Introducción

Durante mucho se tiempo se buscó la forma de obtener un dispositivo que tuviera una
alta impedancia de entrada y que fuera capaz de manejar altas potencias a altas velocidades,
esto dio lugar a la creación de los Transistores bipolar de puerta aislada (IGBT). El IGBT combina
las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los Mosfet
y bajas perdidas en conmutación, como los BJT, pero sin el problema de segunda ruptura, por lo
que puede trabajar a elevada frecuencia y grandes intensidades.

Los IBGT han demostrado tener una resistencia en conducción muy baja y una elevada velocidad
de conmutación (la transición desde el estado de conducción al bloqueo se puede considerar de
unos dos microsegundos, y la frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz), además de una
elevada tensión de ruptura. Los IGBT se fabrican desde una tensión de 1400V y una corriente de
300A, a una tensión de 600V y una corriente de 50A.

El control por tensión hace que el IGBT sea más rápido que el BJT, pero más lento que el Mosfet.
La energía aplicada a la puerta que activa el dispositivo es pequeña con una corriente del orden
de los nanos amperios, esta pequeña potencia necesaria para conmutar el dispositivo, hace que
pueda ser controlado por circuitos integrados.
Marco teórico
El IGBT es un dispositivo semiconductor de cuatro capas que se alternan
(PNPN) que son controlados por un metal-óxido-semiconductor (MOS),
estructura de la puerta sin una acción regenerativa. Un transistor bipolar
de puerta aislada (IGBT) celular se construye de manera similar a un
MOSFET de canal n vertical de poder de la construcción, excepto la n se
sustituye con un drenaje + p + capa de colector, formando una línea
vertical del transistor de unión bipolar de PNP.

Posee las características combinadas de los transistores MOSFET y los

BJT esto es: tiene la capacidad de excitarse como un MOSFET a la par
que tiene las propiedades de conducción de corriente de un BJT. Por ello
son capaces de manejar altas tensiones de bloqueo, conducir
intensidades bastante elevadas y ser controlado con facilidad
mediante tensión.

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta cero.
La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es aplicada.
Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con respecto a la
terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la puerta G.

Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar
que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se
mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la
disipación de potencia en la puerta es muy baja.

El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La transición

del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 microsegundos, por lo
que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50 kHz.

EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y
viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un valor bajo
cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G debe tener un
voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se auto limita.
Características
El transistor IGBT es adecuado para velocidades de
conmutación de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y
medias energías como fuente conmutada, control de la
tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos
colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes
del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo
de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo
de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en
conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser
igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y
los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.

Características técnicas
 ICmax Limitada por efecto Latch-up.
 VGEmax Limitada por el espesor del óxido de silicio.
 Se diseña para que cuando VGE = VGEmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10
veces la nominal (zona activa con VCE=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10
us. y pueda actuar una protección electrónica cortando desde puerta.
 VCEmax es la tensión de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, será
VCEmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y
3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV).
 La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores
mayores)
 Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es
un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los Variadores de
frecuencia así como en las aplicaciones en máquinas eléctricas y convertidores de potencia que
nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de
eso: Automóvil, Tren, Metro, Autobús, Avión, Barco, Ascensor, Electrodoméstico, Televisión, D
omótica, Sistemas de Alimentación Ininterrumpida o SAI (en Inglés UPS).

Recomendaciones
Se debe examinar las características y especificaciones nominales del transistor IGBT para
determinar su adecuación a determinada aplicaciones.
Bibliografía
(07 de Octubre de 2005). Obtenido de El transistor de potencia :
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.2.Tran
sistor_potencia.pdf

EcuRed . (12 de Noviembre de 2015). EcuRed . Obtenido de Transistor IGBT:

https://www.ecured.cu/Transistor_IGBT

Guerrero, A. (12 de Octubre de 2016). Academia. Obtenido de Funcionamiento de un transistor

IGBT: https://www.academia.edu/9729150/Funcionamiento_de_un_transistor_IGBT

Wikipedia. (02 de Enero de 2019). Wikipedia. Obtenido de Transistor IGBT:

https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_IGBT