UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y

asdasdas dELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA
sdasadasdsELECTRÓNICA

EXPERIENCIA:
AMPLIFICADOR MONOETAPA

PROFESOR:

CUZCANO RIVAS ABILIO BERNARDINO

ESTUDIANTE:

Zuloaga Robles Romel Francisco 1413220568

GRUPO HORARIO:

90G

2018
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

AMPLIFICADOR MONOETAPA

I. Objetivo.
Analizar la operación en cd y en ca de un amplificador en emisor común, base
común y colector comun.
Explicar la operación de los JFET.
Definir, analizar y aplicar parámetros importantes del JFET.
Analizar y describir circuitos de polarización del JFET.
Determinar la ganancia de voltaje.

II. Marco Teórico

 AMPLIFICADOR MONOETAPA CON TRANSISTORES BIPOLARES
Emisor común:

Un BJT puede ser representado en un circuito modelo de ca. Tres configuraciones de

amplificador son en emisor común, en base común y en colector común. La configuración en
emisor común (EC) tiene al emisor como terminal común, o tierra, ante una señal de ca. Los
amplificadores en EC tienen una alta ganancia de voltaje y una alta ganancia de corriente.

La figura 1 muestra un amplificador en emisor común con polarización utilizando un divisor

de voltaje y capacitores de acoplamiento C1 y C3 en la entrada y salida, y un capacitor de
puenteo, C2, del emisor a tierra. La señal de entrada, Vent está acoplada capacitivamente a
la base; la señal de salida, Vsal, está acoplada capacitivamente del colector a la carga. La
salida amplificada está desfasada 180° con respecto a la entrada. Como la señal de ca se
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

aplica a la base como entrada y se toma en el colector como salida, el emisor es común tanto
para las señales de entrada como de salida. No hay señal en el emisor porque el capacitor
de puenteo pone efectivamente al emisor en cortocircuito con tierra a la frecuencia de la
señal. Todos los amplificadores combinan tanto la operación en ca como en cd, lo cual debe
ser considerado, aunque debe tenerse en cuenta que la designación en emisor común se
refiere a la operación en ca.

Inversión de fase La señal de salida está desfasada 180° con respecto a la señal de
entrada. A medida que el voltaje de la señal de entrada cambia, hace que cambie la corriente
de ca en la base y el resultado es un cambio de la corriente en el colector a partir de su valor
de punto Q. Si se incrementa la corriente en la base, la corriente en el colector se incrementa
por encima de su valor de punto Q, lo que aumenta la caída de voltaje a través de RC. Este
incremento del voltaje a través de RC indica que el voltaje en el colector se reduce a partir
de su punto Q. Así que cualquier cambio en el voltaje de la señal de entrada produce un
cambio opuesto en el voltaje de la señal en el colector, lo cual constituye una inversión de
fase.

Análisis en cd

Para analizar el amplificador ilustrado en la figura 1, primero se deben determinar los valores
de polarización de cd. Para ello se desarrolla un circuito equivalente en cd eliminando los
capacitores de acoplamiento y puenteo porque aparecen como un circuito abierto en lo que
a polarización de cd respecta. Esto también elimina el resistor de carga y la fuente de señal.
El circuito equivalente en cd se muestra en la figura 2.
La resistencia de cd de entrada en la base se determina de la siguiente manera:

𝑅𝐸𝑁𝑇(𝐵𝐴𝑆𝐸) = 𝛽𝐶𝐷 𝑅𝐸
Como en este caso RENT(BASE) es más de diez veces R2, el divisor de voltaje es rígido. La
corriente de cd en la base se calcula como
𝑅2
𝑉𝐵 ≅ ( )𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶

Y
𝑉𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸

Por consiguiente,
𝑉𝐸
𝐼𝐸 =
𝑅𝐸

Como 𝐼𝐶 ≅ 𝐼𝐸 , entonces

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
Por último,
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Análisis en ca

Para analizar la operación de un amplificador con señal de ca, se desarrolla un circuito

equivalente en ca de la siguiente manera:

1. Los capacitores C1, C2 y C3 son reemplazados por cortos efectivos porque sus valores se
seleccionan de modo que XC sea despreciable a la frecuencia de la señal y se pueda
considerar que es de 0 Ω.

2. La fuente de cd es reemplazada por tierra.

La resistencia interna de una fuente de voltaje de cd es de cerca de 0 Æ porque mantiene

un voltaje constante independiente de la carga (dentro de los límites); no se puede
desarrollar voltaje de ca a través de ella, de modo que aparece como un corto de ca. Por
eso una fuente de cd se conoce como tierra de ca.

El circuito equivalente en ca del amplificador en emisor común de la figura 1se muestra en

la figura 3(a). Observe que tanto RC como R1 tienen un extremo conectado a tierra de ca
(gris en la figura) porque, en el circuito real, están conectados a VCC la que, en realidad, es
la tierra de ca.

En el análisis en ca, la tierra de ca y la tierra real son tratadas eléctricamente como el

mismo punto. El amplificador de la figura 1 se llama amplificador en emisor común porque
el capacitor de puenteo C2 mantiene el emisor a la tierra de ca. La tierra es el punto común
en el circuito.

Voltaje de señal (ca) en la base Se muestra una fuente de voltaje de ca, Vs, conectada a
la entrada en la figura 3(b). Si la resistencia interna de la fuente de ca es de 0 Ω, entonces
todo el voltaje de la fuente aparece en la base. No obstante, si la fuente de ca no tiene una
resistencia interna cero, entonces se deben tener en cuenta tres factores al determinar el
voltaje de señal real en la base: la resistencia de fuente (Rs), la resistencia de polarización y
la resistencia de entrada de ca en la base del transistor (Rent(base). Esto se ilustra en la figura
4(a) y se simplifica combinando R1, R2 y Rent(base) en paralelo para obtener la resistencia de
entrada, Rent(tot), la cual es la resistencia “vista” por una fuente de ca conectada a la entrada,
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

como muestra la figura 4(b). Es deseable un alto valor de resistencia de entrada de modo
que el amplificador no cargue en exceso a la fuente de señal. Esto se opone al requerimiento
de un punto Q estable, el cual necesita resistores más pequeños. El requerimiento
incompatible con la alta resistencia de entrada y la polarización estable es sólo uno de los
muchos intercambios que han de ser considerados cuando se eligen componentes para un
circuito. La siguiente fórmula expresa la resistencia de entrada total.

Rent(tot) = R1 || R2 || Rent(base)

Como se puede ver en la figura, el voltaje de alimentación, Vs, se divide entre Rs

(resistencia de la fuente) y Rent(tot), de modo que el voltaje de señal en la base del
transistor se calcula con la fórmula del divisor de voltaje de la siguiente manera:

Si RS << RENT(TOT) , entonces Vb = Vs donde Vb en el voltaje de entrada, Vent al

amplificador.

Resistencia de entrada en la base Para desarrollar una expresión para la resistencia de

entrada de ca viendo la base, se utiliza el modelo de parámetros r simplificado del
transistor.

La resistencia de entrada viendo la base es

El voltaje en la base es

y como
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Sustituyendo en lugar de Vb e Ib,

Eliminando Ie,

Resistencia de salida La resistencia de salida del amplificador en la configuración en

emisor común es la resistencia viendo el colector y es aproximadamente igual al resistor en
serie con el colector.

En realidad, pero como la resistencia interna de ca en el colector del transistor, es en

general mucho más grande que RC, la aproximación casi siempre es válida.

Base comun
En la configuración base común la entrada es por el emisor, y la salida por el colector
como se muestra en la siguiente figura:

Listado de subtemas:

1. Base común con polarización estabilizado en emisor

2. Base común con polarización por divisor de voltaje
3. Base común con polarización por realimentación de colector y de emisor

Presenta las siguientes características:

- Alta ganancia de Voltaje.

- Ganancia de corriente menor a 1.
- No inversión de voltaje en la salida.
- Inversión de Corriente en la salida.
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

- Impedancia de entrada pequeña.

- Impedancia de salida grande.

Aplicaciones:

Un transistor bjt en configuración

base común se usa en
aplicaciones VHF (very high
frequency) y UHF (ultra high
frequency), ya que presenta una
respuesta excelente a altas
frecuencias, esto debido a que no
se ve afectado por el efecto Miller,
ya que presenta una baja
realimentación de la salida a la
entrada. Ademas en la
configuración compuesta cascode
se usa un base común precedido
de un emisor común, para tener
los beneficios de la alta
impedancia del emisor común, y la
buena respuesta en frecuencia del
base común.

Las polarizaciones que se usan en un base común son la polarización estabilizado en

emisor, polarización por divisor de voltaje, y polarización por realimentación de
colector y de emisor. Polarización fija y polarización por realimentación de colector no
se usan ya que cortocircuitan la entrada en el base común. El modelo híbrido exacto
de un transistor bjt en base común es el siguiente:

Se puede observar que ahora todos los parámetros

híbridos, tiene el subíndice b, además de que la fuente
de corriente ahora depende de la corriente de emisor.
Ahora el modelo híbrido de emisor común también
puede ser usado para analizar un base común, el
modelo híbrido de emisor común configurado para
base común es el siguiente:
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

En donde lo unico que se hizo fue acomodar el circuito,

de tal manera que la entrada sea ahora el emisor, el
común sea la base,y la salida sea el colector. Ahora la

relación de parámetros entre un base común y un emisor común es la siguiente:

En los próximos ejemplos, se usará el modelo aproximado de emisor común

configurado para base común, por lo cual todas las ecuaciones de los parámetros
estarán en términos de hie y hfe, el modelo es el siguiente:

En donde se asume que hre y hoe son cero. La razón de porqué se usa el modelo ac
del emisor común configurado para base común, y no directamente el modelo ac de
base común, es que los parámetros del emisor común, son los que normalmente se
dan en el datasheet, e igualmente los resultados son los mismos. En los siguientes
ejemplos se observan las ecuaciones de los parámetros de un base común, zi, zo, vi,
vo, ii, io, Av, y Ai para los diferentes tipos de polarización.

 AMPLIFICADOR MONOETAPA CON TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

TRANSISTOR FET

Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque
la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja.

Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

Explicación de la combinación de portadores.

Puesto que hay una tensión positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirán
desde el surtidor al drenador (o viceversa según la configuración del mismo), aunque hay que
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

notar que también fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya
que el diodo formado por la unión canal – puerta, esta polarizado inversamente.

En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos

fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N, fluyen hacia el
terminal positivo de la misma.

Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se

aumenta VDS aumenta una región con empobrecimiento de cargas libres

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como
el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de
valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no
destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente
crítico con la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor
de la temperatura, siendo a veces necesaria la instalación de un radiador o aleta refrigeradora.
Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de
los distintos dispositivos.

Explicación de sus elementos o terminales.

Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó n,
llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma
con el canal una unión p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Símbolos gráficos para un FET de canal N

Símbolos gráficos para un FET de canal P

Fundamento de transistores de efecto de campo:

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas
donadoras o aceptadoras de electrones.
Su estructura y representación se muestran en la tabla.

Modelo de transistor
FET canal n

Modelo de transistor
FET canal p
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma

que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la
longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa
(tensión de puerta).

Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

 ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
 ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta
como una fuente de corriente gobernada por VGS
 ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los

terminales drenador y surtidor del FET
pueden intercambiar sus papeles sin
que se altere apreciablemente la
característica V-I (se trata de un
dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un

FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes
son de sentido contrario.

Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:

APLICACIÓN PRINCIPAL VENTAJA USOS

Aislador o separador Impedancia de entrada Uso general, equipo de medida,
(buffer) alta y de salida baja receptores
Sintonizadores de FM, equipo
Amplificador de RF Bajo ruido
para comunicaciones
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

Baja distorsión de Receptores de FM y TV,equipos

Mezclador
intermodulación para comunicaciones
Amplificador con Facilidad para controlar Receptores, generadores de
CAG ganancia señales
Amplificador Baja capacidad de Instrumentos de medición,
cascodo entrada equipos de prueba
Amplificadores de cc, sistemas de
Troceador Ausencia de deriva
control de dirección
Amplificadores operacionales,
Resistor variable por
Se controla por voltaje órganos electrónicos, controlas de
voltaje
tono
Amplificador de baja Capacidad pequeña de Audífonos para sordera,
frecuencia acoplamiento transductores inductivos
Mínima variación de Generadores de frecuencia
Oscilador
frecuencia patrón, receptores
Integración en gran escala,
Circuito MOS digital Pequeño tamaño
computadores, memorias

Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable que me
controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de puerta.

Ecuación de Shockley:

ID=IDSS(1-
VGS/Vp)2

Donde:

 Vp es la tensión de puerta que produce el corte en el transistor FET.

 IDSS es la corriente máxima de drenador que circula por el transistor, al aumentar VDS,
cuando la polarización de la puerta es VSG= 0 vol

PARAMETROS DEL FET

La corriente de sumidero Id es función tanto de la tensión de sumidero Vds como de la

puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente de
puerta es nula, con lo que podemos escribir:
Ig = 0 e Id = ƒ(Vds, Vgs)

En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el gráfico,
son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos escribir la respuesta
del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta forma
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

El parámetro rd se llama resistencia diferencial del sumidero del FET, y es la inversa de la

pendiente de la curva. Que como en el gráfico, dicha pendiente es cero (en la realidad, como
he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy grande).
El parámetro gm se le denomina conductancia mutua o transconductancia, y es igual a la
separación vertical entre las características que corresponden a diferencias de valor de Vgs de
1 voltio.

TÉCNICAS DE MANUFACTURA.

Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material semiconductor sólido

cristalino (generalmente germanio, silicio, ó arseniuro de galio) con diferentes contaminaciones,
que permite regular la circulación de una corriente eléctrica mediante una corriente de control,
mucho menor.

El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947, partiendo
de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John Bardeen, y Walter
Brattain, por lo cual recibieron el premio Nobel.

En el año 1954, la firma Texas Instruments de Estados Unidos, fabricó el primer transistor de
silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de fabricación, su
comercialización a gran escala.

Han reemplazado en la mayoría de las aplicaciones a los tubos ó válvulas electrónicas, en los
circuitos de radio, audio, etc. permitiendo la fabricación de equipos portátiles e inmunes a
vibraciones y de bajo consumo de energía (en los primeros tiempos se llamaba a los equipos
transistorizados de "estado sólido" o "frios").

Como se indicó con anterioridad, el JFET es un dispositivo de tres terminales, siendo una de
ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra explicación sobre el
transistor BJT se utilizó el transistor npn a lo largo de la mayor parte de las secciones de análisis
y diseño, con una sección dedicada a los efectos resultantes de emplear un transistor pnp. Para
el transistor JFET el dispositivo de canal-n aparecerá como el dispositivo predominante, con
párrafos y secciones dedicadas a los efectos resultantes del uso de un JFET de canal-p.
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

La construcción básica del JFET de canal-n se muestra en la figura siguiente Observe que la
mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas
en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta mediante contacto óhmico a la
terminal denominada como drenaje (drain) (D), mientras que el extremo inferior del mismo
material se conecta por medio de contacto óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S).
Los dos materiales tipo p se encuentran
conectados juntos y al mismo tiempo hacia la
terminal de compuerta (gate) (Q). Por tanto,
esencialmente el drenaje y la fuente se conectan
en esencia a los extremos del canal tipo n y la
compuerta, a las dos capas del material tipo p.
En ausencia de cualquiera de los potenciales
aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
condiciones sin polarización. El resultado es una
región de agotamiento en cada unión, como se
ilustra en la figura siguiente, que se parece a la
misma región de un diodo bajo condiciones sin
polarización. Recuérdese también que una
región de agotamiento es aquella región carente
de portadores libres y por lo tanto incapaz de
permitir la conducción a través de la región.
Transistor de unión de efecto de campo (JFET).

Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas, pero la
analogía hidráulica de la figura siguiente proporciona un sentido al control del JFET en la
terminal de compuerta y a la conveniencia de la terminología aplicada a las terminales del
dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje aplicado del drenaje a
la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde el grifo o llave (fuente). La
"compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial), controla el flujo del agua (carga)
hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la fuente están en los extremos opuestos del
canal-n, como se ilustra en la figura anterior, debido a que la terminología se define para el flujo
de electrones.

Analogía hidráulica para el mecanismo de control del JFET.

VGS = 0 V, Vds cualquier valor positivo

CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

En la figura siguiente se ha aplicado un voltaje

positivo VDS y a través del canal y la compuerta
se ha conectado en forma directa a la fuente para
establecer la condición VGS = 0 V. El resultado es
que las terminales de compuerta y fuente se hallan
al mismo potencial y hay una región de
agotamiento en el extremo inferior de cada
material p, semejante a la distribución de las
condiciones sin polarización de la figura del
transistor FET. En el instante que el voltaje vDD (
= VDS) se aplica, los electrones serán atraídos
hacia la terminal de drenaje, estableciendo la
corriente convencional ID con la dirección definida
de la figura siguiente la trayectoria del flujo de
carga revela con claridad que las comentes de
fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo
las condiciones que aparecen en la figura
siguiente, el flujo de carga es relativamente
permitido y limitado únicamente por la resistencia
del canal-n entre el drenaje y la fuente.

JFET en la región VGS = 0 V y VDS > 0 V.

Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo superior
de ambos materiales tipo p. La razón para el cambio en la anchura de la región se puede
describir mejor con la ayuda de la figura siguiente. Suponiendo una resistencia uniforme en el
canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes que aparecen en la figura
siguiente. La corriente ID establecerá los niveles de voltaje a través del canal, como se indica
en la misma figura. El resultado es que la región superior del material tipo p estará
inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con la región inferior inversamente polarizada
sólo en los 0.5 V. Recuérdese, la explicación de la operación del diodo, que cuanto mayor sea
la polarización inversa aplicada, mayor será la anchura de la región de agotamiento, de aquí la
distribución de la región de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que
la unión p-n esté inversamente polarizada en la longitud del canal da por resultado una
corriente de compuerta de cero amperes, como se ilustra en la misma figura. El hecho que iG =
O A es una importante característica del JFET.

Variación de los potenciales de polarización inversa a través de la unión p-n de un JFET de

canal n.
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

5) Explicación de su encapsulado e identificación de sus terminales.

La fabricación de varios de estos dispositivos conectados en diversas configuraciones en una

misma oblea de silicio, permitió crear los circuitos integrados o chips, base de todos los
aparatos electrónicos modernos.
Conectados de manera apropiada, permite amplificar señales muy débiles, convertir energía,
encender o apagar sistemas de elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas
hasta frecuencias de radio, etc.

Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores tipo NPN
ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una enorme cantidad
de circuitos para diversos fines, ya que se complementan pues funcionan con sentidos
opuestos de circulación de corriente.
En la actualidad, existen una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el
electrodo de control actúa por medio de campo eléctrico), los tipo unijuntura, los MOS o de
óxido metálico (variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para
controlar grandes potencias y tensiones), etc.

Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo ruido
eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de conmutación,
etc.

III. EQUIPOS Y MATERIALES

Amperímetro.
Voltímetro.
Osciloscopio.
Cables de conexión.
Un multitester.
Transistor NPN.
Resistencia de 220K, 2.2K, 3.9K, 39K, 1MK, 4.7K ohms.
Condensador de10uF.

IV. Análisis

Datos Teóricos:

𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 ∶ … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … 𝟏𝟔𝒗, 𝟐𝟎𝒗, 𝟏𝟖𝒗, 𝟏𝟐𝒗

𝐶𝑎𝑝𝑎𝑐𝑖𝑡𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝐶𝑜𝑛𝑑𝑒𝑛𝑠𝑎𝑑𝑜𝑟: … … … … … … … … … … … . . 𝟏𝟎𝒖 𝑭, 𝟏𝒖𝑭
𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎: … … … … … … … … … … … … … … 𝟔. 𝟖𝒌, 𝟑. 𝟔𝒌, 𝟑. 𝟗𝒌, 𝟓𝟔𝒌, 𝟏𝟐𝒌, 𝟒. 𝟕𝒌 𝛀
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

 Circuito 1

 Analisis en CD:

𝟓.𝟔𝒌𝛀 𝑽𝑬 𝟎.𝟑𝟐
𝑽𝑩 = ∗ 𝟏𝟔𝒗 = 𝟏. 𝟎𝟐𝒗 𝑰𝑬 = =
𝟓.𝟔𝒌𝛀+𝟖𝟐𝒌𝛀 𝑹𝑬 𝟏𝒌

𝑽𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑬 = 𝟎. 𝟑𝟐𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝟎. 𝟑𝟐
𝟐𝟓𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = 𝟕𝟖. 𝟏𝟐𝟓𝛀
𝟎. 𝟑𝟐𝒎𝑨

 Analisis en CA:
𝑹´ = 𝟖𝟐𝒌𝛀 ∥ 𝟓. 𝟔𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟐𝟒𝒌𝛀
𝜷𝒓𝒆 = 𝟏𝟎𝟎 ∗ 𝟕𝟖. 𝟏𝟐𝟓 𝑹𝑩 ≥ 𝟏𝟎𝜷𝒓𝒆 ⇔ 𝒁𝒊 = 𝜷𝒓𝒆
𝜷𝒓𝒆 = 𝟕𝟖𝟏𝟐. 𝟓𝛀 𝒓𝒐 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑪 ⇔ 𝒁𝒐 = 𝑹 𝑪
𝒁𝒊 = 𝑹´ ∥ 𝜷𝒓𝒆 = 𝟓. 𝟐𝟒𝒌𝛀 ∥ 𝟕𝟖𝟏𝟐. 𝟓𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟐𝟑𝒌𝛀
𝒁𝒐 = 𝑹𝑪 = 𝟑. 𝟑𝒌𝛀 = 𝟑. 𝟑𝒌𝛀
𝑽𝒐 𝑹𝑪 ∥𝒓𝑶 𝟑.𝟑𝒌𝛀
𝑨𝒗 = = − =− = −𝟒𝟐. 𝟐𝟒
𝑽𝒊 𝒓𝒆 𝟕𝟖.𝟏𝟐𝟓𝛀
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

 Circuito 2

 Analisis en CD:

𝟓𝟔𝒌𝛀 𝑽𝑬 𝟑.𝟑𝟔
𝑽𝑩 = ∗ 𝟐𝟎𝒗 = 𝟒. 𝟎𝟔𝒗 𝑰𝑬 = =
𝟓𝟔𝒌𝛀+𝟐𝟐𝟎𝒌𝛀 𝑹𝑬 𝟐.𝟐𝒌

𝑽𝑬 = 𝑽𝑩 − 𝑽𝑩𝑬 𝑰𝑬 = 𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨
𝑽𝑬 = 𝟑. 𝟑𝟔
𝟐𝟓𝒎𝑽
𝒓𝒆 = = 𝟏𝟔. 𝟑𝟒𝛀
𝟏. 𝟓𝟑𝒎𝑨

 Analisis en CA:
𝑹´ = 𝟐𝟐𝟎𝒌𝛀 ∥ 𝟓𝟔𝒌𝛀 = 𝟒𝟒. 𝟔𝟒𝒌𝛀
𝜷𝒓𝒆 = 𝟏𝟖𝟎 ∗ 𝟏𝟔. 𝟑𝟒 𝑹𝑩 ≥ 𝟏𝟎𝜷𝒓𝒆 ⇔ 𝒁𝒊 = 𝜷𝒓𝒆
𝜷𝒓𝒆 = 𝟐𝟗𝟒𝟏. 𝟐𝛀 𝒓𝒐 ≥ 𝟏𝟎𝑹𝑪 ⇔ 𝒁𝒐 = 𝑹 𝑪
𝒁𝒊 = 𝑹´ ∥ 𝜷𝒓𝒆 = 𝟒𝟒. 𝟔𝟒𝒌𝛀 ∥ 𝟐𝟗𝟒𝟏𝒌𝛀 = 𝟒𝟑. 𝟗𝟖𝒌𝛀
𝒁𝒐 = 𝑹𝑪 ∥ 𝒓𝒐 = 𝟔. 𝟖𝒌𝛀 ∥ 𝟓𝟎𝒌𝛀 = 𝟓. 𝟗𝟗𝒌𝛀
𝑽𝒐 𝑹𝑪 ∥𝒓𝑶 𝟓.𝟗𝟗𝒌𝛀
𝑨𝒗 = = − =− = −𝟎. 𝟑𝟕
𝑽𝒊 𝒓𝒆 𝟏𝟔.𝟑𝟒𝛀
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

 Circuito 3

 Analisis en CD:

R2 *Vcc 0*(12v)
VB    0v VE  VB  VBE  0v  0.7v  0.7v
R1  R2 220

26mv
re 
0.57 0.57 IE
IE    0.57mV
RE 1K 26mV
re   45.61
0.57mV

 Analisis en CA:

R1 * R2 (220 K ) *(0) K
Req  R1 || R2   0
R1  R2 (220  0) K
0*5473.2
Zi  Req ||  re  0
(0  5473.2)

Z 0  Rc ; r0  50
Z 0  3.9 K 
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

 Circuito 4

 Analisis en CD:

R2 *Vcc 1M (18v)
VB    18v
R1  R2 1M 

VE  VB  VBE  18v  0.7v  17.3v

0.57 0.57
IE    1.12mV
RE 0.51K

26mv
re 
IE
26mV
re   23.21
1.12mV

R1 * R2 (0 K ) *(1) M 
Req  R1 || R2   0
R1  R2 (0  1M )
 CIRCUITOS ELECTRONICOS I
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

V. Cuestionario
1. ¿Son intercambiables los terminales del colector y del emisor de un transistor
bipolar?
No. Use los transistores bipolares en la orientación correcta. La estructura interna del
transistor esta optimizada para funcionar en modo directo. Al intercambiar los
terminales del colector y del emisor no solo empeora el rendimiento del transistor, sino
que también se podrían causar daños irreparables en el dispositivo.

2. Cuándo un resistor de carga se acopla capacitivamente al colector de un

amplificador en EC,¿se incrementea la ganancia de voltaje?
En este caso lo que sucede en el amplificador en emisor común es que la ganancia
de voltaje se reduce con una carga.

3. ¿Qué es la configuración Darlington?

Esta configuración corresponde a dos etapas seguidores de emisor, tiene una alta
impedancia de entrada y también una alta ganancia de corriente.

4. ¿Qué características de un amplificador CC hace que sea un circuito util?

Sus características o ventajas principales de un CC son sus altas resistencias de
entrada asi como también su alta ganancia de corriente.

5. ¿En que se diferencian los transistores de señal pequeña y los transistores de

potencia?
No existe una clasificación internacional uniforme que distinga los transistores de
señal pequeña y los transistores de potencia. En la practica, generalmente, se
denomina ”transistores de señal pequeña” a los transistores que tienen una disipación
de potencia de 1W o menos y “transistores de potencia” a los que tienen una PC
superior a 1W.