Detector A Diodo

EL DETECTOR A DIODO 1
1______________________________
INTRODUCCION
El Detector a Diodo de juntura es un elemento muy útil como

indicador de potencia en radiofrecuencia, además de otros usos tales como
demodulador de señales de amplitud modulada. La simplicidad de los
circuitos de aplicación, su bajo costo, su funcionamiento adecuado, su
respuesta de banda ancha, etc. lo hacen prácticamente irreemplazable en
muchas aplicaciones.
El detector a diodo es capaz de detectar señales de una potencia tan
pequeña como -70 [dBm] y su rango dinámico es de 100 [dB] ó mayor. Su
uso cubre todo el espectro radioeléctrico, desde las audio frecuencias hasta los
cientos de gigahertzios.
Esta presentación no estaría completa sin comentar que muchos
experimentadores no consideran seriamente al detector a diodo de juntura para
medir potencia en radiofrecuencia. Esta situación se justifica por el
comportamiento poco confiable del diodo de contacto puntual que era
utilizado en los anteriores detectores a diodo. Los modernos diodos de juntura
metal-semiconductor han cambiado esta situación.
La pobre comprensión de las nolinealidades que presentan estos tipos
de detectores han sido también un escollo en su uso. El uso de computadoras
y técnicas numéricas de linealización hacen que este problema haya sido
ampliamente superado.
Una vez que se han comprendido las limitaciones del detector a diodo
de juntura y se ha aprendido a manejarlas, su uso a aumentado
considerablemente y continúa aumentando.
La teoría de funcionamiento del detector a diodo es conocida desde
hace mucho tiempo. Sin embargo el detector a diodo de juntura es tan simple
lo convierte en algo que “todos deberían conocer”, y por lo tanto cualquier
referencia actual es inexistente.
2 INTRODUCCION
Este trabajo pretende exponer la teoría de funcionamiento del detector

diodo y la terminología asociada al mismo, tratando de explicar términos tales
como: “detector cuadrático”, “detector lineal”, “polarización cero”,
“resistencia de video”, “sensibilidad de tensión”, sensibilidad de corriente”,
“sensibilidad tangencial”, etc..
En lo que sigue se supone que el diodo empleado es un diodo de
juntura metal-silicio o diodo Schottky, sin embargo todo lo que se diga es
aplicable a otros diodos, tales como el diodo semiconductor de juntura P-N,
el diodo de juntura metal-Ga/As y diodos que operan con otros principios de
funcionamiento como el diodo tunnel o backward (con algunas reservas). De
todas maneras, por encima de algunos cientos de MHz, la velocidad de
respuesta del diodo metal-semiconductor (incluyendo los diodos
de contacto puntual) los convierten en la elección obligada.
En el Capítulo 2 se revisa la teoría del diodo de juntura, enfatizando
aquellos aspectos importantes para el detector a diodo.
En el Capítulo 3 se estudia el Detector Cuadrático. Aquí aparecen la
mayoría de los conceptos aplicables al detector a diodo.
El Capítulo 4 se analiza el Detector lineal, a veces llamado Detector
de Pico.
En el Capítulo 5 aparecen las limitaciones inherentes al detector a
diodo, tales como las nolinealidades, la respuesta en frecuencia y el ruido.
Finalmente, en el Capítulo 6, se muestran algunos circuitos de
aplicación, tanto de detectores a diodo de juntura como de circuitos auxiliares.
Para comprender el texto, aparte de conocimientos básicos de
Electrónica, hace falta tener nociones de Cálculo. Alguna idea previa de
Ruido también será de utilidad. De todas maneras se recomienda abundante
bibliografía donde el lector interesado podrá completar sus conocimientos.
2______________________________
EL DIODO DE JUNTURA
2.1 LA JUNTURA P-N
El diodo de juntura ha sido descripto en numerosas publicaciones

[2.1]. En este capítulo revisaremos los aspectos más importantes relacionados
con el detector a diodo.
Cuando dos semiconductores, uno de tipo P y el otro de tipo N, se
ponen en contacto la juntura exhibe características rectificadoras, esto es la
circulación de corriente depende del sentido de la misma. En un diodo ideal la
relación entre la tensión y la corriente tienen la siguiente forma:
 VVJ 
I J = I S  e T − 1 (2.1)
 
 
Hemos reservado los símbolos IJ y VJ para la corriente y la tensión

sobre el diodo ideal ó “intrínseco” para diferenciarlos de la corriente y la
tensión sobre el diodo real. El subíndice J indica “la juntura” y es común
referirse a la corriente y a la tensión sobre la juntura.
El símbolo VT está relacionado con la energía térmica de los
portadores y tiene la forma:
kT
VT = (2.2)
q
Donde k es la constante de Boltzman (k=1.38x10-23J/K), T es la temperatura

del diodo en kelvins y q es la carga del electrón [ q=1.602x10-19 coulombios].
4 LA JUNTURA P-N
A la temperatura ambiente (T=300K), VT es aproximadamente igual a

26[mV].
El símbolo IS es la corriente de saturación inversa del diodo y tiene la
expresión:
Vg
−
I S = AT e 2 VT
(2.3)
donde A es una constante y Vg es conocida como la “barrera de potencial”,

qVg es la energía necesaria para romper un enlace covalente en el
semiconductor. Vg es aproximadamente 1.1[V] para el silicio y 0.75[V] para
el germanio. En la figura 2.1 se muestra la relación tensión-corriente para
diodos de silicio y de germanio.
100
90
80
70 GERMANIO SILICIO
IJ 60
[A] 50
I 40
30
20
10
0
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8
VJ [V]
Figura 2.1
La corriente inversa del diodo no se muestra ya que esta es despreciable frente

a la corriente directa. Como se puede ver en esta figura, es necesario que la
polarización directa del diodo sea de algunas centésimas de voltio para que la
corriente tome un valor significativo. Este voltaje Vγ denomina “voltaje de
corte”. Por ejemplo, supongamos que un diodo de silicio tiene una corriente
de saturación inversa de 1[pA]. La tensión directa Vγ necesaria para que
circule 1[mA] es:
 I − IS 
Vγ = VT ln  J  ≈ 0.026 ln(1e9) = 0.54[V ] (2.4)
 IS 
Un diodo equivalente de germanio tendría una corriente de saturación inversa

del orden del microampere debido a la diferencia en la barrera de potencial y
el voltaje de corte sería:
 I − IS 
Vγ = VT ln  J  ≈ 0.026 ln(1e3) = 0.18[V ] (2.5)
 IS 
Cuando se diseña un detector estas diferencias en el voltaje de corte son muy

importantes.
Dado que IS y VT dependen de la temperatura es natural encontrar que
el voltaje de corte dependa también de la temperatura. Experimentalmente se
encuentra que la variación de la corriente de saturación inversa con la
temperatura es del orden del 7% por cada kelvin, tanto para el silicio como
para el germanio. Como:
(1.07 )10 ≈ 2 (2.6)
se concluye que la corriente de saturación inversa se dobla cada 10[K].

Con respecto al voltaje de corte tenemos que:
 I − IS 
Vγ = VT ln  J  (2.7)
 IS 
La derivada de Vγ con respecto a la temperatura es:
dV J V J  1 dI S  V J − V g
≈ − VT   ≈ (2.8)
dT T  I S dT  T
Reemplazando los valores calculados del voltaje de corte y los valores de la

barrera de potencial, resulta que tanto para el silicio como para el germanio, la
variación del voltaje de corte es de alrededor de -1.9[mV/K] a temperatura
ambiente (300[K]).
6 EL DIODO DE JUNTURA
2.2 LA CAPACIDAD DE TRANSICION
Cuando el semiconductor P es positivo con respecto al semiconductor

N, el diodo conduce fuertemente y se dice que el diodo está en “directa”. Por
el contrario si el semiconductor P es negativo con respecto al semiconductor
N, entonces el diodo conduce débilmente y se dice que el diodo está en
“inversa”.
Cuando el diodo está polarizado en inversa, la región P del diodo está
polarizada negativamente con respecto a la región N y circula solamente la
corriente de saturación inversa formada por portadores generados como
resultado de la agitación térmica. En la región P los portadores mayoritarios
(las lagunas) son alejados de la juntura por el campo aplicado. Lo mismo
sucede en la región N con sus portadores mayoritarios, los electrones.
En la región P los portadores minoritarios, electrones, que se
encuentran cerca de la juntura difunden hacia la región N donde son alejados
de la juntura por el campo aplicado. Lo mismo sucede en la región N con las
lagunas que difunden hacia la región P. Este movimiento de cargas constituye
la corriente de saturación inversa IS.
Como resultado de esta reubicación de cargas, la zona de la juntura
queda vacía de portadores libres y es por lo tanto aisladora.
Tenemos así los componentes que forman un capacitor: los dos
conductores (las regiones N y P alejadas de la juntura) y el aislador entre ellos
(la zona de la juntura vacía de portadores o intrínseca). Esta capacidad es
conocida como “capacidad de la juntura” o “capacidad de transición”.
El ancho de la zona vacía de portadores depende de la tensión inversa
aplicada y por lo tanto la capacidad de transición varía con el voltaje aplicado.
Una expresión para dicha capacidad es la siguiente:
CJ0
CT = η
(2.9)
 V 
1 − J 
 VJ 0 
Las constantes CJ0, VJ0 y η dependen del perfil de contaminación del

diodo cerca de la juntura y en general son determinados experimentalmente.
Para un diodo destinado a servir como detector CJ0 es del orden del pico
Faradio o menor.
La nolinealidad de la capacidad es suave, así cuando la tensión
continua y las variaciones de la tensión sobre el diodo son pequeñas, se puede
emplear CJ0 en lugar de CT sin cometer errores importantes. Por el contrario si
las variaciones de tensión sobre el diodo son grandes, lo cual necesariamente
implica una tensión media negativa, entonces se puede promediar la
capacidad de transición sobre el rango de tensiones aplicadas. Esta capacidad

promedio es menor que CJ0.
2.3 LA CAPACIDAD DE DIFUSION
En el párrafo anterior vimos que con el diodo polarizado en inversa,

los portadores minoritarios disminuían en las cercanías de la juntura. En
polarización directa la región P inyecta lagunas en la región N donde estas son
minoritarias. De manera similar la región N inyecta electrones en la región P.
Como resultado, en conducción, cerca de la juntura hay exceso de portadores
minoritarios. Si la polarización del diodo es cambiada rápidamente a inversa,
estos portadores minoritarios no pueden retornar a las regiones de origen y
circulan por el circuito externo. La situación es equivalente a un capacitor que
se carga con el voltaje directo del diodo y que inyecta estas cargas al circuito
cuando varía el voltaje aplicado. Esta capacidad equivalente se denomina
“capacidad de difusión del diodo” y se la nota habitualmente con CD. El
exceso de portadores minoritarios inyectado aumenta con la corriente directa
del diodo y por lo tanto la capacidad de difusión varia con la corriente
aplicada.
2.4 LA CARACTERISTICA INVERSA DEL DIODO
De la ecuación 2.1 es fácil ver que con algunas decenas de milivoltios

de polarización inversa la corriente en el diodo es -IS. Esto es
aproximadamente cierto hasta cierto voltaje inverso donde la corriente inversa
aumenta rápidamente. Este voltaje es llamado “voltaje de avalancha” ó
“voltaje de zener”, según sea el mecanismo que produce el fenómeno. En los
diodos empleados como detectores puede ser de algunos voltios. Este
comportamiento limita las tensiones máximas aplicables al detector. La
amplitud de la tensión de entrada no debe superar estos voltajes ya que el
detector no es usable en estas condiciones y puede destruirse
2.5 UN MODELO EQUIVALENTE DEL DIODO DE JUNTURA
En un diodo real, además del diodo ideal, que se puede considerar

como una resistencia no lineal RJ que cumple con la ecuación 1.1, y las
capacidades de transición y de difusión (CJ=CT+CD), tenemos que considerar
los componentes parásitos del diodo. Como mínimo tenemos aceptar que los
conductores de conexión tienen resistencia RS e inductancia LS. También las
regiones P y N del diodo, alejadas de la juntura, contribuyen con resistencia e
inductacia, Dependiendo del encapsulado del diodo se agrega además
capacidad CC. Un circuito equivalente adecuado para el diodo de juntura se
muestra en la figura 2.2. La resistencia serie RS es nolineal, pero su valor es

generalmente pequeña y su nolinealidad es suave, por lo normalmente se la
puede considerar constante. Ya hemos visto que la capacidad de juntura
también es nolineal. Sin embargo es habitual considerarla constante para
simplificar el tratamiento del circuito. Como resultado se puede considerar
que el circuito equivalente del diodo real tiene una sola nolinealidad, la
resistencia de juntura y todos los demás componentes son lineales ó no
dependientes de la tensión ó la corriente.
Cc
Id
Ls Rs Rj -Vd
+Vd VCC_ARROW +Vj Ij -Vj

VCC_ARROW
Cj
Figura 2.2
2.6 EL DIODO METAL SEMICONDUCTOR
Hasta ahora hemos considerado diodos formados por la unión

de un material semiconductor tipo N con uno de tipo P. Un diodo puede
también ser formado por la unión de un semiconductor y un metal.
También pueden ser usadas aleaciones metálicas y compuestos
intermetálicos. Tales diodos tienen ventajas con respecto a la velocidad
de operación. La característica tensión-corriente de los diodos metal-
semiconductor es completamente similar a la de un diodo P-N. En el
diodo metal-semiconductor, sin embargo, el voltaje al cual el punto de
quiebre del diodo ocurre es controlable seleccionando el metal usado.
Dicho esto en otras palabras, uno puede seleccionar hasta cierto punto
la barrera de potencial. De acuerdo con esto, existen diodos de silicio-
metal que exhiben una característica similar a la de un diodo de juntura
P-N de germanio, con un voltaje de corte Vγ de alrrededor de 0.2
voltios. Otros diodos de silicio-metal con un Vγ de 0.5 voltios están
disponibles y son más parecidos a un diodo de silicio de juntura P-N.
En la tabla 2.1 se muestran los potenciales de barrera para distintas
junturas metal-semiconductor.
SEMICONDUCTOR
METAL SILICIO TIPO N SILICIO TIPO P
ALTURA DE BARRERA [V]
ORO O.81 0.34
CROMO 0.55 0.52
MOLIBDENO 0.60 0.42
NIQUEL 0.55 0.51
PALADIO 0.72 0.35
PLATINO 0.85 0.28
TITANIO 0.48 0.61
TUNGSTENO 0.69 0.45
Tabla 2.1
En un diodo que esta formado por un material semiconductor

tipo N y un metal, la conducción directa ocurre cuando el metal se
polariza positivamente con respecto al semiconductor. La corriente que
fluye a través de la juntura está formada por electrones que parten
desde el semiconductor hacia el metal, y por lo tanto es una corriente de
portadores mayoritarios. La corriente en la dirección contraria es
restringida por la existencia en la juntura de una barrera de potencial
que se opone a dicho flujo. Los electrones que han cruzado la juntura
para entrar en el metal no se pueden distinguir de los muy abundantes
electrones del metal y que constituyen los electrones de conducción del
mismo. Por lo tanto, cuando el voltaje a través de la juntura es
invertido, esos electrones no retornan a través de la juntura y se
confunden con los electrones de conducción. Así, contrariamente a lo
que ocurre en la juntura P-N, no hay almacenamiento apreciable de
portadores minoritarios y el tiempo de almacenamiento es despreciable,
excepto para corrientes directas muy grandes. El tiempo de
recuperación inversa de un diodo P-N muy rápido puede ser del orden
de 1 nano segundo, mientras que el de un diodo metal-semiconductor
puede ser de alguna decenas de pico segundos. Como consecuencia, en
un diodo de juntura metal-semiconductor, la capacidad de difusión es
prácticamente despreciable. El circuito equivalente de un diodo metal-
semiconductor es idéntico al de un diodo de juntura P-N con la
capacidad de difusión igual a cero.
Valores típicos para los compomentes del modelo circuital del
diodo Schottky, modelo BAT63 de la firma Siemens se muestran en la
tabla 2.2.
CJ0 0.65 [pF]

CC 0.10 [pF]
LS 2.00 [nH]
RS 1.70 [Ω]
IS 0.7[µA]
Tabla 2.2
Se pueden conseguir diodos no encapsulados con valores menores de los

elementos parásitos y de la capacidad de juntura.
Cuando un diodo metal-semiconductor es polarizado en directa, los
electrones al cruzar la juntura para entrar al metal caen por la barrera de
potencial. Por lo tanto inicialmente y hasta que esos electrones alcanzan el
equilibrio con los electrones del metal, los electrones inyectados tienen mayor
velocidad y energía. La temperatura asociada con esta mayor energía es
superior a la de los electrones del metal. Por lo tanto a los electrones
inyectados se los llama “electrones calientes” y el diodo metal-semiconductor
se conoce como “diodo de portadores calientes”. Estos diodos también se
denominan “diodos Schottky” debido a que W. Schottky los describió por
primera vez en 1938 [2.2].
Es interesante señalar que los diodos metal-semiconductor se han
empleado como detectores desde por los menos 1874 [2.3] y que hasta que
Shockley [2.4] describe por primera ve el diodo de juntura P-N, fueron los
únicos diodos de estado sólido conocidos.
No se pueden dejar de mencionar el ancestral detector de galena
(sulfuro de plomo natural) con el que se construían los primeros receptores de
radio y los diodos de silicio de contacto puntual empleado intensivamente
durante el desarrollo del radar.
Es posible construir diodos de electrones calientes usando silicio de
tipo N y diodos de lagunas calientes usando silicio de tipo P. Los diodos de
electrones calientes son generalmente preferidos debido a la mayor movilidad
de los electrones con respecto a las lagunas, aunque algunos diodos de barrera
baja emplean silicio tipo P.
En la figura 2.3 se muestra la construcción típica de un diodo metal-
semiconductor.
Figura 2.3
La capa de silicio N+ provee un contacto de baja resistencia, la capa

epitaxial brinda la resistividad necesaria para el correcto funcionamiento del
diodo y el dióxido de silicio delimita el área de la juntura. Esta construcción
es mucha más robusta y estable que la de los antiguos diodos de contacto
puntual.
2.7 LA CONDUCTANCIA DEL DIODO DE JUNTURA
Ya hemos visto que el diodo de juntura es altamente no lineal. Sin

embargo si la variaciones de tensión sobre el diodo intrínseco son pequeñas,
en términos de VT, es posible definir una conductancia incremental de la
juntura. Para ello derivemos la corriente de juntura con respecto a la tensión
aplicada sobre la misma.
V
I + IS
J
dI J VT 1
g= = ISe = J (2.10)
dV J VT VT
Donde g es la conductancia incremental de la juntura. Si la corriente continua

sobre el diodo es nula, entonces podemos escribir:
dI J  I
g0 =  = S (2.11)
dV J  I =0 VT
J
Aquí g0 es la conductancia incremental de la juntura con polarización cero.

Con respecto a los detectores a diodo de juntura, a la inversa de la

conductancia de la juntura se la llama “Resistencia de Video”, RV=1/g.
2.8 RUIDO EN EL DIODO DE JUNTURA
Se ha demostrado [2.5] que en el diodo (intrínseco) de juntura como

en cualquier otro dispositivo por el cual circulan portadores discretos, se
generan corrientes de ruido con una densidad espectral de potencia dada por:
S ( f ) = qI (2.12)
Esta es la densidad espectral de cada una de las corrientes independientes que

circulan por el dispositivo. Este tipo de ruido se conoce como “Ruido de
Granalla” ó “Shot”. La expresión 2.12 es llamada “Teorema de Schottky”
[2.1].
En el diodo de juntura con polarización cero parecería que no circula
ninguna corriente. En realidad se estan generando continuamente dentro del
diodo pares electrón-laguna por agitación térmica. Cerca de la juntura los
portadores minoritarios caen por la barrera de potencial provocando un
desequilibrio en la concentración de portadores a cada lado de la juntura. Este
desequilibrio es compensado por una corriente de difusión en sentido
contrario. De la ecuación 2.1 es fácil ver poniendo VJ=0 que tenemos dos
corrientes circulando por diodo, IS y -IS. El sentido de la corriente no cambia
la densidad espectral de potencia, así para el diodo de juntura con polarización
cero la ecuación 2.12 debe modificarse:
S 0 ( f ) = 2qI S (2.13)
Donde S0(f) indica que se trata del diodo sin polarización. El circuito
equivalente de ruido del diodo en estas condiciones es el de la figura 2.4.
in g0
Figura 2.4
Donde el valor cuadrático medio de la corriente de ruido in tiene la expresión:

_
i = 2S0 ( f )Bn = 4qI S Bn
2
n (2.14)
El término Bn representa el ancho de banda de interés ó el ancho de banda

sobre el que se mide el ruido.
Se puede hacer un circuito equivalente de ruido con una fuente de
tensión en lugar de una fuente de corriente como se muestra en la figura 2.5.
1/g0
en
Figura 2.5
La tensión equivalente de ruido tiene un valor cuadrático medio:
_
_
i2
2 S ( f )B 4qI S Bn
e =
n
2 n
= 0 2 n =
2
(2.15)
g 0 g0 g 02
Cuando una resistencia se halla a la temperatura T [K], sobre sus

terminales también aparece una tensión de ruido debido a la agitación térmica
de los electrones. Esta tensión de ruido se conoce como “Ruido de Johnson”.
El valor cuadrático medio de la tensión de ruido sobre la resistencia está dado
por:
_
en2 = 4kTRBn (2.16)
y el circuito equivalente de ruido de la resistencia es:

en
Figura 2.6
Equiparando los circuitos de las figuras 2.5 y 2.6 para hallar una
“temperatura equivalente de ruido” del diodo. Si hacemos:
4qI S Bn 4kTe Bn
= (2.17)
g 02 g0
Podemops despejar Te:
qI S
Te =
g 0k
Y reemplazando g0 por su valor de la ecuación 2.11:
qI S VT q kT
Te = = =T (2.18)
k IS k q
Es decir que la temperatura equivalente de ruido de un diodo de juntura con

polarización cero es simplemente la temperatura del diodo. Esta situación se
suele reflejar en los esquemas circuitales, como una resistencia con su valor y
la temperatura equivalente de ruido como se muestra en la figura 2.7.
RV,Te
Figura 2.7
Qué sucede ahora cuando el diodo está polarizado. Si podemos

suponer que la corriente de polarización es mucho mayor que la corriente de
saturación inversa, la densidad espectral de potencia de la corriente en el
diodo resulta:
S 0 ( f ) = qI J (2.19)
Y el valor cuadrático medio de la corriente de ruido:
_
i = 2 S 0 ( f )Bn = 2qI J Bn
2
n (2.20)
De manera similar a la del diodo sin polarización podemos calcular:
_
_
in2 2S ( f )B 2qI J Bn
e = 2 = 0 2 n =
n
2
(2.21)
g g g2
y haciendo como en la ecuación 2.17:
2qI J Bn 4kTe Bn
= (2.22)
g2 g
qI J VT q kT T
Te = = = (2.23)
2k I J 2k q 2
Resulta que si la corriente directa del diodo de juntura es mucho

mayor que la corriente de saturación inversa, la temperatura equivalente de
ruido del diodo es la mitad de su temperatura real.
Existe otro tipo de ruido en el diodo cuyas características son más
difíciles de cuantificar que el ruido de granalla. Es un ruido que concentra su
energía en las bajas frecuencia y con una densidad espectral que crece a
medida que la frecuencia decrece. Este ruido se conoce como “Ruido 1/f” ó
“Ruido de Parpadeo” (“fliquer” en inglés). La densidad espectral del ruido 1/f
está dada por:
S( f ) ∝
1
(2.24)
f
Este ley de variación de la densidad espectral ha sido verificada hasta

frecuencias del orden de 6e-5 Hertzios. Esto es un ciclo cada 5 horas, y la ley
se sigue cumpliendo [2.6].
El fenómeno es sumamente interesante y se encuentra, no solamente
en los dispositivos semiconductores, sino en toda la naturaleza. Se lo ha
encontrado en la variación del número de manchas solares, en la disposición
del crecimiento de las hojas de los árboles, en el potencial de las membranas
biológicas, etc..
En general de densidad espectral del ruido de parpadeo es de la forma:
S( f )∝
1
(2.25)
fα
Donde α es una constante. Para los dispositivos semiconductores se han

observado valores de 0.8 a 1.3, aunque normalmente se adopta la unidad.
Las causas que producen este ruido no están completamente claras.
Una causa posible la constituyen las corrientes superficiales del diodo en las
cercanías de la juntura. La aislación de dióxido de silicio en el diodo de la
figura 2.3, contribuye a disminuir estas corrientes. Sin embargo se sabe que la
interfase óxido-semiconductor puede producir pares electrón-laguna ó puede
contribuir a la recombinación de portadores. Como estas generaciones y
recombinaciones se dan al azar, contribuyen a la generación de ruido.
Otro posible mecanismo de generación de ruido la constituyen
pequeñas variaciones en la temperatura de la juntura. Como hemos visto,
basta un cambio de media milésima de kelvin para que la caída de voltaje a
través de la juntura cambie un micro Voltio. Las variaciones de temperatura
podrían estar causadas concentraciones locales en la corriente del diodo.
Si bien las causas del ruido de parpadeo no están del todo
comprendidas, es posible medirlo. Lamentablemente los fabricantes, en
general, son renuentes a dar este tipo de información.
El principal problema del ruido 1/f es que disminuye muy poco
reduciendo el ancho de banda. La manera de evitarlo es no realizar medidas
en corriente continua. Por encima de algunos cientos de hertzios ó de algunos
kilohertzios este tipo ruido es usualmente despreciable, aunque algunos
dispositivos de microondas presentan manifestaciones del mismo hasta
frecuencias de cientos de megahertzios.
Con referencias al diodo de juntura, este ruido es el factor limitante
cuando se mide desde o cerca de corriente continua. En diodos
particularmente ruidosos puede tomar valores eficaces del orden del
milivoltio.
REFERENCIAS
[2.1] A. Van der Ziel, “Electrónica Física del Estado Sólido”, Prentice-Hall,
Inc..
[2.2] W. Schottky, “Halbleitertheorie der Sperrschicht”, Naturwissenschaften

26, p.843, 1938.
[2.3] F. Braun, “Ueber die Stromleitung dur Schwefelmetalle”, Ann. Phy.

Chem. 153, p. 556, 1874.
[2.4] W. Shockley, “The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n

Junction Transistors”, 1949.
[2.5]R. D. Thorton et al, “Charateristics and Limitations of Transistors”, John

Wiley and Sons, New York, 1966.
[2.6] C. Motchenbacher y F. Fitchen, “Low-Noise Electronic Design”, John

3______________________________
EL DETECTOR CUADRATICO
3.1 UN MODELO INCREMENTAL DE LA JUNTURA
El detector a diodo es un dispositivo de dos puertas cuya función es

convertir la energía de corriente alternada que ingresa en una de sus puertas y
convertirla en un voltaje o una corriente continua a la salida de la otra puerta.
Si suponemos que la única nolinealidad del dispositivo la constituye el diodo
de juntura, sería interesante encontrar un modelo lineal del mismo.
Esto es en cierta medida un contrasentido. Justamente es la
nolinealidad del diodo la que realiza la conversión corriente alterna/corriente
continua. Sin embargo, si el valor máximo de la tensión de entrada es pequeño
comparado con VT, es posible una representación de este tipo mediante el
empleo de un generador de corriente continua controlado por el valor medio
cuadrático de la tensión de entrada. En la sección 2.7 del capítulo anterior se
avanzó en este sentido representando al diodo por su conductancia
incremental. Esto no es suficiente ya que una conductancia lineal no puede
generar la tensión ó la corriente continua que se espera sea generada por el
diodo. Es necesario mejorar el modelo un poco más para lo que propondremos
una aproximación de segundo orden del diodo.
Como el diodo es un dispositivo no lineal la corriente de juntura en
función de la tensión de juntura se puede escribir:
iJ = I J − I P = a1vJ + a2 vJ2 + ... (3.1)
donde IP es la corriente continua sobre el diodo ó corriente de polarización y

vJ es la tensión alterna aplicada sobre la juntura. Si VJ es pequeña en términos
de VT, nos podemos quedar con los dos primeros términos de la serie.
Supongamos además la siguientes condiciones para vJ:
18 EL DETECTOR CUADRATICO
MAX ( vJ ) << VT (3.2)
T /2
v J (t )dt = 0
1
T →∞ T ∫
v J = lím (3.3)
−T / 2
T /2
v (t ) = lím ∫ v (t )dt
2 1 2
existe J J (3.3)
T →∞ T
−T / 2
Con estas condiciones podemos calcular la corriente continua que

desarrolla la nolinealidad del diodo:
I DC = a1 v J + a 2 v J2 = a 2σ 2 (3.4)
La constante a1 está dada por la ecuación 2.10 donde IJ=IP. Para calcular a2
podemos poner:
1 d 2 iJ IP + IS g
a2 = = = (3.5)
2! dv J2 I J = IP
2VT 2
2VT
Así encontramos que por el diodo circula la corriente continua:
g 2
I DC = vJ (3.6)
2VT
Esta fuente de corriente está controlada por el valor cuadrático medio de la

tensión alterna de entrada.
g
ij
Figura 3.1
La figura 3.1 muestra el modelo lineal para pequeñas amplitudes de la

tensión alterna sobre juntura. Desde luego es también posible un modelo con
una fuente de tensión
Rv
Vj
Figura 3.2
El valor de la tensión de fuente se puede hallar como:
1 g 2 v J2
VDC = vJ = (3.7)
g 2VT 2VT
La resistencia de video RV es, desde luego, la inversa de la conductancia del

diodo.
Es interesante destacar que la tensión continua equivalente que
aparece por la rectificación, depende solamente del valor cuadrático medio de
la tensión de entrada y no depende de la corriente de polarización del diodo.
También es importante tener en cuenta que la resistencia del generador
equivalente, RV, es inversamente proporcional a la corriente de polarización
(supuesto que IS es despreciable) y, si fuera necesario, bajo el control del
diseñador.
Supongamos ahora que el diodo forma parte de un circuito más
complejo. Sin importar su complejidad, la tensión continua desarrollada por la
nolinealidad es proporcional al valor cuadrático medio de la tensión alterna
aplicada sobre la juntura.
Se deduce que cualquier tensión continua que se pueda extraer del
circuito, será proporcional a la potencia de entrada de corriente alterna que se
proporcione al circuito. Esto ocurre siempre que la amplitud máxima de la
tensión alterna aplicada sobre el diodo sea mucho menor que VT.
3.2 EL DETECTOR CUADRATICO
La figura 3.3 muestra la configuración básica de un detector a diodo.

Este tipo de configuración se conoce como “Detector con Polarización Cero”.
D
V0
Vi RL CL
Figura 3.3
Un problema inherente a este tipo de disposición es que si el diodo es

de barrera alta, la resistencia de video RV será elevada. Si esto es un problema,
entonces será necesario emplear diodos de barrera baja. Estos diodos se
conocen como “Diodos de Polarización Cero” y los detectores que los utilizan
como “Detectores de Polarización Cero”.
En la figura 3.4 se muestra el aspecto de detectores a diodo
comerciales.
Figura 3.4
El detector tiene un conector de entrada de radiofrecuencia de acuerdo a les

necesidades (N, SMA, BNC, etc.) y un conector de salida, generalmente del
tipo BNC.
Supongamos que el diodo empleado es ideal y que la tensión alterna

de entrada es sinusoidal:
VI = A ⋅ cos(ωt ) ( 3.8)
con:
VI=tensión de entrada al detector [V]

A=amplitud de la señal sinusoidal [V]
ω=2πf=frecuencia angular [rad/S]
Si la capacidad de carga del detector CL es suficientemente grande, la

totalidad de la tensión de entrada es aplicada sobre la juntura. En estas
condiciones podemos proponer el circuito lineal equivalente de corriente
continua del detector como se muestra en la figura 3.5.
Rv
V0
vj RL CL
Figura 3.5
El valor cuadrático medio de la tensión sobre la juntura es:
A2
v J2 = (3.9)
2
Si reemplazamos en el circuito de la figura 3.5, podemos calcular tensión

continua de salida:
RL A2
V0 = (3.10)
RL + RV 4VT
De la ecuación 3.10 se puede ver que la tensión de salida es

proporcional al cuadrado de la amplitud de la señal de entrada. En estas
condiciones (A<<VT) se dice que el detector es “cuadrático” ó de “ley
cuadrática”. A menudo se dice en estas condiciones que el detector “trabaja en

la zona cuadrática.
La resistencia RV es importante porque determina la
impedancia de entrada , el comportamiento transitorio y la respuesta en
frecuencia del detector cuando la señal de entrada se modula en amplitud. Por
ejemplo supongamos que la amplitud de la señal de entrada cambia
instantáneamente, entonces la constante de tiempo de subida de tensión de
salida resulta:
RV R L
t R = CL (3.11)
RV + R L
De la misma manera la respuesta en frecuencia a la salida del detector cuando

la señal de entrada es modulada en amplitud queda definido por la resistencia
de video y la frecuencia de corte -3dB está dada por:
1  1 1 
fc =  +  (3.12)
2πC L  RV R L 
Esta frecuencia se conoce habitualmente como “ancho de

banda de video” del detector.
Supongamos ahora que la señal sinusoidal de entrada se aplica sobre
una resistencia Z0, en estas condiciones la potencia disipada en Z0 es:
A2
P=
2 Z0
de aquí podemos despejar A2:
A 2 = 2Z0 P
y reemplazando:
RL Z
V0 = ⋅ 0 ⋅P (3.13)
RL + RV 2VT
La ecuación 3.13 muestra que en el detector cuadrático la tensión

continua de salida es directamente proporcional a la potencia de entrada de
radiofrecuencia para señales sinusoidales. Desde luego si la tensión de entrada
no fuera sinusoidal el detector responde a la potencia de entrada siempre que
se cumpla con la condición que la tensión pico de entrada sea mucho menor
que VT.
Expresando la potencia de entrada en [dBm] tenemos:
 RL Z0 
10 * log(V0 [mV ]) = 10 * log  + P[dBm] (3.14)
 RL + RV 2VT 
Si RL>>RV. Z0=50[Ω] y VT=26[mV], entonces la expresión de la potencia de

entrada en función del voltaje de salida es muy simple:
10 * log (V0 [mV ]) = P[dBm] + 29.8 (3.15)
En la figura 3.5 se muestra el comportamiento medido de un detector

comercial (Elcom Systems Inc. modelo CD-51). Como se puede ver, a niveles
de entrada bajos el comportamiento del detector sigue muy bien el
comportamiento teórico. A esta zona se la denomina la “zona cuadrática”. La
pendiente de la curva es la unidad y la expresión de la asíntota coincide con la
ecuación 3.15.
A medida que el nivel de entrada aumenta este comportamiento se
aparte de lo predicho para el detector cuadrático para entrar en la sí llamada
“zona lineal” con una pendiente de ½ (ver el Capítulo 4).
Las asíntotas a la zona lineal y a la zona cuadrática se cortan en para
un nivel de entrada de -10[dBm] y es práctica habitual considerar que el
detector está en la zona cuadrática si la potencia de entrada es menor que
-20[dBm]. Para este nivel de la señal de entrada la salida del detector es de
aproximadamente 10 [mV]. Una regla habitual entre los experimentadores es:
“no pasar los 10 [mV] de tensión de salida si se quiere que el detector
funcione en la zona cuadrática”.
35
30
PENDIENTE=1
25
20 PENDIENTE=0.5
10*log(V O [mV])
15
MEDIDO
10
-5
-10
-15
-40 -30 -20 -10 0 10 20
P [dBm]
Figura 3.5
Consideremos ahora la impedancia de entrada del detector, si la

capacidad de carga es un cortocircuito a las frecuencias de interés, entonces la
de la figura 3.x se puede ver que la impedancia de entrada es simplemente RV.
Es decir que en funcionamiento cuadrático la impedancia de entrada del
detector es independiente de la resistencia de carga e igual a la resistencia de
video.
A modo de ejemplo pongamos las siguientes condiciones:
VT=26[mV]
IS=10-8[A]
RL=∞
Calculamos:
26 ⋅ 10 −3
RV = = 2.6 MΩ
10 −8
Como la impedancia de entrada del detector es muy grande se puede aplicar

directamente sobre un sistema con un nivel de impedancia de 50 ohms (típico
en RF) para medir la potencia. Suponiendo que la resistencia de carga RL es
mucho mayor que RV, de la ecuación 3.13 tenemos:
Z0
V0 = ⋅P
2VT
Definamos:
V0 Z
γ = = 0 (3.16)
P 2VT
Reemplazando valores:
50 V   mV 
γ = −3
= 952   = 0.952  
2 ⋅ 26 ⋅ 10 W   µW 
El cociente entre el voltaje de salida y la potencia de entrada, γ, se

conoce habitualmente como “sensibilidad de voltaje” del detector. El valor
hallado en el ejemplo es típico de detectores comerciales (por ejemplo la
firma Hewlett-Packard especifica para su detector 8470B una sensibilidad
mayor que 0.5[mV/µW]).
Los fabricantes de diodos para detectores habitualmente especifican
sensibilidades de voltaje mucho mayores. La razón es simple: esta
sensibilidad está medida ó calculada en condiciones de adaptación como se
muestra en la figura 3.6.
n
V0
1
50Ω
RL CL
Figura 3.6
en nuestro ejemplo:
2.6 ⋅106
n= = 228
50
y la sensibilidad sería:
 mV 
γ ′ = n ⋅ γ = 217  
 µW 
Estas sensibilidades son muy difíciles de obtener y esto solamente en

detectores de banda angosta, por ejemplo sintonizados.
En detectores de banda ancha usualmente se carga la entrada del
detector directamente con la impedancia característica del sistema bajo
medida (figura 3.7). De esta manera el detector presenta la impedancia de
entrada correcta y la sensibilidad queda dada por la ecuación 3.16. A menudo
el detector incluye un atenuador a la entrada del mismo para mejorar
características de banda ancha (menor coeficiente de reflección a la entrada en
un rango muy amplio de frecuencias) con lo cual la sensibilidad es menor que
la dada por la ecuación 3.16.
Como se ha visto en el ejemplo anterior la resistencia de entrada
resultó muy elevada (2.6[MΩ]). Esto tiene dos consecuencias no deseadas,
primero obliga a medir con un instrumento de muy elevada resistencia de
entrada, ya que aunque de la ecuación 3.13 parecería que es posible emplear
una resistencia de carga del orden de la resistencia de video a costa de una
reducción en la sensibilidad, en la realidad RV varía con la corriente de
saturación inversa IS del diodo (ecuación 3.9). Esta a su vez varía fuertemente
con la temperatura del diodo haciendo difícil cualquier intento de
compensación.
VI
VS
Z≅Z0 Z0
RL CL
Z>>Z0
Figura 3.7
El segundo problema que resulta de tener una resistencia de video

elevada es la reducción del ancho de banda de video, por ejemplo si RL=∞ el
ancho de banda -3dB del detector resulta:
1
Bω −3dB = (3.17)
2πRV C L
Si se desea un ancho de banda de, por ejemplo 100 [KHz], con los datos
anteriores tenemos:
= 0.61[ pF ]
1
CL =
2π ⋅ 2..6 ⋅ 106 ⋅105
Ahora bien CL es necesario para obtener el filtrado de la corriente rectificada

y por lo tanto no puede reducirse arbitrariamente y de todas manera en este
ejemplo la capacidad de carga calculada es del orden de la capacidad de
juntura de los diodos prácticos.
Las soluciónes a estos problemas son básicamente las siguientes:
1) Emplear diodos con una resistencia de video baja. Es posible conseguir

diodos desarrollados para ser empleados en detectores, con una resistencia de
video tan baja como 500 [ohms] (por ejemplo el diodo Microwave Associates
MA40188) [3.1]. En este caso se dice que el diodo es de “barrera baja” y al
detector se lo denomina de “barrera baja” ó “detector de polarización cero”.
2) Polarizar el diodo con una pequeña corriente directa
3.3 EL DETECTOR POLARIZADO
Examinemos la propuesta 2, para ello consideremos el circuito de la

figura 3.8:
V0
VI IP
CL
Figura 3.8
Las diferencias con el detector de polarización cero son dos. Primero con el
diodo polarizado la resistencia de video es baja, por lo que la resistencia de
carga RL es generalmente despreciable. La segunda diferencia es más
importante, la tensión de salida está desplazada por la caída en el diodo. Así
si la tensión alterna de entrada es nula:
 −Vγ  −Vγ
 
I P = I S e − 1 ≅ I S e VT
VT
(3.18)
 
 
Donde Vγ es la tensión de corte del diodo para la corriente de polarización IP

(tener en cuenta que Vγ >>VT). De la ecuación 2.4 tenemos:
 I − IS 
Vγ = VT ln  P  (3.19)
 IS 
Es decir que al modelo lineal de la figura 3.X, es necesario modificarlo como

se muestra en la figura 3.X
Figura 3.X
Des este circuito es fácil reconocer que la sensibilidad de voltaje γ permanece

inalterada y la impedancia de entrada y el comportamiento transitorio del
detector quedan determinados por la resistencia de video RV.
Una consecuencia importante de polarizar el diodo es que ahora la
resistencia de video queda determinada por la corriente de polarización y por
lo tanto bajo el control del diseñador.
Es necesario señalar que la impedancia de entrada del detector
polarizado, es inversamente proporcional a la corriente de polarización. Si
esta corriente es relativamente grande la impedancia de entrada del detector
ya no es despreciable en comparación con la impedancia del sistema, Z0. En
este caso se elije una resistencia en paralelo con la entrada del detector de tal
manera que la combinación en paralelo de esta con la resistencia de video sea
igual a Z0. La práctica habitual es que la corriente de polarización sea de
algunos microamperes, con lo cual la resistencia de video es de algunos miles
de ohms. Corrientes más elevadas generalmente resultan en una pérdida de

eficiencia del detector debido a la resistencia serie RS del diodo.
El hecho que la salida del detector esté desplazada en Vγ puede ser un
problema en muchas aplicaciones. Más aún esta tensión es relativamente
elevada (del orden de los cientos de milivoltios) y con una variación con la
temperatura de -1.9[mV/K]. Todo esto cuando la magnitud de la señal de
salida del detector puede ser del orden de los microvoltios. La manera
habitual de resolver este problema es modular en amplitud la señal a medir.
Algunas veces esto es sencillo de realizar, como cuando estamos midiendo la
potencia de un generador con posibilidades de ser modulado en amplitud.
Otras veces es necesario agregar exteriormente a la fuente de señal un
modulador [3.2] [3.3].
Al estar modulada en amplitud la señal a medir, es posible usar un
filtro pasaaltos para eliminar la componente de continua. También es posible
usar un filtro pasabanda para reducir el ruido de la medición.
Otro efecto beneficioso del empleo de modulación de amplitud es que
ahora la medición se puede realizar a una frecuencia alejada del la región 1/f
del ruido del diodo (Capítulo 5). Para ello basta con modular en amplitud la
señal a medir con una frecuencia de algunas decenas de [KHz], aunque es
práctica común modular a 1[KHz] donde todavía queda alguna influencia del
ruido 1/f.
Es así que, mientras que con mediciones en corriente continua el
limite de medición esta alrededor de los -50 [dBm], con modulación de
amplitud a 1 [KH] este límite es de alrededor de los -70 [dBm]. Esta ganancia
de 20 [dB] es importante y justifica la complicación en los circuitos de
medida.
3.4 EL DETECTOR CON SALIDA DE CORRIENTE
Supongamos ahora que la resistencia de carga RL es mucho menor

que la resistencia de video RV, tal como cuando se carga el detector con un
microamperímetro. en estas condiciones:
V0 1 Z Z0
I0 = = ⋅ 0 ⋅P ≅ ⋅P
RL RL + RV 2VT 2VT RL
Definamos:
I0 Z0
β= = (3.20)
P 2VT RL
La Ec 3.20 define la “sensibilidad de corriente”del detector a diodo

que, como se ve, depende de la resistencia de video y por lo tanto del tipo de
diodo empleado. Este tipo de detector con salida de corriente son
normalmente no polarizados y emplean diodos de barrera baja.
REFERENCIAS
[3.1] Macom Inc., “Semiconductor Products Master Catalog”, USA, 1988.
[3.2] J. K. Hunton y A. G. Ryals, “Microwave Variable Attenuators and

Modulators Using PIN Diodes”, IRE Trans. On Microwave Theory and
Techniques, Vol MTT-10, pp 262-273, Julio, 1962.
[3.3] J. C. Cacheris y H. A. Dropkin, “Compact Microwave Single-Sideband

Modulator Using Ferrites”, IRE Trans. On Microwave Theory and
Techniques, Vol MTT-4, No 3, pp 152-155, Julio, 1956.
4______________________________
EL DETECTOR LINEAL
4.1 EL DETECTOR LINEAL CON POLARIZACION CERO
Es interesante ahora estudiar que pasa cuando la amplitud de la

señal de entrada es tan grande que ya no podemos considerar las
aproximaciones del Capítulo anterior. En la figura 4.1 se muestra lo que
sucede cuando A>>VT.
VO
4 VI
ID
2
VI , VO
-2
-4
-6
-5 0 5
ωt
Figura 4.1
34 EL DETECTOR LINEAL
Experimentalmente se sabe que si A>>VT, la tensión de salida es

aproximadamente igual a la tensión pico de entrada. Acá hemos
supuesto que la amplitud de la tensión de entrada sea 5[V] y la tensión
de salida 4.5[V].
Como se ve en la figura 4.1, la mayor parte del tiempo la
tensión sobre el diodo es negativa y el diodo conduce sólo durante una
pequeña fracción del período.
También se puede deducir de la ecuación 2.1 que, si la tensión
inversa sobre el diodo es de unas pocas decenas de milivoltios (unas
pocas veces -VT), la corriente inversa es -IS independientemente de la
magnitud de la tensión aplicada.
En la figura 4.2 se muestra la tensión sinusoidal aplicada sobre
el diodo junto con una aproximación cuadrática de la misma. Esta
aproximación es muy buena cuando el diodo está en directa. En inversa
da lo mismo emplear en los cálculos la tensión sinusoidal ó la
aproximación cuadrática, ya que la corriente inversa es siempre -IS.
-5
VD
-10
-15
-20
-25
-3 -2 -1 0 1 2 3
ωt
Figura 4.2
La tensión sinusoidal tiene la forma:
VD = 5 ⋅ cos(ωt ) − 4.5 4.1
Mientras que la aproximación:

VD = 0.5 − 2.5 ⋅ (ωt )

2
4.2
En general la aproximación se puede escribir como:
VD = ( A − V0 ) − (ωt )2
A
4.3
2
Con los símbolos definidos en el Capítulo 3. Así podemos reescribir la

ecuación 3.6 como:
 ( A−V0 )− A2 (ωt )2 
_  A cos(Vωt ) −V0
T/2  π  
IS e dt ≈ I S
ID = ∫ − ∫  − dωt
VT
T
1 e 1
T −T / 2   2π −π  
  
 
Reordenando:
A −V0 π A
_
I − (ωt )2
ID = S e ∫e dωt − I S
VT 2VT
4.4
2π −π
Como estamos en la hipótesis A>>VT, A/(2VT) es mucho mayor que la

unidad, los límites de la integral se pueden cambiar a (-∞,∞) con un
error muy pequeño y cuantificable. Estos cálculos son muy comunes en
la Teoría de las Probabilidades [4.1] y el resultado de la integral es en
la ecuación 4.4 es:
∞ A 2
− x
2πVT
∫e dx =
2VT
−∞
A
Reemplazando este resultado en la ecuación 4.4, tenemos:

A −V 0 A −V0
_
I 2πVT VT
ID = S e VT
− IS = ISe VT
− IS (4.5)
2π A 2πA
Si el circuito empleado para el detector es el de la figura 3.1, entonces:
A −V 0
_
VT V
I D = ISe VT
− IS = 0 (4.6)
2πA RL
Esta ecuación es trascendente y no se puede hallar una expresión

explícita para V0. Sin embargo es fácil ver que si V0 es grande influye
más en la exponencial que en término lineal. Despejando V0 de la
exponencial:
VT  2πA   V 
V0 = A − ln   − VT ln  0 + 1 (4.7)
2  VT   RL I S 
Como ya sabemos que V0≈A y el logaritmo crece lentamente con el

argumento, en la ecuación 4.7 podemos reemplazar V0 por A dentro del
logaritmo para obtener finalmente:
VT  2πA   A 
V0 ≈ A − ln   − VT ln  + 1 (4.8)
2  VT   RL I S 
El resultado de la ecuación 4.8 puede interpretarse en el sentido

que la tensión de salida es aproximadamente igual a la amplitud A de la
tensión de entrada ya que los términos que se restan son pequeños
(proporcionales a VT) y como dependen de logaritmos crecen muy
lentamente con A. Para ver como influyen estos términos en el
resultado pongamos:
A = 5[V]
VT = 0.026[V]
RL = 10[MΩ]
IS = 10-7[A]
Con estos valores podemos calcular V0 como:

0.026  2π 5   5 
V0 ≈ 5 − ln   − VT ln  7 − 7 + 1 =
2  0.026   10 10 
= 5 − 0.0923 − 0.0466 = 4.86[V ]
Como se ve la tensión de salida se aproxima a la amplitud de la

señal de entrada mejor que lo supuesto en el ejemplo anterior. Esto
hace que las aproximaciones empleadas se cumplan más ajustadamente.
En estos casos en que la tensión de salida es aproximadamente
igual a la tensión pico de la señal entrada se dice que el detector es
“lineal” ó que “trabaja en la zona lineal”.
Con excitación sinusoidal, la amplitud de la tensión de entrada
se puede escribir como:
V0 ≈ A = 2 Z 0 P (4.9)
Si expresamos la potencia de entrada en [dBm]:
10 ⋅ log (V0 [mV ]) = 30 + 5 ⋅ log (2Z 0 ) + P[dBm]

1
(4.10)
2
La pendiente de la curva es ½ como se podía ver en los datos medidos

de la figura 3.5. Si Z0 es 50[Ω], como es habitual en la técnica de la
radiofrecuencia, la ecuación 4.10 se puede escribir como:
10 ⋅ log (V0 [mV ]) = 25 + P[dBm]

1
(4.11)
2
Este resultado coincide muy bien con los datos de la figura 3.5.
4.2 EL DETECTOR LINEAL CON POLARIZACION
Calculemos ahora el comportamiento del detector con

polarización de la figura 3.8 con una amplitud de la tensión de entrada
mucho mayor que VT. En estas condiciones:
_
I D = IP
reemplazando el resultado de la ecuación 4.5:
−V 0 A
VT VT
IP = IS e VT
e − IS (4.12)
2πA
Recordando que:
VO 0
I P = I S e VT − I S
Donde VS0 es la tensión de salida del detector con entrada nula.

Reemplazando en la ecuación 4.12:
V O 0 −V 0 A
VT
e VT
⋅ ⋅ e VT = 1
2πA
tomando logaritmos:
V0O − V0 1  VT  A
+ ln  + =0
VT 2  2πA  VT
despejando:
VT  2πA 
V0 − V0O = A − ln   (4.13)
2  VT 
El resultado es idéntico al de la ecuación 4.8 con RL=∞.

En estos casos en que la tensión de salida es aproximadamente
igual a la tensión pico de la señal entrada se dice que el detector es
“lineal” ó que “trabaja en la zona lineal”.
4.3 LA IMPEDANCIA DE ENTRADA DEL DETECTOR LINEAL
La impedancia de entrada del detector a diodo trabajando en la

zona lineal se puede calcular con la siguiente expresión:
A
ZI = (4.14)
a1
Donde a1 es la componente fundamental de la expansión en serie de

Fourier de la corriente del diodo.
T/2
∫ I (t ) cos(ωt )dt
1
a1 = D
2T −T / 2
recordando que en las condiciones con que estamos trabajando,

A>>VT, el diodo conduce brevemente cuando el cos(ωt) es
aproximadamente igual a la unidad. Por lo tanto:
_
T/2 T /2
I D (t ) cos(ωt )dt ≈ I D (t )dt = D
1 1 I
a1 =
2T ∫
−T / 2 2T ∫
−T / 2 2
(4.15)
Si el detector es de polarización cero, entonces:
_
V0 A
ID = ≈
RL RL
RL
ZI = (4.16)
2
SI el detector es del tipo polarizado, entonces la corriente media

en el diodo es la corriente de polarización y la impedancia de entrada:
A
ZI = (4.17)
2I P
4.4 EL COMPORTAMIENTO TRANSITORIO
Sería interesante calcular para el detector lineal un equivalente

de la resistencia de video. Sin embargo debemos reconocer que en este
caso el circuito es altamente no lineal.
Si la tensión de entrada aumenta bruscamente, la tensión de
salida sube rápidamente ya que el capacitor CL se carga rápidamente a
través del diodo que conduce fuertemente en los picos positivos de la
señal de entrada.
Por el contrario si la amplitud de la señal de entrada baja
rápidamente, el capacitor CL sólo puede descargarse a través de RL ó de
la fuente de corriente IP.
Por lo tanto no puede definirse una resistencia de video cuando
el detector funciona con amplitudes de entrada elevadas (A>>VT).
El comportamiento transitorio del detector lineal está
caracterizado por una subida rápida y una caída lenta.
Si el detector es del tipo de polarización cero, entonces la subida
tiene una constante de tiempo del orden de CL⋅RS mientras que la
constante de tiempo de la caída es del orden de CL⋅RL.
Si el detector está polarizado, entonces la subida es igual a la del
detector de polarización cero mientras que la caída es lineal con una
pendiente:
dV0 I P
= (4.18)
dt CL
El comportamiento transitorio descripto es característico del

detector a diodo con gran amplitud de la señal de entrada, y es una gran
limitación cuando se lo emplea para detectar señales moduladas en
amplitud. Es necesario asegurar que la constante de tiempo mas lenta
sea menor que el período de la señal moduladora. Esto generalmente
nos lleva a tener que reducir la resistencia de carga RL ó a aumentar la
corriente de polarización IP sin otras alternativas disponibles.
REFERENCIAS
[4.1] A. Papoulis, “Probabilidades, Variables Aleatoria y Procesos

Estocásticos”, Editorial Universitaria de Barcelona, Barcelona, 1980.
5______________________________
LIMITACIONES DEL DETECTOR
A DIODO
5.1 DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA
Con el detector funcionando en la zona lineal, hemos visto que la

expresión de la tensión de salida del detector es:
RL A2
V0 = (3.10)
RL + RV 4VT
Como tanto RV como VT dependen de la temperatura es de esperar

que la sensibilidad del detector también dependa de la temperatura. Si la
resistencia de carga del detector es mucho mayor que la resistencia de
video, entonces la tensión de salida resulta:
A2
V0 = (5.1)
4VT
Derivando con respecto a la temperatura del diodo:
1 dV0 1 dVT
=− (5.2)
V0 dT VT dT
Como VT=kT/q:
42 LIMITACIONES DEL DETECTOR A DIODO
∆VT ∆T
=
VT T
∆V0 ∆T
=− (5.3)
V0 T
A temperatura ambiente (T=300K), la variación relativa del voltaje de salida

es:
∆V0 ∆T ∆T
=− =− = −0.33% / K (5.4)
V0 T 300[ K ]
En alguna aplicaciones, esta variación en la sensibilidad puede ser

demasiado elevada. Una solución al problema puede ser, y se la usa,
termostatizar al detector. En de metrología de precisión se llega a controlar la
temperatura del detector dentro de ±0.03 de grado Kelvin [5.1]. La práctica
habitual consiste en elevar la temperatura del detector ligeramente por encima
de la temperatura ambiente (30 a 40°C) y regular esta temperatura.
Si la resistencia de video no se puede despreciar, entonces:
∆V0 RV ∆RV ∆VT

=− −
V0 (RV + RL ) RV VT
Recordando la expresión de RV de la ecuación 3.9:
∆RV ∆VT ∆I S
= −
RV VT IS
Reemplazando:
∆V0 RV ∆T ∆T RV ∆I S
=− − + (5.5)
V0 (RV + RL ) T T (RV + RL ) I S
Hemos visto en el Capítulo 2, que la variación relativa de la corriente de
saturación inversa con la temperatura era del orden del 7%. En la ecuación
5.5, el término que domina la variación de la sensibilidad es el que contiene la

variación relativa de la corriente inversa. Así:
∆V0 RV ∆I S
≈ (5.6)
V0 (RV + RL ) I S
Un posible esquema de compensación puede consistir en hacer RL
dependiente de la temperatura [5.2]. Así, derivando la ecuación 3.10 y
suponiendo que varían solamente RL y RV, podemos escribir:
∆V0 RV  ∆RL ∆RV  RV  ∆RL ∆I S 

≈  −  =  −  (5.7)
V0 (RV + RL )  RL RV  (RV + RL )  RL I S 
Si la variación relativa de RL es igual que la variación relativa de la
corriente inversa, es posible compensar la variación de la sensibilidad.
Algunos detectores comerciales introducen compensación por
temperatura en el rango de temperatura ambiente[5.3].
5.2 COMPORTAMIENTO NO LINEAL
Ya vimos en la figura en la figura 3.5, que a medida que aumenta la

potencia de la señal de entrada el detector pasa de la zona cuadrática a la zona
lineal. En muchas aplicaciones es deseable medir la potencia de
radiofrecuencia más allá de la zona cuadrática. Una posible solución consiste
en almacenar el comportamiento medido del detector y corregir las
mediciones realizadas a posteriori. Si bien esta solución puede ser adecuada
en muchos casos, a menudo es deseable tener una expresión analítica para las
correcciones. Suponiendo que la resistencia de carga del detector es muy
grande en términos de la resistencia de video, la relación entre la potencia de
entrada y la tensión de salida en la zona cuadrática esta dada por la ecuación
3.13 que reescribimos como:
2VT
P= ⋅ V0 = K ⋅ V0 (5.8)
Z0
Donde K es una constante. Ahora bien, si el rango de medición es mayor que

el rango cuadrático, podemos modificar el modelo de la ecuación 5.8 como
sigue [5.2]:
f (V 0 )
P = K ⋅ V0 (5.9)
Donde:
f (V0 ) = 1 + b1V0 + b2V02 + .... + bnV0n (5.10)
Si ahora medimos dos potencias distintas y hacemos el cociente, podemos

escribir:
P0i V0if (V0i )

=
P0 j V0fj (Voj )
(5.11)
Este cociente es independiente de la constante K. Si tomamos logaritmos:
P 
log 0 i  = f (V0i )log (V0 i ) − f (V0 j )log (V0 j )
 P0 j 
 
Reemplazando y reagrupando:
P 
log 0i  =
P 
 0j 
(log(V0i ) − log(V0 j )) +
b1 (V0 i log (V0 i ) − V0 j log (V0 j )) + (5.12)
(
b2 V02i log (V0i ) − V02j log (V0 j ) +)
... +
(
bn V0ni log (V0i ) − V0nj log (V0 j ) )
Tenemos ahora una ecuación lineal en los coeficientes bk (k=1,n). Si
repetimos los pares de medidas, podemos obtener un sistema lineal de n
ecuaciones con n incógnitas en los coeficientes bk. En la práctica el
número de coeficientes generalmente varía entre 2 y 6.
En la figura 5.1 se muestra el resultado de la linealización
efectuada con n=5 para el detector cuyos resultados se muestran en la
figura 3.5.
LINEALIZADO
0
ERROR DE MEDIDA [dB]
-1
-2
SIN LINEALIZAR
-3
-4
-5
-6
-30 -25 -20 -15 -10 -5 0
P [dBm]
Figura 5.1
Los errores residuales de la linealización son menores a 0.2[dB] y del

orden de los errores de atenuador con el que se efectuó la medida. Un método
de linealización que no depende de la exactitud del atenuador o de los niveles
absolutos de potencia se puede encontrar en [5.2].
Hasta acá hemos examinado las nolinealidades cuando RL es mucho
mayor que RV. Cuando esto no ocurre las nolinealidades del detector pueden
ser muy severas. Un excelente tratamiento del tema se puede encontrar en
[5.4].
5.3 RESPUESTA EN FRECUENCIA
Hasta ahora hemos calculado la salida del diodo como si este fuera un
diodo ideal. En el Capítulo 2 sin introdujeron la capacidad de juntura CJ del
diodo y los elementos parásitos del mismo, LS, RS y CC. Si agregamos en el
detector cuadrático estos elementos, tenemos el siguiente circuito equivalente:
Cj
Z0 LS RS Rj
V0
VI
Z0 CL RL
Figura 5.2
Se ha despreciado la capacidad del encapsulado para facilitar los

cálculos, se agregado además la impedancia de salida de generador que
necesariamente debe estar presente. La tensión de salida del detector depende
del voltaje alterno aplicado sobre la juntura VJ. Para calcular este voltaje
podemos emplear el siguiente circuito equivalente para corriente alterna (se
supone que CL es un cortocircuito a la frecuencia de interés):
Z0/2 LS RS
Vj
VI/2
CJ
Figura 5.3
Por inspección de la figura 5.3 se puede escribir la expresión del

voltaje sobre la juntura:
Vg 1
VJ = ⋅
2 LS C J  1 1 Z  1   Z0 
− ω 2 + jω  +  0 + RS   + 1 +  + RS  
 RV C J LS  2   LS C J   2 
Despreciando el término que contiene RV, la ecuación anterior se puede

simplificar a:
Vg 1
VJ = ⋅ (5.13)
2 LS C J 1 Z  1
− ω 2 + jω  0 + RS  +
LS  2  LS C J
Poniendo:
1
ω 02 =
LS C J
1  Z0  C
ς =  + RS  J
2 2  LS
Manipulando la ecuación 5.13 podemos obtener:
VJ 1
= 2
(5.14)
Vg ω  ω 
−   + j 2ς   + 1
 ω0   ω0 
2
Podemos sacar algunas conclusiones rápidas:
1) Por debajo de la frecuencia ω0 el detector se comporta como si el

diodo fuera ideal.
2) Por encima de ω0 la tensión sobre el diodo cae 12 dB por octava,

por lo cual la potencia indicada por el detector es menor que la
real a la entrada del mismo. Esta potencia aparente cae a razón de
12 dB por octava. De todas maneras el detector se puede usar a
frecuencias mayores cuando importan solamente medidas
relativas (indicador de máximo, mínimo, etc.).
3) Cerca de ω0 la tensión sobre la juntura depende fuertemente del

factor de amortiguamiento ς. Usualmente ς<1 con lo que la
potencia indicada es mayor que la potencia real. Esto puede
solucionarse aumentando el amortiguamiento para lo cual es
habitual aumentar RS mediante una resistencia externa. Una
palabra de precaución es necesaria en este punto: las resistencias

poseen inductancia y capacidad parásitas, aún las resistencias más
pequeñas de montaje superficial. Los fabricantes de detectores
agregan resistencias amortiguadoras a sus microcircuitos, ya sean
monolíticos o híbridos agregando inductancias muy pequeñas.
Consideremos un detector construido con el diodo BAT17 de la firma

Siemens. Los datos del fabricante para este diodo son:
LS= 2 [nH]
CJ= 1 [pF]
RS= 1.8 [Ω]
Z0 = 50 [Ω]
Para una tensión de salida V0, la potencia de entrada es de -17.3[dBm]

a baja frecuencia. Aumentando la frecuencia mientras se ajusta la potencia de
entrada para mantener constante la tensión de salida se obtiene el resultado
mostrado en la figura 5.4. Se puede ver que la potencia de entrada se mantiene
constante hasta las cercanías de la frecuencia de resonancia. A la frecuencia
de resonancia la potencia de entrada a caído cerca de 8 [dB] con respecto a la
potencia de entrada a baja frecuencia. Por encima de la frecuencia de
resonancia es necesario aumentar la potencia de entrada para mantener la
tensión de salida constante. En trazo continuo se muestra la respuesta teórica
del detector. En línea punteada se han indicado las medidas realizadas. Como
se puede ver el ajuste es excelente, las diferencias se pueden adjudicar a
diferencias en los datos del fabricante que da valores típicos y, muy
probablemente, a componentes parásitos agregados al circuito.
6
10*log(2*Vj/Vg)
4
CALCULADO
3
2 MEDIDO
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
f [GHz]
Figura 5.4
Los fabricantes de detectores básicamente emplean tres estrategias

para extender el rango de frecuencias de sus detectores:
1) Emplean diodos sin encapsular (chips) para bajar LS.
2) Emplean diodos de muy baja capacidad de juntura CJ. Esto se

consigue disminuyendo el área de la juntura. Desafortunadamente
esto hace que los diodos sean muy susceptibles a las tensiones
estáticas.
3) Aumentan RS exteriormente al diodo para conseguir un

amortiguamiento ligeramente inferior a 1.
5.4 RUIDO
El diodo de juntura, como cualquier otro dispositivo semiconductor,

genera ruido. La detección de señales de muy baja potencia está limitada por
el mismo.
En un detector a diodo de juntura, encontramos este ruido es generado
por los portadores discretos en el diodo [5.5] y el ruido térmico de la
resistencia de carga (despreciamos el ruido térmico de la resistencia serie del
diodo).
Supongamos un detector a diodo sin corriente de polarización y

señales de entrada muy pequeñas, de tal manera que podemos considerar por
el diodo no circula ninguna corriente continua. En estas condiciones la
densidad espectral de la corriente de ruido en el diodo está dada por [5.5]:
S ( f ) = 2qI S (5.15)
El valor cuadrático medio de la corriente de ruido en el diodo está dado por:
in2 = 2 S ( f )∆f = 4qI S ∆f (5.16)
donde ∆f es la banda de frecuencias de interés. Para la resistencia de carga

tenemos:
en2 = 4 KTR L ∆f (5.17)
y el circuito equivalente de ruido para el detector resulta:
in
Vns
RL CL
RV
en
FIGURA 5.5
En la figura 5.6 podemos encontrar el circuito equivalente de

Thevenin:
RT
Vns
en1
CL
en2
Figura 5.6
Donde:
R L RV
en1 = in (5.18)
R L + RV
RV
en 2 = en (5.19)
R L + RV
RL RV
RT = (5.20)
RL + RV
2 2
 R R   R R 
e = i  L V  = 4qI S ∆f  L V  = 4qI S ∆fRT2
2 2
(5.21)
 R L + RV   R L + RV 
n1 n
2
 RV  R L2 RV2 4 KT∆fRT2
e2
=e 2
 = 4 KT∆f = (5.22)
 R L + RV  ( R L + RV ) 2 R L
n2 n
RL
La tensión cuadrática media de ruido a la salida de detector es:
 KT 
e R2 = en21 + en22 = 4 ∆fRT2  qI S +  (5.23)
 RL 
La potencia disponible de ruido es:

e R2  KT 
PDISP = = ∆fRT  qI S +  (5.24)
4 RT  RL 
y la densidad espectral de ruido:
PDISP RT  KT 
So ( f ) = =  qI S +  (5.25)
2 ∆f 2  RL 
La densidad espectral a la salida del filtro pasabajos RT, CL resulta:
 KT 
RT  qI S + 
ST ( f )  RL 
S0 ( f ) = =
( )
(5.26)
1 + ω 2 RT C L 2 1 + ω 2 RT C L
Finalmente la tensión de ruido a la salida es:
∞
 KT  π
V = ∫ S ( f )df = RT  qI S +  fC
2
(5.27)
 RL  4
n 0
−∞
donde:
1
fC = (5.28)
2πRT C L
por ejemplo para:
IS=10-7 [A]
ηVT=26[mV]
RL=∞
REFERENCIAS
[5.1] E. Bergeault, “Etude et Réalization d’un Analyseur de Réseaux a Six

Portes dans la Bande de Fréquence 1-18GHz”, Thèse de Doctorat 91E005,
Télécom Paris, Enero de 1991.
[5.2] C. Hoer, K. Roe y C. Mckay Allred, “Measuring and Minimizing Diode

Detector Nonlinearity”, IEEE Trans. On Instrumentation and Measurents, Vol
IM-25, No 4, pp 324-329, Diciembre de 1976.
[5.3] P. Szente, S. Adam y R. Riley, “Low-Barrier Schottky-Diode

Detectors”, Micro Wave Journal, Vol 19, No 2, pp 42-43/59-60, Febrero de
1976.
[5.4] R. Harrison y X. Le Polozec, “Nonsquarelaw Behavior of Diode

Detectors Analyzed by the Ritz-Galérkin Method”, IEEE Trans. On
Microwave Theory and Techniques, vol 42, No 5, pp 840-846, Mayo de 1994.
[5.5]R. D. Thorton et al, “Charateristics and Limitations of Transistors”, John


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EL DETECTOR A DIODO 1

El Detector a Diodo de juntura es un elemento muy útil como

Este trabajo pretende exponer la teoría de funcionamiento del detector

2.1 LA JUNTURA P-N

El diodo de juntura ha sido descripto en numerosas publicaciones

Hemos reservado los símbolos IJ y VJ para la corriente y la tensión

Donde k es la constante de Boltzman (k=1.38x10-23J/K), T es la temperatura

A la temperatura ambiente (T=300K), VT es aproximadamente igual a

donde A es una constante y Vg es conocida como la “barrera de potencial”,

La corriente inversa del diodo no se muestra ya que esta es despreciable frente

Un diodo equivalente de germanio tendría una corriente de saturación inversa

Cuando se diseña un detector estas diferencias en el voltaje de corte son muy

(1.07 )10 ≈ 2 (2.6)

se concluye que la corriente de saturación inversa se dobla cada 10[K].

La derivada de Vγ con respecto a la temperatura es:

Reemplazando los valores calculados del voltaje de corte y los valores de la

2.2 LA CAPACIDAD DE TRANSICION

Cuando el semiconductor P es positivo con respecto al semiconductor

Las constantes CJ0, VJ0 y η dependen del perfil de contaminación del

capacidad de transición sobre el rango de tensiones aplicadas. Esta capacidad

2.3 LA CAPACIDAD DE DIFUSION

En el párrafo anterior vimos que con el diodo polarizado en inversa,

2.4 LA CARACTERISTICA INVERSA DEL DIODO

De la ecuación 2.1 es fácil ver que con algunas decenas de milivoltios

2.5 UN MODELO EQUIVALENTE DEL DIODO DE JUNTURA

En un diodo real, además del diodo ideal, que se puede considerar

muestra en la figura 2.2. La resistencia serie RS es nolineal, pero su valor es

+Vd VCC_ARROW +Vj Ij -Vj

2.6 EL DIODO METAL SEMICONDUCTOR

Hasta ahora hemos considerado diodos formados por la unión

En un diodo que esta formado por un material semiconductor

CJ0 0.65 [pF]

Se pueden conseguir diodos no encapsulados con valores menores de los

La capa de silicio N+ provee un contacto de baja resistencia, la capa

2.7 LA CONDUCTANCIA DEL DIODO DE JUNTURA

Ya hemos visto que el diodo de juntura es altamente no lineal. Sin

Donde g es la conductancia incremental de la juntura. Si la corriente continua

Aquí g0 es la conductancia incremental de la juntura con polarización cero.

Con respecto a los detectores a diodo de juntura, a la inversa de la

2.8 RUIDO EN EL DIODO DE JUNTURA

Se ha demostrado [2.5] que en el diodo (intrínseco) de juntura como

Esta es la densidad espectral de cada una de las corrientes independientes que

Donde el valor cuadrático medio de la corriente de ruido in tiene la expresión:

El término Bn representa el ancho de banda de interés ó el ancho de banda

La tensión equivalente de ruido tiene un valor cuadrático medio:

Cuando una resistencia se halla a la temperatura T [K], sobre sus

y el circuito equivalente de ruido de la resistencia es:

Podemops despejar Te:

Y reemplazando g0 por su valor de la ecuación 2.11:

Es decir que la temperatura equivalente de ruido de un diodo de juntura con

Qué sucede ahora cuando el diodo está polarizado. Si podemos

Y el valor cuadrático medio de la corriente de ruido:

De manera similar a la del diodo sin polarización podemos calcular:

y haciendo como en la ecuación 2.17:

Resulta que si la corriente directa del diodo de juntura es mucho

Este ley de variación de la densidad espectral ha sido verificada hasta

Donde α es una constante. Para los dispositivos semiconductores se han

[2.2] W. Schottky, “Halbleitertheorie der Sperrschicht”, Naturwissenschaften

[2.3] F. Braun, “Ueber die Stromleitung dur Schwefelmetalle”, Ann. Phy.

[2.4] W. Shockley, “The Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n

[2.5]R. D. Thorton et al, “Charateristics and Limitations of Transistors”, John

[2.6] C. Motchenbacher y F. Fitchen, “Low-Noise Electronic Design”, John