Dispositivos Potenci 13 B 13

ELECTRÓNICA DE POTENCIA I.
APUNTE PARA EL ALUMNO.
I UNIDAD
DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS DE POTENCIA.
PROFESOR:
ALEJANDRO INDA RODRIGUEZ.
2015.
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INACAP Santiago Sur PROF: A. INDA R.-
Diodo de Potencia.
Conceptos Básicos:
El circuito Rectificador o Conversor de energía eléctrica, más común en potencia está diseñado
con diodos.
Características:
Los Diodos presenta dos estados bien diferenciados: corte y conducción.
El paso de uno a otro no es instantáneo y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a

frecuencia bajas.
Es muy importante el tiempo de paso entre estados, puesto que éste acotará las frecuencias de
trabajo.
Márgenes aproximados de funcionamiento:
En conducción pueden soportar corrientes medias sobre 2000A y llegando hasta tensiones
inversas de 4000V.
Actualmente las técnicas de fabricación de diodos han avanzado hasta un nivel de tensión de
6000V en inverso y corrientes de 5000A en directo.
El Si es el elemento semiconductor base más empleado.
En conducción es capaz de soportar altas intensidades con bajas caídas de

tensión.
En inverso soportan altas tensiones negativas de ánodo con pequeñas corriente de

fugas.
Inconvenientes:
1) Es un dispositivo unidireccional.
2) Único procedimiento de control: inversión de polaridad del voltaje.
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Características estáticas del diodo de Potencia.
Parámetros en estado de bloqueo:
a) VRWM: Tensión inversa máxima de trabajo.

b) VRRM: Tensión inversa máxima repetitiva.
c) VRSM : Tensión inversa máxima única.
d) VR: Tensión de ruptura.
e) IR: Intensidad de fuga.
Parámetros en estado de conducción:
a) IF(AV) (Intensidad media nominal).

b) IFRM (Intensidad de máxima repetitiva).
c) IFSM (Intensidad máxima único).
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PARÁMETROS ELÉCTRICOS RELEVANTES EN DIODOS DE
POTENCIA.
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Potencia disipada por el diodo en conducción:
Potencia instantánea:
Será el producto de la tensión en sus extremos por la intensidad que lo recorre en ese instante.
Es decir:
P(t)= V(t) x I(t) W.
Potencia media:
En función de la tensión e intensidad por el diodo, podemos determinar:
Pd(AV)= Vd(t) x Id(t) W.
Donde Id y Vd son corriente y tensión ánodo – cátodo respectivamente.
Diodo polarizado en directo tensión en extremos = tensión de codo (V).
La corriente que circula por él dependerá del circuito exterior.
Diodo polarizado en inverso corriente prácticamente nula potencia disipada en

ese instante aproximadamente 0.
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Considerando la tensión de codo y la resistencia interna del diodo, la expresión queda de la
siguiente forma:
Esta expresión consta de dos términos; en el primero aparece la intensidad media, y en el

segundo, la intensidad eficaz al cuadrado:
La potencia media no sólo depende de la intensidad media, sino también del valor
eficaz de la señal y por lo tanto, del factor de forma:
DIODOS DE ALTA POTENCIA.-

Diodos Rectificadores Convencionales.
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Presenta altos tiempo de recuperación inverso (típicamente de 25μs) y es utilizado en
aplicaciones de baja frecuencia.
Diodo de recuperación rápida.
Diodo con tiempo de recuperación muy corto.
Esta característica es especialmente valiosa en altas frecuencias.
Un diodo con esta variación de corriente tan rápida necesitará circuitos de protección, sobre todo
cuando en el circuito exterior encontramos elementos inductivos.
Margen de funcionamiento de estos Diodos : If (AV) =1A ... 300 A; VR= 50V ... 3KV.
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INTERIOR DE UN DIODO DE ALTA POTENCIA.-
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DIODOS DE POTENCIA Y SUS CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS.-
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Tipos de Capsulas de Diodos de Mediana Potencia:
• Axiales
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Tipos de Capsulas de Diodos de Potencia:
Para usar Disipadores.
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Tipos de Capsulas de Diodos de Grandes Potencia.
Para uso de Disipadores de Calor.
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Tipos de Capsulas en Modulos o Integración de Diodos de
Potencia:
• Agrupaciones o Encapsulados de 2 diodos
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Tipos de Capsulas en Integración de Diodos de Potencia:
Agrupaciones de 2 diodos (con varias conexiones)
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Tipos de Capsulas en Integración de Diodos de Potencia:
• Agrupaciones de 2 diodos (sin conectar)
16
Uso de los Datos del Fabricantes.
17
Uso de los Datos del Fabricantes.
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19
TIRISTORES SCR.
Introducción:
Definición:
El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es

un dispositivo semiconductor biestable (Dos estados estables) formado por tres uniones PN con
la disposición PNPN.
Está formado por tres terminales, llamados Anodo, Cátodo y Puerta.
El instante de conmutación, puede ser controlado con toda precisión actuando sobre el terminal de
puerta.
Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, al cual se le controla la conducción.
SIMBOLOGÍA:
ESTRUCTURA INTERNA:
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En la fabricación se emplean técnicas de difusión y crecimiento epitaxial.
El material básico es el Si.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TENSIÓN – CORRIENTE DEL SCR.
Nomenclatura y Características.
VDRM Tensión de peack repetitiva en bloqueo directo. (Repetitive peak off-state voltage).
VDSM Tensión de peack no repetitiva en bloqueo directo. (Non -repetitive peak off - state voltage).
VDWM Tensión máxima directa en estado de trabajo. (Crest working off - state voltage).
VRRM Tensión inversa de peack repetitiva. (Repetitive peak reverse voltage).
VRSM Tensión inversa de peack no repetitiva. (Non - repetitive peak reverse voltage).
VRWM Tensión inversa máxima de trabajo. (Crest working reverse voltage).
VT Tensión en extremos del tiristor en estado de conducción. (Forward on - state voltage).

VD Tensión en extremos del tiristor en estado de bloqueo directo. (Continuous off - state voltage ).
VR Caída de tensión inversa en extremos del tiristor. (Reverse off - state voltage).
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VGT Tensión de disparo de puerta. (Ten-
sión de encendido). (Gate voltage to trigger).
VGNT Tensión de puerta que no provoca el disparo. (Non - triggering gate voltage).
VRGM Tensión inversa de puerta máxima. (Peak reverse gate voltage).
VBR Tensión de ruptura. (Breakdown voltage).
IT(AV) Corriente media. (Average on - state current).
IT(RMS) Corriente directa eficaz. (R.M.S. on state current).
ITSM Corriente directa peack no repetitiva. (Peak one cycle surge on - state current).
ITRM Corriente directa peack repetitiva. (Repetitive peak on - state current).
IRRM Corriente inversa máxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current).
IL Corriente de enganche. (Latching current).
IH Corriente de mantenimiento. (Holding current).
IDRM Corriente directa en estado de bloqueo. (Off -state current).
IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger).
IGNT Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate current).
ITC Corriente controlable de ánodo. (Controllable anode current).
PGAV Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation).
PGM Potencia de peack disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation).
Ptot Potencia total disipada. (Full power dissipation).
Tstg Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range).
Tj Temperatura de la unión. (Juntion temperature).
Rth j-mb ;Rj-c; R qJC Resistencia térmica unión - capsula. (Thermal resistance, Junction to
ambient).
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Características estáticas:
Las características estáticas corresponden a la región ánodo - cátodo y son los valores
máximos que soporta el dispositivo, o valores límite de funcionamiento:
VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.
Estos valores que corresponden a los parámetros eléctricos ,se Identifica en las hojas de un
manual.
Características de control:
Determinan la naturaleza del circuito de mando o control que mejor responde a las condiciones de
disparo.
Para la región puerta – cátodo, los fabricantes definen entre otras las siguientes parámetros:
VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT.
Entre los parámetros anteriores destacan:
VGT e IGT que determinan las condiciones de encendido del dispositivo semiconductor.
VGNT (VGD) e IGNT (IGD) que dan los valores máximos de corriente y de tensión, para los cuales
en condiciones normales de temperatura, los tiristores no corren el riesgo de dispararse de modo
indeseado.
Características de conmutación:
Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conducción y viceversa.
Para frecuencias inferiores a 400Hz podemos ignorar estos efectos.
En la mayoría de las aplicaciones se requiere una conmutación más rápida, por lo que éste tiempo
debe tenerse en cuenta.
A.- Tiempo de Encendido (tON): El tiempo de encendido (paso de corte a conducción)
El tiempo de encendido (tON), lo dividimos en dos partes:
-A1.- Tiempo de retardo. (td)
-A2.- Tiempo de subida. (tr)
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B.- Tiempo de Apagado (tOFF), Es el tiempo de paso conducción a corte o bloqueo.
. .Se divide el tiempo de apagado en dos:
-B1.- T de recuperación inversa. (trr).
-B2.- T de recuperación de puerta. (tgr).
Es aconsejable tratar de identificar los parámetros de conmutación en las hojas de características.}
La extinción o bloqueo del tiristor se producirá por dos motivos:
- Por reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento.

- Por anulación de la corriente de ánodo.
Parámetros que influyen sobre toff:
Corriente en conducción (IT).

Tensión inversa (VR).
Velocidad de caída de la corriente de ánodo dI/dt.
Pendiente de tensión dVD/dt.
Temperatura de la unión Tj o del contenedor Tc.
Codiciones de puerta.
Una vez disparado el Tiristor, para que se mantenga en la zona de conducción, deberá circular una
corriente mínima de mantenimiento IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de
bloqueo directo.
Los distintos métodos de disparo de los tiristores son:
- Por puerta.
- Por módulo de tensión. (V)
- Por gradiente de tensión. (dV/dt)
- Disparo por radiación.
- Disparo por temperatura.
El modo más comúnmente usado, es el disparo por puerta.
Los disparos por módulo y gradiente de tensión son modos no deseados.
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Métodos de disparo:
Para que se produzca el cebado de un tiristor, la unión ánodo - cátodo debe estar polarizada en
forma directa y la señal de mando o control de puerta debe permanecer un tiempo
suficientemente largo como para permitir que el tiristor alcance un valor de corriente de ánodo
mayor que IL, corriente necesaria para permitir que el SCR comience a conducir.
Una vez disparado el tiristor, y para que este permanezca en la zona de conducción, deberá
circular una corriente mínima de valor IH, marcando el paso del estado de conducción al estado de
bloqueo directo.
TIPOS DE ENCAPSULADOS DE TIRISTORES DE POTENCIA.
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Módulos o Integración de Tiristores.
TRIAC (“Triode of Alternating Current”)
El TRIAC es un tiristor bidireccional de tres terminales.
Permite el paso de corriente del terminal A1 al A2 y viceversa, y puede ser disparado con tensiones
de puerta de ambos signos.
Cuando se trabaja con corriente alterna, es interesante poder controlar los dos sentidos
de circulación de la corriente.
Evidentemente, con un SCR, sólo podemos controlar el paso de corriente en un sentido.
Por tanto uno de los motivos por el cual los fabricantes de semiconductores han diseñado el TRIAC
ha sido para evitar este inconveniente.
El primer TRIAC fue inventado a finales de los años 60.
Simplificando su funcionamiento, podemos decir que un TRIAC se comporta como dos SCR en
antiparalelo (tiristor bidireccional).
De esta forma, tenemos control en ambos sentidos de la circulación de corriente. La figura 2.9
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muestra el esquema equivalente de un
TRIAC.
FIGURA 3-1
ESQUEMA EQUIVALENTE DEL TRIAC.
La figura 3-2 muestra el símbolo utilizado para representar el TRIAC en un circuito, así como su
estructura interna en dos dimensiones.
Como se ha mencionado, el TRIAC permite la conducción de corriente de ánodo a cátodo y

viceversa, de ahí que los terminales no se denominen ánodo y cátodo, sino simplemente ánodo 1
(A1) y ánodo 2 (A2).
En algunos textos dichos terminales se denominan MT1 y MT2.
Como en el caso del SCR, tenemos un terminal de control denominado puerta que nos
permite la puesta en conducción del dispositivo en ambos sentidos de circulación.
Si bien el TRIAC tiene varios mecanismos de encendido (con corrientes positivas y negativas), lo
más
usual es inyectar corriente por la puerta en un sentido para provocar la puesta en conducción.
FIGURA 3-2.
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La figura 3-3. muestra la característica estática corriente tensión (I-V )del TRIAC.
Se puede observar que presenta estado de conducción tanto para( iA )positiva como negativa, y
puede ser disparada desde el estado de corte al de conducción tanto para (VA1A2) positiva como
negativa.
Además, la corriente de puerta que fuerza la transición del estado de corte al de conducción puede
ser tanto positiva como negativa.
En general, las tensiones y corrientes necesarias para producir la transición del TRIAC son
diferentes según las polaridades de las tensiones aplicadas.
FIGURA 3-3.
CURVA CARACTERÍSTICA DEL TRIAC.
Una de las ventajas de este dispositivo es que es muy compacto, requiriendo únicamente un único
circuito de control, dado que sólo dispone de un terminal de puerta.
Sin embargo, tal y como está fabricado, es un dispositivo con una capacidad de control de
potencia muy reducida.
En general está pensado para aplicaciones de pequeña potencia, con tensiones que no superan los
1000V y corrientes máximas de 15A.
Es usual el empleo de TRIACs en la fabricación de electrodomésticos con control electrónico de

velocidad de motores y aplicaciones de iluminación, con potencias que no superan los 15kW.
La frecuencia máxima a la que pueden trabajar es también reducida, normalmente los 50-60Hz de
la red monofásica.
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ENCAPSULADO DE UN TIPO DE TRIAC Y DISTRIBUCIÒN DE PINES.
DATOS ENTREGADOS POR EL FABRICANTE DE UN TRIAC.
TRIAC: BTA/BTB24:
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PARÁMETROS ELÉCTRICOS.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25°C, unless otherwise specified)
CAPSULA: TO- 220.
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TRANSISTORES.
INTRODUCCIÓN:
En Electrónica de Potencia, los transistores generalmente son utilizados como interruptores.
Los circuitos de excitación (disparo) de los transistores se diseñan para que éstos trabajen en la
zona de saturación (conducción) o en la zona de corte (bloqueo).
Esto difiere de lo que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como por ejemplo, un
circuito amplificador, en el que el transistor trabaja en la zona activa o lineal.
Los transistores tienen la ventaja de que son totalmente controlados, mientras que, por
ejemplo, el SCR o el TRIAC sólo dispone de control de la puesta en conducción.
Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia incluyen los transistores
BJT, los MOSFET y dispositivos híbridos, como por ejemplo, los transistores de unión bipolar de
puerta aislada (IGBT).
A continuación veremos cada uno de ellos.
TRANSISTOR BIPOLAR DE UNIÓN. (BJT)

Características Generales del BJT:
El interés actual del Transistor Bipolar de Potencia (BJT) es muy limitado, ya que existen
dispositivos de potencia con características muy superiores.
En potencia, básicamente se trata de interruptores controlados por corriente.
Existen dos tipos fundamentales de BJT, los “N-P-N” y los “P-N-P”, en Electrónica de Potencia los
más utilizados son los primeros.
La figura 4-1 muestra un recordatorio de los símbolos empleados para representar los transistores
bipolares.
FIGURA 4-1
31
Principio de Funcionamiento y Estructura:
La figura 4-2 muestra la estructura básica de un transistor bipolar npn.
La operación normal de un transistor se hace con la unión J1 (B-E) directamente polarizada, y

con J2 (B-C) inversamente polarizada.
En el caso de un transistor npn, los electrones son atraídos del emisor por el potencial
positivo de la base.
Esta capa central es suficientemente fina para que la mayor parte de los portadores tenga energía
cinética suficiente para atravesarla, llegando a la región de transición de J2, siendo entonces
atraídos por el potencial positivo del colector.
El control de Vbe determina la corriente de base, Ib, que, a su vez, se relaciona con Ic por la
ganancia de corriente del dispositivo.
FIGURA 4-2
En la realidad, la estructura interna de los transistores bipolares de potencia (TBP) es diferente.
Para soportar tensiones elevadas, existe una capa intermedia de colector, con baja concentración
de impurezas (bajo dopado), la cual define la tensión de bloqueo del componente.
La figura 4-3 muestra una estructura típica de un transistor bipolar de potencia.
Los bordes redondeados de la región de emisor permiten una homogenización del campo eléctrico,
necesaria para el mantenimiento de polarizaciones inversas débiles entre base y emisor.
El TBP no soporta tensiones en el sentido opuesto porque la elevada concentración de impurezas

(elevado dopado) del emisor provoca la ruptura de J1 en bajas tensiones (5 a 20 V).
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FIGURA 4-3
ESTRUCTURA INTERNA DE UN TBP N-P-N.
La preferencia en utilizar TBP tipo NPN se debe a las menores pérdidas con relación a los PNP, lo
cual es debido a la mayor movilidad de los electrones con relación a los huecos, reduciendo,
principalmente, los tiempos de conmutación del componente.
Características Estáticas:
Los transistores bipolares son fáciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de
control consume más energía que el de los SCR.
Su principal ventaja es la baja caída de tensión en saturación o en estado “ON”
Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de

almacenamiento y el fenómeno de avalancha secundaria.
El transistor, fundamentalmente, puede trabajar en tres zonas de funcionamiento bien

diferenciadas, en función de la tensión que soporta y la corriente de base inyectada:
- Zona de Corte o Estado “OFF”:
No se inyecta corriente a la base del transistor.
Éste se comporta como un interruptor abierto, que no permite la circulación de corriente entre
colector y emisor.
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Por tanto, en ésta zona de funcionamiento
el transistor está desactivado o la corriente de base no
es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones en polarización inversa.
- Zona Activa:
Se inyecta corriente a la base del transistor, y éste soporta una determinada tensión entre colector y
emisor.
La corriente de colector es proporcional a la corriente de base, con una constante de

proporcionalidad denominada ganancia del transistor, típicamente representada por las siglas β o
hfe .
Por tanto, en la región activa, el transistor actúa como un amplificador, donde la corriente del
colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje VCE disminuye por efecto de la
corriente de base:
La unión CB tiene polarización inversa y la unión BE directa.
-Zona de Saturación o Estado “ON”:
Se inyecta suficiente corriente a la base para disminuir la VCE y conseguir que el transistor se
comporte como un interruptor casi ideal.
La tensión que soporta entre sus terminales es muy pequeña y depende del transistor.
En éste caso ambas uniones están polarizadas directamente.
Se suele hablar de la tensión colector-emisor en saturación.
La figura 4-4 muestra la característica V - I de un transistor bipolar npn.
Tal como se muestra en su característica (V-I), una corriente de base suficientemente grande
IB>IC/β (dependiendo de la I de colector) llevará al componente a la plena conducción.
En el estado de conducción (saturación) la tensión VCE(sat) está normalmente entre 1 V - 2 V.
La característica tensión corriente se muestra en la siguiente figura.
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FIGURA 4-4.
En Electrónica de Potencia, obviamente, interesa trabajar en la zona de corte y en la zona de

saturación, dado que en la zona activa se disipa mucha potencia y en consecuencia el
rendimiento del sistema puede llegar a ser muy pequeño.
Además téngase en cuenta que dado que en Electrónica de Potencia se trabaja con tensiones y
corrientes elevadas, esa disipación de potencia debe evacuarse de algún modo, o de lo contrario
podemos llegar a destruir el semiconductor por una excesiva temperatura en su interior.
Las diferencias básicas entre los transistores bipolares de señal y los de potencia son bastante
significativas.
En primer lugar, la tensión colector-emisor VCE en saturación suele estar entre 1 y 2 Volts, a
diferencia de los 0,2-0,3 Volts de caída en un transistor de señal.
Otra diferencia importante es que la ganancia de corriente de un transistor de elevada potencia,

suele ser bastante pequeña.
Ello conlleva que debido a las grandes corrientes de colector que se deben manejar, la corriente por
la base debe ser también elevada, complicando el circuito de control de base del transistor.
Para transistores de señal se suelen obtener valores de ganancia entorno a 200, mientras que para
transistores de potencia es difícil llegar a obtener valores de ganancia de 50.
Si por ejemplo un TBP con β = 20 va a conducir una corriente de colector de 60 A, la corriente de

base tendría que ser mayor que 3 A para saturar el transistor.
El circuito de excitación (“driver”) que proporciona esta alta corriente de base es un circuito
de potencia importante por sí mismo.
Para evitar esta problemática se suelen utilizar transistores de potencia en configuraciones tipo
Darlington, donde se conectan varios transistores de una forma estratégica para aumentar la
ganancia total de corriente del transistor.
Ésta configuración se muestra en la siguiente figura 4-5.

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Las principales características de esta configuración son:
• Ganancia de corriente β = β1 x (β2+1) + β2

• T2 no satura, pues su unión B-C está siempre inversamente polarizada.
• Tanto el disparo como el bloqueo son secuenciales.
En el disparo, T1 entra en conducción primero, dándole a T2 una corriente de base.
En el bloqueo (estado “OFF”), T1 debe conmutar antes, interrumpiendo la corriente de base de T2.
Debido a que la ganancia de corriente efectiva de la combinación o conexión es, aproximadamente,

igual al producto de las ganancias individuales (β = β1 x (β2+1) + β2), se puede, por tanto, reducir
la corriente extraída del circuito de excitación (driver).
La configuración Darlington puede construirse a partir de dos transistores discretos o puede

obtenerse como un solo dispositivo integrado.
En general los transistores bipolares se utilizan para potencias medias, y frecuencias de trabajo
medias (hasta unos 40 kHz).
La ventaja de este tipo de interruptores es que su caída de tensión en conducción es bastante

constante, si bien el precio que se paga es la complejidad del circuito de control, ya que es un
semiconductor controlado por corriente.
Este tipo de transistores, suelen ser bastante económicos.
Características:
- Intensidad máxima de Colector “IC”.

- Tensión de ruptura de colector con base abierta, “VCE0”
- Potencia máxima, “Pmax”.
- Tensión en sentido directo.
- Corriente de fugas.
- Frecuencia de corte.
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Otros parámetros importantes:
- Tensión de ruptura colector – base con base abierta, “VCBO”.

- Tensión de ruptura emisor – base con base abierta, “VEBO”.
- Tensión de ruptura por aumento excesivo de corriente de colector y de la
tensión C – E, “VCEOSUS”.
Debido a la diferencia de portadores que atraviesan la unión base - colector, se cumple

VCEOSUS < V CE0 < VCBO.
Cuando la base no está abierta, la forma y valor de la tensión VCEX dependerá del ckto de
base. VCEO < V CEX < VCBO.
En función de la polarización B - E:
- VCEO: Tensión de ruptura colector – emisor, con base abierta.

- VCER: Tensión colector – emisor, con resistencia de base especificada.
- VCEX: Tensión colector – emisor, con circuito especificado entre base y emisor.
- VCEV: Tensión colector – emisor, con tensión especificada entre base y emisor.
- VCES: Tensión colector – emisor, con unión base - emisor cortocircuitada.
VCEmáx depende esencialmente de:

- Polarización base – emisor.
- Gradiente de tensión (variación de tensión en función del tiempo).
- Estructura interna del transistor (tecnología de fabricación).
Ventajas:
Se controlan mayores potencias con los transistores bipolares de silicio.
Los transistores de efecto de campo se pueden utilizar para frecuencias más altas y la
potencia que se emplea para su control es menor.
Para pasar de conducción a bloqueo sólo es necesario disminuir la corriente de base, no

necesitando circuitos especiales de conmutación.
Además los tiempos de paso de bloqueo a conducción y viceversa son de pocos microsegundos.
Desventajas:
Necesitan una considerable corriente de base (circuito de control especial) para estar en
conducción y alcanzan altas potencias.
Otra limitación muy importante del transistor bipolar, es que el paso de bloqueo a conducción y
viceversa no se hace instantáneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff).
37
Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector
– base y base – emisor y los tiempos de difusión y recombinación de los portadores.
ENCAPSULADOS DE TRANSISTORES BJT DE POTENCIA.
TO-3 TO-220
MONTAJE EN DISIPADORES O RADIADORES.
38
PARÁMETROS ELÉCTRICOS ENTREGADOS POR EL FABRICANTE
PARA BJT.
39
Transistor de Efecto de Campo de Puerta Aislada (Mosfet)
de Potencia.
El nombre viene dado por las iniciales de los elementos que los componen; Metal - M,
Óxido - O, Silicio - S.
Así como podemos decir que el transistor bipolar se controla por corriente, los MOSFET son
transistores controlados por tensión.
Ello de debe al aislamiento (óxido de Silicio) de la puerta respecto al resto del dispositivo.
Existen dos tipos básicos de MOSFET, los de canal N y los de canal P, si bien en Electrónica de
Potencia los más comunes son los primeros, por presentar menores pérdidas y mayor velocidad de
conmutación, debido a la mayor movilidad de los electrones con relación a los huecos.
La figura 5-1 se muestran los símbolos básicos utilizados para estos dispositivos.
Símbolo del MOSFET sin diodo interno y con diodo interno de protección.
40
Si bien el TBP fue inventado a finales de los años 40, ya en 1925 fue registrada una patente que se
refería a un método y un dispositivo para controlar el flujo de una corriente eléctrica entre dos
terminales de un sólido conductor.
Así mismo, tal patente, que se puede considerar como la precursora de los Transistores de Efecto
de Campo, no redundó en un componente práctico, puesto que entonces no había tecnología que
permitiese la construcción de los dispositivos.
Esto se modificó en los años 60, cuando surgieron los primeros FETs, pero aún con limitaciones
importantes con respecto a las características de conmutación.
En los años 80, con la tecnología MOS, fue posible construir dispositivos capaces de conmutar
valores significativos de corriente y tensión, con velocidad superior al que se obtenía con los
bipolares.
El terminal de puerta G (Gate) está aislado del semiconductor por óxido de silicio (SiO2).
La unión PN define un diodo entre la Fuente S (Source) y el Drenador D (Drain), el cual conduce
cuando VDS < 0.
El funcionamiento como transistor ocurre cuando VDS > 0.
La figura 5-2 muestra la estructura básica del transistor.
FIGURA 5-2.
41
Cuando la tensión VGS > 0 y esta se aplica en puerta, dicho potencial positivo de puerta repele los
huecos en la región P, dejando una carga negativa, pero sin portadores libres.
Cuando esta tensión alcanza un cierto valor umbral (VT), electrones libres (generados
principalmente por efecto térmico) presentes en la región P son atraídos, formando un canal N
dentro de la región P, por el cual se hace posible la circulación de corriente entre D y S.
Aumentando la tensión VGS, mayor cantidad de portadores son atraídos, ampliando el canal, y
reduciendo su resistencia (RDS), permitiendo el aumento de ID.
Este comportamiento caracteriza la llamada “región óhmica”.
La circulación de ID por el canal produce una caída de tensión que produce un “efecto embudo”,
es decir, el canal es más ancho en la frontera con la región N+ que cuando se conecta
a la región N-.
Un aumento de ID lleva a una mayor caída de tensión en el canal y a un mayor

“efecto embudo”, lo que conduciría a su colapso y a la extinción de la corriente.
Obviamente el fenómeno tiende a un punto de equilibrio, en el cual la corriente ID se mantiene

constante para cualquier VDS, caracterizando una región activa o de saturación del MOSFET.
La figura 5-3 muestra la característica estática del MOSFET de Potencia.
Una pequeña corriente de puerta es necesaria apenas para cargar y descargar las capacidades de
entrada del transistor.
La resistencia de entrada es del orden de 1012 Ohms.
De forma análoga a los bipolares, tenemos fundamentalmente tres zonas de trabajo bien
diferenciadas:
- Zona de Corte o Estado “OFF”: La tensión entre la puerta y la fuente (VGS) es más pequeña
que una determinada tensión umbral (VT), con lo que el dispositivo se comporta como un interruptor
abierto.
- Zona Óhmica o Estado “ON”: Si la tensión entre la puerta y la fuente (VGS) es suficientemente
grande y la tensión entre el drenador y la fuente es pequeña (VDS), el transistor se comporta como
un interruptor cerrado “ON”, modelado por una resistencia, denominada RON.
- Zona de Saturación (Activa): Si el transistor está cerrado pero soporta una tensión drenador-
surtidor (VDS) elevada, éste se comporta como una fuente de corriente constante, controlada por la
tensión entre la puerta y el surtidor (VGS).
La disipación de potencia en este caso puede ser elevada dado que el producto tensión-corriente
es alto.
42
FIGURA 5-3
Es lógico que en Electrónica de Potencia nos interesa que un MOSFET trabaje en corte
o en óhmica (interruptor abierto o cerrado).
Atención con los nombres de las zonas de trabajo, que pueda causar confusión, cuando se habla
de un bipolar y de un MOSFET.
Observar que la Zona de saturación de un BJT corresponde a la Zona Óhmica del MOSFET y
que la Zona de saturación de éste corresponde a la Zona activa del BJT.
Uno de los inconvenientes de los transistores MOSFET es que la potencia que pueden
manejar es bastante reducida.
Para grandes potencias es inviable el uso de estos dispositivos, en general, por la limitación de
tensión VDS.
Sin embargo, son los transistores más rápidos que existen, con lo cual se utilizan en aplicaciones
donde es necesario altas velocidades de conmutación (se pueden llegar a tener aplicaciones que
trabajan a 1MHz, algo impensable para los bipolares).
Otro de los inconvenientes de este tipo de transistores es que la resistencia en conducción RON
varía mucho con la temperatura y con la corriente que circula, con lo que no se tiene un
comportamiento de interruptor casi ideal como en el caso de los bipolares.
Sin embargo, su ventaja más relevante es la facilidad de control gracias al aislamiento de la

puerta.
El consumo de corriente de puerta es pequeño y se simplifica el diseño del circuito de disparo

(driver) y control correspondiente.
43
ENCAPSULADOS:
IDENTIFICACIÓN Y PRUEBA DEL TRANSISTOR MOSFET
Los terminales se identifican de la siguiente manera:
Mirando el transistor de frente, se cuentan los terminales de izquierda a derecha donde el
 1 corresponde al Gate.
 2 al Drenaje.
 3 al Source.
Los terminales que soportan el paso de la mayor corriente son el D (Drenaje) y el S (Source).
En otras palabras como estos transistores son usados comúnmente en conmutación, el interruptor
estará entre esos terminales.
El terminal Gate (puerta) es el de control.
La falla más común de los transistores MOSFET es que se corto-circuiten sus terminales D – S
quedando como un interruptor siempre cerrado.
De modo que lo primero que se debe chequear con el Multitester en la función Diodo es que esa
juntura sea infinita o en algunos casos, que mida un Diodo Damper con el Cátodo en la terminal
D y el Ánodo en la terminal S para los de canal N.
En los de canal P, el diodo estará inverso.
La presencia o no del Diodo Damper la confirmara el Datasheet.
Sin embargo habrá casos en los que necesitemos asegurarnos que el transistor se esté activando
al recibir la orden de disparo por puerta.
Primero se debe medir en la función Diodo, que no haya corto circuito entre las terminales D y S.
44
Si tiene Damper (no todos los tienen), dará un valor alrededor de 0.50V.
Si no lo tiene, debe indicar infinito; lo mismo que al invertir las puntas de prueba.
Sin retirar la punta COM. (negra), colocamos la punta “Roja” en la terminal (G) del transistor a
probar.
Esto con el fin de “cargar” la puerta o terminal (G), de modo que cuando se vuelva a colocar la
punta roja en la terminal D, encontremos el transistor activo, por lo menos un par de segundos.
Si corto-circuitamos las terminales G – S, el MOSFET volverá a su estado de reposo, es decir

que al tomar la medida entre D y S indicara infinito o nuevamente el Damper si lo tiene.
NOTA: Si el Multítester no alcanza a activar los MOSFET o los IGBT, es porque el voltaje
entregado es muy bajo.
45
Los Multitester más óptimos son los que internamente presentan batería de 9V.
También, el transistor se puede activar con una batería de 9V desechada, que al menos este
entregando unos 6V.
PARÁMETROS ELÉCTRICOS DEL TRANSISTOR MOSFET ENTREGADOS POR EL

FABRICANTE.
IRF-540
46
47
TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (Insulated Gate Bipolar Transistor)
IGBT.
El transistor IGBT, de las siglas en inglés “Isolated Gate Bipolar Transistor”, es un dispositivo
híbrido, que aprovecha las ventajas de los transistores analizados anteriormente, o sea, el
IGBT reúne la facilidad de disparo de los MOSFET con las pequeñas pérdidas en conducción de
los BJT de potencia.
La puerta está aislada del dispositivo, con lo que se tiene un control por tensión relativamente
sencillo.
Entre el colector y el emisor se tiene un comportamiento tipo bipolar, con lo que el interruptor
es muy cercano a lo ideal.
En la siguiente figura 6-1, se muestra la simbología para este tipo de transistores.
FIGURA 6-1.
Su velocidad de conmutación, en un principio, era similar a la de los transistores bipolares, pero en

los últimos años ha aumentado, permitiendo que funcionen a centenas de kHz, este dispositivo
trabaja con corrientes del orden de algunas decenas de Amperios.
La estructura del IGBT es similar a la del MOSFET, pero se le agregó una capa P+ la cual forma el
colector del IGBT, como se puede apreciar en la figura 6-2.
Gracias a la estructura interna de este, puede soportar tensiones elevadas, las cuales van desde
400V y hasta 2000V (algo impensable en los MOSFETs).
Su control es sencillo, y es por tensión de puerta.
La velocidad a la que pueden trabajar no es tan elevada como la de los MOSFETs, pero permite
trabajar en rangos de frecuencias medias, controlando potencias bastante elevadas.
48
En términos simplificados se puede analizar el IGBT como un MOSFET en el cual la región N- tiene
su conductividad modulada por la inyección de portadores minoritarios (huecos), a partir de la
región P+, una vez que J1 está directamente polarizada.
Esta mayor conductividad produce una menor caída de tensión en comparación a un MOSFET
similar.
FIGURA 6-2
Transistor hibrido, entrada MOSFET, salida BJT.
El control de este dispositivo es análogo al del MOSFET, o sea, por la aplicación de una
polarización entre puerta y emisor VGE.
49
También para el IGBT el accionamiento o control se hace por tensión.
La máxima tensión que puede soportar se determina por la unión J2 (con polarización directa) y
por J1 (con polarización inversa).
Como J1 divide 2 regiones muy dopadas, se puede concluir que un IGBT no soporta tensiones
elevadas cuando es polarizado inversamente.
Los transistores IGBT presentan un tiristor parásito.
La construcción del dispositivo debe ser tal que evite el disparo de este tiristor, especialmente
debido a las capacidades asociadas a la región P.
Los componentes modernos no presentan problemas relativos a este elemento indeseado.
En la figura 6-3 se muestra la característica estáticas (I-V) de funcionamiento del IGBT.
El IGBT tiene una alta impedancia de entrada como el MOSFET, y bajas pérdidas de conducción en
estado activo como el Bipolar, pero no presenta ningún problema de ruptura secundaria como los
BJT.
CARACTERÍSTICAS ESTÁTICAS VOLTAJE - CORRIENTE DEL IGBT.
FUNCIONAMIENTO:
Consideremos que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente, lo cual implica que no existe
ningún voltaje aplicado al gate.
50
Si una tensión VGE es aplicado al gate, el IGBT conduce inmediatamente, lo cual indica la
presencia de corriente IC, donde la tensión VCE, disminuye desde un valor de bloqueo hasta casi
cero.
LA corriente IC se mantiene para el estado ON, en la cual la señal en la puerta es aplicada.
Para encender el IGBT, el terminal de Colector C debe presentar polaridad positiva con respecto a
la terminal Emisor E.
LA señal de control por puerta, debe ser una tensión positiva VGE.
Esta tensión, si se aplicado como un pulso, su magnitud máxima aproximada debe ser de unos
15V.
Una vez en conducción el dispositivo, se mantiene así por efecto de la señal de tensión en puerta.
Sin embargo, como el control es por voltaje, la disipación de potencia en el puerta es muy pequeña.
EL IGBT se bloquea o no conduce retirando la señal de tensión VGE del terminal de puertas.
La transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 µSeg. por lo
que la frecuencia de conmutación puede llegar a rango de los 50 kHz.
EL IGBT requiere de un valor mínimo VGE (TH) para el cambio de estado, de (ON) a (OFF) y
viceversa.
Este es aproximadamente de 5.4 V, donde sobre este valor, la tensión VCE cae a un valor
pequeño, cercano a los 2 V.
Como la tensión en el estado (ON) se mantiene baja, la puerta debe tener una tensión superior a
los 15 V, donde la corriente IC se auto limita.
Una de las aplicaciones del IGBT es en control de motores eléctricos tanto de corriente continua,
como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.
CARACTERISTICAS QUE SE DEBEN CONOCER DE UN IGBT:
• VGE máximo, se encuentra limitado por el espesor del óxido de silicio.
• VCE máximo es la tensión de ruptura del transistor P-N-P del circuito equivalente.
* VCE máximo=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600V,1.200V, 1.700V,

2.100V y 3.300V . (anunciado a futuro de 6.500V).
• La temperatura máxima de la unión suele ser de 150ºC (con SiC se esperan valores mayores).
51
• Existen en el mercado IGBTs con encapsulados que soportan desde 400A a 600A.
*• La tensión VCE apenas varía con la temperatura; Se pueden conectar en paralelo fácilmente;
Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, por ejemplo. 1.200A. a 1.600A.
** En la actualidad es el dispositivo más utilizado, para potencias entre varios KW y un par de MW,
trabajando a frecuencias desde 5 KHz a 40KHz.
Algunas de las Capsulas más comunes de un IGBT.
SOT-227.
PARÁMETROS ELÉCTRICOS ENTREGADOS POR EL FABRICANTE.
52
53
Comparación entre los Distintos Transistores de Potencia.
En la siguiente tabla, se pueden comparar los parámetros eléctricos de tensiones, corrientes, y

frecuencias que pueden soportar los distintos tipos de transistores.
Los valores indicados, no son del todo exactos, ya que existe una gran variedad de estos en el
mercado.
Sabemos, que el producto tensión-corriente es una constante, es decir estamos limitados en

potencia, por tanto se puede encontrar un MOSFET de muy alta tensión pero con corriente
pequeña.
Lo mismo ocurre con las frecuencias de trabajo.
Existen BJT. de poca potencia que trabajan tranquilamente a 50kHz, aunque no es lo más usual.
Comparación entre los Distintos Dispositivos de Electrónica

de Potencia.
A continuación se presenta una tabla con las prestaciones de los dispositivos de potencia más
utilizados, haciendo especial hincapié en los límites de tensión, corriente y frecuencia de trabajo.
Tabla de Prestaciones:
54
Zonas a Utilizar:
En función de las parámetros eléctricos de cada dispositivo, se suele trabajar en distintas zonas,
donde se relaciona la tensión, la corriente y la frecuencia de trabajo.
Una clasificación cualitativa se presenta en la siguiente tabla:
Por otro lado, en la figura siguiente, se muestra una gráfica, en la cual se comparan las
capacidades de tensión, corriente y frecuencia de los distintos dispositivos controlados.
Figura: Comparación de los Dispositivos de Potencia.
55
En la siguiente tabla se pueden apreciar otras características de importancia que se deben tomar
en cuenta para el diseño de circuitos en Electrónica de Potencia.
Por último, en la figura siguiente se muestran algunas posibles aplicaciones de los distintos
dispositivos de la Electrónica de Potencia.
Figura: Aplicaciones de la Electrónica de Potencia según los dispositivos empleados.
56
“RELÉ DE ESTADO SÓLIDO” (SSR).
Los relés de estado sólido o SSR (solid-state relays) son dispositivos electrónicos
de un módulo o capsulas integradas.
Se encuentran formados en su interior por una etapa de salida, que utilizan Transistores
y Tiristores, reemplazando los contactos metálicos de los relé electromagnéticos.
En su entrada cuenta con Optoacopladores de entrada directa para energía continua, o

Conversores AC/CC con Optoacopladores para entrada de energía alterna.
Estos relé de estado sólido, controlan elevadas potencias para cargas o consumos altos,
a partir de señales de control de bajo corriente y tensión.
Existen relé de estado sólido (SSR) Monofásico y Trifásico, Industriales, para tarjetas
o PCB y para Bases.
Los relé de estado sólido nos dan muchas ventajas en comparación a los relés de
contactos electromecánicos:
- Son más livianos, silenciosos, rápidos y confiables.
- No se desgastan, son inmunes a los choques y vibraciones.
- Generan muy pocas interferencias, conmutan altas corrientes y voltajes sin

producir arcos.
- Proporcionan varios kilovoltios de aislamiento entre la entrada y la salida.
“RELÉ DE ESTADO SÓLIDO” (SSR).
57
ENCAPSULADOS DE DISTINTOS TIPOS DE RELÉ DE ESTADO SÓLIDO.
En la figura se pueden apreciar las etapas de salida y entrada de algunos tipos de (SSR), y los
dispositivos integrados en módulo, tanto Monofásicos como Trifásicos.
58
Como Desventajas, Tenemos:
- Son muy costosos los modelos comerciales.

- Son dispositivos de una sola posición. (esto quiere decir, que un solo SSR no
puede conmutar al mismo tiempo varias cargas independientes como lo hacen los
relés electromagnéticos.
CAPSULA DE UN (SSR) MONOFÁSICO:
59
PARAMETROS ELÉCTRICOS DEL FABRICANTE:
60
OPTOACOPLADORES:
La señal de entrada es aplicada al Fotoemisor y la salida es tomada del Fotorreceptor.
Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa
modulada y volver a convertirla en una señal eléctrica.
La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse

entre los circuitos de entrada y el de salida.
Los Fotoemisores que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos infrarrojos
(IRED) y los Fotorreceptores pueden ser Tiristores o Transistores.
Fototransistor.
Optoacopladores:
Un optoacoplador es un dispositivo semiconductor formado por un emisor de luz y un receptor de
luz, entre los que hay un camino por donde se transmite la luz.
Todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
La señal de entrada es aplicada al emisor de luz y la salida es tomada en el receptor de luz.
Los optoacopladores son capaces de convertir una señal eléctrica en una señal luminosa modulada
y volver a convertirla en una señal eléctrica.
La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento eléctrico que puede establecerse

entre los circuitos de entrada y salida.
Los emisores de luz que se emplean en los optoacopladores de potencia son diodos que emiten luz
infra roja, rayos infrarrojos (IRED) y los receptores, que reciben la luz, pueden ser fototiristores o
fototransistores.
Cuando aparece una tensión sobre los terminales del diodo IRED, este emite un haz de rayos
infrarrojos que transmite, a través de una pequeña guía de plástico o cristal, las cuales son ondas
hacia el fototiristor o fotransistor.
61
La energía luminosa que incide sobre el fotorreceptor hace que éste genere una tensión eléctrica a
su salida.
El fotorreceptor responde a las señales de entrada, que pueden ser pulsos de tensión
Fototransistor:
En la figura se muestra el esquema de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un
transistor BJT.
Fototriac:
En la figura se muestra el esquema de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un
TRIAC.
Fototriac de paso por cero:
Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero.
El circuito interno de cruce por cero, conmuta al TRIAC, sólo cuando la corriente alterna se
aproxima al cruce por cero.
Características del Optoacoplador:
Valores Típicos:
CÓDIGOS: MOC 3020.
62
APLICACIONES.
63

Dispositivos Potenci 13 B 13

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ELECTRÓNICA DE POTENCIA I.

APUNTE PARA EL ALUMNO.

ALEJANDRO INDA RODRIGUEZ.

El paso de uno a otro no es instantáneo y en dispositivos en los que el funcionamiento se realiza a

Márgenes aproximados de funcionamiento:

El Si es el elemento semiconductor base más empleado.

En conducción es capaz de soportar altas intensidades con bajas caídas de

En inverso soportan altas tensiones negativas de ánodo con pequeñas corriente de

2) Único procedimiento de control: inversión de polaridad del voltaje.

a) VRWM: Tensión inversa máxima de trabajo.

Parámetros en estado de conducción:

a) IF(AV) (Intensidad media nominal).

Pd(AV)= Vd(t) x Id(t) W.

Donde Id y Vd son corriente y tensión ánodo – cátodo respectivamente.

Diodo polarizado en directo tensión en extremos = tensión de codo (V).

La corriente que circula por él dependerá del circuito exterior.

Diodo polarizado en inverso corriente prácticamente nula potencia disipada en

Esta expresión consta de dos términos; en el primero aparece la intensidad media, y en el

DIODOS DE ALTA POTENCIA.-

Diodo de recuperación rápida.

Diodo con tiempo de recuperación muy corto.

Esta característica es especialmente valiosa en altas frecuencias.

El tiristor (SCR, Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio), es

Está formado por tres terminales, llamados Anodo, Cátodo y Puerta.

Es un elemento unidireccional, conmutador casi ideal, al cual se le controla la conducción.

El material básico es el Si.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS TENSIÓN – CORRIENTE DEL SCR.

VRRM Tensión inversa de peack repetitiva. (Repetitive peak reverse voltage).

VRWM Tensión inversa máxima de trabajo. (Crest working reverse voltage).

VT Tensión en extremos del tiristor en estado de conducción. (Forward on - state voltage).

VRGM Tensión inversa de puerta máxima. (Peak reverse gate voltage).

VBR Tensión de ruptura. (Breakdown voltage).

IT(AV) Corriente media. (Average on - state current).

IT(RMS) Corriente directa eficaz. (R.M.S. on state current).

ITRM Corriente directa peack repetitiva. (Repetitive peak on - state current).

IRRM Corriente inversa máxima repetitiva. (Corriente inversa). (Reverse current).

IL Corriente de enganche. (Latching current).

IH Corriente de mantenimiento. (Holding current).

IDRM Corriente directa en estado de bloqueo. (Off -state current).

IGT Corriente de disparo de puerta. (Gate current to trigger).

IGNT Corriente de puerta que no provoca el disparo. (Non-triggering gate current).

ITC Corriente controlable de ánodo. (Controllable anode current).

PGAV Potencia media disipable en la puerta. (Average gate power dissipation).

PGM Potencia de peack disipada en la puerta. (Peak gate power dissipation).

Ptot Potencia total disipada. (Full power dissipation).

Tstg Temperatura de almacenamiento. (Storage temperature range).

Tj Temperatura de la unión. (Juntion temperature).

VRWM, VDRM, VT, ITAV, ITRMS, IFD, IR, Tj, IH.

VGFM, VGRM, IGM, PGM, PGAV, VGT, VGNT, IGT, IGNT.

Entre los parámetros anteriores destacan:

Los tiristores necesitan un tiempo para pasar de bloqueo a conducción y viceversa.

Para frecuencias inferiores a 400Hz podemos ignorar estos efectos.

A.- Tiempo de Encendido (tON): El tiempo de encendido (paso de corte a conducción)

El tiempo de encendido (tON), lo dividimos en dos partes:

-A1.- Tiempo de retardo. (td)

-A2.- Tiempo de subida. (tr)

. .Se divide el tiempo de apagado en dos:

-B1.- T de recuperación inversa. (trr).

-B2.- T de recuperación de puerta. (tgr).

Es aconsejable tratar de identificar los parámetros de conmutación en las hojas de características.}

La extinción o bloqueo del tiristor se producirá por dos motivos:

- Por reducción de la corriente de ánodo por debajo de la corriente de mantenimiento.

Parámetros que influyen sobre toff: