FUENTE DE REFERENCIA BAND-GAP

Es una fuente de referencia de voltaje utilizada en la mayoría de los reguladores

de 3 terminales debido a que posee una alta estabilidad térmica, es independiente de la
alimentación y posee bajo ruido respecto del diodo ZENNER debido a que no se basa
en el efecto avalancha.
El voltaje de referencia que genera se basa en la diferencia de energía entre la
banda de conducción y la banda de valencia. El principio de funcionamiento de esta
fuente de referencia de voltaje se basa en el balance del coeficiente negativo de
temperatura de una juntura PN, con el coeficiente positivo de temperatura del voltaje
térmico.

ESQUEMA DE LA FUENTE BAND GAP

I1 K .T
Recordando que V B E = V T . l n (1) y V T = (2), siendo:
IS q
J
Constante de BOLTZMAN K = 1, 3 8 . 1 0 − 2 3
º K
−19
Carga del electrón q = 1, 6 0 2 . 1 0 C o u lo m b
Temperatura en grados KELVIN T

Para una temperatura de t = 2 5 º C ⇒ T = 2 9 8 º K

∴ VT = 2 5, 8 m V

Vamos a escribir V B E en forma explícita en donde quede expresada su

dependencia de la temperatura. Para ello también expresamos la corriente I S en forma
explícita.
q. A.ni2 .D n
IS = (4)
QB

Ing. Edgardo Comas . Pág. 1

A Área de la juntura base emisor
Dn Constante de difusión
QB Dopado total de la base por unidad de área

Agrupando los valores constantes con la temperatura nos queda la constante

q. A
B= (5) y ahora podemos expresar la ecuación (4) como I S = B.ni .D n
2
(6)
QB

De la relación de EISTEIN que expresa la movilidad de los electrones en la

región de base tenemos que:
⎛ q ⎞ ⎛ K .T ⎞
µn = ⎜ ⎟ .D n ⇒ Dn = ⎜ ⎟ .µ n (7)
⎝ K .T ⎠ ⎝ q ⎠
Reemplazando la ecuación (7) en la expresión (6) nos queda
⎛ K .T ⎞
I S = B.ni2 . ⎜ ⎟ .µ n y agrupando nuevamente los valores constantes con la
⎝ q ⎠
⎛K⎞
temperatura nos queda la constante B´= B. ⎜ ⎟ ⇒ I S = B´.ni2 .µ n .T (8) y
⎝q⎠
⎧ ⎛ VGO ⎞
⎜− ⎟
⎪n 2 = D.T 3 .e⎝ VT ⎠
⎨ i
(9) donde C y D son constantes independientes
dado que
⎪ µ = C.T − n
⎩ n
de la temperatura cuyos valores no son importantes para este análisis, VGO es el
potencial de BAND GAP para el silicio extrapolado a cero grados KELVIN, y el
exponente n es dependiente del nivel de dopado en base. Con lo cual reemplazando las
ecuaciones (9) en (8) tenemos
⎛ VGO ⎞ ⎛ VGO ⎞
⎜− ⎟ ⎜− ⎟
.C.T − n .T = B´.C.D.T (
4− n )
I S = B´.D.T 3 .e ⎝ VT ⎠
.e ⎝ VT ⎠

1
Definiendo las constantes
=
E´= B´.C.D , E E´ (
y γ = 4 − n tenemos:)

⎛ VGO ⎞
⎜− ⎟
I S = E´.T γ .e ⎝ VT ⎠
(10)

Ahora reemplazamos la ecuación (10) en la ecuación (1) obtenemos la expresión de la

tensión base emisor:

Ing. Edgardo Comas . Pág. 2

 I1
V B E = V T . ln ⎛ VGO ⎞
⎜− ⎟
γ ⎝ VT ⎠
E ´.T .e
⎛ ⎛ VGO ⎞
⎜ ⎟ ⎞
V BE = V T . l n ⎜ I 1 . E .T −γ
.e ⎝ VT ⎠ ⎟
⎜ ⎟ (11)
⎝ ⎠

Asumiendo que conocemos la variación de I1 con la temperatura y esta

responde a la expresión:

I1 = G.T α (12)
Incorporando (12) en (11)

⎛ ⎛ VGO ⎞
⎜ ⎟ ⎞
V BE = V T . l n ⎜ G .T α
. E .T −γ
.e ⎝ VT ⎠ ⎟
⎜ ⎟
⎝ ⎠

⎡ ⎛ VGO ⎞
⎜ ⎟ ⎤
(α −γ )
V BE = V T . l n ⎢ G . E .T .e ⎝ VT ⎠ ⎥
⎢ ⎥
⎣ ⎦
⎡ VGO ⎤
V B E = V T . ⎢ l n (G . E ) + (α − γ ) . l n (T ) + ⎥
⎣ VT ⎦

V B E = V T . l n (G . E ) + V T . (α − γ ) . l n (T ) + V G O
V B E = V G O − V T . ⎡⎣ ( γ − α ) . l n (T ) − ln ( G . E ) ⎤⎦ (13)

Recordando la expresión de la tensión de referencia:

V R E F = V B E + A .V T
Reemplazando la ecuación (13) en la anterior:
V R E F = V G O − V T . ⎡⎣ ( γ − α ) . l n ( T ) − l n ( G . E ) ⎤⎦ + A .V T
V R E F = V G O − V T . ( γ − α ) . l n ( T ) + V T . l n ( G . E ) + A .V T

V R E F = V G O − V T . (γ − α ) . l n (T ) + V T . ⎡⎣ A + l n ( G . E ) ⎤⎦ (14)

La expresión (14) nos da el potencial de referencia de salida ( V REF ) en

función de la temperatura, los parámetros del circuito G , α , A y los parámetros del
dispositivo E , γ .

Ing. Edgardo Comas . Pág. 3

 Debemos buscar los valores de G , α , A tal que se cumpla que:

∂ V REF
= 0 (15)
∂T T = T0

∂ V REF ⎧ ∂VT 1 ⎫ ∂VT

= − ⎨ . (γ − α ) . l n (T ) + V T . ( γ −α ). ⎬ + . ( A + l n (G . E ))
∂T ⎩ ∂T T ⎭ ∂T

∂ V REF ∂VT ∂VT

. ( A + ln (G . E )) −
VT
= . (γ − α ) . l n (T ) − . (γ − α ) (16).
∂T ∂T ∂T T

∂VT V T0 K .T ∂VT K
Siendo = , y como V T = ⇒ = y además
∂T T0 T0 q ∂T q
V T0 K .T 0 1 K
= . = , reemplazando las expresiones anteriores en la ecuación
T0 q T0 q
(16) con la condición (15)

V T0 V T0 V T0
T0
(A + ln (G . E )) −
T0
(γ −α ) . l n (T 0 ) −
T0
. (γ − α )= 0

A + ln ( G . E ) = (γ −α ) . l n (T 0 ) + ( γ −α )

A + ln (G . E ) = (γ −α ) . ⎡⎣ 1 + l n ( T 0 ) ⎤⎦ (17)

Reemplazando (17) en la ecuación (14) tenemos:

V R E F = V G O − V T . (γ − α ) . l n (T ) + V T . ( γ −α ) . ⎡⎣ 1 + l n ( T 0 ) ⎤⎦

V R E F = V G O + V T . (γ − α ) . {⎡⎣ 1 + l n ( T 0 ) ⎤⎦ − l n ( T )}

⎡ ⎛ T ⎞⎤
V R E F = V G O + V T . (γ − α ). ⎢1 + l n ⎜ 0 ⎟ ⎥ (18)
⎣ ⎝ T ⎠⎦
La ecuación (18) da el voltaje de salida en función de la temperatura
∂ V REF
considerando la compensación térmica = 0
∂T T = T0

Ejemplo
γ = 3, 2
α = 1 V R E F = V G O + V T . (γ − α
⎡
). ⎢1 + ⎛ T ⎞⎤
ln ⎜ 0 ⎟ ⎥
T0 = 2 5 º C ⎣ ⎝ T ⎠⎦

Ing. Edgardo Comas . Pág. 4

 ⎡
⎛ T ⎞⎤
V REF T0
= V G O + V T . (γ − α l n ⎜ 0 ⎟ ⎥ = V G O + V T . (γ − α )
). ⎢1 +
⎣ ⎝ T0 ⎠ ⎦
Donde el potencial de BAND GAP para el silicio es de VGO = 1, 205v y
VT = 25, 6mv por lo tanto el potencial de referencia nos queda:

V REF T0
= 1, 2 0 5 v + 2 5 , 6 m v . ( 3 , 1 − 1 ) = 1, 2 6 1 v

Graficando la ecuación (18) nos da la variación del potencial V R E F (T ) en

función de la temperatura para distintos valores de T0 .

Ing. Edgardo Comas . Pág. 5

IMPLEMENTACIÓN PRÁCTICA
Basándonos en el esquema de la fuente BAND GAP se obtiene el circuito
práctico que lo implementa.

ESQUEMA DE LA FUENTE BAND GAP

CIRCUITO PRÁCTICO

Para el circuito anterior la tensión de referencia puede expresarse como

V R E F = V B E 3 + I 2 . R 2 (1)

Una de las condiciones de diseño del circuito es que la corriente de colector del
transistor 1 sea igual a la corriente de colector del transistor 3, es decir

Ing. Edgardo Comas . Pág. 6

 (2) I c 1 = I c 3 ⇒ V BE 1 = V BE 3

I1 R2
I 1 .R 1 = I 2 .R 2 ⇒ = (3)
I2 R1

Por otro lado el valor de la resistencia R1 puede obtenerse:

V REF − V BE 1
R1 = (4)
I1
2
Y siendo I 1 = I C 1 + 2 . I B = I C 1 .( 1 + )
h FE
Por (2) podemos reemplazar a I c1 y obtenemos:
2
I c 1 ∴ I 1 = I c 3 .( 1 + ) (5)
h FE

Como
1 I
I = I c 3 + I B ≅ I c 3 .( 1 + ) ⇒ I c3 = (6)
h FE 1
(1 + )
h FE

Reemplazando la expresión (6) en (5) en la de I 1 tenemos

I 2 2 + h FE
I1 = .( 1 + ) = I.
(1 +
1
) h FE 1 + h FE (7)
h FE
Y reemplazando en la expresión de R 1 (7) en (4), finalmente nos queda

( V REF − V BE 1 ) ( 1 + h FE )
R1 = . (8)
I ( 2 + h FE )

Por otro lado tenemos que:

V B E 1 = V B E 2 + I E 2 .R 3

∆ V BE = V BE 1 − V BE 2 = I E 2 .R 3 (9)

Por otro lado tenemos que:

I2 = IB + IC 2

IE 2 = IC 2 + IB ⇒ IC 2 = IE2 − IB
∴ I2 = IB + (I E 2 − IB )= IE2 ⇒
∆ V BE = I 2 . R 3

Ing. Edgardo Comas . Pág. 7

 I1
V BE 1 = V T . ln
I S1
I2
V BE 2 = V T . ln
IS2
I 1 .I S 2
∴ ∆ V BE = V T . ln (10)
I 2 .I S 1
Reemplazando (10) en (9)
I1 .I S 2 V I .I
V T . ln = I 2 . R 3 ⇒ I 2 = T . ln 1 S 2 (11)
I 2 .I S 1 R3 I 2 .I S 1
Y reemplazando (3) en (11)
VT R 2 .I S 2
I2 = . ln (12)
R3 R 1 .I S 1
Y reemplazando (12) en (1)
VT R 2 .I S 2
V REF = V BE 3 + . R 2 . ln .
R3 R 1 .I S 1
R2 I .R
V REF = V BE 3 + ( . ln S 2 2 ). V T
R3 I S 1 .R 1
Haciendo
R2 ⎛ I .R ⎞
A = . ln ⎜ S 2 2 ⎟
R3 ⎝ I S 1 .R 1 ⎠
Obtenemos:
V REF = V BE + A .V T (13)
Para obtener una tensión de referencia independiente de la temperatura
derivamos la expresión (13) respecto de la temperatura e igualamos dicha derivada a
cero.
∂ V REF ∂ V BE ∂VT
= 3
+ A. = 0
∂T ∂T ∂T
∂ V BE mV
−2
A = − ∂T = − ºC = 2 3 .5 2 9 4
∂VT mV
0 .0 8 5
∂T ºC
Se debe diseñar el circuito para obtener el valor de A deseado, y en ese caso la
tensión de referencia es:
V R E F = 6 5 0 m V + ( 2 3 .5 2 9 4 ) .2 6 m V
V R E F = 1 .2 6 1 7 6 4 4V
Para obtener dicho valor de A se debe realizar el diseño en función de los
parámetros físicos del transistor.

Ing. Edgardo Comas . Pág. 8

Ejemplos:

a) De la expresión y admitiendo la igualdad de los transistores tenemos:

R2 ⎛ I R ⎞ R2 ⎛ R ⎞
A = . ln ⎜ S 2 2 ⎟ = . ln ⎜ 2 ⎟ = 2 3 .5 2 9 4
R3 ⎝ I S1R1 ⎠ R3 ⎝ R1 ⎠

R2
Dada una relación = 1 0 tenemos que:
R1
R2 R2 2 3 .5 2 9 4 2 3 .5 2 9 4
. l n (1 0 )= 2 3 .5 2 9 4 ⇒ = = = 1 0 ,2 1 8 6
R3 R3 l n (1 0 ) 2 ,3 0 2 5 8 5
R2
= 1 0 ,2 1 8 6
R3
De esta última expresión se determinan las condiciones de la relación de las
resistencias.

b) En este caso primero determinamos la relación que cumplen las resistencias, por
R2 R2
ejemplo = 5 ∧ = 10 y nos queda el parámetro de diseño el área de la
R3 R1
unión base emisor, remplazando dichas relaciones en la expresión de A nos queda
R2 ⎛ I R ⎞ I
A = . l n ⎜ S 2 2 ⎟ = 5 . l n (1 0 . S 2 ) = 2 3 . 5 2 9 4 de donde podemos
R3 ⎝ I S1 R1 ⎠ I S1
IS2
despejar el valor de la relación = 1 1 , 0 5 9 5 5 7 . Dado que la corriente I S
I S1
V GO
−
puede expresarse como I S = B . A E .T . e 3 VT
en donde:

B Constante A E Área de la unión base emisor

T Temperatura en grados KELVIN V GO Voltaje de salto de banda,
VT Voltaje térmico BAND-GAP

Reemplazando I S 1 e I S 2 en la relación anterior tenemos:

VGO
−
3 VT
B . A E 2 .T . e AE 2
V
= 1 1 ,0 5 9 5 5 7 ⇒ = 1 1 ,0 5 9 5 5 7
− GO
VT
AE1
B . A E 1 .T 3 . e

De esta última expresión se determina la condición de diseño de los transistores,

la relación de las áreas de la unión base emisor.

Ing. Edgardo Comas . Pág. 9