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REPASO
• Unión PN
• Corriente de difusión
• Región de agotamiento
• Corriente de desplazamiento
• Unión PN en directo
• Unión PN en inverso
• Ruptura
• Zener
• Avalancha
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UNIÓN P-N EN DIRECTO
3
UNIÓN P-N EN INVERSO
4
DIODO
Es la unión de un semiconductor de
tipo P con otro de tipo N
5
CURVA C ARACTERÍSTIC A DEL
DIODO
6
CARACTERÍSTICAS DE LOS
DIODOS DE SILICIO Y
GERMANIO
Silicio Germanio
VPI 1000 V 400 V
Vumbral 0.7 V 0.3 V
Temp. max 200C 100C
7
COMPARACIÓN ENTRE EL DIODO
DE SILICIO Y EL DE GERMANIO
8
9
RESISTENCIA DEL DIODO
10
RESISTENCIA ESTÁTICA O DC
VD
ID Q RD
ID
VD V
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RESISTENCIA DINÁMICA O AC
Q V
rD
I
VD V
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CAPACITANCIA DE
TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN
13
C APACITANCIA DE TRANSICIÓN
14
C APACITANCIA DE TRANSICIÓN
Donde:
*A
CT ε constante de permitividad
A área entre las placas
d d distancia entre las placas
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
+ + + - + - - -
P - Vo + N
V 15
C APACITANCIA DE DIFUSIÓN
16
C APACITANCIA DE DIFUSIÓN
dQ
CD
dV
t
CD I
V
17
CAPACITANCIA DE
TRANSICIÓN Y DIFUSIÓN
Capacitancia
CT CD
Inverso Directo
Voltaje
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MODELOS DE DIODOS
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PRIMERA APROXIMACIÓN
20
DIODO IDEAL
Diodo Ideal
Polarizado en directo
ID
VD
Polarizado en inverso
21
SEGUNDA APROXIMACIÓN
Vo
Vo
VD
Polarizado en inverso
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TERCERA APROXIMACIÓN
ID rD Vo
Vo
VD
rI
Polarizado en inverso 23
CURVA DEL DIODO REAL
DIODE_VIRTUAL
V1 R1
10 V 1kOhm
25
EJERCICIOS
26
EJERCICIOS
Calcule VR2
R1 D1 D3
2kΩ Si
R2 V2
V1 2kΩ 12 V
12 V
D2 D4 R3