Departamento de Eléctrica y Electrónica

Electrónica Fundamental

Informe
Tema: Transistores MOSFET

Docente: Ing. Santiago Chamorro

Autores: Defaz Bryan
Sebastián Ante
Santiago Álvarez
Leonardo Narváez

NRC: 5136
Fecha: 24/06/2019

Marzo 2019 – Julio 2019

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 1. Objetivos:

 Exponer de manera clara el transistor MOSFET mediante una presentación en clase para
dar a conocer sus características, configuraciones, aplicaciones, sus ventajas y
desventajas.
 Identificar los terminales de un transistor MOSFET.
 Verificar las características de funcionamiento del transistor MOSFET.

2. Introducción:

El MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es

el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o
digitales.

3. Configuraciones de un transistor MOSFET

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4. Ventajas y Desventajas

Ventajas

 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.

 Son más eficientes como interruptores en fuentes de alimentación
 En general son mejores para aplicaciones con mas potencia

Desventajas

 Un punto débil de esta tecnología es la potencia máxima de trabajo.

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 No tiene un buen uso en Aplicaciones industriales de alta corriente (IDS >100 Amperes)
 Los IGBT son una nueva tecnología que superará a los MOSFET por encima de los 300
Volts y los 100 Amperes
5. Semejanzas y Diferencias

6. Aplicaciones

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,

consistente en el uso de transistores PMOS Y NMOS complementarios. Las aplicaciones
de MOSFET discretos más comunes son:
 Resistencia controlada por tensión.

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 Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc.).

 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

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7. Ejercicio

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8. Conclusiones

 El mosfet gracias a su gran velocidad de conmutación presenta una gran versatilidad de

trabajo;este puede reemplazar dispostivos como el jfet.

 Para que circule corriente en un MOSFET de canal N una tensión positiva se debe aplicar
en la compuerta. Así los electrones del canal N de la fuente (source) y el drenaje (Drain)
son atraídos a la compuerta (Gate) y pasan por el canal P entre ellos.

 Gracias a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay
corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuente es controlada
por la tensión aplicada a la compuerta.

9. Bibliografía

 https://www.circuitlab.com/circuit/535y24/resistencia-controlada-por-voltaje/

 file:///C:/Users/adrian/Downloads/Cap7_mosfet.pdf

 https://slideplayer.es/slide/2484918/

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