¿Qué es un aislador?

Se ha llegado a la conclusión de que tanto iónica o covalentemente unidos los

materiales son en extremo pobres conductores porque los electrones no tienen
libertad para dejar sus átomos huéspedes. Hay una analogía entre movimientos
electrónicos y aisladores, y movimientos atómicos en materiales. Si se usa carbón
en forma de diamante como un ejemplo, puede demostrarse que se necesitan más
de seis electrón-volts de energía para mover cada electrón de su posición de baja
energía, de modo que pueda transportarse una carga.

La probabilidad de que un electrón pueda recibir la energía necesaria para

moverse de su posición estable, es extremadamente pequeña. Altas temperaturas
pueden dar alguna energía adicional a los electrones; sin embargo, aún con esta
agregada cantidad de energía, hay muy pequeña probabilidad de movimientos
electrónicos y la resistividad en el diamante permanece alta.

Los requerimientos de energía para movimientos electrónicos no son el mismo en

todos los sólidos covalentes. Por ejemplo, el silicio, el germanio y el estaño gris
tienen la misma estructura del diamante, pero tienen mayores conductividades (y
con ello menores resistividades). La conductividad que existe en esos sólidos se
llama conducción intrínseca porque es el resultado de movimientos electrónicos en
materiales puros. Las imperfecciones electrónicas se forman y pueden
compararse al efecto Frenkel. Específicamente una carga es desplazada desde su
posición de menor energía.

Aisladores eléctricos cerámicos

Los materiales comúnmente considerados como aisladores pueden fallar bajo

altos voltajes. Usualmente la falla es un fenómeno superficial. Por ejemplo, las
bujías de un automóvil pueden producir cortos circuitos en una mañana húmeda
porque la condensación en la superficie del aislador cerámico permite que la
corriente falle. Los aisladores se diseñan con superficies alargadas para disminuir
la posibilidad de falla superficial y como los poros internos y grietas proporcionan
oportunidad para "superficie" adicional de falla, los aisladores son usualmente
vidriados para hacerlos no absorbentes. La falla volumétrica, ocurre solo cuando
se encuentran gradiantes de voltaje extremadamente altos. Un campo eléctrico
suficientemente fuerte, puede romper los dipolos inducidos en el aislador y cuando
la intensidad del campo excede la rigidez del dipolo podrá ocurrir la ruptura.

Los aisladores eléctricos tienen constante dieléctrica que está significativamente

arriba de la unidad. En un desplazamiento iónico con un campo eléctrico, los iones
positivos se mueven hacia el electrodo negativo y los negativos hacia el electrodo
positivo. Tales desplazamientos pueden ocurrir a frecuencias hasta de 10¹³ Hz, si
solo se trata de átomos simples. Sin embargo, muchos desplazamientos abarcan
grupos o nubes de átomos dentro del material. Por lo tanto, hay un límite en
respuesta y una reducción en constante dieléctrica arriba de 10^5 Hz.

¿Qué es un semiconductor?

Por definición, los semiconductores tienen una resistividad entre la de los

conductores y la de los aisladores. Sin embargo, para que un semiconductor sea
útil en un circuito electrónico su resistividad debe estar entre 1 o 2 órdenes de
magnitud de 1 ohm cm. Así la conducción intrínseca del germanio y del silicio
(entre 10-2 y 10-4 ohm x cm-1, respectivamente) tiene limitada utilidad en circuitos
electrónicos.

La conductividad de un material puede aumentarse mediante la adición de

imperfecciones electrónicas. Por ejemplo, considérese el silicio que contiene
aluminio como impureza. El silicio tiene la misma estructura cubica que el carbón
en forma de diamante. La presencia de un átomo de aluminio deja una vacante
electrónica o un hueco electrónico dentro de la estructura.

Los átomos adyacentes pueden moverse hacia esta dirección cuando se aplica un
campo eléctrico a través del material. Desde luego cuando un átomo adyacente se
mueve hacia este hueco, el hueco se mueve hacia el electrodo negativo. En este
caso el hueco electrónico se considera una carga positiva dando lugar a la
semiconduccion tipo p.

La conducción extrínseca proveniente de la presencia de una imperfección

electrónica de tipo p o tipo n. Si es fosforo el que está presente en lugar del
aluminio en la estructura del silicio, el electrón de quinta valencia no está en una
liga covalente de baje energía. Por lo tanto solo una pequeña cantidad de energía
adicional es necesaria para acelerar un electrón cuando se mueve a través de un
campo eléctrico.

Semiconductores cerámicos

Aun cuando los compuestos cerámicos son comúnmente aisladores, pueden

volverse semiconductores si contienen elementos multivalentes de transición. La
magnetita (Fe3O4) es un semiconductor cerámico con resistividad de 10 -2 ohm x
cm, que es comparable al grafito y al estaño gris. El origen de la conductividad es
idéntico al de FeO; sin embargo, el número de huecos electrónicos para llevar la
carga es mucho mayor porque la presión de iones Fe +3 es mayor.

La resistividad puede aumentarse por soluciones solidas que reemplazan los iones
multivalentes de hierro con otros iones. Esto se muestra en la tabla siguiente para
soluciones solidas de MgCr2O4 y FeFe2O4.
Ni el ion Mg+2 ni el Cr+3 pueden reaccionar con los electrones o huecos
electrónicos. Así la resistividad puede ajustarse a niveles seleccionados. El
coeficiente de resistividad por temperatura de tales semiconductores es de igual
interés para el ingeniero. Como se nota en la tabla anterior el cambio de
resistencias es más de 1% / ºC; y en otras soluciones solidas puede ser tan alto
como 4% / ºC. Esta resistividad es suficiente para la medición precisa de
temperaturas y ha dado lugar a los dispositivos llamados termistores, que se
utilizan para propósitos termométricos. Como los termistores siempre tienen un
coeficiente negativo de resistividad a la temperatura, pueden también usarse para
compensar los cambios positivos de resistencia y pueden también ser usados en
los componentes metálicos de un circuito.