BANDAS DE ENERGÍA:

 La banda de valencia (BV): Está ocupada por los electrones de valencia de los átomos,
es decir, aquellos electrones que se encuentran en la última capa o nivel energético de los
átomos. Los electrones de valencia son los que forman los enlaces entre los átomos, pero
no intervienen en la conducción eléctrica.
 La banda de conducción (BC): Está ocupada por los electrones libres, es decir, aquellos
que se han desligado de sus átomos y pueden moverse fácilmente. Estos electrones son
los responsables de conducir la corriente eléctrica.

En consecuencia, para que un material sea buen conductor de la corriente eléctrica debe haber
poca o ninguna separación entre la BC y la BV (que pueden a llegar a solaparse), de manera
que los electrones puedan saltar entre las bandas. Cuando la separación entre bandas sea
mayor, el material se comportará como un aislante. En ocasiones, la separación entre bandas
permite el salto entre las mismas de solo algunos electrones. En estos casos, el material se
comportará como un semiconductor. Para que el salto de electrones entre bandas en este caso
se produzca deben darse alguna o varias de las siguientes situaciones: que el material se
encuentre a altas presiones, a una temperatura elevada o se le añadan impurezas (que aportan
más electrones).

Entre la banda de valencia y la de conducción existe una zona denominada banda

prohibida o gap, que separa ambas bandas y en la cual no pueden encontrarse los electrones.

ELECTRONES Y HUECOS:

En los materiales conductores la circulación de corriente es posible gracias a la existencia de

electrones libres. En los semiconductores también son los electrones los responsables de la
corriente. Sin embargo, puesto que en este caso provienen de un enlace covalente y no de una
nube electrónica, el fenómeno es más complejo, y para su explicación se introduce un nuevo
portador de carga ficticio: el hueco.

Generación térmica de portadores. El electrón y el hueco:

Si se eleva la temperatura del monocristal de silicio por encima de 0 K, parte de la energía

térmica permite liberar alguno de los electrones. Ello produce dos efectos:

1. Aparece un electrón libre capaz de moverse a través de la red en presencia de un

campo eléctrico.
2. En el átomo al que se asociaba el electrón aparece un defecto de carga negativa, es
decir, una carga positiva, que se denomina hueco.

Globalmente, el cristal mantiene la neutralidad eléctrica, ya que no ha ganado ni perdido

cargas. Cuando se producen electrones libres en un semiconductor únicamente por agitación
térmica, existen huecos y electrones en números iguales, porque cada electrón térmicamente
excitado deja detrás de sí un hueco. Un semiconductor con un número igual de huecos y
electrones se denomina intrínseco.

En el caso del silicio puro monocristalino, el número de portadores libres a temperatura

ambiente es lo suficientemente bajo como para asegurar una alta resistividad.

Recombinación de pares electrón-hueco

Tal y como se acaba de explicar, el hueco es un enlace covalente "no satisfecho". Si un

electrón atraviesa la zona en la que se encuentra el hueco puede quedar atrapado en él. A este
fenómeno se le denomina recombinación, y supone la desaparición de un electrón y de un
hueco. Sin embargo, como en el caso anterior, el material mantiene su neutralidad eléctrica.