CHAPTER 1

FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FET)

1
 Field Effect Transistor (FET)
( )
™ Simplest forms of transistor
™ widely used in analogue and digital applications
™ very high input impedance, small physical dimensions
™ low power consumption  (ideal for use in VLSI circuits)
low power consumption (ideal for use in VLSI circuits)
™ Unipolar device (i.e. only one type of charge carriers 
contribute to the current flow , either electrons or 
holes)
™ ‘field effect’ – derived from the fact that the current 
flow is controlled by an electric field set up in the 
device by an externally applied voltage

2
Classification scheme for field effect transistors
l f h f f ld ff

3
 JFET C t ti
JFET Construction
™ N‐channel JFET consists of an n region of Si 
into which two p++ regions are diffused
™ n‐region is called channel because it 
permits current to flow as in a conducting 
channel
h l
™ The end of the channel are metallized and 
external leads are taken out to form the 
Source (S) and Drain (D) terminals
Source (S) and Drain (D) terminals
™ The two p++ regions are shorted together to 
form the Gate (G) terminal 
™ Immediately after p
Immediately after p++ regions are diffused 
regions are diffused
into n‐channel, depletion layers are formed 
around the p++ regions 

4
Basic Operation of a JFET (an analogy)
JFET operation can be compared to a water spigot.

The source of water pressure

p
is the accumulation of
electrons at the negative pole
of the drain-source voltage.

The drain of water is the

electron deficiency (or holes)
at the positive pole of the
applied voltage.

The control of flow of water

is the gate voltage that
controls the width of the n-
channel and, therefore, the
flow of charges from source
to drain.
5
 JF T: Theory of operation
JFET: Theory of operation
™ Gates (G) are always reverse‐biased. Hence, I
( ) y , G = 0
™ Source (S) is always connected to the end of Drain (D) 
supply which provides the necessary charge carriers (i.e. 
S is connected to –VDS in n‐channel type of JFET)
S is connected to –V in n channel type of JFET)

6
 JFET Operation
™ As shown in the Figure (a), if the bias is not supplied at the gate, the current 
flows from the drain to the source, and when the bias is supplied at the gate, 
the depletion region begins to grow and reduces the current as shown in 
Figure (b). 
™ The reason for the wider depletion region of the drain compared to the source 
depletion region is that the reverse bias of the gate and the drain VDG(‐VGS+VDS) 
is higher than the V
h h h h GS (bias between the gate and the source).
(b b h d h )

(a) When VGS (Gate‐source voltage) is not supplied
7 (b) When VGS (Gate‐source voltage) is supplied
 JFET Operating Characteristics
™ The voltage VGS applied to the Gate controls 
the current flowing between the Drain and 
the Source terminals. 
h S i l
™ VGS refers to the voltage applied between 
the Gate and the Source. 
™ VDS refers to the voltage applied between 
refers to the voltage applied between
the Drain and the Source. 
™ Because a Junction Field Effect Transistor is a 
voltage controlled device, "NO
voltage controlled device,  NO current flows 
current flows
into the gate!" then the Source current ( IS ) 
flowing out of the device equals the Drain 
current flowing into it and therefore ( I
g ( D = IS )).

8
 JFET Operating Characteristics
The characteristics curves shows the four different regions of operation for a JFET.

Ohmic Region ‐ When VGS = 0 the depletion

l
layer off the
h channel
h l is
i very smallll and
d the
h JFET
acts like a voltage controlled resistor.
Cut‐off Region ‐ This is also known as the
pinch‐off region were the Gate voltage, VGS is
sufficient
ffi i t to t cause the
th JFET tot actt as an open
circuit as the channel resistance is at
maximum.
Saturation or Active Region ‐ The JFET
b
becomes a goodd conductor
d t and d isi controlled
t ll d
by the Gate‐Source voltage, ( VGS ) while the
Drain‐Source voltage, ( VDS ) has little or no
effect.
B kd
Breakdown R i
Region ‐ The
Th voltage
lt b t
between
the Drain and the Source, ( VDS ) is high
enough to causes the JFET's resistive channel
to break down and pass uncontrolled
maximum
i current.
t

9
 JFET Operating Characteristics
p g
™ The Drain current is zero when VGS = VP. For normal operation, VGS is biased to be 
somewhere between VP and 0. Then we can calculate the Drain current, ID for any 
g
given bias point in the saturation or active region as follows:
p g
2
Drain current in the active region ⎛ V ⎞
(known as Shockley’s Equation or ID = I ⎜ 1 − GS
DSS ⎜ V
⎟
⎟
Square Law Equation) ⎝ P ⎠

‰ VP : VGS at pinch‐off / VGS(off)
‰ IDSS : ID at saturation or maximum 

™ The JFET can be used as a variable resistor ( in ohmic region), where VGS controls 
the drain‐source resistance (rd). As VGS becomes more negative, the resistance (rd) 
increases.
ro
rd = 2
‰ ro : resistance with VGS = 0
⎛ V ⎞ ‰ rd : resistance at particular VGS
⎜⎜ 1 − GS ⎟
⎝ VP ⎠
10
 J
JFET Symbols
Sy bo s

n‐channel
h l p‐channel
11
 JFET Transfer Curve

This graph shows the value of ID for a given value of VGS (transconductance curve)

12
 Merit and Demerit of JFET
1. Its operation depends upon the flow of majority carriers only, it is, therefore, a unipolar
p p p j y y, , , p ((one type of carrier) 
yp )
device. On the other hand in an ordinary transistor both majority and minority carriers take part in conduction 
and, therefore, ordinary transistor is sometimes called the bipolar transistor. The vacuum tube is another example 
of a unipolar device. ‘
2. It is simpler to fabricate, smaller in size, rugged in construction and has longer life and higher efficiency. Simpler 
to fabricate in IC form and space requirement is also lesser
to fabricate in IC form and space requirement is also lesser.
3. It has high input impedance (of the order of 100 M Ω), because its input circuit (gate to source) is reverse biased, 
and so permits high degree of isolation between the input and the output circuits. However, the input circuit of 
an ordinary transistor is forward biased and, therefore, ordinary transistor has low input impedance.
4. It carries very small current because of reverse biased gate and, therefore, it operates just like a vacuum tube 
where control grid (corresponding to gate in JFET) carries extremely small current and input voltage controls the 
output current. This is the reason that JFET is essentially a voltage driven device (ordinary transistor is a current 
operated device since input current controls the output current.)
5. An ordinary transistor uses a current into its base for controlling a large current between collector and emitter 
whereas in a JFET voltage on the gate (base) terminal is used for controlling the drain current (current between
whereas in a JFET voltage on the gate (base) terminal is used for controlling the drain current (current between 
drain and source). Thus an ordinary transistor gain is characterized by current gain whereas the JFET gain is 
characterized as the transconductance (the ratio of drain current and gate‐source voltage).
6. JFET has no junction like an ordinary transistor and the conduction is through bulk material current carriers (N‐
type or P‐type semiconductor material) that do not cross junctions. Hence the inherent noise of tubes (owing to 
high temperature operation) and that of ordinary transistors (owing to junction transitions) is not present in JFET.
7. It is relatively immune to radiation. 
8. It has negative temperature coefficient of resistance and, therefore, has better thermal stability. 
9. It has high power gain and, therefore, the necessity of employing driver stages is eliminated. 
10.It exhibits no offset voltage at zero drain current and, therefore, makes an excellent signal chopper.
10.It exhibits no offset voltage at zero drain current and, therefore, makes an excellent signal chopper.
11.It has square law characteristics and, therefore, it is very useful in the tuners of radio and TV receivers. 
12.It has got high frequency response.
13
 Drawbacks of JFET
1. Its relative small gain‐bandwidth product in comparison 
with that of a conventional transistor.
2. Greater susceptibility to damage in its handling.
3. JFET has low voltage gains because of small 
transconductance .
transconductance
4. Costlier when compared to BJT’s.

14
 MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor FET)
( )

™ MOSFETs have characteristics similar to JFETs and 
additional characteristics that make them very useful

™ There are two types of MOSFETs
There are two types of MOSFETs
ƒ Depletion‐type
ƒ Enhancement‐type

15
 MOSFETs Symbols
MOSFETs Symbols

Depletion‐type Enhancement‐type

16 Note : SS – substrate/bulk/body

 Depletion‐Type MOSFET Construction

™ The drain (D) and source (S) 
connect to the to n‐doped 
regions. These n‐doped regions 
are connected via an n‐channel. 
This n‐channel is connected to 
n channel is connected to
the gate (G) via a thin insulating 
layer of SiO2. 

™ The n‐doped material lies on a p‐
doped substrate that may have 
an additional terminal connection 
called substrate (SS). In some 
cases SS is internally connected to 
the source (S) terminal.

17
 Enhancement‐Type MOSFET Construction
™ The drain (D) and source (S) connect 
to the to n‐doped regions. These n‐
doped regions are connected via an 
n‐channel

™ The gate
h ( )
(G) connects to the p‐
h
doped substrate via a thin insulating 
layer of SiO2

™ There is no physical channel

™ The
The nn‐doped
doped material lies on a p
material lies on a p‐
doped substrate that may have an 
additional terminal connection 
called the substrate ((SS))

18
 (a) When VGS (Gate‐source voltage) is not supplied
MOSFET Operation (b) When VGS (Gate‐source voltage) is supplied
™ The two types of  Depletion Type MOSFET
MOSFETs are the 
depletion type and the 
enhancement type, and 
each has a n/p –channel 
type. 
™ The depletion type is 
The depletion type is
normally on, and 
operates as a JFET.
™ The enhancement type 
is normally off, which 
ll ff h h Enhancement Type MOSFET
means that the drain to 
source current increases 
as the voltage at the 
g
gate increases. No 
current flows when no 
voltage is supplied at 
th
the gate.
t

19
 MOSFET Operation Animation
Step 1:  Apply Gate Voltage

SiO2 Insulator ((Glass))

Gate
Source Drain
5 volts

holes N N

electrons
P

electrons to be
transmitted
Step 3:  Channel becomes 
Step 2:  Excess electrons  saturated with electrons.  
surface in channel, holes  Electrons in source are 
are repelled. able to flow across channel 
to Drain.
20
 Output Characteristics of D‐MOSFET

™ Operate in two modes
ƒ Depletion mode ( VGS = ‐ve values) 2
⎛ V ⎞
ƒ Enhancement mode ( V
Enhancement mode ( VGS = +ve
= +ve values)
ID = I ⎜ 1 − GS
DSS ⎜ V ⎟
⎝ P ⎠
21
 Output Characteristics of E‐MOSFET

ID = k(VGS − VT )2 k=
ID(ON)
(VGS(ON) − VT )2

VT = (VGS(th)) : threshold voltage or voltage at which the MOSFET turns on
k : constant found in the specification sheet
22
 Output Characteristics of MOSFET
™ It describes how the output voltage affects the output current i.e. ID
characteristics due to VDS in many VGS conditions. .  
™ It is divided into the ohmic
It is divided into the ohmic region, the saturation (active)
region the saturation (active) region, and the      
region and the
cut‐off region.
1. Ohmic region: A constant resistance region. If the drain‐to‐source voltage 
is zero, the drain current also becomes zero regardless of gate–to‐source
is zero, the drain current also becomes zero regardless of gate to source 
voltage. This region is at the left side of the VGS – VGS(th) = VDS boundary 
line (VGS – VGS(th) > VDS > 0). Even if the drain current is very large, in this 
region the power dissipation is maintained by minimizing VDS(on).
2. Saturation region: A constant current region. It is at the right side of the 
VGS – VGS(th) = VDS boundary line. Here, the drain current differs by the 
gate–to‐ source voltage, and not by the drain‐to‐source voltage. Hence, 
the drain current is called saturated.
3. Cut‐off region: It is called the cut‐off region, because the gate‐to‐source 
voltage is lower than the VGS(th) (threshold voltage).

23
 Advantages & Disadvantage of MOSFET
™ Advantages
i. High input impedance ‐ voltage controlled device ‐ easy to drive.
ii
ii. Unipolar device majority carrier device ‐
Unipolar device ‐ majority carrier device fast switching speed.
fast switching speed
iii. Wide SOA (safe operating area).
iv. Forward voltage drop with positive temperature coefficient ‐ easy to 
use in parallel.
use in parallel.

™ Disadvantage
In high breakdown voltage devices over 200V, the conduction loss of a 
MOSFET is larger than that of a BJT, which has the same voltage and current 
rating due to the on‐state voltage drop.

24