UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DEL CENTRO

ASIGNATURA
Electrónica
TRABAJO:
Evidencia de producto U3: Transistores de efecto campo

ALUMNOS:

Julio Cesar Narvaez Antonio 002686

GRADO:
6to cuatrimestre

GRUPO:
A1-6

MENTOR
Oscar Rafael Hernández
Transistores de efecto campo. pg. 1

INTRODUCCIÓN
Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el control de la corriente se
realiza mediante un campo eléctrico. Tienen las siguientes características:
- Dispositivo unipolar: un único tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una gran ventaja
para aplicaciones de microelectrónica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de MΩ)

Existen dos tipos de transistores de efecto campo:

- De unión: JFET o simplemente FET
- De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET

Estructura de los JFET

- Barra semiconductora con contactos óhmicos en los extremos
- Puerta o elemento de control muy impurificado con portadores distintos a los de la barra
- Elementos: Fuente o surtidor (S), Drenador (D), Puerta (G), y Canal (región situada entre las dos
difusiones de puerta
- La tensión puerta surtidor (VGS) polariza inversamente las uniones

La corriente entre Drenador (D) y Fuente (S) se controla mediante el campo creado por la polarización
inversa aplicada a la puerta (G).
Transistores de efecto campo pg. 2

Los transistores de efecto de campo son dispositivos tri-terminales en los que la corriente principal
se controla mediante una tensión. Las características principales son:

• La potencia de control es nula, es decir, no se absorbe corriente por el terminal de control.

• Una señal muy débil puede controlar el dispositivo.
• La tensión de control se emplea para crear un campo eléctrico.

Hay dos familias de transistores de efecto de campo: los JFET y los MOSFET. Pese a que el concepto
básico de los FET se conocía ya en 1930, estos dispositivos sólo empezaron a fabricarse
comercialmente a partir de la década de los 60. Y a partir de los 80 los transistores de tipo MOSFET
han alcanzado una enorme popularidad. Comparados con los BJT, los transistores MOS ocupan
menos espacio, es decir, dentro de un circuito integrado puede incorporase un número mayor. Además,
su proceso de fabricación es también más simple. Además, existe un gran número de funciones
lógicas que pueden ser implementadas únicamente con transistores MOS (sin resistencias ni diodos).
Esto ha hecho del transistor MOS el componente estrella de la electrónica digital.

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNION (JFET)

Un JFET de canal N se fabrica difundiendo una región de tipo P en un canal de tipo N, tal y como se
muestra en la Figura 1. A ambos lados del canal se conectan los terminales de fuente (S, Source) y drenaje
(D, Drain). El tercer terminal se denomina puerta (G, Gate).

Los símbolos de este tipo de dispositivos son:

Transistores de efecto campo. pg. 3

JFET: CURVAS CARACTERÍSTICAS

Símbolos de los JFET:

D D
G G

S S
Canal N Canal P

Esquema básico de polarización:

+
IG ID

VDS
+ VDD
IS
VGG VGS

_ _

Para canal P el esquema es idéntico con polaridades invertidas

Transistores de efecto campo. pg. 4

Curvas características: ID = f (VDS, VGS)

Para VGS = 0:
• VDS pequeña (<VP ): Canal casi completamente abierto => resistencia pequeña y aproximadamente
constante => comportamiento aproximadamente lineal => REGIÓN ÓHMICA
• VDS cercana a VP : canal se va cerrando por un punto y la resistencia aumenta con la tensión =>
comportamiento no lineal => REGIÓN DE CONTRACCIÓN
• VDS > VP : La resistencia rds es grande y aproximadamente constante => JFET fuente de corriente =>
REGIÓN DE SATURACIÓN
• VDS muy elevada: Conducción inversa en las uniones, ID se dispara y se produce fácilmente la
destrucción del JFET => REGIÓN DE RUPTURA
Transistores de efecto campo. pg. 5

ZONAS DE FUNCIONAMIENTO

ÓHMICA: |VDS| < ||Vp| - |VGS||

ID CONTRACCIÓN: |VDS| ≈ ||Vp| - |VGS||

SATURACIÓN: |VDS| > ||Vp| - |VGS||

VGS = 0

RUPTURA:
VDS elevada

|VGS|= |Vp|
VDS

CORTE: |VGS| > |Vp|

Región óhmica
Valores pequeños de VDS |VDS| < | |Vp| – |VGS| |

1 L
Resistencia óhmica: rds =
q. N D . µ n 2ac

Valores usuales de la resistencia: de 100 Ω a 100 KΩ -> rds > Rcesat (transistor bipolar)
ID = f(VDS) -> función lineal
Cada VGS define un valor de resistencia distinto
Transistores de efecto campo. pg. 6

EL TRANSISTOR MOS. ESTRUCTURA Y TIPOS

Los transistores de efecto campo de unión JFET estudiados hasta ahora presentan la característica de que
con VGS = 0, ID no es nula cuando VDS ≠ 0.

Los transistores de efecto campo de puerta aislada (de acumulación) tienen ID nula con VGS = 0, lo cual es
interesante para trabajar en conmutación. Estos transistores de efecto campo de puerta aislada se suelen
llamar MOS (Metal Oxide Sc) y tienen una impedancia de entrada elevada, del orden de 1010 ÷ 1015 Ω

MOSFET de acumulación de canal P

Tipos:
- Canal P -> sustrato N; impurificaciones P+
- Canal N -> sustrato P; impurificaciones N+

Construcción de la zona del canal

- Muy impurificada o enriquecida (enhacement) en los portadores de carga del sustrato -> MOS de
enriquecimiento o acumulación
- Poco impurificada o empobrecida (depletion) en los portadores de carga del sustrato (enriquecida en los
portadores de las impurificaciones de D y S) -> MOS de empobrecimiento o de deplexión
Transistores de efecto campo pg. 7

TRANSISTOR MOSFET

Las prestaciones del transistor MOSFET son similares a las del JFET, aunque su principio
de operación y su estructura interna son diferentes. Existen cuatro tipos de transistores
MOS:

• Enriquecimiento de canal N
• Enriquecimiento de canal P
• Empobrecimiento de canal N
• Empobrecimiento de canal P

Los símbolos son:

La característica constructiva común a todos los tipos de transistor MOS es que el terminal de puerta
(G) está formado por una estructura de tipo Metal/Óxido/Semiconductor. El óxido es aislante, con lo
que la corriente de puerta es prácticamente nula, mucho menor que en los JFET. Por ello, los MOS
se emplean para tratar señales de muy baja potencia.
Transistores de efecto campo. pg. 8

Curvas de salida: ID = f(VDS, VGS)

MOS de acumulación

Región de no saturación u óhmica: |VDS| < |VGS - VTH|

|ID| Región de contracción: |VDS| ≈ |VGS - VTH|

Región de saturación: |VDS| > |VGS - VTH|

|VGS|

|VDS|
|BV|
Región de corte: |VGS| < |VTH|
Tensión de ruptura
Transistores de efecto campo pg. 9

Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a
1012ohmios).

2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.

3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.

4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar
más dispositivos en un CI.

5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión valores pequeños de tensión
drenaje-fuente.

6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para
permitir su utilización como elementos de almacenamiento.

7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.

2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.

3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática. En este apartado se estudiarán
brevemente las características de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones
analógicas.
Transistores de efecto campo pg. 10

DOS EJEMPLOS DE CÁLCULO Y EJERCICIOS DE APLICACIÓN DE LOS JFET Y

MOSFET

MOSFET

Ejemplo practico: Para el circuito dado en la siguiente figura, calcular VGS, ID y VDS.

Solución: Tenemos que,

VDD =12V
VGS =8V
VT = 3 v

Como, VGS = VDD – ID x RD = 12 – ID x RD

tenemos que,

ID = K(VGS-VT)2
Sustituyendo valores de VGS tenemos,

ID=K((12-Id x Rd)-Vt)2 =0.24 x 10-3[12-ID x 2 x 10-3-3]2

=0.24×10-3 [81 – 36000 ID + 4000000 I2D]
Así; ID = 0.01944 – 8.64 ID + 960 I2d
960 x I D – 9.64 x ID + 0.01944 = 0
2

Esto es una ecuación de segundo grado y se puede resolver usando la fórmula habitual.

Resolución de ecuaciones cuadráticas, usando la fórmula tendremos;

960xI2D-9.64xID+0.01944=0 donde,

Si calculamos el valor de VDS teniendo ID = 7.2477mA nos quedará,

Vds=Vdd-IdxRd=12-7.2477×10-3x2x103=12-14.495=-2.495

En la práctica, el valor de VDS debe ser positivo, por lo tanto, Id =7.2477mA, no es válido.
Transistores de efecto campo pg. 11

TRANSISTORES UNIPOLARES: MOSFET

EJEMPLO 2
En el circuito de la figura Q es un transistor MOSFET con VT = 1 V y k = 2,5 mA/V2.
Calcular:
a) Valor de Ve para que comience a conducir el transistor .
b) Valor de Ve para Vo= 15 V.
c) Valor de Ve para que el transistor entre en zona óhmica.

TE (09/10). TEMA 6: EL TRANSISTOR UNIPOLAR. 31 DE 38 BRÉGAINS, IGLESIA, LAMAS - UDC_____

Transistores de efecto campo pg. 12
Transistores de efecto campo pg. 13
Transistoresde efectocampo pg. 14

(/(&75Ï1,&$%È6,&$
','4%+%+15FGVTCPUKUVQTGU,('6

3UREOHPD
D Considerar un transistor JFET de canal n cuyo terminal de puerta (G) está unido al

en el dispositivo se denomina Y, y la corriente a través de él se denomina L,

terminal de fuente (S), constituyendo un dispositivo de dos terminales. Si la tensión

demostrar que:
ª § Y · § Y ·º
L N  9 S ˜ Y  Y  , '66 « ˜ ¨¨ ¨ », para ( d Yd 9S 
« ©  9 S ¸¹̧ ¨© 9 SW ¸¹̧ »


¬ ¼
L N ˜9 , para Yt 9S 


S '66
,

E Hallar el valor de la resistencia variable del dispositivo cuando el canal del

transistor JFET está estrangulado.

6ROXFLyQ E R'6 f

3UREOHPD
Se desea utilizar un transistor JFET de canal n como una resistencia controlada por
tensión cuya característica de transferencia sea prácticamente lineal, para lo cual se
aplica al dispositivo una tensión VDS pequeña. Demostrar que el valor de la resistencia

§ 9 ·
variable del dispositivo rDS es:

¨ ¸
¨  ˜ . ˜9 ¸
S

9 © ¹
U


, § 9 ·
'6 S

¨  ¸
'6

¨ 9 ¸
' *6

© ¹ S

Hallar el rango de valores de rDS que se obtienen variando VGS desde 0 hasta 0.9Vp,
suponiendo que Vp=-4V e K=1mA/V2.
6ROXFLyQ N: d 5'6 d N:
Transistores de efecto campo pg. 15

• IDENTIFICACIÓN EN DIAGRAMAS Y PLANOS ELECTRÓNICOS DE LOS

AUTOMÓVILES.

diagrama del mini

tablero del
amplificador digital
5v

Control De
Velocidad PWM
Para El Control
De Motores De
CC

Control de ventilador y
protector térmico para
amplificadores

Módulo de Control de inyección de

combustible para Dorman para Ford
E-350 Super Duty
Transistores de efecto campo pg. 16

FUNCIÓN DE LOS JFET Y MOSFET EN LOS VEHÍCULOS AUTOMOTORES

• Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

• Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
• Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación
conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
• Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica digital como la
tecnología TTL o BICMOS.
• Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y llaves
de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está basado en
la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.
• Control de velocidad de motores
• Control por corriente de campo
• Interruptor electrónico con carca inductiva
• Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)