Compuertas Lógicas

Natalia Díaz Castro

1765685-3743
natalia.diaz.castro@correounivalle.edu.co

Resumen Sus niveles lógicos son definidos por el rango de tensión

comprendida entre 0,0V y 0,8V para el estado L(bajo) y de
Las familias lógicas son el son un grupo de circuitos
2,2V y Vcc para el estado H(alto).[2]
digitales monolíticos, construidos de compuertas lógicas
usando diseños diferentes, usualmente con niveles lógicos La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su
compatibles y características de fuente de poder dentro de mejor base, esta característica le hace aumentar su
una familia. La familia lógica TTL (transistor-transistor consumo siendo así su mayor enemigo. Motivo por el cual
logic) y la familia CMOS (complementary metal-oxide- hay diferentes versiones de TTL. En algunos casos su
semiconductor) son tecnologías de construcción de consumo puede llegar a poco más de 400MHz.
circuitos integrados. La tecnología TTL esta basada en el
uso de transistores bipolares, mientras la tecnología CMOS
se basa en la utilización conjunta de transistores de tipo
pMOS y tipo nMOS.

Introducción
Este trabajo se hace con el fin de conocer y estudiar las
diferentes familias lógicas que hay, en específico la
tecnología TTL con sus respectivo funcionamiento,
características, ventajas y desventajas de esta tecnología; la
tecnología CMOS con su funcionamiento, su consumo,
ventajas y desventajas, y sus transistores pMOS y nMOS.
Viendo las formas en las que se manejan estás tecnologías
y su funcionamiento conoceremos más acerca de las
familias lógicas.
Tecnología TTL
Esta tecnología se basa en la construcción de circuitos
integrados electrónicos digitales, sus elementos de entrada
y salida son dispositivos transistores bipolares, su
compuerta básica es la NAND.
Los circuitos de esta tecnología se prefijan de la siguiente
manera: 74(54 en las series militares e industriales)
seguidas de un código de una o varias cifras las cuales
representan la familia y posterior mente un código de 2 o 4
con el modelo del circuito.
Esta tecnología se caracteriza por tres etapas:
1. Etapa de entrada por emisor: se utiliza un transistor
multiemisor en lugar de la matriz de diodos de DTL.
2. Separador de fase: es un transistor conectado en emisor
común que produce en su colector y emisor señales en
contrafase.
3. Driver: está formada por varios transistores, separados
en dos grupos. El primero va conectado al emisor del
separador de fase y drenan la corriente para producir el
nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al
colector del divisor de fase y produce el nivel alto. [1]
Fig. 1. Puerta NAND en tecnologia TTL
Ventajas y Desventajas
Ventajas:
- El menor producto retardo por disipacion de potencia
- Buena flexibilidad logica
- Baja impedancia de salida
- Buena inmunidad de ruido
- Numerosas funciones
Desventajas:
-Generacion de ruido [3]
Tecnología CMOS
La tecnología CMOS estaba basada en la creación de
circuitos integrados, utilizando transistores de tipo pMOS
y tipo nMOS, los cuales, en estado de reposo, el único
consumo de energía es el debido a las corrientes parasitas,
colocadas en la placa base.
Los circuitos CMOS son regenerativos: una señal
degradada que acometa una puerta lógica CMOS se verá
restaurada a su valor lógico inicial 0 ó 1, siempre que aún
esté dentro de los márgenes de ruido que el circuito pueda
tolerar.
Una de las características de la tecnología CMOS es la
disipación de baja potencia: La disipación de potencia
depende de la potencia de la fuente de poder, su frecuencia,
carga en la salida y el tiempo de arranque. A 1 MHz y a
50pF de carga, la disipación de potencia es típicamente
10nW por compuerta. [4]
Fig. 2. Circuito inversor en tecnologia CMOS
Ventajas y Desventajas
Ventajas
La familia lógica tiene una serie de ventajas que la hacen
superior a otras en la fabricación de circuitos integrados
digitales:
- El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta
impedancia de entrada de los transistores de tipo MOSFET
y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS sólo
experimentará corrientes parásitas. Esto es debido a que en
ninguno de los dos estados lógicos existe un camino
directo entre la fuente de alimentación y el terminal de
tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que
forman el inversor CMOS básico se encuentra en la región
de corte en estado estacionario.
- Gracias a su carácter regenerativo, los circuitos CMOS
son robustos frente a ruido o degradación de señal debido a
la impedancia del metal de interconexión.
- Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar.
- La tecnología de fabricación está muy desarrollada, y es
posible conseguir densidades de integración muy altas a un
precio mucho menor que otras tecnologías.
Desventajas
- Debido al carácter capacitivo de los transistores
MOSFET, y al hecho de que estos son empleados por
duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los
circuitos CMOS es comparativamente menor que la de
otras familias lógicas.
- Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de
un tiristor parásito en la estructura CMOS que entra en
conducción cuando la salida supera la alimentación. Esto
se produce con relativa facilidad debido a la componente
inductiva de la red de alimentación de los circuitos
integrados. El latch-up produce un camino de baja
resistencia a la corriente de alimentación que acarrea la
destrucción del dispositivo. Siguiendo las técnicas de
diseño adecuadas este riesgo es prácticamente nulo.
Generalmente es suficiente con espaciar contactos de
sustrato y pozos de difusión con suficiente regularidad,
para asegurarse de que está sólidamente conectado a masa
o alimentación.
- Según se va reduciendo el tamaño de los transistores, las
corrientes parásitas empiezan a ser comparables a las
corrientes dinámicas (debidas a la conmutación de los
dispositivos). [5]
Consideraciones Físicas
Retardo de las compuertas:
Producto retardo-potencia:
• un dispositivo ideal presenta una elevada velocidad de
operación con un reducido consumo de potencia.
• En general estos dos parámetros son de signo contrario
Es decir, si se desea bajo consumo, se debe sacrificar
velocidad de operación.
• El producto retardo-consumo de potencia es una figura
de mérito para comparar las diferentes tecnologías de
circuitos lógicos. [6]
Fan-in:
Fan-in es el número de entradas que puede manejar una
puerta lógica. Por ejemplo, el abanico para la compuerta
AND que se muestra en la figura es 3. Las puertas lógicas
físicas con un abanico grande tienden a ser más lentas que
aquellas con un abanico pequeño. Esto se debe a que la
complejidad de los circuitos de entrada aumenta la
capacidad de entrada del dispositivo. El uso de puertas
lógicas con un mayor abanico de entrada ayudará a reducir
la profundidad de un circuito lógico. [7]
Fig. 3. Una compuerta AND con tres entradas tiene un abanico
de 3.
Fan-out:
En electrónica digital, la fan-out de salida de una puerta
lógica es el número de entradas de puerta que puede
controlar.
En la mayoría de los diseños, las puertas lógicas están
conectadas para formar circuitos más complejos. Si bien
ninguna entrada de puerta lógica puede alimentarse con
más de una salida, es común que una salida esté conectada
a varias entradas. La tecnología utilizada para
implementar puertas lógicas generalmente permite que un
cierto número de entradas de puerta se conecten
directamente entre sí sin necesidad de circuitos de interfaz
adicionales. El máximo abanico de salida de una fan-out
mide su capacidad de conducción de carga: es el mayor
número de entradas de puertas del mismo tipo al que se
puede conectar la salida de forma segura. [8]

Conclusiones
Con la realización de ese informe podemos concluir que
las familias lógicas son de gran ayuda al mundo de hoy.
Las tecnologías estudiadas dan su aporte y cada una es
diferente entre si. Cada tecnología funciona de diferentes
formas y según las especificaciones del usuario puede
elegir la que más se ajuste a sus necesidades.

Referencias
[1] https://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTL.
[2] https://es.wikipedia.org/wiki/Tecnolog%C3%ADa_TTL.
[3] https://docplayer.es/72555987-Ventajas-e-inconvenientes-
de-la-tecnologia-ttl.html. Pág 2
[4]
http://digital.ni.com/public.nsf/allkb/A829F34E0BACA997
86257D9600746CFF
[5]
https://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor_complementar
io_de_%C3%B3xido_met%C3%A1lico
[6]

http://lcr.uns.edu.ar/electronica/Introducc_electr/2009/Intro
ducci%C3%B3n%20a%20la%20Electr
%C3%B3nica_clases%2013-14__.pdf Pág 4
[7] https://en.wikipedia.org/wiki/Fan-in
[8] https://en.wikipedia.org/wiki/Fan-out