UNIVERSIDAD DEL VALLE - FACULTAD DE INGENIERÍA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

ÁREA DE ARQUITECTURAS DIGITALES Y MICROELECTRÓNICA

1. INFORMACIÓN GENERAL

Materia: Física de los semiconductores

Código: 710174M
Créditos: 3
Plan de Estudios: Ingeniería Electrónica
Pre - requisitos: Ecuaciones diferenciales (AP)
Semestre: Cuarto
Intensidad Horaria: 3 horas/semana
Habilitable: Si
Validable Si
Profesor: Álvaro Bernal Noreña
Periodo Académico: Semestral

2. OBJETIVOS

2.1 Generales

2.1.1 Analizar con base en los conceptos cuánticos los diferentes fenómenos que determinan el comportamiento
y características de los principales materiales semiconductores utilizados en la ingeniería electrónica.
2.1.2 Reconocer las principales propiedades de los materiales de principal aplicación en la ingeniería electrónica
a fin de interpretar su comportamiento como también formular sus aplicaciones.

2.2 Específicos

2.2.1 Comprender los principios operacionales y propiedades físicas de los materiales semiconductores a partir
del conocimiento básico de la mecánica cuántica. Aplicar los conceptos de la física electrónica de manera
práctica en el análisis y comprensión de los dispositivos electrónicos.
2.2.2 Entender cómo las propiedades de los materiales dependen de su estructura y organización interna.
2.2.4 Formular en función de las propiedades, la aplicación de los materiales semiconductores en la ingeniería
electrónica.

3. CONTENIDO

3.1. Ondas

Propagación de ondas en una dimensión, ecuación de onda para ondas transversales, velocidad de onda,
ondas monocromáticas, constantes de movimiento, longitud de onda, frecuencia angular, número de onda,
fase inicial, superposición de ondas de diferente frecuencia, ondas complejas, velocidad de fase, velocidad
de Grupo, Reflexión y transmisión , flujo de energía, Energía.

3. 2 Física cuántica básica pata describir el mundo atómico

Fallas de la física clásica bases experimentales de la mecánica cuántica: la radiación térmica, efecto
fotoeléctrico , desplazamiento Comptom, aplicación de la teoría Schróëdinqer a la teoría de aproximación
para la partícula libre, pozo cuántico, tunelamiento, barrera de potencial, átomo de hidrógeno, átomo de
muchos electrones, masa reducida, números cuánticos, principio de exclusión de Pauli.
3.3 Conceptos básicos de la teoría cuántica para el estudio de materiales de estado sólido

Estructuras electrónicas, dinámica de los electrones en los sólidos, barreras de potencial periódicas,
teorema de Bloch, masa efectiva, curva de dispersión, zonas de Brillouin, electrones pesados, diagramas
de bandas, región de carga espacial, materiales intrínsecos y extrínsecos, distribución de equilibrio,
densidad de estados, distribución de electrones y huecos, densidad de estados efectivos, leyes de acción de
masas, variaciones de la energía Fermi, distribución de impurezas y defectos, materiales no uniformes,
estructura, de bandas no uniformes

3.4 Física electrónica.

Fenómenos de transporte en semiconductores, ecuaciones semi - clásicas de movimiento, efectos de

campos eléctricos, exceso de portadores, recombinación de portadores, continuidad de portadores,
corrientes de difusión y desplazamiento, corrientes de generación y recombinación, relación e Einstein,
ecuaciones de continuidad:

3.5 Fundamentos básicos de estado sólido

Cristales, Celdas primitivas, Redes simples, red cúbica centrada en cuerpo, centrada en caras, hexagonal,
hexagonal compacta, estructuras cristalinas, redes reciprocas, planos y direcciones atómicas, estructura
cristalina de los semiconductores, índices de Miller, densidad, factor de empaquetamiento.

4. METODOLOGÍA DE LA ENSEÑANZA

4.1 Clase magistral, talleres.

5. EVALUACIÓN

5.1 3 exámenes parciales 33.33% c/u. 1 examen opcional

6. BIBLIOGRAFÍA.

Contenido 3.1 y 3.2

6.1 Halliday D., Resnick R. “Fundamentals of Physics”, John Wiley & sons
6.2 A. Beiser, “Physics”, The benjaminq/cuzraaíngs, Pub Co.
6.3 W.E. Gettys, F., Keller, M.J. Skove, Física Clásica y Moderna, Mc Graw Hill
6.4 Física para ingeniería y ciencias. Bauer, Wolfgang Westfall, Gary D. Editorial: McGraw-Hill
Interamericana.
6.5 Principles of Modern Physics, R. B. Leighton, Mc. Graw Hill.

Contenido 3.3 y 3.4

6.4 W. Calister, Jr., “Naterial Science and Ing:neering an.: introduction”, John Wiley & Sons.
6.5 James F. Shackelford, “Introduction to Materials Science for Engineers”, 4 Edition, Prentice—Hall.
6.6 J. Millman, Ch.C.Halkias, “Electrónica Integrada”, Editorial Hispano Europea, S. A.
6.7 S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices”, John Wiley & Sons.
6.8 Solid State and Semiconductor Physics, J. P. McKelvey, Harper & Row.
6.9 Electrons and Crystals, T. L. Martin & W. F. Leonard, Cole Pub.
6.10 Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, J. Wiley