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Guía 5 1 / 13
Facultad: Ingeniería.
Escuela: Electrónica.
Asignatura: Electrónica I.
Lugar de ejecución: Fundamentos Generales o
Automatización (Ed.3).
Objetivos generales
Objetivos específicos
Graficar las curvas características de entrada y de ganancia de corriente (β) de un transistor bipolar.
Graficar la familia de curvas características de salida a partir de valores medidos.
Identificar en la familia de curvas características de salida las zonas de funcionamiento del transistor
bipolar (activa, saturación y corte).
Familiarizarse con el simulador electrónico Qucs.
Materiales y equipo
Introducción teórica
La invención del transistor fue el inicio de una revolución que aún continua. Todos los sistemas y dispositivos
electrónicos complejos actuales son el resultado de los primeros desarrollos de transistores semiconductores. Uno
de estos tipos básicos de transistores es el transistor de unión bipolar (BJT, bipolar junction transistor).
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El BJT, se construye con tres regiones semiconductoras separadas por dos uniones pn, como lo muestra la
estructura plana epitaxial1 de la Figura 1. Las tres regiones se llaman emisor, base y colector. En la Figura 2 se
muestran representaciones físicas de los dos tipos de BJT. Un tipo se compone de dos regiones n separadas por
una región p (npn) y el otro tipo consta de dos regiones p separadas por una región n (pnp). El término bipolar se
refiere al uso tanto de huecos como de electrones como portadores de corriente en la estructura de transistor.
El transistor bipolar es un dispositivo amplificador de corrientes, pudiendo hacerse una comparación con una
llave de agua en la cual, por medio de la llave se regula el flujo, así también, regulando la corriente en la juntura
base-emisor, puede limitarse la corriente que existe entre los terminales de colector y emisor. Es muy importante
considerar las condiciones de corte y saturación de un transistor, ya que puede distorsionar las señales que
amplifica obteniéndose resultados no deseados en amplificadores de señal.
La ganancia de corriente, o "beta" (β), del transistor conectado en configuración de emisor común, puede ser
calculada a partir de los valores medidos de las corrientes de base y de colector:
1
Se refiere a la deposición de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la sobrecapa y el
sustrato.
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I
Ganancia de corriente = β = IC Ecuación 1
B
En transistores ideales, β es un valor constante, por ejemplo 125. En transistores reales, el valor de β
cambia al cambiar la corriente de base. En la característica de salida del transistor puede apreciarse la relación
entre la corriente de base, la corriente de colector y la tensión colector-emisor. Esta relación es mostrada mediante
una familia de curvas características.
La Figura 3, ilustra la operación básica de un BJT como dispositivo de conmutación. En la parte a), el transistor
está en la región de corte porque la unión base-emisor no está polarizada en directa. En esta condición, existe,
idealmente, una abertura entre el colector y el emisor, como lo indica el equivalente de interruptor. En la parte b),
el transistor está en la región de saturación porque la unión base-emisor y la unión base-colector están polarizadas
en directa y la corriente en la base llega a ser suficientemente grande para provocar que la corriente en el colector
alcance su valor de saturación. En esta condición, existe, idealmente, un corto entre el colector y el emisor, como
lo indica el equivalente de interruptor. En realidad, normalmente ocurre una pequeña caída de voltaje a través del
transistor de unos cuantos décimos de volt, la cual es el voltaje de saturación, VCE (sat).
(a) Corte – Interruptor abierto. (b) Saturación – Interruptor cerrado. (c) Aplicación de operación (a) y (b)
Figura 3. Acción de conmutación de un transistor.
Qucs (Quite Universal Circuit Simulator) es un programa gratuito, multiplataforma y de código abierto,
capaz de configurar un circuito con una interfaz gráfica de usuario (GUI), la cual es muy avanzada y
permite la creación de esquemas y la presentación de resultados de la simulación en diversos tipos de
diagramas. Análisis DC, AC, de parámetro-S, de ruido y transitorio son posibles de realizar, además
están disponibles ecuaciones matemáticas y el uso de una jerarquía sub-circuito (con sub-circuitos
parametrizados). Qucs también puede importar modelos SPICE existentes para su uso en sus
simulaciones.
Procedimiento
7. Anote el código del transistor de la tarjeta EB111, que está ubicado en el circuito de la Figura 6:___________.
8. Ajuste RV1 para obtener los valores de corriente de base que se indican en la Tabla 4, para cada valor de
corriente de base mida también la tensión de base a emisor (Canal A) y anótelos en la misma Tabla.
14. Varíe la corriente de base con el potenciómetro RV1 como se indica en la Tabla 5, anote los valores de VCE
(canal A), también anote los valores de PS-1 (canal B) y calcule con la Ecuación 2 la corriente IC; luego divida
el valor de la corriente de colector entre la corriente de base para completar la Tabla 5.
NOTA: R5=470Ω
𝑉𝑅5 𝑉𝑝𝑠−1 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 = = Ecuación 2.
𝑅5 470Ω
Ib (uA) 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
VCE (V)
VPS-1 (V)
Ic (mA)
𝐈𝐂
𝛃=
𝐈𝐁
Tabla 5. Medición de ganancia de corriente con Vce variable.
17. Arme el circuito que se muestra en la Figura 8. Dado que solo cuenta con un amperímetro, en el
procedimiento primero ajuste Ic y luego traslade el amperímetro a lado de la fuente de 5V.
Ic (mA) 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10.0
VR4 (V)
Ib (A)
𝐈𝐂
𝛃=
𝐈𝐁
Tabla 6. Medición de ganancia de corriente.
22. Repita los pasos 18 al 21 para los diferentes valores de Ic, tenga cuidado de cambiar las escalas del
multímetro cuando mida corriente o voltaje.
23. Usando los datos obtenidos anteriormente complete la Tabla 6.
24. Apague la fuente del PU2000 y retire la tarjeta EB111.
PARTE IV. Simule en Qucs las características de Salida del Transistor Bipolar.
25. Encienda la computadora, al cargar sistema operativo presione la combinación de teclas: Ctrl + Alt + t.
26. En la ventana del terminal escriba la palabra qucs y presione Enter. Se desplegará la ventana del simulador.
27. Para crear un nuevo proyecto de un clic en la pestaña vertical Proyectos y luego en el botón Nuevo,
colóquele un nombre y presione Crear. (Ver Figura 9).
28. Para agregar los elementos del circuito de clic en la pestaña vertical Componentes y luego en categorías
seleccione componentes sueltos (lumped components) tal como se muestra en la Figura 10.
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29. De un clic en el componente Tierra para seleccionarlo y luego arrástrelo a la ventana del esquemático (en
algunas versiones no debe arrastrarlo sino solo dar clic sobre este para seleccionarlo y luego dar clic en la
posición de la ventana del esquemático donde quiere colocarlo. Para liberar el componente es necesario
presionar la tecla ESC).
30. En la categoría Fuentes (sources) seleccione Fuente de tensión DC y colóquela en el esquemático y luego
coloque una Fuente de intensidad DC.
31. Ahora de clic en la pestaña vertical Libraries, luego en la opción Manage Libraries2, se abrirá la ventana de
herramientas de librería, en Selección de Componente elija Transistors y de estos de clic en 2N2222A (ver
Figura 11), luego arrástrelo hacia la ventana o de clic en el botón copiar al portapapeles y luego de clic
derecho en la ventana del esquemático y en el menú que aparece de clic en Pegar y cierre la ventana de
herramientas de librería.
2
Es necesario insertar el componente desde el administrador debido a que algunas versiones de Qucs (entre las cuales se
encuentra la instalada en el laboratorio) ocurre un error en la simulación para ciertos componentes, los cuales no se
inicializan correctamente si se arrastran directamente desde la librería.
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32. Para rotar los componentes utilice el botón Rotar que tiene la siguiente forma y para unir los
componentes de clic en el botón Cable . El circuito debe quedar como el mostrado en la Figura 12.
33. De clic en el botón Insertar ecuación con la siguiente forma y coloque la Ecuación junto al circuito.
34. De clic derecho en la Ecuación que colocó y en el menú que aparece seleccione Editar Propiedades.
35. Coloque las propiedades que se muestran en la Figura 14 y presione el botón Aceptar.
36. Edite las propiedades de la Fuente de intensidad DC y de la Fuente de tensión DC como se muestra en la
Figura 15 (a) y (b) respectivamente.
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40. Proceda a guardar el esquemático dando clic en el menú Archivo y luego en Guardar como.
41. Simule el circuito presionando el botón Simular que tiene la siguiente forma o presione la tecla F2, se
abrirá otra pestaña con la extensión .dlp, regrese a la pestaña del esquemático y agregue junto al circuito un
componente Cartesiano que se encuentra en Componentes >> Diagramas.
42. En la ventana que se abre de doble clic izquierdo sobre Ic para que aparezca en las opciones que se quieren
graficar (Ver Figura 17) y luego de clic en el botón Aceptar.
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43. Aparecerán en el gráfico las curvas características del transistor, seleccione la herramienta Poner marcas en
el gráfico y de clic sobre algunas de las curvas para ver la información de estas.
Análisis de Resultados
1. Usando los datos de la Tabla 4, grafique la relación IB vrs. VBE. Realice el grafico para un valor inicial de IB de
0 A.
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2. Usando los datos de la Tabla 5, grafique la relación IC vrs. IB. Realice el grafico para un valor inicial de IB de 0
A.
3. Usando los datos de la Tabla 6, grafique la relación vrs. IC, cuando VCE = 1.0V. Realice el grafico para un
valor inicial de IC de 0 mA.
4. En la gráfica obtenida en el punto 43 de esta guía identifique las zonas de funcionamiento del transistor
bipolar.
5. Para cada una de las gráficas de la familia de curvas del punto anterior calcule el valor de en la zona lineal.
Investigación Complementaria
1) Diseñe e implemente un circuito que encienda una carga de 110 Vrms (foco con su respectiva roseta o motor)
por medio de la conmutación de un transistor (operación de corte y/o saturación) 3 y un relé electromecánico
(Ver Figura 3c) cuando tenga en su entrada un voltaje de 3.3Vdc. La implementación que realice además de
ser funcional debe ofrecer seguridad tanto para el circuito como para el usuario. Todos los elementos deben
de ser conseguidos por el grupo en el laboratorio solo tendrá acceso a la toma de corriente, tester y a fuente
de voltaje para obtener 3.3Vdc.
Bibliografía
3
Revisar tema 4.15, página 206 de Electrónica teoría de circuitos y dispositivos electrónicos, 10m Edición.
Electrónica I. Guía 5 13 / 13
Hoja de cotejo: 5
Docente: 1
Guía 5: Características del Transistor BJT
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