REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITÉCNICO SANTIAGO MARIÑO

EXTENSIÓN CABIMAS
CARRERA: (44) INGENIERIA ELECTRÓNICA

UNIDAD I: DIODOS Y
SEMICONDUCTORES.

Autor:
Márquez Jiménez, Brandor Antonio
C.I.: 24.266.634
Profesor: José Ratiga

Cabimas, Junio del 2018

 ESQUEMA.
1. CONDUCTORES.
2. SEMICONDUCTORES.
3. CRISTALES DE SILICIO.
4. ENERGIA TERMICA Y CREACION DE HUECOS.
5. CORRIENTE DE HUECOS.
6. RECOMBINACION.
7. PARES DE ELECTRON-HUECO.
8. IMPURIFICACION.
8.1. SEMICONDUCTORES TIPO P.
8.2. SEMICONDUCTORES TIPO N.
9. POLARIZACION DE DIODO.
10. POLARIZACION DIRECTA E INVERSA.
11. GRAFICA I-V DE DIODO.
12. DIODO ZENNER.
13. CIRCUITOS RECORTADORES.
14. CIRCUITOS SUJETADORES.
 INTRODUCCIÓN

Los investigadores en campos de la electrónica constantemente andan

en la búsqueda de nuevas formas de aprovechamiento de las diferentes
propiedades eléctricas de una gran variedad de sustancias y materiales
existentes, tratando de descubrir formas de fabricar dispositivos como chip
de computadoras con dimensiones cada vez más pequeñas y donde la
industria actualmente se ha enfocado en el desarrollo de estos elementos
por medio de ciencias como la nanotecnología y llegando a sorprendentes
avances en los procedimientos que se requiere para fabricar dispositivos
electrónicos en un nanoalambre con un diámetro de aproximadamente,100
nm.
En este sentido, pasan a ocupar gran importancia el estudio de las
propiedades eléctricas de los materiales tanto conductores como los
semiconductores y donde estos últimos se han vuelto cada vez más
necesarios para la industria electrónica, mostrando una alta capacidad para
fabricar y poner circuitos eléctricos extremadamente complejos en un solo
chip de silicio de casi 1 cm2 o menos y alrededor de 200 µm de espesor, lo
que ha revolucionado por completo el diseño y manufactura de incontables
productos. De tal manera que el presente informe se centrara en aspectos
que permitan ampliar o consolidar los conocimientos de la electrónica con
respecto a los semiconductores y los diodos.
 DESARROLLO

1. CONDUCTORES

Un conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el

calor y la electricidad. Como ejemplo se puede notar que entre los buenos
conductores se encuentran los metales y entre los malos tenemos materiales
como el vidrio, la madera, la lana y el aire. El conductor más utilizado y el que
ahora analizaremos es el Cobre (valencia 1), que es un buen conductor.

Para Malvino (2007, p. 28) el cobre es un buen conductor y la razón es

evidente si se tiene en cuenta su estructura atómica, la cual se muestra en la
siguiente figura:

El núcleo del átomo contiene 29 protones (cargas positivas). Cuando un

átomo de cobre tiene una carga neutra, quiere decir que hay 29 electrones
(cargas negativas) dispuestos alrededor del núcleo de forma similar a como
están dispuestos los planetas alrededor de Sol. Los electrones se mueven en
distintos orbitales (también denominados capas). En el primer orbital hay 2
electrones, en el segundo hay 8 electrones, en el tercero hay 18 electrones y 1
en el orbital más externo.

2. SEMICONDUCTORES

Para Chester L. Dawes (1989, p.27) los semiconductores pueden definirse

como sustancias cuya conductividad eléctrica a la temperatura ambiente es
mucho menor que la de los metales típicos, pero mucho mayor que la de los
aisladores típicos. Si bien no existen unos límites bien definidos entre los
conductores, semiconductores y aisladores, puede considerarse que la
resistividad de los segundos a la temperatura ambiente está comprendida entre
0,1 y 109 ohmios cm2-cm. Los semiconductores tienen, corrientemente un valor
elevado y negativo del coeficiente de temperatura de la resistencia. Cuando la
temperatura asiende de 0 a 300 °C, la resistividad baja en la relación de 1000 a
1,28 a 1 y de 2 a 1 en el platino.

Asimismo, Malvino (2007, p. 29) un semiconductor es un elemento con

propiedades eléctricas entre las de un conductor y un aislante. Como es lógico,
los mejores semiconductores tienen cuatro electrones de valencia. Un
componente semiconductor se define como un material sólido o líquido capaz
de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. Por
otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos
conductores.

En este sentido un semiconductor es un material aislante que, cuando se le

añaden ciertas sustancias o en un determinado contexto, se vuelve conductor.
Esto quiere decir que, de acuerdo a determinados factores, el semiconductor
actúa a modo de aislante o como conductor. Los semiconductores pueden ser
intrínsecos o extrínsecos.

Entre los diferentes tipos de materiales semiconductores podemos

encontrarnos con el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), estos
elementos constituyen un conjunto de los materiales semiconductores más
usados debido a que poseen características intermedias entre los cuerpos
conductores y los aislantes.

3. CRISTALES DE SILICIO

Es un proceso que se da cuando se combinan los átomos de Silicio para

formar un sólido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal.
Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre átomos
que se hacen compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un
equilibrio de fuerzas que mantiene unidos los átomos de Silicio.

Vamos a representar un cristal de silicio de la

siguiente forma:

Cada átomo de silicio comparte sus 4 electrones

de valencia con los átomos vecinos, de tal manera
que tiene 8 electrones en la órbita de valencia,
como se ve en la figura.
La fuerza del enlace covalente es tan grande porque son 8 los electrones que
quedan (aunque sean compartidos) con cada átomo, gracias a esta
característica los enlaces covalentes son de una gran solidez.

Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar fuertemente

unidos en los átomos.

El aumento de la temperatura hace que

los átomos en un cristal de silicio vibren
dentro de él, a mayor temperatura mayor
será la vibración. Con lo que un electrón se
puede liberar de su órbita, lo que deja un
hueco, que a su vez atraerá otro electrón,
etc...

A 0 ºK, todos los electrones son ligados. A 300 ºK o más, aparecen electrones
libres.

Esta unión de un electrón libre y un hueco se llama

"recombinación", y el tiempo entre la creación y desaparición de un
electrón libre se denomina "tiempo de vida".

Enlace covalente roto: Es cuando tenemos un hueco, esto es

una generación de pares electrón libre-hueco.

Según un convenio ampliamente aceptado tomaremos la dirección de la

corriente como contraria a la dirección de los electrones libres.
4. ENERGRIA TERMICA Y CREACION DE HUECO.

La energía térmica es concebida por lo que se conoce como efecto Joule,

un fenómeno en el cual cuando en un conductor circula corriente eléctrica,
parte de la energía cinética de los electrones se transformará en calor como
consecuencia de los choques que sufren con los átomos del material conductor
a través del cual circulan.

Esto a su vez genera la creación de huecos que se puede explicar a

través del movimiento vibrante que se produce entre los electrones de un
átomo al entrar en calor dejando espacios libros por donde puede circular la
energía eléctrica. Un hueco de electrón, o simplemente hueco, es la ausencia
de un electrón en la banda de valencia.

5. CORRIENTE DE HUECOS.

La corriente de huecos está dada por la cantidad de portadores de carga denotada en

física como una partícula libre (móvil y no enlazada) portadora de una carga eléctrica.
Como ejemplo los electrones y los iones o la ausencia de estos mismos.

6. RECOMBINACION.

La recombinación es la unión de un electrón libre y un hueco, el intervalo

de tiempo entre la creación y la desaparición de un electrón libre se
denomina tiempo de vida. Varía desde unos pocos nanosegundos hasta
varios microsegundos, dependiendo de la perfección del cristal y de otros
factores.

7. PARES DE ELECTRON-HUECO.

Los huecos, como su nombre indica, son el lugar que deja un electrón
cuando deja la capa de valencia y se convierte en un electrón libre. Esto es lo
que se conoce como pares electrón - hueco y su generación se debe a la
temperatura (como una aplicación, al caso, de las leyes de la termodinámica) o
a la luz (efecto fotoeléctrico). En un semiconductor puro (intrínseco) se cumple
que, a temperatura constante, el número de huecos es igual al de electrones
libres.
Los pares de electrones pueden: Formar un enlace químico entre dos
átomos, es decir un par compartido: dos electrones comparten el espacio entre
dos átomos unidos por un enlace covalente, ocupando un orbital molecular.

Esto da paso a la necesidad de controlar la conducción en los

semiconductores en unos márgenes concretos de temperatura hace que sea
necesaria su impurificación. Esto se consigue por medio de la agregación de
materiales que generan semiconductores de tipo p o semiconductores de tipo
n. La impurificación se debe realizar de manera muy precisa y controlada (por
poner un ejemplo con cantidades significativas se puede hablar de la mezcla de
10000 toneladas de germanio o silicio en estado prácticamente puro con 1
gramo de impurezas)

8. IMPURIFICACION.

Es un proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor

extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de
cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del
tipo de semiconductores a dopar.

8.1. SEMICONDUCTORES TIPO P.

Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado,

añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para poder aumentar el
número de portadores de carga libres (en este caso positivos). Cuando al dopar
introducimos átomos con tres electrones de valencia en un elemento de átomos
con cuatro estamos formando un semiconductor tipo P, viniendo su nombre del
exceso de carga aparentemente positiva (porque los átomos siguen siendo
neutros, debido a que tienen igual número de electrones que de protones) que
tienen estos elementos. Estos átomos "extraños" que hemos añadido se
recombinan con el resto, pero nos queda un hueco libre que produce atracción
sobre los electrones que circulan por nuestro elemento. También se produce
una circulación de estos huecos colaborando en la corriente.

8.2. SEMICONDUCTORES TIPO N.

Es aquel semiconductor que está impurificado con impurezas

"Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones
superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre
de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les
denomina "portadores minoritarios, por ser potencialmente más
negativo que uno sin dopar. En este tipo de materiales tenemos un
quinto electrón que no se recombina con los demás y que, por tanto, está libre
y vaga por el elemento produciendo corriente. Para hacerse una idea de las
cantidades que entran en juego en esto del dopaje se podría decir que se
introduce un átomo extraño por cada doscientos millones de átomos del
semiconductor.

9. POLARIZACION DE DIODO.

La polarización de un diodo es el proceso que define cuál es su ánodo y

cual el cátodo, según como estén orientados estos dos extremos en un circuito
dado, la corriente pasara o no a través del diodo.

Montaje de polarización:

El esquema del montaje eléctrico para polarizar un diodo es el que se muestra

en la figura.

El funcionamiento básico es el siguiente:

 Si la tensión proporcionada por la fuente es positiva (tomando como

referencia el símbolo en el esquema) y supera la tensión umbral de
diodo, entonces el diodo conduce y circula intensidad por el circuito.
 Si la tensión proporcionada por la fuente es negativa, entonces el diodo
no conduce y por tanto no circula intensidad por el circuito.
 La resistencia tiene como misión limitar la máxima corriente que pueda
circular por el circuito, evitando que se supere la máxima intensidad que
el diodo es capaz de soportar.
 En otros casos en el esquema de montaje eléctrico se sustituye la fuente
de tensión por una fuente de corriente. El valor máximo programado en
la fuente de corriente limita la intensidad que circula por el diodo, no
siendo necesaria la resistencia en el circuito.
10. POLARIZACION DIRECTA E INVERSA.

Polarización directa:
Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el
terminal negativo de la fuente está conectado al material tipo n, diremos que
estamos en "Polarización Directa".

La conexión en polarización directa tendría esta forma:

En este caso tenemos una corriente que circula
con facilidad, debido a que la fuente obliga a que
los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión.
Al moverse los electrones libres hacia la unión, se
crean iones positivos en el extremo derecho de la
unión que atraerán a los electrones hacia el cristal
desde el circuito externo.
Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la
fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente
lo tomaremos siempre contrario al del electrón.

Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la

fuente entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la
zona n como electrón libre.
En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de
valencia. Se desplaza a través de la zona p como electrón de valencia. Tras
abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal positivo de la
fuente.

Polarización inversa:
Se invierte la polaridad de la fuente de
continua, el diodo se polariza en inversa, el
terminal negativo del batería conectado al lado p y
el positivo al n, esta conexión se denomina
"Polarización Inversa".

En la siguiente figura se muestra una conexión

en inversa:
 El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo
atrae a los electrones libres, así los huecos y los electrones libres se alejan
de la unión y la z.c.e. se ensancha.

A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de

deplexión deja de aumentar cuando su diferencia de potencial es igual a la
tensión inversa aplicada (V), entonces los electrones y huecos dejan de
alejarse de la unión.
A mayor la tensión inversa aplicada mayor será la z.c.e.

Existe una pequeña corriente en polarización

inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco, lo que hace
que haya pequeñas concentraciones de portadores
minoritarios a ambos lados, la mayor parte se
recombina con los mayoritarios pero los que están en
la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unión y tenemos así una pequeña corriente.

11. GRAFICA I-V DE DIODO.

En la figura se representa la curva característica típica de un diodo. Al

polarizar el diodo en directa se observa que a partir de un valor de tensión Vg
el diodo conduce y permite el paso de corriente con intensidades del orden de
miliAmperios (1- 20 mA), mientras que si esta polarizado en inversa la
intensidad que circula por el mismo es muy pequeña del orden de
microAmperios y podemos decir que el diodo no conduce

12. DIODO ZENNER.

Estos diodos están diseñados para dejar pasar corriente, sin degradarse, en
polarización inversa a partir de una determinada tensión, llamándose a la
tensión ruptura VR tensión de Zenner, VZ. Un diodo de este tipo trabaja por
tanto en la zona de ruptura. El proceso de fabricación de éstos varía del
empleado para los diodos comunes dada la necesidad de funcionamiento en la
zona de ruptura. Cuando a un zénner se le aplica una tensión menor a VZ éste
se comporta como un diodo normal. Este diodo es muy utilizado para
implementar sistemas electrónicos de regulación de C.C.

13. CIRCUITOS RECORTADORES.

Son todo tipo de circuitos que se encargan de

recortar una porción de una señal alternante.
También puede ser la de limitar el valor máximo
que puede tomar una señal de referencia o bien
una señal de control, en cuyo caso estos circuitos
son también reconocidos como circuitos
limitadores.

Estos circuitos utilizan dispositivos de una o más uniones PN como

elementos de conmutación. Se diseñan con el objetivo de recortar o eliminar
una parte de la señal que se le introduce en sus terminales de entrada y
permita que pase el resto de la forma de onda sin distorsión o con la menor
distorsión posible para realizar esta función de recortar, los recortadores hacen
uso de la variación brusca que experimenta la impedancia entre los terminales
de los diodos y transistores al pasar de un estado a otro de ahí que sean los
elementos básicos en dichos circuitos.

14. CIRCUITOS SUJETADORES.

Es un circuito que te levanta o te baja el nivel de una señal de entrada, es

decir suponiendo que al sujetador le aplicas una señal de onda cuadrada que
cambia entre 0 y 10 volts, entonces el sujetador puede modificar estos niveles
de voltaje subiéndolos o bajándolos a una cantidad que tu determinas con los
componentes del sujetador. Por ejemplo, si subimos los niveles 5 volts, la onda
de salida variará entre 5 y 15 volts, sin perder el valor de su frecuencia. Si
bajamos los niveles 2 volts, entonces la señal de salida variará de -2 volts a 8
volts
 CONCLUSION.

Logramos apreciar a través de esta investigación cuales son las

funciones de los materiales semiconductores y diodos en diferentes tipos de
circuitos, de esta manera formamos las bases de conocimientos las
necesarias para comprender futuros temas más complejos y saber cómo
aplicar de forma práctica y teórica los conceptos tratados a lo largo de esta
investigación.

Más allá de conocer los conceptos inmersos en el tema de

semiconductores y diodos entramos brevemente al mundo de la electrónica
y logramos instruirnos sobre los comportamientos de los semiconductores a
niveles atómicos y eso a su vez nos da a conocer cómo actúan estos
mismos cuando se ven afectados por la energía térmica, y dependiendo del
resultado de sus comportamientos cual será la mejor utilidad que se le
puede dar a esos materiales en la aplicación de circuitos eléctricos, de esta
manera trasladamos nuestras mentes a diferentes enfoques que nos
permiten ver un espectro más amplio de todos los componentes y efectos
que se manejan dentro de un circuito en cualquier dispositivo que
frecuentamos en nuestro dia a dia.
 BIBLIOGRAFIA.

Fuentes consultadas:

1. “Principios de electrónica” 7ma Edición por Albert Malvino.

2. “Fundamentos de la ciencia e Ingeniería de materiales” 4 Edición por
Willian F. Smith y Javad.
3. “Tratado de electricidad” Tomos I y II por Chester L. Dawes.
4. https://www.definicionabc.com/ciencia/energia-nuclear.php
5. https://es.slideshare.net/jukii17/sujetadores-y-recortadores-3
6. http://angelika3q.blogspot.com/2010/09/polarizacion-del-diodo-
semiconductor.html
7. https://www.wikiwand.com/es/Diodo
8. https://www.wikiwand.com/es/Uni%C3%B3n_PN
9. https://educalingo.com/es/dic-es/impurificacion
10. http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/tema2/Paginas/
Pagina3.htm
11. http://www.bbc.com/mundo/noticias/2014/08/140807_elementos_qui
micos_silicio_finde_dv