White paper:

Memoria RAM

¿Qué es la memoria RAM?

La memoria de acceso aleatorio (en inglés: random-access memory o RAM) es la
memoria desde donde el procesador recibe las instrucciones y guarda los
resultados (datos y programas). Es el área de trabajo para la mayor parte del
software de una computadora. Existe una memoria intermedia entre el
procesador y la RAM, llamada caché, pero ésta sólo es una copia de la memoria
principal de acceso más rápido. Los módulos de RAM son la presentación
comercial de este tipo de memoria, se compone de integrados soldados sobre un
circuito impreso.

Se trata de una memoria de estado sólido tipo DRAM en la que se puede tanto
leer como escribir información. Se utiliza como memoria de trabajo para el
sistema operativo, los programas y la mayoría del software. Es allí donde se
cargan todas las instrucciones que ejecutan el procesador y otras unidades de
cómputo. Se dicen "de acceso aleatorio" o "de acceso directo" porque se puede
leer o escribir en una posición de memoria con un tiempo de espera casi igual
para cualquier posición, no siendo necesario seguir un orden secuencial para
acceder a la información de la manera más rápida posible.

La palabra memoria RAM se utiliza frecuentemente para referirse a los módulos

de memoria que se usan en las computadoras personales y servidores. En el
sentido estricto, estos dispositivos contienen un tipo entre varios de memoria de
acceso aleatorio, ya que las ROM, memorias flash, caché (SRAM), los registros

www.peiper.com.ar
 en procesadores y otras unidades de procesamiento también poseen la cualidad
de presentar retardos de acceso iguales para cualquier posición.

La denominación “de acceso aleatorio” surgió para diferenciarlas de las memoria

de acceso secuencial debido a que en los comienzos de la computación las
memorias principales (o primarias) de las computadoras eran siempre de tipo
RAM y las memorias secundarias (o masivas) eran de acceso secuencial (cintas o
tarjetas perforadas). Es frecuente pues que se hable de memoria RAM para
hacer referencia a la memoria principal de una computadora, pero actualmente
la denominación no es precisa.

Dentro de la jerarquía de memoria la RAM se encuentra en un nivel después de

las cachés. Es una memoria relativamente rápida y de una capacidad media: en
la actualidad (año 2009), es fácil encontrar memorias con frecuencias nominales
de más de 1 Ghz. y capacidades de hasta 8 GB.

Historia
Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de núcleo magnético,
desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores hasta el
desarrollo de circuitos integrados a finales de los años 60 y principios de los 70.
Antes que eso, las computadoras usaban reles y líneas de retardo de varios tipos
construidas con tubos de vacío para implementar las funciones de memoria
principal con o sin acceso aleatorio.

En 1969 fue lanzada una de las primeras memorias RAM basadas en

semiconductores de silicio de 64 bits de memoria y para el siguiente año se
presentó una memoria DRAM de 1 Kilobyte, que se constituyó en un hito ya que
fue la primera en ser comercializada con éxito. Esto significó el principio del fin
para las memorias de núcleo magnético.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se

convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de
las direcciones de memoria. El esquema de direccionamiento se convirtió en un
estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de
DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de las
computadoras nuevas, se soldaban directamente a las placas base o se
instalaban en zócalos, de manera que ocupaban un área extensa de circuito

www.peiper.com.ar
 impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalación de RAM sobre el impreso
principal impedía la miniaturización, entonces se idearon los primeros módulos
de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la construcción
modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior, eliminando los pines
metálicos y dejando unas áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy
similares a los de las tarjetas de expansión; de hecho los módulos SIPP y los
primeros SIMM tienen la misma distribución de pines.

A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el aumento

en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias DRAM con el
esquema original, de manera que se realizaron una serie de mejoras en el
direccionamiento como las siguientes:

Módulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los últimos fueron utilizados con

integrados tipo EDO-RAM

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM):

Inspirado en técnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el Intel
486, se implantó un modo direccionamiento en el que el controlador de
memoria envía una sola dirección y recibe a cambio esa y varias
consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un
ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea
acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseáramos visitar
todas las casas en una calle: después de la primer vez no seria necesario decir el
número de la calle, únicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de
acceso de 70 ó 60 ns. y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y
los primeros Pentium.

EDO-RAM (Extended Data Output RAM):

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 ó 30 ns. suponía una mejora
sobre su antecesora, la FPM. La EDO también es capaz de enviar
direcciones contiguas pero direcciona la columna que va a utilizar al
mismo tiempo que se lee la información de la columna anterior, dando
como resultado una eliminación de estados de espera, manteniendo activo el
buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo de lectura.

BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM):

Fue la evolución de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue presentada en

www.peiper.com.ar
 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y
accedía a más de una posición de memoria en cada ciclo de reloj, de
manera que lograba un desempeño un 50% mejor que la EDO. Nunca salió al
mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de
memoria sincrónicos que agregaban funcionalidades distintas como señales de
reloj.

Módulos de memoria RAM

Los módulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen
soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La
implementación DRAM se basa en una estructura de circuito eléctrico que
permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores,
logrando integrados de cientos o miles de Kilobits. Además de DRAM, los
módulos poseen un integrado que permite la identificación de los mismos ante la
computadora por medio del protocolo de comunicación SPD. La conexión con los
demás componentes se realiza por medio de pines en uno de los filos del circuito
impreso, que permiten que el modulo instalado en un zócalo apropiado de la
placa base tenga buena conexión eléctrica con los controladores de memoria y
las fuentes de alimentación.
Los primeros módulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario,
es decir no había un estándar entre distintas marcas. La necesidad de hacer
intercambiable los módulos y de utilizar integrados de distintos fabricantes
condujo al establecimiento de estándares de la industria como los JEDEC.

• Módulos SIMM: Un formato usado en computadoras antiguas. Tenían un

bus de datos de 16 o 32 bits.
• Módulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan
por tener un bus de datos de 64 bits.

• Módulos SO-DIMM: Usado en computadores portátiles. Formato

miniaturizado de DIMM.

El controlador de memoria
El controlador de memoria es el encargado de manejar la mayor parte de los
datos que se intercambian entre el procesador y la memoria RAM. Debe ser
diseñado basándose en una tecnología de memoria. Por lo general soporta sólo

www.peiper.com.ar
 una, pero existen excepciones de sistemas cuyos controladores soportan dos
tecnologías (por ejemplo DDR1 y DDR2, o DDR2 y DDR3). Esto sucede en las
épocas de entrada de un nuevo tipo de RAM.
Los controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se encuentran
embebidos en el llamado "North Bridge" o dentro del mismo procesador (en el
caso de los procesadores AMD Athlon, Phenom e Intel Core i7).

La memoria RAM contenida en los módulos se conecta a un controlador de

memoria que se encarga de gestionar las señales entrantes y salientes de los
integrados DRAM. Algunas señales son las mismas que se utilizan para utilizar
cualquier memoria: direcciones de las posiciones, datos almacenados y señales
de control.

Entre las características sobresalientes del controlador de memoria, está la

capacidad de manejar la tecnología de doble canal (dual channel) o 3 canales,
donde el controlador maneja bancos de memoria de 128 bits. Esto parecería
generar un cuello de botella ya que el bus del procesador es de 64 bits y el de
memoria en dual channel de 128 bits. Sin embargo, el controlador de memoria
puede entregar los datos de manera intercalada, optando por uno u otro canal,
reduciendo las latencias vistas por el procesador. Es decir que mientras los
primeros 64 bits están “entrando” al procesador, se están leyendo en ese mismo
momento los siguientes 64 bits. Cuando el procesador termine de recibir los
primeros 64 bits, los restantes 64 bits ya estarán listos para ser entregados.
La mejora en el desempeño es variable y depende de la configuración y uso del
equipo. Esta característica ha promovido la modificación de los controladores de
memoria, resultando en la aparición de nuevos chipsets o de nuevos zócalos de
procesador en los AMD (socket 754 reemplazado por el 939, socket AM2+
reemplazado por AM3). Los equipos de gama media y alta por lo general se
fabrican basados en chipsets o zócalos que soportan doble canal o triple canal.

Buses de memoria
Las señales básicas en el módulo están divididas en dos buses y un conjunto de
líneas de control y alimentación. Entre todas forman el bus de memoria:

Bus de datos: Son las líneas que llevan información entre los integrados y el
controlador. Por lo general están agrupados en octetos (siendo de 8,16,32 y 64
bits), cantidad que debe igualar el ancho del bus de datos del procesador. En el
pasado algunos formatos de modulo no tenían un ancho de bus igual al del

www.peiper.com.ar
 procesador. En ese caso había que montar módulos en pares, o en situaciones
extremas de a 4 módulos, para completar lo que se denominaba banco de
memoria, de otro modo el sistema no funcionaba. Esa es la principal razón de
haber aumentado el número de pines en los módulos, igualando el ancho de bus
de procesadores con el de la memoria RAM.

Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de memoria

a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones del resto del
sistema, ya que está multiplexado de manera que la dirección se envía en dos
etapas. Para ello el controlador realiza temporizaciones y usa las líneas de
control. En cada estándar de módulo se establece un tamaño máximo en bits de
este bus, estableciendo un límite teórico de la capacidad máxima por módulo.

Señales misceláneas: Entre las que están las de la alimentación (Vdd, Vss)
que se encargan de entregar potencia a los integrados. Están las líneas de
comunicación para el integrado que dan información clave acerca del módulo.
También están las líneas de control entre las que se encuentran las llamadas RAS
y CAS que controlan el bus de direcciones y las señales de reloj en las memorias
sincrónicas SDRAM.

Tecnologías de memoria
La tecnología de memoria actual usa una señal de sincronización para realizar las
funciones de lecto-escritura de manera que siempre esta sincronizada con un
reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y EDO que
eran asincrónicas. Hace más de una década toda la industria se decidió por las
tecnologías síncronas, ya que permiten construir integrados que funcionen a una
frecuencia mayor a 66 Mhz (en la actualidad (2009) alcanzaron los 1333 Mhz).

SDR SDRAM
Memoria síncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II,
Pentium III, AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Está muy extendida la creencia de
que se llama SDRAM a secas, y que la denominación SDR SDRAM es para
diferenciarla de la memoria DDR, pero no es así, simplemente se extendió muy
rápido la denominación incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que
ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias síncronas dinámicas.

www.peiper.com.ar
 DDR SDRAM
Memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este
modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de
aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en módulos DIMM de 184
contactos.
DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en
español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias síncronas
(SDRAM), disponibles en encapsulados DIMM, que permiten la transferencia de
datos por 2 canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Es
decir que cada canal lleva 64 bits, lo que hace un total de 128 bits por ciclo de
reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB.
Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon.
Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS,
más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD
basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar
memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los
procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB, que
en este caso no está integrado en el procesador) de 64 bits de datos y
frecuencias de reloj desde 200 a 400 Mhz.

También se usa la nomenclatura PC-1600 a PC-4800, ya que pueden transferir

un volumen de información de 8 bytes (64 bits) en cada ciclo de reloj a las
frecuencias descritas.
Un ejemplo de calculo para PC-1600: 100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 Bytes =
1600 MiB/s

www.peiper.com.ar
 DDR2 SDRAM
Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR originales que
permiten que los búffers de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del
núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen 4 transferencias
(de 64 bits cada una). Se presentan en módulos DIMM de 240 contactos o pines.
Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bloques de 64 bits por ciclo,
mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma
frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales
entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales
entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las
memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego
transmitirla fuera del modulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR
convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo
que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits por línea
para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad
de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR
convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las
DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda
almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido
a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor
tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4
bits antes de poder enviar la información.
Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0

www.peiper.com.ar
 voltios y 1.8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente
el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2.5.
Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria
DIMMs con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM
son identificadas por su máxima capacidad de transferencia (usualmente llamado
ancho de banda).

Los módulos DIMM DDR2 no son compatibles con los DDR. La muesca está en
una posición diferente (los zócalos son distintos) y la densidad de pines es
ligeramente superior. Los módulos DDR2 tienen 240 pines a diferencia de los
DDR que tienen 184 pines.
Los módulos DIMM DDR2 de una determinada velocidad, sí son compatibles con
módulos DDR2 de inferior velocidad. La memoria puede funcionar a velocidades
inferiores a las que está etiquetado, simplemente el bus del sistema funcionará a
la velocidad del módulo más lento.

DDR3 SDRAM
Considerado el sucesor de la actual memoria estándar DDR2, DDR3 promete
proporcionar significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje,
lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo. Los módulos
DIMM DDR3 tienen 240 pines, el mismo número que DDR2; sin embargo, los
DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la
muesca.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer 8 transferencias

www.peiper.com.ar
 de datos por ciclo de reloj (64 bits cada tranferencia), permitiendo entonces
velocidades pico de transferencia y velocidades de bus más altas que las
versiones DDR anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la
cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de
512 megabits a 8 gigabytes, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 Gb.
Se prevé que la tecnología DDR3 sea dos veces más rápida que la DDR2 y el alto
ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opcion para la
combinación de un sistema con procesadores dual y quad core (2 y 4 nucleos por
microprocesador). El voltaje más bajo del DDR3 ofrece una solución térmica más
eficaz para los ordenadores actuales y para las futuras plataformas móviles y de
servidor.

RDRAM (Rambus DRAM)

La RDRAM es un tipo de memoria síncrona, conocida como Rambus DRAM. Éste
es un tipo de memoria de siguiente generación a la DRAM en la que se ha
rediseñado la DRAM desde la base pensando en cómo se debería integrar en un
sistema.
El modo de funcionar de estas memorias es diferente a las DRAM, cambios
producidos en una serie de decisiones de diseño que no buscan solo proporcionar
un alto ancho de banda, sino que también solucionan los problemas de
granularidad y número de pins. Este tipo de memoria se utilizó en el sistema de
videojuegos Nintendo 64 de Nintendo y otros aparatos de posterior salida.
Este tipo de memoria está basada en una tecnología propietaria creada por la
empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar regalías en concepto
de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso
libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la consola
PlayStation 3. Se presenta en módulos RIMM de 184 contactos.

Detección y corrección de errores

Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (que son
daños en el hardware) y los errores (provocados por causas fortuitas). Los
primeros son relativamente fáciles de detectar (en algunas condiciones el
diagnóstico es equivocado), los segundos son más difíciles de hallar al ser
resultado de eventos aleatorios. En la actualidad la confiabilidad de las memorias
RAM frente a los errores es suficientemente alta como para no realizar
verificación sobre los datos almacenados, por lo menos para aplicaciones de

www.peiper.com.ar
 oficina y caseras. En los usos más críticos, se aplican técnicas de corrección y
detección de errores basadas en diferentes estrategias:

• Bit de paridad: La técnica del bit de paridad consiste en guardar un bit

adicional por cada byte de datos (8 bits), y en la lectura se comprueba si
el número de unos es par (paridad par) o impar (paridad impar),
detectándose así el error.

• ECC: Una técnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores
de 1 a 4 bits y corregir errores que afecten a un sólo bit. Esta técnica se
usa sólo en sistemas que requieren alta fiabilidad como servidores.

Por lo general los sistemas con cualquier tipo de protección contra errores tiene
un costo más alto, y sufren de pequeñas penalizaciones en desempeño con
respecto a los sistemas sin protección. Para tener un sistema con ECC o paridad
el chipset y las memorias deben soportar estas tecnologías. La mayoría de
placas base de consumo masivo no poseen este soporte.

Recopilación y corrección: Ramix

para www.peiper.com.ar

Fuentes
http://es.wikipedia.org/wiki/Memoria_de_acceso_aleatorio
http://es.wikipedia.org/wiki/Ddr
http://es.wikipedia.org/wiki/DDR2
http://es.wikipedia.org/wiki/RDRAM
http://www.mey-online.com.ar/blog/wp-content/uploads/2009/03/05-memorias-
ram.pdf
http://cpys.iespana.es/hardware/8.pdf
http://www.mey-online.com.ar/blog/wp-content/uploads/2009/03/05-memorias-
ram.pdf

www.peiper.com.ar