UNIVERSIDAD NACIONAL DE TRUJILLO

FACULTAD DE INGENIERÍA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERIA DE SISTEMAS

TEMA:
“BANDA PROHIBIDA DE UN SEMICONDUCTOR”
CURSO:
FÍSICA ELECTRONICA
DOCENTE:
FERNANDO HURTADO
GRUPO:
 ATAUCURI YNFANTE ISAAC DANIEL
 HUERTAS FRANCO MAX ALEC
 PAULINO VIGO ARTURO JAVIER
 ZAVALETA TAUCETT JHERSON JHANPOUL

CICLO:
2019-I
 ÍNDICE

I. PROBLEMA………………………………………….Pág.03
II. INFORMACIÓN TEORICA……………………...Pág.03
III. HIPÓTESIS………………………………………….. Pág.05
IV. CONTRASTACIÓN DE HIPÓTESIS………………. Pág.05
V. DISEÑO EXPERIMENTAL………………………… Pág.07
VI. REALIZACIÓN DE EXPERIMENTO Y OBTENCIÓN DE
DATOS………………………………………………. Pág.08
VII. TABLA DE DATOS………………………………….Pág.08
VIII. ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE RESULTADOS……..Pág.09
IX. CONCLUSIONES…………………………………….Pág.09
X. TRANSFERENCIA…………………………………...Pág.10
XI. ANEXO……………………………………………….Pág.12

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 CARGA Y DESCARGA DE UN CONDENSADOR

1) PROBLEMA
 ¿Cómo obtener la magnitud de la banda prohibida para un
semiconductor?

2) INFORMACION TEORICA

La conductividad σ de un semiconductor depende de la concentración

de los electrones de conducción n y de huecos p así como de la
movilidad de estos portadores μn y μp:

𝜎 = 𝑒(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑛 ) (1) siendo e la carga del electrón.

La movilidad μ se determina por la relación lineal existente entre el

módulo de la velocidad media de estos portadores (velocidad de
arrastre o de deriva) y el módulo de la intensidad del campo eléctrico.

𝑣𝑑𝑒𝑟𝑖𝑣𝑎 = 𝜇𝐸

En el caso de los semiconductores puros las concentraciones de

electrones y huecos son iguales (caso intrínseco). Esta concentración
aumenta con la temperatura según la ley exponencial:

∆𝐸
𝑛 = 𝑛𝑜 𝑒 −2𝑘𝑇 (2)

Dónde: ∆E es el ancho de la banda prohibida.

T es la temperatura absoluta
k es la constante de Boltzmann
𝒏𝒐 expresa la concentración efectiva de estados cuánticos en la
zona de conducción.

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Como puede verse en el caso de los semiconductores puros esta misma
relación se verifica para la conductividad, o sea:
∆𝐸
𝜎 = 𝜎0 𝑒 −2𝑘𝑇 (3) Dónde: 𝜎 = 𝑒(𝑛𝜇𝑛 + 𝑝𝜇𝑛 )𝑛0

Esta expresión muestra que mientras mayor sea ∆𝐸 menor será la

conductividad del material semiconductor y mayor será su
dependencia con la temperatura.

1
Teniendo en cuenta (3) para la resistividad 𝜌 = podemos plantear:
𝜎
∆𝐸
𝜌 = 𝜌𝑜 𝑒 2𝑘𝑇 (4)

La dependencia de la resistencia eléctrica entre dos puntos de un

cuerpo semiconductor con la temperatura puede expresarse como:

∆𝐸
𝑅 = 𝑅𝑜 𝑒 2𝑘𝑇 (5)

Donde el factor R0 depende de las características geométricas del

cuerpo (fundamentalmente su sección y longitud).

Si tomamos logaritmo natural a ambos lados de la ecuación (5):

∆𝐸
𝑙𝑛𝑅 = 𝑙𝑛𝑅0 + (6)
2𝑘𝑇

De la cual puede verse que entre In R y 1/2kT existe una dependencia

lineal.

Si llamamos y = In R, x = 1/2kT, a0 = In R0 y a1 = ∆𝑬 podemos

escribir:

y = a1 x+ a0 (7)

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 Que es la ecuación de una línea recta con pendiente 𝑎1 e intercepto 𝑎0 .
Así vemos que del ploteo de la dependencia del logaritmo natural de
los valores de la resistencia contra el inverso de 2kT debemos obtener
una línea recta cuya pendiente debe ser igual al valor del ancho de la
banda prohibida del semiconductor que se trate.
Descripción de la instalación experimental.

La instalación experimental mostrada en la figura consta de un baño

térmico controlado en el cual se coloca agua y un multímetro digital
que permite medir la resistencia eléctrica de la muestra
semiconductora. En calidad de muestra semiconductora se ha utilizado
un termistor.

3) HIPÓTESIS

 Si conocemos la resistencia, que produce cada temperatura, podremos

determinar la magnitud de la banda prohibida de un semiconductor.

4) CONTRASTACIÓN DE HIPÓTESIS

A) Equipo:
 Un semiconductor del tipo termistor.

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 Un calentador de agua

 Un vaso pírex

 Un Ohmímetro

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  Un termómetro de laboratorio (0 a 100°C)

5) DISEÑO EXPERIMENTAL

Fig.1

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6) REALIZACIÓN DE EXPERIMENTO Y OBTENCIÓN DE
DATOS

o Efectué las mediciones simultaneas de los valores de la temperatura

que reporta el control del baño térmico y de la resistencia de la muestra
semiconductora con ayuda del multímetro al que se encuentra
conectada la misma. Registre los mismos en una tabla previamente
preparada para dichos datos. Las mediciones se llevarán a cabo un
grado de variación de la temperatura del baño.
O Se graficará la dependencia de ln R vs 1/2kT obtenidos para la
muestra semiconductora, utilizando Excel y se obtendrán con ayuda
de este los valores de la pendiente a1, y el intercepto a0 de acuerdo
con el ajuste por métodos de los mínimos cuadrados. De estos valores
se obtendrán los parámetros R0 y el valor del ancho de la banda
prohibida para el semiconductor E. Este último debe ser comparado
con el que aparece en las tablas de los manuales y libros de física y de
ahí podrá inferir de cual semiconductor puede estar fabricado el
dispositivo utilizado. Debe hacer un análisis de dichos resultados y
exponer las posibles fuentes de error presentes.

7) TABLA DE DATOS

N R T(ºC) T(ºK) 1/2KT LnR

1 1760 25 298 19.4646444 7.47306909
2 1220 35 308 18.8326754 7.10660614
3 810 45 318 18.2404529 6.69703425
4 540 55 328 17.6843416 6.29156914
5 360 65 338 17.1611362 5.88610403
6 270 75 348 16.6680001 5.59842196
7 194 85 358 16.2024135 5.26785816
8 141 95 368 15.7621305 4.94875989
9 133 100 373 15.5508419 4.89034913

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8) ANÁLISIS Y DISCUSIÓN DE RESULTADOS

Para determinar el ancho de la banda prohibida se realizó un gráfico

de ln ρ en función de 1/2kT (Fig.2). Realizando una regresión lineal
para la zona de altas temperaturas se logró determinar el ancho de
banda prohibida. También se puede notar en la figura que la zona de
validez de la Ec.1 es a partir de los 298°K.

GRAFICO 01: LnR vs 1/2KT

8
7 y = 0.6806x - 0.07461
6
5
LNR

4
3
2
1
0
0 5 10 15 20 25
1/2KT

El valor del band gap obtenido fue de Eg = (0.6806 ± 0,07)eV,

mientras que el valor tabulado es de 0.72eV.

9) CONCLUSIONES

 Los valores obtenidos para la resistividad del material usado, posee

una dependencia con la temperatura que se ajusta en forma correcta a
la teoría para temperaturas superiores a los 350°K. El hecho de haber
utilizado la técnica de van der Pauw, para independizarse de la
geometría de la muestra, trae consigo una mayor incerteza al tener que
relacionar datos correspondientes a diferentes configuraciones.
También se pudo corroborar hipótesis de que Si conocemos la
resistencia, podremos determinar la magnitud de la banda prohibida
de un semiconductor. Sin embargo con la intención de conseguir
mediciones correspondientes a equilibrio térmico de la muestra fueron
seleccionados solo algunos datos, como posible mejora en la
adquisición de datos podría utilizarse un termostato para mantener la
temperatura fija.
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10)TRANSFERENCIA

O Investigue sobre la banda prohibida de varios semiconductores, detalle sus

características eléctricas y que otros métodos alternativos existen para
determinar la banda prohibida de estos.
A) Determinación de la banda prohibida en el silicio

a) Resumen Experimental
Se utilizó silicio hiperpuro con impurezas de boro que es trivalente. A
temperatura ambiente, la muestra es de tipo p, o sea la densidad de huecos
es mayor a la de electrones por lo que la variación de conductividad se debe
principalmente a la variación de la movilidad de los huecos, esta es la
llamada zona extrínseca. Pero a medida que se eleva la temperatura los
electrones van adquiriendo la energía necesaria para pasar a la banda de
conducción, lo que hace que las densidades de los distintos portadores se
vayan equiparando. Esta zona se denomina intrínseca y en el silicio
comienza a partir de los 200K aproximadamente.
b) Resultado
El valor calculado del band-gap a temperatura cero es muy próximo al valor
encontrado en la bibliografía: Eg (0) = 1,17 eV2.
c) Conclusiones
Descartando los datos de temperaturas menores a 425K (que se apartan del
régimen lineal), ya que no pertenecen a la zona intrínseca del
semiconductor. En cuanto al desarrollo experimental, se decidió que la
adquisición de datos en forma manual era la más confiable. Cabe destacar
la importancia del termostato, ya que permitió mantener una temperatura
aproximadamente constante al realizar todas las mediciones necesarias para
calcular la resistividad.

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 d) Método alternativo:
Otro método para determinar el valor de band-gap en los semiconductores
es mediante la utilización de transistores de germanio o silicio6. En este
caso las mediciones se realizan a temperaturas inferiores a la ambiental
(300K aprox.) llegando a la temperatura del nitrógeno líquido (77K aprox.)
por lo cual requiere de la preparación de diferentes baños térmico.

B) Determinación de la banda prohibida en el Germanio

Los resultados obtenidos por los dos métodos empleados en el análisis de los
datos experimentales arrojan valores del Factor de Idealidad y del Band Gap,
que, aunque no concuerdan exactamente con los valores aceptado, se
encuentran en el mismo orden de magnitud de los valores reportados para los
Semiconductores estudiados.
Los resultados demuestran que la conducción tanto del diodo de silicio como
de germanio aumenta con el incremento de la temperatura, para un mismo
voltaje aplicado.
El valor calculado del band-gap a temperatura cero es muy próximo al valor
encontrado en la bibliografía: Eg (0) =1,3340 X 10-19 eV2.
La corriente Inversa de Saturación, a una determinada temperatura, es muy
superior para el Germanio que, para el Silicio, esto explica el comportamiento
del voltaje de umbral en estos dispositivos, alrededor de 0,2 V para Germanio
a Temperatura Ambiente.
C) Determinación de la banda prohibida en el CdTe

a) Resultado
El valor de la banda de energía prohibida encontrada para el teluro de
cadmio en este trabajo es de 1.501eV

b) Método Empleado:
El método de punto de inflexión para el cálculo de la banda de energía
prohibida de semiconductores, en este caso mostro ser eficiente por su
sencillez y operaciones fáciles involucradas; el valor obtenido concuerda
muy bien con los valores estándares que se encuentran en la literatura de
semiconductores.
c) Observación:
Para la determinación de la banda de energía prohibida de CdTe con el
método de punto de inflexión, no fue necesario calcular el coeficiente de
absorción, como ocurre con otros métodos.

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10)ANEXO

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