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Santiago Espitia Torres.201521090 Jorge Alejandro Ortiz Tibaduiza. 201512475

Santiago.espitia@uptc.edu.co, Jorge.Ortiz05@uptc.edu.co

CARACTERISTICAS Yff POLARIZACIONES

DEL TRANSISTOR BJT
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 Protoboard.
 Trimmers (10KΩ,100kΩ,1MΩ).
Resumen—En esta práctica se estudiará y analizaran las  Resistores de distintos valores.
polarizaciones del transistor bjt, su estabilidad térmica y la  Transistores 2N3904 y 2N3906.
variación del parámetro β. Determinar el punto de operación Q
dentro de la recta de carga en DC, además de obtener de forma  Multímetro.
práctica las características eléctricas del transistor. Los circuitos  Fuente DC.
ya mencionados fueron implementados experimentalmente en el
laboratorio, obteniendo distintos parámetros de rendimiento, los En esta práctica se diseñaron, simularon e implementaron las
cuales fueron comparados con los datos teóricos y de simulación. siguientes polarizaciones:
Palabras Clave: Transistor, Polarización, Beta.
Polarización Fija
Abstract---In this practice we will study and analyze the
polarizations of the bjt transistor, their thermal stability and th
variation of the β parameter. It will be determine the quiescent
point in the charge line, also we get the electric features in the
practice form. The different circuits were implemented in the
laboratory, obtaining different performance parameter, which
were compare with the theorical and simulation data.
Key Words: Transistor, Polarization, Betha.

I. INTRODUCCIÓN
Zona activa:
La juntura base-emisor debe estar polarizada en directo
(VBE>0.7V) y la juntura base-colector debe estar polarizada Fig 1. Transistor Q1, con polarización fija.
en inverso. En esta zona la relación entre corrientes IC y IB va
a depender de un parámetro intrínseco del transistor que es Polarización Fija Con Resistencia De Emisor
comúnmente llamado β.

Zona de corte:
La juntura base-emisor se encuentra sin polarizar
(VBE<0.7V) en cuyo caso no existen corrientes en el
transistor. La resistencia equivalente entre el colector y el
emisor tiende a un valor uy grande haciendo que
prácticamente se presente un circuito abierto en la trayectoria
de colector a emisor.

Zona de saturación:
La juntura base-emisor se encuentra polarizada en directo Fig 2. Transistor Q1, con polarización fija y resistencia de
(VBE>0.7V), lo que permite que existe una corriente de base emisor.
IB, que puede llegar a tomar un valor tan alto que el transistor Polarización con Realimentación de Colector
intentaría conducir también una corriente de colector muy
grande, sin exceder la corriente máxima del dispositivo
gracias a RC. La resistencia equivalente entre el colector y el
emisor aparece con un valor pequeño haciendo que
prácticamente se presente un corto circuito en la trayectoria de
colector a emisor.

II. DESARROLLO DE LA PRACTICA

Materiales e implementos

 Osciloscopio.
 Generador de señales.


Fig 3. Transistor Q1 con polarización por realimentación

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de colector.

Polarización con Divisor de Voltaje

Fig 7. Circuito de pruebas para un BJT.

SIMULACIONES
Las simulaciones de los anteriores montajes son:

Fig 4. Transistor Q1 con polarización por divisor de tensión.

Polarización Dual

Fig 8. Diseño de la polarización fija.

Fig 5. Transistor Q1 con polarización dual.

Diseño Propuesto
Se realizó un diseño donde se utilizaron varios transistores y
polarizaciones, el cual es el siguiente:
Fig 9. Diseño de la polarización fija con resistencia en el
emisor.

Fig 10. Diseño polarización con retroalimentación de

Fig 6. Diseño propuesto colector.

Curva Característica del BJT

Se realizó el siguiente montaje para determinar el parámetro β
experimentalmente
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VCE = VCC – (IC * RC)

IC = (VCC – VCE) / RC

Polarización fija con resistencia de emisor

Parámetro Teórico Simulación Practico

IB(μA) 12.00 12.57 11.88
IC(mA) 2.10 2.11 2.09
IE(mA) 2.11 2.12 2.10
VCE(V) 12.00 12.77 11.97
Tabla 2. Datos obtenidos de la polarización fija con
resistencia de emisor.
Fig 11. Diseño con polarización de divisor de voltaje.
Q = 0.85
Q = VCEQ / VCE(corte)
IB = (VBB – VBE ) / RB

VCE = VCC – (IC * RC)

IC = (VCC – VCE) / RC

Polarización con retroalimentación de colector

Parámetro Teórico Simulación Practico

IB(μA) 34.60 34.42 34.54
IC(mA) 6.00 5.91 5.96
IE(mA) 6.06 5.94 6.02
VCE(V) 8.00 7.86 7.90
Fig 12. Díseño con polarización dual. Tabla 3. Datos obtenidos de la polarización con
retroalimentación de colector.

Q = 0.5
Q = VCEQ / VCE(corte)

RC << 10*RB

1. Corte
VCE = VCC + (RC * IC) + (RB * IB) - VBE
VCE = 0.5
2. VCC = (RC*IC) + VCE

Fig 13. Diseño propuesto. IC = β*IB

IB = IC / β
VCC = RC (IC*IB) + (RB*IB) + VBE

III. ANÁLISIS DE RESULTADOS

De los anteriores diseños se obtuvieron los siguientes datos: REFERENCIAS

Polarización Fija [1] G. Eason, B. Noble, and I.N. Sneddon, “On certain integrals of Lipschitz-
Hankel type involving products of Bessel functions,” Phil. Trans. Roy. Soc.
Parámetro Teórico Simulación Practico London, vol. A247, pp. 529-551, April 1955.
IB(μA) 63 63.52 62.54 [2] J. Clerk Maxwell, A Treatise on Electricity and Magnetism, 3rd ed., vol. 2.
IC(mA) 10.00 10.87 10.72 Oxford: Clarendon, 1892, pp.68-73.
[3] I.S. Jacobs and C.P. Bean, “Fine particles, thin films and exchange
IE(mA) 9.96 10.93 10.90 anisotropy,” in Magnetism, vol. III, G.T. Rado and H. Suhl, Eds. New York:
VCE(V) 6.00 6.023 5.98 Academic, 1963, pp. 271-350.
Tabla 1. Datos obtenidos de la polarización fija. [4] K. Elissa, “Title of paper if known,” no puplicado.
[5] R. Nicole, “Title of paper with only first word capitalized,” J. Name Stand.
Abbrev., en impresión.
Q = 0.5 [6] Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, “Electron spectroscopy
Q = VCEQ / VCE(corte) studies on magneto-optical media and plastic substrate interface,” IEEE
IB = (VBB – VBE ) / RB
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Transl. J. Magn. Japan, vol. 2, pp. 740-741, August 1987 [Digests 9th
Annual Conf. Magnetics Japan, p. 301, 1982].
[7] M. Young, The Technical Writer’s Handbook. Mill Valley, CA: University
Science, 1989.