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LABORATORIO DE ELECTRONICA
DOCENTE: Msc. Elsy Villamar G.
PRACTICA 1
1 OBJETIVOS
Identificar las terminales del diodo mediante el uso multímetro virtual de ELVIS
Determinar el estado del diodo (conducción) aplicando la polarización directa e inversa.
Construir la curva característica (real) del diodo semiconductor.
2 FUNDAMENTO TEORICO
DIODO SEMICONDUCTOR
El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene
huecos libres (ausencia o falta de electrones). Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una
negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del
material P más allá de los límites del semiconductor. De igual manera los huecos en el material P son
empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En el caso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones
en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En este caso los
electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente. El diodo se puede
hacer trabajar de 2 maneras diferentes:
Polarización directa.
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Es cuando la corriente que circula por el diodo sigue la ruta de la flecha (la del diodo), o sea del ánodo al
cátodo. En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad comportándose prácticamente
como un corto circuito.
Polarización inversa.
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del diodo), o
sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta prácticamente
como un circuito abierto.
Preguntas de conocimientos:
1. ¿Cuándo la corriente en función de la tensión es una línea recta, el dispositivo se conoce cómo?
a. Activo
b. Lineal
c. No lineal
d. Pasivo
a. bilateral
b. Lineal
c. No lineal
d. Unipolar
a. Directa
b. Al revés.
c. Pobre
d. Inversa.
a. 0V
b. 0,3 V
c. 0,7 V
d. 1V
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3 PROCEDIMIENTO
3.1 EQUIPO
EQUIPO NECESARIO MATERIAL DE APOYO
Software Multisim Practica Impresa
Elvis Instrument Launcher Pizarron
Protoboard Marcadores
Diodo 1N4001. Proyector
Resistencia de 1k.
Cable para protoboard macho –hembra,
hembra- macho.
Cable usb.
Estación de trabajo NI ELVIS II
Software Generador de funciones.
Osciloscopio.
Multimetro digital.
Alimentación de =15 [v] para la
alimentación dc del amplificador.
MEDICIONES EXPERIMENTALES
1. Armar en el protoboard el circuito indicado.
2. Conectar la tarjeta NI ELVIS II PLUS a una toma de 110Voltios tomando en consideraciónel
manual de usuario del equipo y presione el botón de encendido.
3. Conectar el cable USB de la tarjeta ELVIS II al puerto USB del computador. Vaya al
administrador de dispositivos para verificar que el computador haya reconocido a la tarjeta
ELVIS II.
4. Conectar la fuente al circuito. Puede utilizar la fuente que disponen las tarjetas ELVIS II o My
DAQ.
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5. En el computador vaya: Start>> All Program Files>> National Instruments>> NI ELVIS mx>>
NI ELVISmx Instrument Launcher.
7. Con la herramienta DMM (Multímetro Digital) medir los valores experimentales según
corresponda de los siguientes circuitos.
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8. Calibre los canales del osciloscopio,coloque el canal 1 en paralelo con la resistencia de 1kΩ
Coloqué ahora el canal 2 del osciloscopio en paralelo con la fuente Vi.
9. Anotar en la tabla de Resultados los valores experimentales y teóricos.
10. Agregue gráficas o imágenes de los valores experimentales medidos, usando proteus,
Multisim, NELVIS II.
4 ESQUEMATICOS
D2
1N4001G
V2 R2
12V 1kΩ
a. Figura 4.1.
D2
1N4001G
V2 R2
12V 1kΩ
b. Figura 4.2.
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D1
1N4001G
Vi R1
60Hz 1kΩ
0°
c. Figura 4.3.
D1
1N4001G
Vi R1
60Hz 1kΩ
0°
d. Figura 4.4.
5 TABLA DE RESULTADOS
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Cálculos analíticos de los esquematicos presentados en la figura 4.1. y figura 4.2 se utlizan las siguientes
formulas:
Donde 𝑉𝑅 = 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎, 𝐼𝑅 = 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑝𝑜𝑟 𝑙𝑎 𝑟𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎, 𝑃𝐷=𝑃𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑑𝑖𝑜𝑑𝑜
𝑉𝑅 = 𝑉2 − 𝑉𝐷
𝑉𝑅
𝐼𝑅 =
𝑅
𝑃𝐷 = (𝑉𝐷) ∗ (𝐼𝑅)
Polarización en inversa cuando el voltaje es negativo (-) , el diodo no conduce es decir no pasa ninguna
corriente.
VR
IR
PD
Tabla 5.1.
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VR
IR
PD
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Eleve el volatje de la fuente Vi de 0 a 12 V voltios, realice las mediciones del voltaje del diodo VD y corriente
de diodo (ID), Colocar los resultados en la Tabla 5.2
Cálculos analíticos de la resistencia a través del diodo 1N4001 de acuerdo a cada una de sus voltajes.
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
Coloque Vi a Vpp/60hz, y observe la salida VR en el oscilocopio la onda de salida y compare la salida VR
con la entrada Vi.
MEDICIONES EN 1V
Datos 1[V]
VD [V]
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VR [V]
ID [mA]
RD [Ω]
MEDICIONES EN 2V
Datos 2[V]
VD [V]
VR [V]
ID [mA]
RD [Ω]
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MEDICIONES EN 3V
Datos 3[V]
VD [V]
VR [V]
ID [mA]
RD [Ω]
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MEDICIONES EN 4V
Datos 4[V]
VD [V]
VR [V]
ID [mA]
RD [Ω]
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