Universidad de Pamplona

Pamplona - Norte de Santander - Colombia

Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

FUENTE CONMUTADA ELEVADORA

HEIDY YURITZA CABEZA CABALLERO

Cód. 1094278456

JAIME YESID CONTRERAS CHAPARRO

Cód. 1116548894

YERSON BLANCO BLANCO

Cód.: 1115734563

Electrónica de Potencia Grupo: B

Docente: Julio César Ospino Arias

mayo 5 de 2017

Formando líderes para la construcción de un 1

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OBJETIVOS

GENERAL

 Diseñar e implementar una fuente conmutada elevadora.

ESPECÍFICOS

 Seleccionar una bobina, hallando el valor del coeficiente de auto inductancia

para posteriormente hallar el valor del número de vueltas que debe tener.

 Seleccionar el transistor a partir de los criterios de selección vistos en clase.

 Implementar el transistor como interruptor utilizando un arduino de tal forma

que este envié los pulsos altos y bajos a la base del Mosfet.

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FUENTE CONMUTADA ELEVADORA

Componentes.

 Mosfet IRF 630

 Núcleo de ferrita
 Cable de cobre calibre 25
 Condensador electrolítico de 25 microfaradios a 16 voltios
 Diodo de silicio 1N4004
 Resistencia de 40Ω a 30W
 Arduino

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PROCEDIMIENTO

 Se halla el valor del coeficiente de auto inducción de la bobina para realizarla

físicamente.
 Se escoge el calibre del cable en base a la corriente que la bobina manejará.
 Seleccionamos el condensador de acuerdo al voltaje de salida y al valor de
capacitancia.
 Escogemos el valor del diodo en base a los criterios de selección (ID>𝐼𝐿máx y
el tiempo de conmutación).
 Escogemos la resistencia de carga de acuerdo a la corriente y voltaje de
salida.
 Seleccionamos el transistor IRF 630 con una 𝑅𝐷𝑂𝑁 baja para que el voltaje
drenador surtidor sea menor a 0,5 voltios.
 Por ultimo realizamos el montaje mostrado en el circuito esquemático.

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PRE-DISEÑO

Fuente regulada
𝑉
𝑉0 𝐼0 (1− 𝑖𝑛⁄𝑉 )
0
𝐼𝐿 = ∗ 𝐼𝑜 𝐶=
𝑉𝑖𝑛 𝑓𝑠 ∆𝑉𝐶

Calculo de la bobina

∆𝐼𝑙 = 0,2𝐼𝐿 𝑚á𝑥

∆𝑉𝑐 = 0,05𝑉0

𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 (1 − ⁄𝑉 )
0
𝐿=
𝑓𝑠 ∆𝐼𝑙

Asumimos

𝑉0 = 11𝑉 𝑉𝑖𝑛 = 8𝑉 𝐼0 = 500𝑚𝐴

Entonces

𝑉0
𝐼𝐿 = 𝐼
𝑉𝑖𝑛 0

11𝑉
𝐼𝐿 = (500 𝑚𝐴) = 684,5 𝑚𝐴
8𝑉
𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑖𝑛 (1 − ⁄𝑉 )
0
𝐿=
𝑓𝑠 ∆𝐼𝑙

∆𝐼𝑙 = 0,2𝐼𝐿 𝑚á𝑥

∆𝐼𝑙 = 0,2(687,5 𝑚𝐴 )

∆𝐼𝑙 = 137,5𝑚𝐴

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𝑓𝑠 = 38 𝑘𝐻𝑍

8𝑣(1 − 8𝑣⁄11𝑣 )
𝐿= = 417,57µ𝐻
(38𝑘ℎ𝑧) (137,5𝑚𝐴)

∆𝐼𝐿 137.5𝑚𝐴
𝐼𝑃 = 𝐼𝐿 + = 687,5𝑚𝐴 + = 756,25𝑚𝐴
2 2

Cálculos del condensador

𝑉𝑖𝑛
𝐼0 (1 − ⁄𝑉 )
0
𝐶=
𝑓𝑠 ∆𝑉𝐶

∆𝑉𝑐 = 0,05𝑉0

∆𝑉𝑐 = 0,055(11𝑉)

∆𝑉𝑐 = 55𝑚𝑉

(500𝑚𝐴)(1 − 8𝑉⁄11𝑉)
𝐶= = 65,24µF
38 𝐾𝐻𝑍 (55𝑉)

Para el Diodo

𝐼𝐷 > 𝐼𝐿 𝑚á𝑥

𝐼𝐷 > 687,5 𝑚𝐴

Potencia de salida

𝑃0 = 𝑉0 𝐼0 = 11V (0, 5A) = 5, 5W

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Resistencia de Carga

11
𝑅= = 22Ω
500 𝑚𝐴
Cálculos Para el Transistor

𝐼𝐷 = 𝐾𝑁 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 )2

𝑉𝐷𝑆 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷𝑂𝑁

IRF 630 Experimental

𝐼𝐷 = 357,15 𝑚𝐴

𝑅𝐷𝑂𝑁𝐸𝑋𝑃𝐸𝑅𝐼𝑀𝐸𝑁𝑇𝐴𝐿 = 1,3046 Ω

𝑉𝐷𝑆 = 357,1428 𝑚𝐴(1,03046Ω) = 0,368𝑉

𝑓𝑠 = 38𝐾𝐻𝑍

1
𝑇= = 26,315 µS
60𝐾𝐻𝑍

𝑇 = 𝑡𝐶 + 𝑡0

𝑡𝐶 + 𝑡0
𝑉𝑠𝑎𝑙 = 𝑉𝑒𝑛𝑡 ( )
𝑡0

(8𝑉)(26,315µS)
𝑇0𝐹𝐹 = = 19,1381µS
11𝑉

𝑇 = 𝑇0𝐹𝐹 + 𝑇0𝑁

𝑇0𝑁 = 26,315 µS − 19,1381µS = 7,17µS

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Calibre de la Bobina

Calibré 25 AWG

108 (𝐿)(𝑙)
𝑁: √
1,257𝜑µ

N: Numero de espiras

L: Coeficiente de Auto inductancia

𝑙: Longitud de la Bobina

𝜑: Sección Transversal de la Bobina

µ: Coeficiente de Permeabilidad del Núcleo

L= 417,001µH

𝑙= 3,5 cm

𝜑=3,14 c𝑚2

N= 61 vueltas

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POTENCIA DE DISIPACIÓN

1 𝑡
 𝑉𝐷𝑆 = 𝑇 ∫0 𝑜𝑛((𝐼𝐿 )(𝑅𝐷𝑂𝑁 ))𝑑𝑡
𝐶
1 𝑡
 𝐼𝐷 = 𝑇 ∫0 𝑜𝑛((𝐼𝐿 ))𝑑𝑡
𝐶
 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 𝑇𝐶 = 26,315 µS

 𝐼𝐿 = 687,57 𝑚𝐴
 𝑅𝐷𝑂𝑁 = 1,3046Ω
 𝑇0𝑁 = 7,13 µS
1 7.13 µS
 𝑉𝐷𝑆 = ∫ ((687,57 𝑚𝐴)(1,3046Ω))𝑑𝑡
26.315µS 0

𝑉𝐷𝑆 = 0.242 𝑚𝑉
1 7,13 µS
 𝐼𝐷 = ∫ ((357,1428 𝑚𝐴))𝑑𝑡
26,315µS 0

𝐼𝐷 = 186,27 𝑚𝐴

 𝑃𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 𝐼𝐷 = (0,242𝑚𝐴)(186,27 𝑚𝑉)

𝑃𝐷 = 0,0450 𝑚𝑊

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ANALISIS TERMICO

 𝑻𝑱 = 𝑻𝑨 + 𝑷𝑫 + 𝑹𝜭𝑱𝑨

𝑻𝑱 = 26°C + 0,0450mW(62°C/W)

𝑻𝑱 = 26,0027°C
𝑇𝐽
 𝐾=𝑇
𝐽𝑀𝐴𝑋
26,0027°C
𝐾=
150°C

𝐾 = 0,1733

Como K es menor a 0,5 no necesita disipador.

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CODIGO EN ARDUINO PARA CALIBRAR LA FRECUENCIA A 38K HZ

const byte LED = 11; // Timer 2 "A" salida: OC2A

void setup() {

pinMode (LED, OUTPUT);

// set up Timer 2

TCCR2A = _BV (COM2A0) | _BV(WGM21); // CTC, toggle OC2A on Compare Match

TCCR2B = _BV (CS20); // No prescaler

OCR2A = 209; // comparo A el valor del registro (210 * clock speed)

// = 13.125 nS , nuestra frecucencia seria 1 / (2 * 13.125) = 38095

} // end of setup

void loop() {

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ANALISIS DE DATOS

DATOS MEDIDOS DATOS TEORICOS % ERROR

𝑽𝒊 = 𝟖. 𝟏𝟑 𝑽 𝑽𝒊 = 𝟖 𝑽 8 − 8.13
%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = ∗ 100%
8.13
= 0.015

𝑽𝑹𝑳 = 𝟏𝟏. 𝟖𝟏 𝑽 𝑽𝑹𝑳 = 𝟏𝟏 𝑽 11 − 11.81

%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = ∗ 100%
11.81
= 0.068

𝑽𝑫𝑺 = 𝟕. 𝟔𝟏 𝑽 𝑽𝑫𝑺 = 𝟕 𝑽 7 − 7.61

%𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = ∗ 100%
7.61
= 0.080

𝑽𝑹𝑳 𝟏𝟏. 𝟖𝟏 𝑽 𝑽𝑹𝑳 𝟏𝟏 𝑽 500 − 536

𝑰𝑹𝑳 = = = 𝟓𝟑𝟔 𝒎𝑨 𝑰𝑹𝑳 = = = 𝟓00 𝒎𝑨 %𝑒𝑟𝑟𝑜𝑟 = ∗ 100%
𝑹𝑳 𝟐𝟐Ω 𝑹𝑳 𝟐𝟐Ω 5.36
= 0.067

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 En el presente trabajo se realizó el análisis y pre-diseño de convertidores

conmutados a alta frecuencias en su topología Boost(elevador) y
posteriormente a su implementación para la realización de pruebas donde se
evaluaron características generales de la forma de la onda de salida, para este
utilizamos el osciloscopio.

 este es un convertidor conmutado con un voltaje de DC a la salida mayor que

el voltaje de entrada. Contiene al menos dos switches controlados (un
transistor y un diodo).El circuito básicamente opera alternando en dos
estados.

 Cuando el switch esta encendido; Se produce una corriente que aumenta con
el tiempo a través del inductor. Al mismo tiempo, se produce un campo
magnético creciente en las espiras del inductor y este genera una corriente
opuesta a la que lo origina,

 Cuando el switch se apaga (off state), el inductor trata de oponerse al cambio

repentino en la corriente, produciendo una FEM (fuerza contraelectromotríz)
entre sus terminales. Esta fem tiene una polaridad opuesta a la de la fuente
de alimentación y es debida al campo magnético que esta colapsando, en este
momento se produce la transferencia de energía través del diodo flyback
desde el inductor al capacitor de salida (buffer) y también a la carga.

 Cuando el mosfet se encuentra activo (conduciendo), el voltaje de la fuente de

alimentación (Vcc) aparece en los extremos del inductor L1 y la corriente
comienza a fluir a través de este, comenzando el proceso de carga, es decir,
formando un campo magnético en las espiras del inductor. Cuando el Mosfet
se apaga, el inductor intenta mantener un flujo constante de corriente debido
al fenómeno de autoinducción (se genera una fuerza electromotriz debido al
campo magnético comienza a colapsar). Sin embargo, la corriente no puede
fluir a través del Mosfet que se encuentra apagado (en alta impedancia). Por
lo tanto el voltaje en el nodo formado por el terminal del inductor L1,
el drain del Mosfet Q1 y el ánodo del diodo D2 comienza a aumentar hasta
que el diodo de recuperación rápida se encuentra polarizado en directa. En
ese momento, el diodo permite que se transfiera la energía almacenada en el
inductor hacia el capacitor electrolítico de alto voltaje que actúa como reserva
para mantener el voltaje de salida constante.

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 Los convertidores DC-DC se encuentran presentes en muchas aplicaciones

electrónicas actuales, ya sea para generar un voltaje mayor que el de entrada,
uno menor, o invertir la polaridad del voltaje, existen topologías que pueden
ayudarnos a obtener el voltaje de alimentación necesario, de manera muy
eficiente.

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ANEXOS

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