UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA.

Pre-Informe No.7: Configuraciones con transistores

BJT
Javier Eduardo Gutiérrez, Carlos Hernando Bautista, Jhon Edison Bohorquez Martinez
{jaegutierrezser, chbautistaa, jhebohorquezma}@unal.edu.co
Electrónica Análoga I - Grupo 3

I. Marco Teórico Este tiene similitud con un diodo y su funcionamiento puede

A. Aplicaciones y los tipos de conexión:
Los transistores de unión Bipolar se usan como ampli-
ficadores de señales, interruptores y circuitos digitales. El
transistor BJT tiene 3 terminales: Base, Emisor y Colector.
Con este se puede controlar la corriente del emisor variando
los voltajes entre el emisor y el colector, y entre el colector y
la base.
verse a partir de la polarización de cada una de las uniones.
El BJT al igual que los MOSFET’s tienen varios modos de
funcionamientos dependiendo de la polarización que tengan.
Existen cuatro modos: corte, saturación, activo y activo in-
verso. Estos dependen de la polarización de las uniones, como
se puede observar en la siguiente tabla:

B. Principios de funcionamiento de los transistores BJT:

El BJT es una unión de semiconductores de tipo n y tipo
p, conectados en un determinado orden, el cual depende del
tipo de transistor. Existen varios tipos de transistores el NPN
y el PNP, estos pueden ser observados en la figura 1.

Fig. 3: Esquema de la composición de un transistor BJT de

unión NPN.

Cada modo de operación tiene sus propias caracterı́sticas

y comportamiento, el cual puede ser descrito por diferentes
Fig. 1: Esquematización de los transistores de unión bipolar ecuaciones y condiciones.
NPN y PNP. Todos comparten que IE = IB + IC
• En corte:
IE = IB = IC = 0
Como se puede observar el transistor NPN está compuesto
por una zona de semiconductor tipo n, después por una tipo en corte se debe tener que:
p y para finalizar una tipo n. Mientras que el tipo PNP tiene VBE < 0.7, VBC < 0.5
dos zonas tipo p y entre ellas una tipo n. Esta es una gráfica
simplificada de la estructura de un BJT, sin embargo en la • En activo:
realidad un transistor BJT tiene la forma mostrada en la figura IE = IB + IC
2: VBE ≈ 0, 7
IC
IB =
β
β
IE = IαC , donde α = β+1 Para verificar que se encuentra
en activo, se debe tener que:
VCE > 0.2, VBC < 0.5
• En saturación :
Fig. 2: Esquema de la composición de un transistor BJT de IE = IB + IC
unión NPN. VBE ≈ 0, 7
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA. 2

VCE ≈ 0, 2

VBC ≈ 0, 5

Para verificar que se encuentra en activo, se debe tener

que:
IC
β f orzado =
IB

II. Análisis

Para el desarrollo de la práctica de laboratorio No.7 de

electrónica análoga I sobre las distintas configuraciones con
transistores BJT, se usarán los transistores discretos NPN
Fig. 4: Amplificador en configuración emisor común
2N2222 ó el PNP 2N3906, los cuales son transistores bipolares
(BJT).
B. Amplificador en configuración emisor común degenerado
1) Se diseño un circuito en configuración emisor común,
A. Amplificador en Configuración emisor común basándose en el esquematico de la figura 4, de la guia
de laboratorio, sobre configuraciones con transistor BJT.
1) Se diseño un circuito en configuración emisor común,
Teniendo en cuenta los siguientes requisitos:
basándose en el esquematico de la figura 1, de la guia
• El transistor debe permanecer en la región activa.
de laboratorio, sobre configuraciones con transistor BJT.
• La polarización debe garantizar que la corriente de
Teniendo en cuenta los siguientes requisitos:
colector sea aproximadamente Ic ,Q = 20 mA.
• El transistor debe permanecer en la región activa. • La ganancia en la resistencia de carga de 10kΩ debe
• La polarización debe garantizar que la corriente de ser de Av = 5.
colector sea Ic ,Q = 20 mA. • La señal de entrada es una senoidal de 200 mV pK a
• La ganancia en la resistencia de carga de 10kΩ debe 1KHz.
ser de Av = 5.
• La señal de entrada es una senoidal de 200 mV pK a
1KHz.
2) Análisis DC del circuito y calculo del punto de polar-
ización DC, junto con los voltajes de nodo y las corrientes
de ramificación del transistor.
3) Análisis AC del circuito.
4) Prametros determinados:
• Av : Ganancia de voltaje del amplificador.

AV = 5

• Ai : Ganancia de corriente del amplificador.

Ai = 2.66
Fig. 5: Esquema del amplificador en configuración emisor
• Zi : Impedancia de entrada del amplificador. común degenerado mediante el uso de un transistor BJT de
unión NPN.
Zi = 8.7kΩ
2) Análisis DC del circuito y calculo del punto de polar-
• Zo : Impedancia de salida del amplificador. ización DC, junto con los voltajes de nodo y las corrientes
de ramificación del transistor.
3) Análisis AC del circuito.
Zo = 99Ω 4) Prametros determinados:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA, DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA.
• Av : Ganancia de voltaje del amplificador.
AV = 9
• Ai : Ganancia de corriente del amplificador.
Ai = 1.53
• Zi : Impedancia de entrada del amplificador.
Zi = 13.11KΩ
• Zo : Impedancia de salida del amplificador.
Zo = 200Ω
C. Configuración colector común o seguidor emisor
1) Se diseño un circuito en configuración emisor común,
basándose en el esquematico de la figura 2, de la guia
de laboratorio, sobre configuraciones con transistor BJT.
Teniendo en cuenta los siguientes requisitos:
• El transistor debe permanecer en la región activa.
• La polarización debe garantizar que la corriente de
colector sea Ic ,Q = 20 mA.
• La señal de entrada es una senoidal de 200 mV pK a
1KHz.
[1] VALBUENA, Julian.Publicado en el año 2018 Guı́a de laboratorio No.
[2] A.S. Sedra y K.C. Smith, Microelectronic Circuit. 6ta Ed. Oxford
Fig. 6: Configuración colector común o seguidor emisor
[3] ”BSS138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field
2) Análisis DC del circuito y calculo del punto de polar-
ización DC, junto con los voltajes de nodo y las corrientes
de ramificación del transistor.
3) Análisis AC del circuito.
4) Prametros determinados:
• Av : Ganancia de voltaje del amplificador.
AV = 0.86
• Ai : Ganancia de corriente del amplificador.
Ai = 2.13
• Zi : Impedancia de entrada del amplificador.
3
Zi = 22KΩ
• Zo : Impedancia de salida del amplificador.
Zo = 10Ω
• ¿Qué condiciones deben tenerse en cuenta para que una
polarización garantice una buena amplificación? Para que
el BJT realice una adecuada amplificación primero es
necesario que esté en zona activa y con la configuración
correcta, es decir que se cumplan la condiciones necesaria
para que esté en activo, como ya se mencionó en el
marco teórico de esta guı́a y que este entre la mitad de
la alimentación.
• ¿Qué diferencias encuentra entre usar amplificadores con
BJTs a usar amplificadores con MOSFET? La principal
diferencia que se encuentra al usar BJT es que este es
controlado por corriente, especı́ficamente por la corriente
de su base, mientras que el MOSFET es por un efecto de
campo controlado por voltaje, donde su funcionamiento
depende de la tensión en el electrodo de la puerta. pero
además de esto los mosfet se emplean para funciones
de alta potencia y los BJT para aplicaciones de baja
corriente.
• Según lo hallado, realice una breve descripción de las
ventajas, desventajas y posibles escenarios de aplicación
para cada una de las configuraciones de amplificadores
trabajadas. El amplificador de emisor común es utilizado
generalmente para obtener grandes valores de ganancia
de tensión y corriente pero su resistencia de salida es
considerablemente alta; la configuración emisor común
degenerado, permite gracias a la retroalimentación exis-
tente por esta resistencia ajustar los valores de corriente
y tensión en el circuito lo que mejora su estabilidad. El
circuito emisor seguidor posee una gran resistencia de
entrada, una baja resistencia de salida, y una ganancia
similar a uno, por lo que es ideal para el acople de
impedancias.
Referencias
7: CONFIGURACIONES CON TRANSISTORES BJT.
University press. Argentina. 2015.
Effect Transistor ”, Vishay Semiconductors, 2017. [On-
line]. Disponible en: http://www.alldatasheet.com/datasheet-
pdf/pdf/50815/FAIRCHILD/BSS138.html [Visitado: 09- Oct- 2018].