa VGS tiene que ser mayor
al voltaje de umbral 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ), para el encendido del MOSFET.

Para el apagado del MOSFET, este dispositivo debe entrar en la zona de corte, es
decir que el voltaje VGS aplicado no es lo suficientemente alto como para superar el
voltaje de umbral (𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) ).

Una condición importante para que el MOSFET no permanezca abierto, sería que se
aplique una fuente de potencia entre sus terminales y que esta fuente supere el voltaje
de sustentación BVss.

2.- Explique la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET.

¿En qué rango debe estar la misma y por qué?

El MOSFET tiene la características de que la corriente que entre en la compuerta debe

ser realmente pequeña, por lo tanto para asegurar que esta corriente tenga esta
característica, se deberá colocar una resistencia a la entrada de la compuerta, para
limitar la corriente, esto por cuestiones de seguridad ya que el MOSFET se activa por
voltaje también con esta resistencia se aseguraría que el voltaje VGS adecuado sea
mayor al de umbral del MOSFET 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ) .

Además la resistencia colocada a la entrada de la compuerta del MOSFET servirá

para que el encendido del MOSFET no sea tan inmediato lo que produciría picos de
voltaje que podrían dañar al dispositivo, además esta resistencia servirá para aplacar
los efectos de los elementos generados en el dispositivo electrónico resultados de las
altas frecuencias, es decir inductancias y capacitancias parásitas, estos estos efectos
de flujos de campo tanto magnético como eléctrico pueden ser disminuidos gracias a
esta resistencia, además esta disminuirá estos efectos, que podrían producir
oscilaciones no deseadas en el circuito que pueden traducirse como ruido, esto
también puede retrasar la respuesta del MOSFET.

Esta resistencia a la entrada de compuerta del MOSFET es relativamente pequeña

para asegurar que el voltaje inyectado al dispositivo sea el esperado, y no exista una
caída de voltaje relevante en esta resistencia, la cual tienen valores de decenas de
ohmios hasta unos pocos cientos de ohmios, por ejemplo 50, 100, 220 ohmios. [10]
[11]

3.- Diseñar y simular los circuitos de control PWM para frecuencias cercanas o
iguales a 1[KHz], 10[KHz] y 30[Khz], además debe poder variar la relación de
trabajo entre 0,1 < δ < 0,9.

Una de las formas más rápidas de diseñar el circuito generador de PWM, es mediante
una configuración circuital con el integrado 555 en modo aestable, de la siguiente
forma:
 Figura 2: Circuito generador de PWM con el CI 555

Como podemos ver en la anterior figura, los dos diodos existentes son para definir un
tiempo de carga para el capacitor, lo que produciría una relación de trabajo de 0.5.

De forma general se tiene que para lograr una distribución homogénea del duty para
un determinado valor del potenciómetro se debe lograr, que las resistencias R1 y R2
tengan un mismo valor, para fines prácticos se tendrán resistencias en el orden de kilo
ohmios, debido a que las entradas del 555 solamente soportan hasta un máximo de,
en el caso de que los potenciómetros sean 0.

(1)
𝑉𝑐𝑐 = 𝐼555 ∗ (𝑅1 + 𝑅2)

Se usó un Vcc de 9V, ya que es menor al soportable del 55 de 15V.

Entonces:
(2)
𝑉𝑐𝑐 9
𝑅1 = 𝑅2 = = = 3000 [𝛺]
2 ∗ 𝐼555−𝑚𝑖𝑛 2 ∗ (3𝑚𝐴)

Se utilizarán tanto para R1 y R2 valores de 3300 ohmios.

Un valor dado por el fabricante es el capacitor conectado al pin 5 del CI 555, es cual
es: 0.1uF, el capacitor C2 se suele emplear de 10uF.

Se tiene dos potenciómetros que siguen la siguiente relación [2]:

(3)
𝑃2
𝑛 =1+
𝑃1

Debido a que la especificación de los diodos radica en un duty del 50%, este será el
primer criterio para poder dimensionar los potenciómetros, además porque se supuso
valores igual de R1 y R2.
Por lo que (3) se convierte en:
(4)
𝑃2 1
0.5 = 1 + → 𝑃2 = ∗ 𝑃1
𝑃1 2

Debido a que los potenciómetros deben encontrarse en el rango de los kilo ohmios y
deben ser preponderantes en sus caídas de voltajes estos se pueden suponer en el
rango de los cientos de kilo ohmios, además se tiene la siguiente ecuación que
relaciona la frecuencia:
(5)
0.69
𝑓=
(2 ∗ 𝑃1 + 𝑃2 + 3.3𝑘) ∗ 𝐶1

Se tiene (5) y (4) dos ecuaciones con tres incógnitas, por lo que podemos suponer un
valor de P1 o de P2 dependiendo de los potenciómetros comerciales, se tendrá un P2
de 50k ohmios, y se llegará a través de (4) a:
(6)
1
50𝑘 = ∗ 𝑃1 → 𝑃1 = 100 [𝑘𝛺]
2

Entonces se tendrá los valores de los potenciómetros y se llegará a tener una

expresión para C1 dependiendo de la frecuencia a tratar, basada en (5) y bajo el
criterio (6)
(7)
0.69 0.69
𝐶1 = =
𝑓 ∗ (2 ∗ 100𝑘 + 50𝑘 + 3.3𝑘) 253.3𝑘 ∗ 𝑓

Es decir el valor del capacitor C1 es inversamente proporcional a la frecuencia sobre la

cual vamos a trabajar.

Los diodos a implementarse son el tipo 1N4148, debido a que soporta un voltaje de
ruptura lo suficientemente alto.

Para:

1 [kHz]

0.69
𝐶1 = = 2.724 [𝑛𝐹]
253.3𝑘 ∗ 1000

Podemos usar valores de capacitores mayores a 2.2 nF, se empleó 4.7 nF.
 Figura 3: Circuito generador PWM de 1KHz.

P1 se puede ajustar para pulir el valor de la frecuencia y P2 para el valor de la relación

de trabajo.

Figura 4A: PWM generada de 1 kHz y de 0.5 de duty.

10 [kHz]

0.69
𝐶1 = = 272.4 [𝑝𝐹]
253.3𝑘 ∗ 10000
 Figura 5: Circuito generador PWM de 10KHz.

Podemos usar valores de capacitores mayores a 220 pF, se empleó uno de 560 pF.

Figura 6: PWM generada de 10 kHz y de 0.5 de duty.

30 [kHz]

0.69
𝐶1 = = 90.801 [𝑝𝐹]
253.3𝑘 ∗ 30000

Podemos usar valores de capacitores cercanos 100 pF, se empleó uno de 220 pF.

Figura 7: Circuito generador PWM de 30KHz.

 Figura 8: PWM generada de 30 kHz y de 0.4 de duty.

4.- Dimensionar todos los elementos y simular el circuito de la Figura 4 (potencia

y control), para un valor de voltaje de 40VDC y la resistencia de carga es un foco
de 120V/100W. Tomar en cuenta que el Vth de estos elementos es mayor de 5 V.
Indicar las formas de onda de voltaje de compuerta, Voltaje y corriente en los
terminales Drain-Source del Mosfet y el voltaje de la carga.

De forma general y debido a las disposiciones comerciales el aislador y el mosfet a

utilizar son:

Optonand: 6N137
MOSFET: IRF840

El pico de voltaje de la onda PWM de la fuente generada con el integrado 555 es de

9V, por lo tanto la resistencia R1 se dimensionará en función de la corriente IF que
soportará el led del Optonand, por lo tanto:
(1)
𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜−𝑃𝑊𝑀 − 𝑉𝑓
𝑅1 =
𝐼𝐹
Dónde:

𝑉𝑝𝑖𝑐𝑜−𝑃𝑊𝑀 = 9 [𝑉]

De la hoja de datos del 6N137:

Vf es un valor para pruebas de IF=10mA, sin embargo se tomará el valor máximo de
VF para el diseño debido a que este es su límite.

Entonces (1) se convertirá en:

(2)
9 − 1.7
𝑅1 = = 365 [𝛺]
20𝑚

Por lo tanto para un valor normalizado de resistencia se tiene que R1 será 330 ohmios.

(3)
2
𝑃𝑅1 = (20𝑚) ∗ 330 = 0.132 [𝑊]

La potencia en R1 es menor al cuarto de vatio por lo que una resistencia en este rango
de potencia podría ser factible para el diseño.

Para la resistencia R2 se deberá tomar en cuenta el valor de voltaje que caerá en esta
resistencia, para esto se tendrá la siguiente expresión, no caerá voltaje en la
compuerta nand, por lo tanto R2 se tendrá:
(4)

𝑉𝑐𝑐
𝑅2 =
𝐼0

Siendo Io, la corriente a la salida del optonand.

Sn embargo este último valor de corriente va a ser el máximo soportable, se empleará

una corriente menor para que una parte considerable de corriente circule por el gate
del mosfet.

Además se alimentará a la salida del Optoacoplador con Vo que resulta ser Vcc, con
un valor especificado en la hoja de datos, sin embargo se tomará un valor mayor
debido a que es necesario disparar un mosfet.

Por lo tanto (3) se convertirá en:

(5)
9𝑉
𝑅2 = ≈ 1[𝑘𝛺]
10𝑚𝐴

Como una visión empírica general se dice que la resistencia Rg es 10 veces que R2
sin embargo se deberá determinar analíticamente Rg a partir de un análisis de malla
entre R2, Rg, y el voltaje de umbral del mosfet, se tomará el peor caso de VGS(th), es
decir su valor máximo de 4V.
Además se debe tomar en cuenta la corriente de gate necesaria para disparar el
mosfet, sin embargo la corriente de gate que circula por un mosfet es realmente
pequeña, por lo que se debe considerar que se cumpla el voltaje gate-source
necesario para disparar ese dispositivo.

Realizando un análisis de mallas se tiene:

(6)
𝐼𝑜 ∗ 𝑅2 = 𝐼𝐺 ∗ 𝑅𝑔 + 𝑉𝐺𝑆(𝑡ℎ)
(7)

9 = 𝐼𝐺 ∗ 𝑅𝑔 + 4𝑉

Suponiendo un valor de resistencia Rg de 100 ohmios.

El circuito implementado en PSPICE, es el siguiente, pero debido a que el software no

cuenta con un elemento optonand se empleará un optotransitor, que bajo
funcionamientos ideales dará el mismo resultado que un optonand, solamente en
simulación, sin embargo se tendrá un valor de gate-source menor debido al voltaje C-
E.

Figura 9: Circuito diseñado implementado en PSPICE

Se obtendrán las siguientes formas de onda ideales.

Figura 10: Voltaje de compuerta del circuito diseñado

Figura 11: Voltaje en terminales drenador-fuente del circuito diseñado

Figura 12: Voltaje en la carga resistiva del circuito diseñado

Figura 13: Corriente en el terminal drenador del circuito diseñado

 Figura 14: Corriente en el terminal fuente del circuito diseñado

4.-Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo de conmutación

rápida (Fast Recovery) para trabajar con una carga inductiva que consuma igual
potencia que la carga resistiva.

El circuito de disparo para el MOSFET funcionará de igual forma para carga inductiva,
sin embargo es necesario tener un diodo free Wheeling para que la corriente del
inductor tenga un lugar donde descargarse.

La potencia obtenida en simulación para la carga resistiva es de: 19.57 W

El dimensionamiento del diodo debe ser tal que soporte un voltaje pico inverso del
valor de la fuente DC de potencia es decir 40V y soporte una potencia de 19.57 W.

Se tiene lo siguiente:

Este tipo de diodo soportaría una potencia de aproximadamente 30 W, y un voltaje

inverso de hasta 80V.

Se tiene el siguiente circuito con carga inductiva:

Figura 15: Circuito de disparo de un MOSFET con carga RL.

 Figura 16: Forma de onda de voltaje obtenido en el terminal drenador del MOSFET.

Figura 17: Forma de onda de voltaje obtenido en el terminal gate del MOSFET.

BIBLIOGRAFIA

[1] Batarseh, I., Power Electronics Handbook, The Power MOSFET, 2011.
[2] P. Marian, “555 Pulse Generator Circuit”, [Online], disponible en:
https://www.electroschematics.com/5834/pulse-generator-with-555/, [Ultimo
acceso: 12/12/2018]
[3] Vishay, “6N137, VO2601, VO2611, VO2630, VO2631, VO4661, Single and
Dual, 10 MBd, Hoja de Datos”.
[4] Vishay, “RF840, SiHF840 - Power MOSFET, Hoja de Datos”
[5] Texas Instruments, “LM555 Timer, Hoja de Datos”
[6] P. S. Abedinpour and P. K. Shenai, Power Electronics Handbook, Insulated
Gate Bipolar Transistor, 2011.
[7] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseño electrónico circuitos y sistemas.
[8] Microsemi, “SWITCHING DIODE 1N4500, Hoja de Datos”
[9] Vishay, “Small Signal Fast Switching Diodes, 1N4148, Hoja de Datos”.
[10] WIKIBOOKS, “Electrónica de Potencia/MOSFET/Problemas de diseño”,
[Online], disponible en:
https://es.wikibooks.org/wiki/Electr%C3%B3nica_de_Potencia/MOSFET/Proble
mas_de_dise%C3%B1o, [Ultimo acceso: 12/12/2018]
[11] Apuntes: Ing. Pablo Rivera