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Células y módulos fotovoltaicos

Contenidos
3.1. La célula fotovoltaica.
3.2. Módulos fotovoltaicos.
3.3. Magnitudes y características.
3.4. Costes de fabricación.

Objetivos
• Comprender el fundamento y funcionamiento de una célula
fotovoltaica, prestando atención a cómo el movimiento de los
electrones se representa macroscópicamente en una serie de
magnitudes eléctricas que serán determinantes en el dimen-
sionamiento de los paneles y otros elementos de la instala-
ción.
• Conocer los componentes de los módulos fotovoltaicos y los
principales tipos que se pueden encontrar en el mercado.
• Saber interpretar las magnitudes eléctricas de los módulos y
conocer su definición y fundamento.
• Ser capaces de leer la hoja de características de un módulo y
extraer de ella la información necesaria.
• Conocer y valorar el abaratamiento de coste de los módulos
fotovoltaicos que se ha venido produciendo como consecuen-
cia de la investigación y el desarrollo de nuevas tecnologías
de fabricación y la extensión en el uso de esta forma de pro-
ducción eléctrica.
3. CÉLULAS Y MÓDULOS FOTOVOLTAICOS
FOTOVOLTA I
3.1. La célula fotovoltaica
El tipo de célula fotovoltaica - también denom inada célula fotoeléctrica o
célula solar- más común es la célula de silicio cristalino. El silicio es un
n=3 material semiconductor. Sus propiedades de conductividad eléctrica están

·•
.. .........n=2
~--~


situadas a medio camino entre los materiales conductores y los aislantes .

... ~ "'·. Los átomos están formados, como sabemos, por un núcleo -constituido
por protones y neutrones- y una serie de electrones situados en órbitas u
orbitales a su alrededor. Los átomos de los diferentes elementos que exis-
ten en el universo se diferencian únicamente en el número de sus partícu-
las constitutivas. El número de electrones y la forma como estos se est ruc-
turan determina ciertas propiedades básicas del átomo; en particular, la
configuración del último orbital-llamado orbital de valencia- explica cómo
. .\...,_ -- // .· J se comportan los átomos y cómo estos se combinan con otros para formar
estructuras más o menos complejas .
'"-~~/_¡
La configuración más estable del átomo es aquella en la que la capa u orbi-
Figura 3.1. El modelo atómico de Bohr tal de valencia posee ocho electrones. Es esta la configuración que caracte-
representa los electrones riza a los gases nobles (el neón, argón, xenón, entre otros), así llamados por-
en orbitales de creciente
que no se combinan con otros átomos. El resto de los átomos se combinan
energía; cuando proporcio·
namos energía al átomo entre sí, compartiendo o cediéndose electrones, para aproximarse a dicha
un electrón puede pasar a configuración.
un orbital superior; cuando
el electrón •cae• a un orbi· 3.1.1. Configuración de los materiales semiconductores
tal Inferior, se libera ener-
gía en forma de fotón con Los átomos de silicio tienen cuatro electrones en su orbital de valencia, elec-
una determinada longitud trones que forman una red cristalina con otros átomos de silicio, tal como
de onda.
muestra la Figura 3 .2 . Los átomos comparten cada uno de sus cuatro electro-
nes con los demás átomos que los rodean, formando poderosos enlaces que
mantienen unida la estructura. Al compartir dichos electrones con sus cuatro
átomos vecinos, el átomo de silicio adquiere su configuración de gas noble.
La aportación de energía externa a dicha red en cantidad suficiente provoca
que algunos electrones •rompan• o se liberen del enlace; el electrón puede
entonces moverse libremente por la red cristalina. Macroscópicamente, esa
libertad de movimiento de algunos electrones se representa en una variable
del semiconductor conocida como conductividad intrínseca. El electrón, allí-

Par de electrones
compartidos

Atomo de silicio

Figura 3.2. La figura representa una red cristalina de silicio, en la que observamos
cómo cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los
étomos vecinos. Cuando un electrón adquíere suficiente energía para
romper el enlace, se convierte en electrón líbre y deja un hueco en la
red.
CÉLULAS Y MOOULOS FOTDVOLTAICOS
FOTOVOLTA
berarse del enlace, deja un hueco en ella, que se comporta como si se tra-
tase de una carga positiva.
La conductividad intrínseca no sirve para generar electricidad . Para hacerlo,
deben introducirse impurezas en la red cristalina. Los átomos de dichas im-
purezas pueden tener o bien un electrón más (en el caso del fósforo, el anti-
monio y el arsén ico) o bien un electrón menos (en el caso del boro, el galio
y el indio) que el átomo de silicio. La introducción de átomos de Impurezas
se denomina dopado.
Si se introduce fósforo como impureza , nos encontramos con un dopado de
tipo N; si se introduce boro, tenemos un dopado tipo P. En un semiconductor
de tipo N existe exceso de electrones; en uno de tipo P, exceso de huecos.

Región P Unión PN Región N


o o o o o o o o
o o o o o o o o o
o o o o ......- -0 0 0 0 La radiación electromagnética se puede
o o o o o Difusión o o o o representar como una onda de determi-
o o o o o o o o nada frecuencia o como un conjunto de
o o o o o--•)lo o o o o partículas denominadas fotones. Esta
o o o o o o o o doble representación, que se conoce co-
mo dualidad onda-partícula, fue Introdu-
00000 11 0 0 0 0
o o o o 1111 o o o o cida por Louis de Broglie en 1924
Huecos libres Electrones libres La energía mínima que se necesita para
romper uno de los enlaces de la red cns-
Figura 3.3. Formación de un campo eléctrico a través del proceso de difusión de talina del silicio y generar un par elec-
electrones y huecos en una unión PN.
trón-hueco es de 1.12 eV. Los fotones
del espectro visible poseen una energía
¿Qué ocurre si en un materia l sem iconductor se introducen impurezas de situada entre los 1,6 y los 3,1 eV.
tipo N por un lado e impurezas de tipo P, por otro? En la red cristalina se for-
ma, entonces, una unión PN con dos regiones separadas. En esta unión, los
electrones extra que hay en la región N se difunden en la región P, dejando
en esta, a su vez, un exceso de huecos o cargas positivas. Al formar parte
de una red cristalina, los electrones no se pueden mover libremente para re-
combinarse y se establece un campo eléctrico, una diferencia de potencial
entre ambas regiones. Este campo se opone al movimiento de las cargas,
de modo que el proceso de difusión se detiene hasta llegar a un momento
de equilibrio electrónico. Tal como se ve en la Figura 3.3 , la carga positiva
de la región N impedirá que se difundan más huecos en ella; a la inversa, la
carga negativa de la región P impedirá que fluyan a ella más electrones. En
ese momento se dice que la unión está bloqueada.

3.1.2. El efecto fotoeléctrico


Imaginemos ahora que la unión PN está expuesta a la luz del Sol. En este
caso, los electrones de la red absorben los fotones. La energía que apor-
tan estos fotones rompe enlaces y forma nuevos pares electrón-hueco; el
campo eléctrico de la unión hace que los electrones migren hacia la región
N y los huecos, hacia la región P. A este proceso se le denomina efecto fo-
toeléctrico.

Si en el borde exterior de la región N y de la P situamos sendas conexiones


eléctricas y las conectamos a través de una resistencia , por dicho circuito
fluye una corriente eléctrica. Pero hay una parte de los portadores de car-
ga que no llega a esos terminales, sino que se recombina con su portador
- - -~~---'" ~---~--,---:- -:'
3. CtlULAS y MÚOÜLOS FÓTOVOLTAICoS
FOTOVOLT
opuesto: la recombinación de electrones y huecos no produce energía, sino
que se cuenta entre las pérdidas que limitan el rendimiento de la célula fo·
toeléctrica.

3.1.3. Fabricación de la célula fotovoltalca


La célula fotovoltaica suele estar formada por dos capas de semiconducto-
res con dopados diferentes. La capa sobre la que incide la luz solar es de
tipo N, dopada genera lmente con fósforo; la capa inferior es tipo P, dopada
con boro. Para poder extraer la energía generada por la luz solar en la cé·
lula es preciso conectarla eléctricamente. En la capa inferior se introduce
generalmente una capa conductora de plata o de aluminio. La conexión de
la capa superior debe dejar pasar la luz del Sol, con lo que se sitúa una co-
nexión en forma de peine o de rejilla, tal como se aprecia en la Figura 3.4.

Una micra equivale a la milésima parte La célula más común es la cristali na de silicüo. El silicio es el segundo mate-
de un milímetro o, dicho de otro modo, rial más común de la Tierra después del oxígeno, por lo que la materia prima
a la millonestma parte de un metro. Una para la fabricación de las células fotovoltaicas está presente en cantidades
célula típica tiene un grosor de unas 200 virtualmente ilimitadas; sin embargo, el sili cio no aparece en estado puro
micras. sino bajo la forma de óxido de silicio (el material de la arena y el cuarzo).

Silicio
con dopado N

Figura 3.4. Diseño y funcionamiento de una céiiUia solar de silicio cristalino. En (1)
observamos la separación de cargas; en (2). la recombinación de par·
te de ellas; en (3), cómo una parte de la energía luminosa no se utiliza
sino que atraviesa la célula sin producir separación de cargas; en (4), la
reflexión y el efecto de sombra causado por los contactos eléctricos de
Figura 3.5. La creación de una textu· la cara visible de la célula .
ra superficial en forma de
pequeñas pirámides en la La célula convencional se fabrica med iante una capa de P (habitualmente
cara frontal dP.I nanP.I nP.r-
mite aprovechar mejor la de silicio dopado con boro) con un espesor de entre 100 y 500 micras, so-
luz reflejada. bre la que se difunde una fina capa de fósforo (con un espesor de entre 0,2
y 0,5 micras) para obtener una unión PN. Habitualmente se trata de reducir
la reflexión de la luz solar en la célula creando en su superficie pequeñas pi-
rámides, en un proceso denominado texturización.

3.1.4. Breve historia de la célula solar


La primera célula solar data del año 1883; fue desarrollada por Charles
Fritts, que recubrió una muestra de selenio semiconductor con oro. En 1946
se produce la primera patente de célula fotovoltaica, y en 1954 se descubre
en los laboratorios Bell la sensibilidad a la luz.de los semiconductores do-
pados con impurezas.
CÉLULAS Y MODULOS FOTOVOLTAICOS
FOTOVO LTA
Desde finales de la década de 1950, la carrera espacial influyó considera-
blemente en el desarrollo de células solares para alimentar eléctricamente
a los satélites artificiales. En 1970 se fabrica la primera célula de arseniuro
de ga lio (GaAs), material que dominó la fabricación de células fotovoltaicas
hasta la década de 1980. Posteriormente el uso de células de silicio ha re-
emplazado casi completamente a las de GaAs.

3.1.5. Tipos de células fotovoltaicas


En el mercado y en los laboratorios de investigación coexisten células y mó-
du los solares de muy diversos tipos. Con mucho, las más comunes son las
de silicio monocristalino, las de silicio policrista lino y los módu los de capa
fina. Junto con estos tres tipos, existen otros de carácter más o menos ex-
perimental, en ocasiones con rendimientos superiores pero de presencia en
el mercado todavía muy reducida.

Células de silicio monocrlstallno


Las células de silicio monocristalino poseen una estructura muy uniforme.
Se fabrican en cilindros que posteriormente se cortan en obleas; su fabri-
cación es lenta y consume mucha energía. Las mejoras en la eficiencia del
silicio policristalino han hecho disminuir la presencia en el mercado de las
células de monocristalino. Tradicionalmente más caro que el silicio policris-
talino, el precio de ambos se ha aproximado en gran medida a día de hoy.

Células de silicio policristalino


Las células de silicio policristalino tienen una estructura no uniforme: se fa-
brican en moldes rectangulares y su coste de fabricación es menor que el
del silicio monocristalino. Hoy en día, la mayor parte de los paneles solares
que se comercializan están formados por células de silicio policristalino. La
eñciencia de estas células, hasta hace unos años, era sensiblemente más
baja que la eficiencia de las de silicio monocristalino. Sin embargo, el rendi-
miento del primero viene igualando, en los últ imos tiempos, el del segundo.
Figura 3.6. Comparación de una célu-
Los paneles de silicio policrista lino poseen en la actualidad una eficiencia
la de silicio monocristalino
de entre el 13 y el16 por ciento, si bien se trata de valores que aumentan (arriba) y una de silicio po-
sensiblemente cada año. licristalino (abajo).

Células de capa fina

Las células solares de capa fina vienen fabricándose desde la década de los
noventa. En ellas el semiconductor se deposita en forma de fina capa sobre
un sustrato de bajo coste (cristal , en la mayoría de los casos). Los materiales
que se suelen usar como semiconductor son el silicio amorfo, el cobre-indio-
diselenio (GIS}, el teluro de cadmio (CdTe) y el cobre-indio-galio-selenio (CIGS).

Las células de silicio amorfo poseen una estructura no cristalina. El si licio


amorfo se puede depositar como una capa fina en diversos tipos de sopor-
tes, abriendo así la posibilidad de construir células (y módulos fotovoltaicos)
flexibles. Su coste de fabricación es relativamente bajo, pues el silicio amor-
fo no requiere un proceso de cristalización previo, sino que basta extraer el
oxígeno del óxido de silicio para obtenerlo. Uno de los problemas del sil icio
amorfo, sin embargo, su menor eficiencia con respecto al silicio monocris-
talino y policristalino. Además. las juntas de silicio amorfo se degradan al
3. CÉLULAS Y MÓDULOS FOTOVOLTAICOS
FOTOVOLTA
poco t iempo de exposición a la luz solar y su eficiencia se estabiliza en un
valor inferior al inicia l; los fabricantes de paneles, no obstante, suelen dar
el valor de la eficiencia estabilizada en sus hojas de características. Los pa-
neles de capa fina fabricados con silicio amorfo poseen un rendimiento es-
tabilizado de alrededor del 6 por ciento.
En las tecnologías de capa fina -debido a la elevada absorción luminosa
de los materiales semiconductores que se emplean en ellas- basta una
capa de 0 ,001 mm pa ra efectuar la conversión de la energía solar en elec-
tricidad. Las temperaturas de fabricación son más bajas y, por tanto, la can-
t idad de energía consumida en el proceso es menor; además, su eficiencia
es mayor en condiciones de luz difusa. No obstante, la tecnología posee
también desventajas: en el caso del silicio amorfo, la eficiencia es baja; en
los ot ros casos, el uso de cadmio, material sumamente tóxico, hace el pro-
ceso de fabricación complejo y contaminante. Una tecnología alternativa al
respecto es la que emplea óxido de titanio, un material relativamente ino-
cuo y de barata fabricación.

Otras tecnologías

- - Complementariamente a los tipos mencionados, exist en otras clases de cé-


lulas solares que se vienen desarrollando desde hace años. Se trata de cé-
lulas de elevado rendimiento que en el laboratorio alcanzan una eficiencia
de casi el 25 por ciento, ya que minimizan las pérdidas eléctricas y ópticas.
Algunos de los enfoques empleados son los siguientes:
• El uso del arseniuro de galio (GaAs) como material semiconductor, en lu-
gar del silicio, permite fabricar células con rendimientos sensiblemente
superiores, próximos al 25 por ciento. La carestía del proceso de fabrica-
ción y la escasez del material (en contraste con la abundancia del silicio)
ha li mitado hasta ahora su desarrollo.
• La tecnología de esferas de silicio - desarrollada por Texas lnstru-
ments ya a comienzos de la década de los noventa, aunque no se ha
empezado a comercializar hasta 2004- emplea células solares esfé-
ricas de pequeño diámetro (entre 0,7 y 1,2 mm), fabricadas mediante
pequeñas gotas de si licio líqu ido embebidas en una resina s intética
transpa rente y conectadas entre dos capas superpuestas de aluminio.
Las ventajas de esta forma de fabricación es la flexibilidad de las ho-

Electrodo
Bola de silicio
Unión PN
Capa con
dopado N

Lámina de
aluminio perforado
(electrodo negativo)

Figura 3.7. A la izquierda observamos la estructura de una célula solar esférica; a


la derecha, la disposición de éstas sobre dos capas de aluminio que ac-
túan de electrodos positivo y negativo.
CÉLULAS~ MÓDULOS FOTOVOLTAJCOS
FOTOVOLTA
jas resultantes y la pureza del silicio que se obtiene en el proceso de
fabricación.
• Desarrolladas por el fabricante Sunways, existen células so/ares traslúci-
das en las que , una vez que se han formado las obleas policristalinas , ex- Nanosoloar, empresa fundada con ca-
perimentan un proceso en el que se les practican hendiduras en la par- pital procedente de Google, ha aposta-
do por fabricar los módulos fotovoltaicos
te delantera y trasera. En los puntos en los que se cruzan las hendiduras
más baratos del mundo, a razón de un
aparecen agujeros microscópicos, que dejan pasar la luz solar, resultando dólar por vatio. Emplean la tecnología
por tanto una cél ula traslúcida . La eficiencia de estas células es ligera- de cobre-indio-galío-diselenio, que su-
mente más reducida. puestamente alcanza una eficiencia del
19,9% en el laboratorio, y dicen haber
desarrollado una suerte de «tinta semi-
3.1..6. Pérdidas y rendimiento conductora» que permitiría fabricar célu-
En la célula fotovoltaica tienen lugar una serie de pérdidas que limitan su las mediante un proceso de impresión.
rendimiento, de modo que solo es posible extraer una parte de la energía
solar que incide sobre ella:

• Sombra causada por la conexión eléct rica y reflexión de parte de la radia-


ción solar: 3%.

• Energía de los fotones demasiado baja como para romper el enlace del si-
licio y generar un par electrón-hueco: 22%.

• Energía de los fotones demasiado elevada para romper el enlace del sili-
cio: 30%.

• Pérdidas de energía debido a la recombinación de electrones y huecos:


8,5%.

Pérdida de tensión en la célula: 20%.

• Pérdidas en las resistencias: 0,5%.

Todo ello limita el rendimiento global de la célula fotoeléctrica a aproximada-


mente el 16%.

3.2. Módulos fotovoltaicos


Una célula solar típica posee en la actualidad una superficie de 243 centí-
metros cuadrados y produce aproximadamente una potencia cercana a los
4 vatios, con una tensión de 0,5 volt ios y una intens idad de entre 7 y 8
amperios. El escaso valor de la tensión y la potencia hace necesaria la co-
nexión de varias células en serie. Para ello. se suelda el conector superior
(negativo) de una célula con el conector inferior (positivo) de la siguiente.
Entre las células individuales se introduce un pequeño espacio de unos 2
mm, tal como muestra la Figura 3.8 .
Aunque la fotografía que aparece en el margen de la página sigu iente
nos muestra un proceso de so ldado manua l de células so la res, en la
producción en masa se emplean comúnmente máquinas para ello. A di-
ferencia de las células cristalinas, que deben soldarse una a una (ya sea
en un proceso manual o automatizado), las células de pel ícula fina se
conectan eléctricamente como parte del proceso de fabricación.
La mayor parte de los módulos o paneles fotovoltaicos posee entre 36 y 96
células conectadas en serie. En la primera época de las instalaciones foto- Figura 3.8. Conexión en serie de va-
voltaicas, su aplicación principal era las instalaciones aisladas, en las que rias células solares.
se empleaban baterías de 12 voltios para el almacenamiento de la energía.
-

3. CELULAS VMÓDULOS FOTOVOLTAICOS


FOTOVOLTA
Para asegurar un proceso de carga óptimo se empleaba una asociación en
serie de entre 36 y 40 células, que proporcionaba una tensión de salida de
17 voltios. En la actualidad , los módulos estándar llegan a entregar una po-
tencia de hasta 300 vatios, con unos valores de tensión que rondan habi-
tualmente los 30 voltios en el punto de máxima potencia.

Además de las célu las propiamente dichas, el panel debe contar con una
serie de elementos adicionales:

1 . Un aislamiento adecuado, para proteger las células frente a los agentes


atmosféricos y evitar que se dañen o se degraden.

2. Una consistencia mecánica que permita manipular el conjunto y propor-


cionarle la adecuada solidez.

3.2.1. Partes de un módulo fotovoltaico


El módulo fotovoltaico está compuesto por las siguientes partes:

Marco de aluminio

RECUERDA:

Cuando se conectan dos o más ele-


mentos de un circuito en serie, la in-
tensidad que circula por todos ellos es
la misma; la tensión, voltaje o diferen-
cia de potencial del circuito es la suma
de las tensiones de cada uno de los
elementos.

Por el contrario, cuando se conectan


• Cubierta frontal. Fabricada con vid rio templado y con un grosor de unos
dos o más elementos en paralelo, to-
tres o cuatro milímetros. debe ser buen transmisor de la radiación solar
dos ellos tienen la misma tensión; la
y prQteger contra los agentes atmosféricos. La superficie exterior de esta
intensidad total del circuito es igual a
cubierta es antirreflexiva y antiadherente.
la suma de las intensidades que cir-
culan por cada uno de los elementos. • Encapsulado. Para proporcionar solidez a las células, estas se insertan
en un material transparente que las aísla e léctricamente . Se emplean
cuat ro métodos de encapsulado: el de etileno vini l acetato (EVA), el de
butiral de polivini lo (PVB), el de teflón y el de resina. El encapsulado debe
permitir -al igual que la cubierta frontal- la transmisión de la radiación
solar y no degradarse con la luz ultravioleta.
• Cubierta posterior. Suele estar fabricada con poliflururo de vini lo (PVF)
o poliéster. Al igual que la cubierta frontal , sirve para proteger al módulo
frente a los agentes atmosféricos y para aislarlo eléctricamente.

• Marco. Fabricado en aluminio anodizado por la mayor parte de fabrican-


tes, sirve para proporcionar rigidez y resistencia al módulo, proporcionan-
do además un sistema de fijación. En la actualidad hay muchos modelos
de paneles que no poseen marco, principalmente los de capa fina.
FOTOVOLTA
• Conexiones. Se sitúan en la parte posterior del módulo, en una caja que
los protege del polvo . Estas cajas deben tener como mínimo una protec-
ción IP 54 . En el moment o del mont aje, se debe evitar t otalmente que
entre agua en la caja, lo que se logra med iante el uso de prensaesto-
pas. En la actual idad, lo más común es que los mód ulos, como los que
muestra la fotografía de la derecha, vengan provistos con cables y co-
nectores, diferentes pa ra cada polo, para hacer la instalación más fácil
y rápida. De este modo, la conexión entre los módulos se puede efec-
tuar de forma directa.

Los módulos solares como elementos arquitectónicos


En muchas ocasiones, los paneles solares se emplean en edificios y se
convierten así no solo en un dispositivo funcional para producir electricidad,
sino también en elementos arquitectónicos que deben integrarse estética-
mente en el inmueble del que forman parte.

En el mercado disponemos de una gran va riedad de módulos, con los que


arquitectos y diseñadores pueden componer (escogiendo diversos tipos
de tamaños , distribuciones y tipos de estructura) diversos diseños . Ele-
mentos ta les como el t ipo de célu la, su t amaño y forma , el formato del
material de encapsulación determinan la apariencia de l módulo, de modo
que pueden diseña rse módulos de diversos colores, t ranspa rencia, flexi-
bilidad o función estructural. El uso de módulos en fachadas, de pane les
semi-t ransparentes en ventanas, de módulos integrados con LEO para pro-
porcionar generación fotovoltaica de día e iluminación de noche, o el uso
de paneles integrados en estructuras que actúan como barreras de son ido
son sólo algunas de las mú ltiples aplicaciones que hoy se emplean en va-
rios lugares del mundo.

3.2.2. Fabricación de un módulo fotovoltaico

Arena
Dopado P Montaje
Reducción Lingote
1 monocristal Unión Soldado
1Silicio líquido J
Corte obleas Metalización Encapsulado

Antirreflexión

Silicio purificado Lámina fotovoltaica Célula solar Módulo fotovoltaico

La materia prima para la fabricación de células solares es, como ya hemos


mencionado, arena común tJ óxido de si licio (Si02 ) . Este compuesto debe
reducirse en primer lugar a silicio y se somete a continuación a un proceso
de purificación a t ravés de una destilación fraccionada. Esta es la fase más
cara del proceso y consume mucha energía.
Para fabricar un módu lo de silicio mono o pol icri stalino deberá seguirse
posteriormente un proceso de crista lización para formar un lingote cil ín-
3. CÉLULAS V MÓDUI OS FOTOVOLTAICOS
FOTOVOLTAI
drico de silicio cristalizado; estos lingotes se cortan posteriormente en
láminas, también denominadas obleas o wafers. Sobre estas láminas se
efectuarán posteriormente las operaciones de dopado para la formación
de la unión PN y la ubicación de Jos elec-trodos metálicos; en la última
fase se produce el soldado de las cé lulas y su montaje y encapsulación
en el módulo.

3.3. Magnitudes y características


Para representar las principa les magnitudes eléctricas de una célula so·
lar, imaginaremos una célula con una superficie de 243 centímetros cua·
drados que proporciona en sus conductores una tensión de aproximada-
mente 0,5 voltios y una intensidad proporcional a la luz del sol , hasta un
máximo de 7 u 8 amperios. A la célula se le puede acoplar una resistencia
variable, un amperímetro para medir la intensidad generada y un voltíme-
tro para cuantificar la diferencia de potencial que existe entre los termina-
les de la célula.
Para representar una célula fotoeléctrica o un módulo en un circuito se em-
plea el símbolo de la Figura 3 .9 .
Cuando la resistencia es infinita - o, en otras palabras, cuando abrimos
Figura 3.9. Símbolo de un módulo fo· el circuito- en los extremos de la célula mediremos la tensión de circuito
tovoltaico para diagramas
abierto (Voc o VcJ A la inversa, si la resistencia es nula, por el circuito circu-
eléctricos.
lará una corriente eléctrica denominada intensidad de cortocircuito (!se o 1) .
Esos valores de tensión e intensidad corresponden a los máximos teóricos
que puede proporcionar la célula. {Figura 3.10).

MPP(Punto
T= 25 ·e 3,5 de máxima 1,4
AM= 1 ,5 ~ potencia) pMPP
T= 1000 W/m2 3 1,2

1,0 ~
:;(/MPP
:; 2,5 .!!!
;:;;J
::>
:a:; :a:;
o 2 0,8 o
.!!! .!!!
<3>
"O
2 1,5 0,6 "'
"O
<=
Q) "'e:
·o
·g 0,4 ~
<..> Cl.
0,5 0,2
V
o o
o 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7
Tensión de la célula (V)

Figura 3 .10. Curvas características IV y PV por una célula de silicio cristalino. En


ella se observa la posición del punto de máxima potencia (MPP).

Si va riamos la resistencia entre cero e infinito, intensidad y tensión varían


siguiendo una curva que denominamos curva característica tensión-intensi-

- - dad o curva IN. Para una temperatura y nivel de irradiancia determinados,


el punto de trabajo (combinación de intensidad proporcionada y tensión de
la célula) está siempre situado en dicha curva. La resistencia del circuito al
que está conectado la célula determinará la ubicación del punto de trabajo
en la curva característica.
La forma de dichas curvas es diferente para cada t ipo de célula, tal como
podemos observar en la Figura 3.11.
3. C¡LULASY MóDULDSFDTDVOlTAICOS
FOTOVO LTA 1

1,0...---------- - -- - - - - - - - - - - - - - - - ,
Cristalino = 14,2%

0,3 0,4
Tensión (V)

Figura 3.1i. Comparación de las curvas características IV de células de silicio cris-


talino y silicio amorfo.

En realidad, la curva característica no es única, sino que varía con la tempe-


ratura y con la iluminación o radiación incidente, con lo que, en realidad, para
cada célula fotovoltaica disponemos de una familia de curvas características.
3.4

g 2,5
.2
::>
:8 2
E
Q;
"O
.l!!
e:
1,5
Q)
.E
o
(.)

0,5

o
o 5 10 1~ 20 25
Rango de VMPP
Tensión del módulo (V)
Figura 3 .1.2. Curvas características IV para diversos vectores de irradiación. a tem-
peratura constante.
RECUERDA:
3.3.1 . Cálculo de la potencia
El punto de trabajo de una célula solar se sitúa siempre sobre una de sus La potencia máxima (Pm~> o Pmpp) O
curvas características. En dicho punto, la potencia es igual al producto de la potencia de pico de la célula es la
tensión por la intensidad: potencia que esta es capa z de pro-
porcionar en condiciones estándar
de medida (STC: Standard Test Con-
ditions): temperatura de la célula de
donde PL es la potencia entregada por la célula, VL la tensión en el receptor 25 °C e irradiancia de 1000 W/m 2
conectado a la célula e IL la intensidad entregada por la misma. con espectro AM1,5. En la realidad,
Junto con la curva característica J.v podemos representar también -habi- es poco frecuente que la célula lle-
tualmente en la misma gráfica- la curva P-V. en la que observamos un pun- gue a proporcionar la potencia de pi-
to de potencia máxima, que corresponde a unos valores de tensión e inten- co, entre otras razones debido a que
con la radiación del Sol su tempera-
sidad que denotaremOS COmO VmPO e JmPO' respectivamente, SiendO:
tura aument a y, con ello, su eficien-
cia desciende.
3. cRULASY MOOUlOSIDTOVOlTAIC<lS 1

Se denomina factor de forma al cociente entre dicha potencia máxima y el


producto de la tensión de circuito abierto por la intensidad de cortocircuito.

El factor de forma es siempre inferior a la unidad y es un parámetro de la


calidad de la célula. En el caso de las cé lulas cristalinas, el factor de for-
ma está situado entre O, 7 y 0 ,85; para células solares amorfas, entre 0 ,5 y
O, 7. En la ilustración de la Figura 3 .13 podemos observar una definición grá-
fica del concepto de factor de forma .

3,4

/K
3 ?-------~~==~~===------¡
IMPP Área A - - - M PP
2,5
< Área 8
.:a.,"'

-
<.)

..!ll
"'
'O
~ 1,5
Q)
-e:
o
<..)

Área 8
Factor de forma= Área A
0,5

Voc
0+-----~----~----~----~.-----o-----~----~
O ~ ~ ~ ~ ~V ~ ~
MPP
Tensión de la célula M

Figura 3.1.3. Definición del factor de forma en una célula fotovoltaica.

Se denomina rendimiento o eficiencia al porcentaj e de la energía solar reci-


bida que se convierte en energía eléctrica. Es igual al cociente entre la po-
tencia máxima y el producto del área superficial de la célula por la irradian-
cía que incide sobre ella en condiciones estándar de medida:

P . V x 1
h = ___!!!!!L_= FF X oc se
G x Ac G x Ac

Caso rnáctico
Un módulo fotovoltaico posee una potencia máxima de 162 vatios y está formado por 48 células cuadradas de 155 mm.
¿Cuál es la eficiencia de la célula?

La potencia de cada una de las células la calcularemos dividiendo la potencia total del módulo por el número de células que contíene:
'
p = PM = 162W = 3,375W
e N 48

El área de cada célula será de 1.552 mm 2 . Para pasarlo a metros, deberemos multiplicar dicha magnitud por 10-e. Por tanto:
= Pmáx = 3,375 x 100 = 14,05%
r¡ G X Ac 1.000 X 1552 X 10- 6
L
FOTOVOLTA
Tal como hemos visto, el módulo fotovoltaico está formado por células co-
nectadas entre sí. Supongamos que todas las células operan bajo las mis-
mas condiciones de irradiancia y temperatura . En ese caso, la tensión que
proporciona el módulo es igual al producto de la' tensión de cada célula por
el número de células conectadas en serie,

La intensidad del módulo es igual al producto de las células o ramas conec-


tadas en paralelo por la intensidad proporcionada por cada rama:

Finalmente, la potencia proporcionada por el módulo es igual al producto de


la potencia de cada célula por el número de células conectadas en serie. Si
conectamos varios módulos en paralelo, la potencia tota l de la instalación
será igual a la potencia de los módulos por,..el número de ramas en paralelo.
De ese modo, podemos calcular la potencia de toda la instalación como:

CASO PRÁCTICO 3.2


En una pequeña instalación fotovoltaica disponemos de dos módulos conectados en paralelo. cada uno de los cuales posee
60 células conectadas en serie. En un momento dado, las células están proporcionando una corriente de 4 ,3 amperios a una
tensión de 0,5 voltios. ¿Cuál es la potencia que proporciona la instalación?

Solución:

En este caso, tendremos que N5 = 60 y NP= 2, mientras que Pe se calculará multiplicando la tensión por la corriente de la célula:

Pr;= le x Uc = 4,3 x 0 ,5 = 0,5 = 2,15 W P1 = N5 X NP x Pe= 60 x 2 x 2,15 = 258 W


-----------------------------------------------.-- ------~

3.3.2. Hojas de características (


Los principales parámetros eléctricos que proporcionan los fabricantes de
módulos fotovolta icos son la corriente de cortocircuito, la tensión a circu ito
abierto y la potencia máxima (o potencia de pico) que es capaz de entregar
el módu lo, habitualmente con una tolerancia de entre ±3% y ± 5%.
Cuando el Sol incide sobre la célula con la intensidad especificada , la tem-
peratura de esta sube por encima de los 25 oc. Por esa razón. la hoja de
características suele especificar también la temperatura de operación nomi-
nal de la célula (TONC o NOTC en inglés). Se trata de la temperatura que ad-
quirirá el módu lo en condiciones estándar de trabajo; por tanto, es un indi-
cador de su capacidad para disipar el calor.
La TONC se determina para un nivel de irradiancia de 800 W/m 2 , una tem-
peratura ambiente de 20 oc y una velocidad del viento de 1 m;s. A partir
del dato de la TONC, la irradiancia y la temperatura ambiente calcularemos
la temperatura de trabajo de la célula según la siguiente ecuación:

T
e
=T
a+
G x TONC - 20
800
- -
FOTOVOLTA
r;.
donde Te es la temperatura de trabajo de la célula, es la temperatura am-
biente (ambas expresadas en grados centígrados) y G es la irradiancia. Di-
cha fórmula es aproximada y en muchas ocasiones la temperatura de traba-
jo de la célula se estima o bien se observa empíricamente con ayuda de un
termómetro infrarrojo o una cámara termográfica .

El módulo BP3160X S , fabricado por BP Solar, tiene una NOTC de 47 °C. ¿Qué
temperatura de trabajo alcanzarán sus células con una irradiancia de 1000 W/
~ y una temperatura ambiente de 18 oc_?_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _-!

1 '" ~ 1r
Con la fórmula que hemos enunciado anteriormente calcularemos T0 :

T = T Gx TONC - 2 0 = 18 1.000 x 47 - 20 =53 75 °C


e a+ 800 + 800 '

- - Además de los datos eléctricos, la hoja de características proporciona infor-


mación sobre las dimensiones, peso, valores límite de temperatura y ten-
sión mecánica, junto con los coeficientes según los cuales la potencia máxi-
ma, la tensión de circuito abierto y la corriente de cortocircuito varían con
respecto a la temperatura.
En la página siguiente vemos un ejemplo de una hoja de características (data
sheet), del módulo NDQ2E3E/ND162E1 de la empresa Sharp. Como podemos
observar, dicha hoja contiene diversa información agrupada en varias tablas:
• En primer lugar, en la esquina superior izquierda tenemos una informa-
ción general sobre las características del módulo: tipo de célu las. super·
ficie, tensión máxima , potencia nominal, dimensiones, peso y tipo de co-
nectores ..
• A su derecha, observamos las condiciones ambientales en las que el mó-
dulo debe trabajar: así, en nuestro ejemplo, la temperatura de operación no
debe nunca superar los 90 oc ni caer por debajo de los -40 °C.
• Inmediatamente debajo de la anterior se reseñan los coeficientes de tem-
peratura para el módulo; con ellos podemos calcular, para una determina-
da temperatura de trabajo de la célula, los valores de lsc, de Vex: y de Pma• del
módulo. El parámetro que más varía con la temperatura es la tensión de
circuito abierto. Es importante, como veremos en el Capítulo 5 , estimarla
adecuadamente para el rango de temperaturas al que se prevé que trabaje
el módulo, de cara al dimensionamiento del inversor; si la temperatura as·

d~ La mayor parte de los fabrican-


ciende por encima de lo previsto, es posible que la tensión supere el valor
admisible del inversor y lo dañe irreparablemente. En el apartado Práctica
profesional veremos cómo emplear estos coeficientes.
tes de módulos fotovoltaicos tienen las
hojas de características de sus pane- • La parte central de la hoja está formada por los datos eléctricos del mó-
les publicadas en internet. También dulo: Voc, VMPP' /se' IMPP' P máx Yr¡.
existen algunos sitios web que dispo-
nen de bases de datos en las que po- • Las gráficas inferiores nos informan de las características del módulo: grá-
demos consultar las características de ficas /-V y P-V para diversos valores de irradiancia, variación de la tensión
módulos de diversas marcas y compa- de circuito abierto y la corriente de cortocircuito con respecto a la irradian-
rarlas. Una de ellas es: '·e
cía y variación de Voc' y pm~x con respecto a la temperatura.
http www phu on lf1fOJplloton • Finalmente, disponemos de información detallada con respecto a las di-
s1tc ab solarmodule eu photon mensiones y las posibles aplicaciones del módulo.
FOTOVOLT

Especificaciones Condiciones ambientales


Parámetros ""' Rango Unidades
Células fotovolta!cas pollcñstalinas
Célula Temperatura de operación
cuadradas de 155,5 mm - 40a +90
Número de células y conexión 48en serie Temperatura de alma<:enaje -40 a +90

Tensión máxima del sistema 1000VOC Humedad de almacenaje másdo90

Potencia nominal 162W

Dimensiones 1 ,318~994 x46mm

Peso 1601cg

Tipo de terminal de salida Conductores con conector afm -0.485%/"C

+0.053%/"C

aVoc - 104mVI'C

Datos eléctricos
Pa!ámotros Sfmbolo Mfn. Tomp. Unidades

Tensión de circuito abierto Voc 28.4 V

Tensión de máxima potencia v.,., 22.8 V

Corriente de cortocircuito 1.., 7.92 A

Corriente de máxima potencia ..... 7.11 A

Potencia nominal Pm 153.9 152.0 w


Rendimiento del módulo ~m 12.4 o/o
Oa1ca e.Jéctricos medldoe ba,IG STC (Condii:lonM Cstjftdat Cle M!d\da): Raeltadón oe tOOO W!m2 ()00 espectroAM 1,5 y ~tura de la <:é!Uia de 25-c

~ ~~---- . - - -

Curvas características 0Rciones~a_e_ ~J:>!Lc~ción ~


Curvas dé lntensi:Sad Curvas ceraderfa.tic:as de Voc,, tsc • Sistemas residenciales conectados a la red
y fXICOncla • tensloo y Pm notmaliZadas. • temperatuta
(temperatura de le oélula: 2s-t)
.. de la céltJils
• Edificios de oficinas

'....
1 ... ,..,...,.....,.""T--,r-1
....., ....,
"" \W..;,.¡
....,
.....
1
g ·~ ~-~--~~~~~
~ IC ~~·~·=~~,,~~~-~-~
• Huertos solares

~ .. HH-1'~
""?~.;;;-¡....__
• Residencias solares
1/
....1
:_- 1

• ViViendas de montaña

,
V/- .. ... "'1-+-+-1--t-1-1
j "' l--+-+-+-+-1--1 • Equipamiento de iluminación
o
0 S t01520 t.S
"'o
30
>8 '" 1-+-+-++-1--1 • Sel\allzaeión de lráfico
•.,. ..
J::-..,-:--;,,....,,.!:-:'::,.,...:,.:-:~.
,
lensiQfl {V) - tntensided~tenslón. tamperatuta de la c:61.... ('Cf
- Pcxenci•te!'lsiOn
• Repetidores de radio

• Faros marinos

Dimensiones exteriores -_ - -----== _ ---~~~~~~ • Sistemas de telemadida

1.31&
• Sistemas de telecomunicaciones

/ """'
~ ~tnte 1

- - ¡--
~.
(1 _

L.
m;

'
.....1. .
3. CEl.UlASY MODULOSFDTOVOLTA/C<!S 1

FOTOVOLTA
3 .4 . Los costes de la energía solar fotovoltaica
Como toda tecnología innovadora, en sus inicios la generación de electrici-
dad mediante paneles fotovoltaicos ha tenido un coste elevado. La inversión
de investigación y desarrollo y la producción en masa de células y módulos
solares, j unto con las innovaciones en los demás elementos que componen
una instalación solar (inversores , estructuras, cableado, etcétera) ha hecho
descender considerablemente los costes. Para medirlos se emplea común-
mente el precio (generalmente en euros o en dólares) por vatio pico (es de·
cir, por vatio de potencia máxima). El gráfico siguiente muestra la evolución
del precio de los módulos fotovoltaicos; en ellos se observa claramente una
tendencia descendente a medida que aumenta la potencia fotovoltaica ins-
ta lada en el mundo. Las variaciones en los precios de las tarifas eléctricas,
sujetas en algunos países a primas especiales, explican también en parte
las oscilaciones de los precios.

10 100 1.000 10.000 100.000


Potencia acumulada MWp

..._..... Previsión
3. ctUJLAS YMÓDULOS FDTDVOLTAICOS
FOTOVOLTA 1

Prácticas profesionales
3 .1. Cómo interpretar una hoja de características

En esta práctica queremos: Calcular gráficamente la potencia proporcionada por una célula a diferentes tem-
peraturas de trabajo.
Para ello necesitamos: Disponer de la hoja de datos o características de la célula y conocer la temperatura de
trabajo de la célula. Emplearemos una hoja de características de la empresa Sunways Solar Cel/s, que propor-
ciona para sus células policristalinas las curvas /-V que reproducimos en la figura. Para efectuar el cálculo gráfi-
co nos será de gran ayuda disponer de escuadra y cartabón.

~ 10 0:: 1,0 -10


_..-' ~
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\
~ - 4000W~) f- - "''=
- 8 00Wim 1 l ~ o.• 1 - <O"C \
- 200 Wtm'
0,3 1 - f- -
1-
50"C
60"C \
0,2

0.1 V \
\. 1 \ 11\
0. 1 0.2 0.1 0.4 o.s 0.6 0.1 lOO 4 00 SO() 600 700 801) 9CO 1000 1100 1200 o.1 0.2 0 .1 o.• o.s o.e; 0.1
Tensión (V) Longitud de onda tnml Tensión [V)
Comportamiento de 1-Va varios grados de Curva de sensibílidad espectral Comportamiento de 1-Vpara varias temperaturas
intensidad de lrradiancia

Debemos tener en cuenta que: En la práctica . el inversor de una instalación , que actúa como una fuente de co-
rriente, • impone• a la célu la la intensidad que debe proporcionar, procurando que trabaje siempre en el punto
de máxima potencia. Dicha intensidad determina la tensión y con ello, la potencia ent regada por la célula.
Desarrollamos y resolvemos la práctica: Si en un determinado momento el módulo estuviese proporcionando
una intensidad de 4 amperios, ¿cuál sería la potencia suministrada por la célula para una temperatura de tra-
bajo de 60 •e? ¿Y para una temperatura de trabajo de 25 •e?
Para calcular dicha potencia deberemos conocer en primer lugar la tensión de salida de la célula . Aquí acudire-
mos a las curvas características y veremos que, para una intensidad de 4 A, la tensión a 60 °C es de 0,5 V y a
25 °C, de aproximadamente 0,56 V. Con ello:
P60 X 4 X 0 ,5 = 2 W

P25 = 4 X 0,56 = 2 ,24 W


Con ello observamos cómo el aumento de la temperatura de trabajo de la célula hace disminuir la potencia en-
tregada. ·

En esta práctica queremos: Calcular cómo la variación de temperatura influye en la corriente de cortocircuito,
la tensión de circuito abierto y la potencia máxima de la célula.
Para ello necesitamos: Hoja de características del módulo fotovoltaico y temperatura de trabajo de la célula.
Tomaremos la hoja de características del módulo NDQ2E3E/ND162E1 de Sharp.
Debemos tener en cuenta que: Las propiedades eléctricas de una célula fotovoltaica varían con la temperatu-
ra. La característica que más se ve influida por ella es la tensión. Cuando se dimensiona una instalación foto-
voltaica, es importante tener en cuenta esta variación para evitar posibles daños en el inversor.
3. CÉlULAS V MÓDULOS FOTOVOLTAICOS
FOTOVOLTA
Desarrollamos y resolvemos la práctica: Tomemos la hoja de características mencionada y veremos que:

aVoc = -104 mv;oc


Este dato nos indica que la tensión de circuito abierto desciende a medida que aumenta la temperatura de tra-
bajo de la célula. En la misma hoja de características podemos observar también una gráfica en la que se re-
presenta la variación de Pm, /se y Voc con la temperatura .
tl.T = 25 - (-10) = 35 oc
de 25 - (-10) oc = 35 °C. Para calcular la tensión de circuito abierto en esas circunstancias emplearemos la
siguiente fórmula:
Voc= Voc(STC) + aVoc X tl.T = 28,4 + (- 0,104 X 35) = 32,04 V
El dimensionamiento de la instalación deberá efectuarse teniendo en cuenta la tensión de vacío a dicha tempe-
ratura de trabajo.

• 1 • • • • 1
la tensión de circuito abierto

En esta práctica queremos: En ocasiones, será preciso medir sobre el terreno los valores de la tensión de cir-
cuito abierto y la corriente de cortocircuito de un panel , para comprobar que este funciona correctamente o
para comparar sus valores con los que proporciona el fabricante.
Para ello necesitamos: Para medir la tensión de circuito abierto o tensión de vacío, conectaremos el voltímetro
o mu ltímetro a los conectores del módulo. Para medir la corriente de cortocircuito, conectaremos el amperíme-
tro. La corriente también puede medirse mediante una pinza amperimétrica; bastará cortocircuitar los termina-
les del módulo y disponerla sobre ellos para medir la corriente.

Figura 3.14. Pinza amperimétrica

Figura 3.13. Multímetro digital con el


selector situado para medir tensión en
continua .

_ ,., Debemos tener en cuenta: El selector del multímetro


debe estar en continua para medir la tensión de cir-
cuito abierto y la corriente de cortocircuito; también
Módulo
fot011oltalco debemos situarlo en la escala apropiada para que
nos proporcione una medida significativa. En la hoja
de características el fabricante proporciona una Voc
de 28,4 V; el selector del multímetro de la fotografía,
por tanto, debería situarse en 40 V.

Para medir la corriente de cortocircuito conectaremos un amperímetro con el módulo fotovoltaico; al tratarse
de un simple dipolo, la conexión del amperímetro y el voltímetro son idénticas. Si disponemos de un multímetro
debe situarse el selector en corriente continua y en la escala adecuada para la corriente que deseamos medir.
Si disponemos de una pinza amperimétrica, bastará cortocircuitar los terminales del módulo y disponerla sobre
ellos para medir la corriente.
FOTOVOLTA

Mapa conceptual

Radiación del Sol

Incide sobre

Parámetros
principales Células solares r--+ Módulos fotovoltalcos
1IIC Vca P...,.,

Cálculo o Efecto fotovoltaico


consulta en

Tablas y curvas
de caracteristlcas [ ~PN ] Instalaciones fotovoltalcas

¡ •
FOTOVOLTA

Cuestiones
3.1 . El t fec•c.. fotovolta1co 3.6 . Si unimos en serie cinco paneles cuya corrien-
a) Es una propiedad de los átomos metálicos. te de cortocircuito es de 7,92 amperios. ¿qué
corriente mediremos en los extremos de dicha
b) Es una propiedad de ciertos materiales se-
asoc1ac1ón en sene?
miconductores como el silicio.
e) Lo poseen ciertos gases nobles. a) 7,92 amperios.
d) Es un efecto cuyo origen está aún poco es- b) No es posible efectuar dicha medida.
tudiado. e) 39,6 amperios.
3.2. El dopadu ~S d) Todas las opciones anteriores son falsas.
a) Un proceso de introducción de átomos de 3.7. S1 efectuamos una Instalación conectando en
impurezas en el material semiconductor. serie seis paneles cuya potencia máxima es de
b) Un proceso que produce capas de tipo N y 223 vatiOS. ¿cual será la potencia máxima pro-
tipo P. porc1onada por la instalactón?
e) Un proceso imprescindible para utilizar el a) 223 vatios.
efecto fotoeléctrico como forma de genera- b) 1.338 vatios.
ción de electricidad. e) 111,5 vatios.
d) Todas las respuestas anteriores son cier-
d) Todas las respuestas anteriores son falsas.
tas.
3 .8 . (.Qué es la NOTC o TONC?
3.3. El ~'' '' 1c p 11 elemento con el que se fabncan las
relu as solares es el: a) La temperatura máxima a la que puede ope-
rar la célula.
a) Boro.
b) La temperatura ambiente a la que la célula
b) Antimonio.
produce su máxima potencia.
e) Indio.
e) La temperatura q ue alcanza la célula bajo
d) Silicio. condiciones estándar de temperatura , irra-
3 .4 ~Qué es •a eficienda d~;; uno :elula solar? diancia y espectro.
a) La corriente que circula por ella cuando el d) Ninguna de las anteriores.
Sol brilla con su máxima intensidad. 3 .9 . ¿Qué elementos determinan la hoja de caracte-
b) La tensión que hay en sus conductores en rísticas de un módulo fotovoltaico?
el punto de máxima potencia.
a) Las dimensiones del panel.
e) La cantidad máxima de potencia que puede
b) Sus coeficientes de temperatura.
proporcionar.
e) Sus características eléctricas.
d) Todas las respuestas son falsas.
d) Todos los elementos anteriores, entre otros.
3.5 . ,Ct.éi es :;0'1 o"' t ;Jos re ct.llll s solares que
1s 1 eser r 1 ttenf' 1 en t>' ¡•1ercado? 3.10. ¿Qué es el factor de forma de una célula?
a) Las policristalinas y las de arseniuro de ga- a) El rendimiento de la misma.
lío. b} La relación entre la potencia de la célula y
b} Las monocristalinas y las CIS. la que ésta entrega a la red.
e) Las policristalinas. las monocristalinas y las e) El producto de la corriente de cortocircuito
tecnologías de capa fina. por la tensión a circuito abierto.
d) Todas las respuestas anteriores son cier- d) Un parámetro que permite evaluar la cali-
tas. dad de una célula.
FOTOVOLTA

Actividades de aplicación
3 .1. ¿Conoces alguna otra aplicación del efecto foto- a una tensión de 0 ,5 V y una irradiancia de 800
eléctrico además de la producción de electrici- W/m 2 ·
dad? 3 .8 . El módulo fotovoltaico A-180 M de la empresa
3 .2. Explica brevemente la razón por la que en los Atersa tiene los siguientes coeficientes de va-
módulos conectan en serie las células solares . riación térmica:
3 .3 . Si la tensión de circuito abierto de un panel es t:.v"" = - 0 ,34 %;oc :
de 28,4 V, su corriente de cortocircuito es de
6/sc = 0 ,09 %/°C;
7,92 A y posee 48 células solares, ¿cuál será
la tensión de vacío de cada una de ellas? t:.Pmpp = - 0 ,37 %¡oC

3 .4 . Supongamos que se conectan cinco paneles (Observa que las variaciones están expresadas
como los anteriores en paralelo. ¿Cuál será la en forma de porcentaje). Calcula los valores de
tensión de la insta lación? ¿Y s u corriente de la tensión de vacío y la corriente de cortocircui·
co rtoci rcu ito? to a una tem peratura de Ln::tbajo de 59 oc, Le-
niendo en cuenta que:
3 .5 . La célula CA508000 de Sunways Solar Cel/s es
cu?drada, de lado 156 mm y su rendimiento es Voc = 44 V; /se = 5,3 A
de 16,5 %. ¿Cuál es su potencia máxima? 3.9 . El módulo fotovoltaico de la actividad de apl i-
3 .6 . La corriente de cortocircuito de la célula anterior cación 3.8 posee una NOTC de 47 °C. ¿Cuál
es de 8 ,27 A; su tensión de vacío, de 623 mV. será la temperatura de trabajo de la célula para
¿Cuál es su factor de forma? una temperatura ambiente de 19 oc y una irra-
3.7. Fijándote en las curvas características de diancia de 910 Wj m2 ?
Sunways Solar Cells (apartado Práctica Profesio- 3.10. Explica las principales diferenc ias de la co-
nal), calcula la potencia que entregará la célula nexión en serie y en paralelo.

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