UNIVERSIDAD NACIONAL SAN ANTONIO ABAD DEL CUSCO

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I

Docente: Ing. Milton Velasquez C.

PARAMETROS HIBRIDOS π
OBJETIVOS:
Graficar las relaciones entre los parámetros del transistor.
Elaborar el modelo híbrido “π” del transistor en un punto de operación determinado,
empleando mediciones de los parámetros eléctricos accesibles en un transistor bipolar.

INTRODUCCION:
El modelo híbrido π para un transistor es de gran utilidad ya que puede predecir el
comportamiento de éste en presencia de una señal alterna, partiendo de datos de
corriente directa.
En esta práctica se efectuarán las mediciones y cálculos necesarios para llegar a una
concepción práctica del modelo híbrido π, de un transistor determinado. Las
expresiones 7.1 a 7.3 muestran las relaciones fundamentales para la elaboración del
modelo antes referido, mientras que la figura 7.1 muestra el modelo híbrido del circuito
π, de un transistor.

La fuente fundamental de información requerida para esta práctica se encuentra en la

tabla 7.1. De las mediciones asentadas ahí se partirá para la tendencia de los
parámetros entre sí; esto es, podemos ver como varía la β del transistor con respecto a
VCE, como varía IC con respecto a IB o como varía rπ contra las variaciones de IB y de
VCE, etc.

Finalmente, en base a los datos experimentales (de CD), se procederá a la elaboración

de un modelo π para el transistor utilizado, en un punto de operación determinado.

El alumno deberá utilizar conceptos de análisis de circuitos y sus componentes, manejo

de gráficas y elaboración de modelos de circuitos.

= IC / IB (7.1)
gm = ( q / k T ) x | IC | (7.2)
r= / gm = ( k T / q | IB | ) (7.3)

donde:
Ganancia corriente.
gm Transconductancia colector - emisor.
rresistencia del diodo base - emisor.
q carga del electrón = 1.6 x 10-19 C.
K constante de Boltzman = 1.381 x 10-23 J / ºK.
T Temperatura absoluta en ºK.
EQUIPOS:
Fuente de voltaje de CD.
Multímetro.
Osciloscopio.
Tableta de conexiones.
Pinzas de punta.
Pinzas de corte.

MATERIALES (Comprarlos y traerlos):

Alambres y cables para conexiones.
1 Resistencia de 15kohm a ½ watt. R1
1 Potenciómetro de 5kohm RP
1 Transistor BC547A T

PROCEDIMIENTO:
1.- Arme el circuito de la figura 7.2, no conecte aún las fuentes.

2. Gire el potenciómetro RP de manera que presente mínima resistencia con respecto a

tierra.
Hecho esto, conecte las fuentes de voltaje V1 = 5V y V2 = VCE = 0V.

3. Mida y anote el VBE y la corriente IC para las diferentes cantidades de IB, según la
tabla
7.1. La corriente de base IB se varía cambiando al ajustar el potenciómetro RP.

4. Variando V2 = VCE como se indica la tabla 7.1, mida y anote los valores VBE e IC
para las diferentes cantidades de IB que se indican en la tabla 7.1.
 IB VCE = 0 VCE = 0.5 VCE = 1 VCE = 2 VCE = 3
A VBE IC VBE IC VBE IC VBE IC VBE IC
V mA V mA V mA V mA V mA
10
20
30
40
50
60
70
Tabla 7.1.

DEL INFORME

1. En base a los resultados obtenidos en la tabla 7.1 dibuje:

a. La gráfica IC vs IB para cada VCE
b. La gráfica IC vs VCE para cada IB
c. La gráfica gm vs IC para VCE = 2V
d. La gráfica rπ vs IB.
2. De la gráfica IC Vs IB, ¿Qué representa la pendiente de los trazos obtenidos?
3. Además de la relación IC/IB, basándose en las gráficas pedidas en el punto 1,
¿Qué otro parámetro influye en el valor de ?
4. De la tabla 7.1, ¿Se esperaban valores de VBE alrededor de 0.7V?, ¿por qué?
5. Calcule y dibuje el circuito equivalente del transistor T, para una IB = 40uA, VCE
= 2V y
T = 27ºC. Utilice los datos obtenidos experimentalmente y las gráficas
elaboradas. Recuerde que T = 27ºC = 300ºK.
6.- Según la gráfica rπ Vs IB, cuando se requiere que rπ sea casi independiente de
IB, ¿IB debe ser grande o pequeña?
CONCLUSIONES

BIBLIOGRAFIA