Unidad 3: Fase 3 - Implementar el elemento de control y la protección contra

corto circuito

Presentado Por:
Jorge Ivan Mendieta Muñoz Código 5826178
Emmanuel Dominguez, Código 03701011680
Sergio David Acosta Ortiz Código 1071550086
Francisco Ortiz Pulido Código 7160950

Docente: JAIRO LUIS GUTIÉRREZ

Código De Grupo: 243006_25

UNIVERSIDAD NACIONAL Y A DISTANCIA (UNAD)

ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS, TECNOLOGÍA E INGENIERÍA
CEAD JOSÉ ACEVEDO Y GÓMEZ
BOGOTÁ D.C 12 de MAYO de 2018
 Tabla de contenido

Introducción ........................................................................................ 1
Objetivos ............................................................................................. 2
Desarrollo de la actividad ....................................................................... 3
Conclusiones ....................................................................................... 7
Bibliografía .......................................................................................... 8
 INTRODUCCIÓN

La electrónica análoga es una rama de la electrónica que estudia cuyas

variables, varían de una forma continua en el tiempo y pueden tomar valores
infinitos.

Se utilizan circuitos integrados que manejan corriente alterna y corriente

directa que con una serie de leyes y conceptos pueden hacer que estas
corrientes trabajen de una manera correcta realizando conversiones en la
entrada como en la salida.

En esta tercera fase se conocerá y comprenderá adecuadamente los

principios de funcionamiento y aplicación de dispositivos semiconductores
como lo son los amplificadores operacionales para el desarrollo y
mantenimiento de sistemas electrónicos análogos, Circuitos básicos y
Circuitos de propósito especial.

Cada estudiante realizara aportes significativos que serán de gran utilidad

para la construcción del trabajo final.

1
 OBJETIVOS

Objetivos General
Conocer y comprender los principios de funcionamiento y aplicación de
dispositivos semiconductores como lo son los amplificadores operacionales,
Circuitos básicos y Circuitos de propósito especial.

Objetivos Específicos
✓ Realizar aportes significativos para el desarrollo de la actividad
colaborativa.
✓ Socializar los aportes en el foro colaborativo con el fin de construir un solo
trabajo.
✓ Observar la hoja característica del Transistor 2N6059 completar los datos
que corresponden.
✓ Implementar el elemento de control y la protección contra corto circuito.
✓ Calcular el valor de la potencia disipada en el transistor.
✓ calcular el valor de la resistencia de la carga.

2
 El elemento de control
El amplificador operacional no tiene la propiedad de poder manejar gran
corriente en su salida es por ello que al diseñar un circuito regulador de
tensión se emplean transistores como elementos para el control de la carga,
los transistores ofrecen la solución para lograr tener corrientes altas en la
carga.

Para el diseño de la fuente de alimentación se solicita se emplee un

transistor Darlington y en las librerías de componentes de PSpice se cuenta
con el transistor Darlington cuyo número de referencia es 2N6059 es
necesario comprobar si este transistor es adecuado usarlo en el diseño del
regulador serie teniendo en cuenta los parámetros de la hoja de
características dada por el fabricante frente a los requerimientos del diseño.

3.1 De la hoja característica del Transistor 2N6059 completar la siguiente

tabla:

3
 IC hfe VCEO Ptot IB

12A Min 100V 100 v 150w 0.2A

En donde
𝐼𝐶 = 𝑒𝑠 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
ℎ𝐹𝐸 = 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑔𝑎𝑛𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑖𝑟𝑒𝑐𝑡𝑎 𝑒𝑛 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚ú𝑛
𝑉𝐶𝐸𝑂 = 𝑒𝑠 𝑒𝑙 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑜 𝑑𝑒𝑙 𝑐𝑜𝑙𝑒𝑐𝑡𝑜𝑟 𝑎𝑙 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟
𝑃𝑡𝑜𝑡 = 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑝𝑜𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑚á𝑥𝑖𝑚𝑎 𝑑𝑖𝑠𝑖𝑝𝑎𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑡𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
𝐼𝐵 = 𝑒𝑠 𝑙𝑎 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒

3.2 Teniendo en cuenta que se requiere una corriente de carga I L= 850mA y

se conoce también el voltaje de salida regulado calcular el valor de la
resistencia de carga RL

4
 𝑉
𝑓𝑜𝑟𝑚𝑢𝑙𝑎: 𝑅𝐿 =
𝐼
𝒓𝒆𝒆𝒎𝒑𝒍𝒂𝒛𝒂𝒎𝒐𝒔 𝒗𝒂𝒍𝒐𝒓𝒆𝒔
𝟗𝑽
𝑹𝑳 =
𝟎. 𝟖𝟓𝑨

𝑹𝑳 = 𝟏𝟎. 𝟓𝟖𝜴

RL

𝟏𝟎. 𝟓𝟖𝜴

3.3 con el objetivo de conocer si el transistor 2N6059 soporta la potencia

que se disipara para una corriente de carga de 850mA o calcular el valor de
la potencia disipada en el transistor teniendo en cuenta las siguientes
formulas:

PD= VCE ∙IL VCE = VS - Vsal

𝑰𝑳 = 𝟖𝟓𝟎𝒎𝑨
𝑽𝒔𝒂𝒍 = 9𝑽
𝑽𝒔 = 𝟏𝟖. 𝟔𝑽
𝐴ℎ𝑜𝑟𝑎 ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝑠 − 𝑉𝑠𝑎𝑙
𝑉𝐶𝐸 = 18.6𝑉 − 9𝑉
𝑉𝐶𝐸 = 9.6𝑉
𝐴ℎ𝑜𝑟𝑎 ℎ𝑎𝑙𝑙𝑎𝑚𝑜𝑠 𝑃𝐷 = 𝑉𝐶𝐸 ∗ 𝑰𝑳
𝑃𝐷 = 9.6𝑉 ∗ 0.85𝐴
𝑃𝐷 = 8.16𝑤

PD

𝟖. 𝟏𝟔𝒘

5
3.4 Luego ya se puede afirmar si el transistor 2N6059 es apto para usarse
en la práctica o no “justifique su respuesta”:

Si No
x

De acuerdo con el datashet u hoja de cálculo expedido por el fabricante es

apto para el uso en el presente circuito ya que soporta por el valor obtenido
que es menor en la protección contra corto circuito.

La protección contra corto circuito

Fig No.4
Finalmente, con el objetivo de proteger los dispositivos que conforman la
fuente de alimentación es necesaria la implementación de alguna técnica de
protección contra corto circuito, es por ello por lo que se usará el arreglo de
limitación constante de corriente el cual para este diseño se limitará a 980
mA la máxima corriente a circular en la carga ISL

6
3.5 Calcule el valor de Rlim:
DATOS
𝑣𝐸 = 𝑣𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑏𝑎𝑠𝑒 𝑒𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 ⇒ 0.7𝑉
𝐿𝐶 = 𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒 ⇒ 980𝑚𝐴 ⇒ 0.98𝐴

Usaremos la formula
𝑣𝐸
Isl =
𝐿𝐶
0.7𝑉
Isl =
0.98𝐴
Isl = 0.714Ω

Rlim

𝟎. 𝟕𝟏𝟒𝛀

3.6. Explique cómo funciona esta técnica de protección y cuál es su principal

desventaja.

Este circuito funciona con un Amplificador Operacional el cual es el

responsable de realizar la detención y corrección del error, el voltaje de
referencia proporcionado por el diodo zener provocan que las resistencias R1
y R2 activen el transistor Q1, si la corriente disminuye o aumenta entonces
el transistor Q2 limitara la corriente que llega a la carga.

Se define como corto circuito a partes de un circuito eléctrico, que tiene una
tensión entre sí, sin ninguna impedancia eléctrica entre ellos, entonces
teniendo en cuenta la ley de ohm al ser una impedancia cero hace que la
intensidad sea infinita lo cual sería un riesgo para la para la integridad de los
conductores, esto es porque la intensidad que produce el circuito queda
amortiguada por cualquier resistencia de los conductores que, aunque sea
pequeña nunca genera valores cero.

7
Como ejemplo podemos dar:

𝑣
𝐼=
𝑧
𝑍 𝑒𝑠 𝑐𝑒𝑟𝑜 𝑒𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠 𝐼 = 𝑖𝑛𝑓𝑖𝑛𝑖𝑡𝑜

Entonces en todo circuito eléctrico por ley se debe colocar un componente de

protección, claro teniendo en cuenta la intensidad de cortocircuito.

SIMULACION REALIZADA EN PROTEUS

8
 Conclusiones

✓ Con esta actividad adquirimos las competencias necesarias para

comprender adecuadamente los principios de funcionamiento y aplicación
de dispositivos semiconductores como los amplificadores operacionales.
✓ Se realizó aportes significativos para el desarrollo de la actividad
colaborativa.
✓ Se socializó los aportes en el foro colaborativo con el fin de construir un
solo trabajo.
✓ Se analizó características de las tablas de los fabricantes para el
Transistor 2N6059.

9
 Bibliografía

Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 81 - 107). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?pp
g=102&docID=11013154&tm=1481146244120

Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 108 - 114). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=129
&docID=11013154&tm=1482099868333

Mijarez, R. (2014). Electrónica (pp. 115 - 122). Recuperado de

http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=136
&docID=11013154&tm=1482099944106

Suardiaz, J. (Productor). (2012). OVI Solución ejercicio de amplificadores

operacionales. [Video] Recuperado de
https://www.youtube.com/watch?v=FYqkaNWGpMU&t=47s

Williams, A. (1988). Amplificadores operacionales: teoría y sus aplicaciones.

Recuperado de
http://bibliotecavirtual.unad.edu.co:2077/lib/unadsp/reader.action?ppg=1&d
ocID=10433902&tm=1482098389604

10