OSCILATOR RC - EXEMPLU DE PROIECTARE

Presupunem ca se doreste obtinerea unui oscilator RC cu urmatoarele caracteristici

♦ Frecventa de oscilatie reglabila, f o intre 2-5KHz;
♦ Sarcina la iesire R L : 1Ω;
♦ Control automat al amplitudinii de oscilatie cu termistor;
♦ Amplitudinea de oscilatie V o : 2.4V.

1. Schema bloc a circuitului

Fig. 1 Schema bloc a oscilatorului

Se pot identifica urmatoarele blocuri componente:
- Amplificatorul de baza;
- Reteaua Wien (R 1 , R 2 ,C).
Relatia de dimensionare pentru aceasta este: f osc = 1/(2πRC). Elementele acestei retele se
vor alege astfel incat sa fie acoperita gama de frecvente indicata indiferent de tolerantele
componentelor. (Atentie R 2 este un potentiometru dublu pentru a permite reglajul simultan al
bratelor puntii; se poate folosi ca elemnt de reglaj si un condensator dublu C pentru temele cu
frecvente relativ mari).
- Reteaua de reactie negativa R 3 , R 4 .
- Rezistenta de sarcina R L.

2.. Proiectarea amplificatorului

O implementare posibila (cu dispozitive discrete) a amplificatorului este prezentata in Fig.

2. Acest circuit are o retea de reactie negativa Serie-Paralel, amplificare mare in bucla deschisa,
impedanta de intrare foarte mare, impedanta de iesire foarte mica.
 Fig. 2 - Schema electrica a amplificatorului cu reactie negativa.

2.1. Detalii de proiectare

Tranzistoarele din etajul diferential de intrare Q 1,2 vor functiona in mod simetric la un
curent mai mic decat IDSS / 2 (Q 1 , Q 2 , Q 3 se aleg de tip BF256 cu parametri de catalog
I DSS =6…10mA, V T = -1…-3V, V DSmax = 30V) pentru a putea permite maximum excursiei asimetrice
in curent intre tranzistoare.
Suma curentilor de drena ai Q 1,2 este:

I D1 + I D 2 = I D 3 (9)

Curentul ID3 este dat de ecuatiiile:

−VGS 3
I D3 = (10)
R7
2
 V 
si I D3 = I DSS 3  1 − GS 3  (11)
 VT 
Presupunind pentru parametri I DSS , V T valorile tipice: I DSS = 8mA respectiv V T = -2V rezulta I D3 =
2mA. In cazurile cele mai defavorabile avem:

2
 (I DSS =6mA, V T =-3V) ⇒ I D3 ≈ 1.6mA
(I DSS =10mA, V T =-1V) ⇒ I D3 ≈ 2.8mA
deci intotdeuna tranzistoarele de intrare Q 1,2 vor functiona la un curent static de drena mai mic
decat I DSS /2.
Curentul prin Q 1 este dat de relatia:

VBE 4
I D1 = (12)
R2
Alegem Q 4 de tip BC 177 (pnp de mica putere) la care, conform curbelor de catalog, V BE =
0.5…0.7V pentu I C = 10mA (la t = 25°C). Tinanad sema de toleranta lui R 2 (5%)
putem determina:
ID1min =0.8mA; ID1max=1.2mA
Intotdeauna avem un curent diferit de 0 prin Q 2 .
Curentul prin Q 4 ≈ IDSS5 (BF256, IDSS5 = 6…10mA)
Compensarea functionarii nesimetrice a Q 1 , Q 2 se va face prin R 1 . Alegem R 1 =1KΩ
(20%) deoarece in cel mai defavorabil caz (R 1min , ID3min ) se poate compensa o tensiune de 1.12V
(mai mare decat diferenta (V GS1 - V GS2 ) max=0.8V.
Dioda D asigura functionarea Q 1 , Q 2 la aproximativ aceeasi tensiune V DS .
Curentul static prin Q 6 , Q 7 va fi ales suficient de mare astfel incat sa avem un β stabil pentru
tranzistoare iar curentul de baza al tranzistoarelor finale sa fie neglijabiliar in raport cu acesta.
Ciruitul “superdioda” format din Q 8 , R 6 , R 4 are rolul compensarii neliniaritatilor la
comutarea de pe untranzistor final pe celalalt, si al fixarii curentului de mers in gol pentru etajul
final. Tensiunea V CE8 este data de formula:

R4 + R6
VCE 8 = VBE 8
R6'
Unde R’ 6 este rezstenta din bratul lui R 6 de langa R 4 , plus R 4 . Alegem Q 8 de tipul BC107 (npn de
mica putere) la care, conform curbelor de catalog, V BE = 0.5…0.7V pentu I C = 10mA (la t =
25°C). Tinand sema de tolerantele componentelor V CE8 ser poate regla in intervalul 0.5- 4.8. Q 8
se va monta pe acelasi radiator cu tranzistoarele finale pentru ca superdioda sa copieze driftul
termic al acestora si curentul de mers in gol al \etajului final sa nu se modifice.
Etajul final in clasa AB. Tranzitorul final NPN este un Darlington (Q 11 , Q 12 ) si va suporta in
cel mai defavorabil caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. Alegem Q 11 BC107 (β>100,
V CBO =25V, ICmax=100mA) si Q 12 BD433 (P max=36W, V CBO =22V, ICmax=4A, 85<β<150). Tranzistorul
echivalent are β>8500 deci la curentul maxim Ib <0.2mA, deci neglijabil in raport cu I C6 .
Tranzistoarele au ambele tensiuni de strapungere superioare celor ce pot aparea in montaj deci
problema strapungerii nu se pune. Curentul maxim suportat de Q 11 este 28mA < ICmax. Puterea

3
disipata de tranzistorul echivalent este aproape in intregime localizata la nivelul Q 12 si in cel mai
defavorabil caz este circa ½ din puterea in sarcina (5.6W) si in concluzie acest tranzistor nu se
poate distruge.
Tranzitorul final PNP este o configuratie Super G (Q 13 , Q 14 ) si va suporta in cel mai defavorabil
caz 2.4A sau o tensiune CE de circa 14V. . Alegem Q 13 BC177 (β>100, V CBO =25V, ICmax=100mA)
si Q 14 BD434 (P max=36W, V CBO =22V, ICmax=4A, 85<β<150). Tranzistorul echivalent are β>8500
deci la curentul maxim Ib <0.2mA, deci neglijabil in raport cu IC6 . Se vor face restul verificarilor
identic ca pentru celalat tranzistor.
Rezistentele R 13 , R 14 (1K) se aleg ai. Sa forteze curent prin tranzistoarele de mica putere
si atunci cand curentul prin tranzistorul echivalent este mic (pentru a evita scaderea lui β odata
cu cresterea sarcinii). In acelasi timp ele evita amplificarea curentilor reziduli ai Q 13 , Q 11 prin
finalii de putere. Tinana sema de tolerantele tensiunii V BE si ale rezistentelor R 13 , R 14 (+/-20%)
rezulta curentii minimi pentru perioadele de conductie de la care se dechid finalii de putere si
anume 0.5V/1.2K=0.4mA.
Circuitul de protectie pentru tranzistorul final NPN va limita curentul de baza al acestuia la
depasirea limitei de 2.5A. Pentru sistemul de protectie (cu limitare) ales este necesar ca in caz
de suprasarcina pe R 11 sa cada o tensiune mai mare de 0.8V necesara deschiderii lui Q 9 (uzual
un NPN de mica putere). Alegem Q 9 BC107 la care, conform curbelor de catalog, V BEon =
0.5…0.7V. Pentru siguranta deschiderii lui Q 9 alegem R 11 0.68Ω (20%). La o suprasarcina de
2.5A la bornele ei vor apare in cel mai defavorabil caz 1.3V. Aceasta tensiune va fi preluata de
divizorul rezistiv R 9 care se va calibra in functie de parametrii concreti ai Q 9.
In mod identic rezulta sistemul de protectie al PNP final.
Curentul de mers in gol al etajului se regeleaza din tensiune V CE8 , deoarece V CE8 = V BE11 +
V BE12 +(R 11 +R 12 ) Igol +V EB13 . Acest curent (Igol ) se alege la circa 1/20 din curentul maxim (in acest
caz aproximativ 0.12A). Rezulta ca vaem nevoie in cel mai defavorabil caz (toate V BE sunt
maxime iar toleranta rezistentelor este +20%) de o tensiune de circa 4.8V, tensiune ce se poate
obtine din reglajul R 6 .

2.2. Proiectarea retelei de reactie negativa

Amplificarea in bucla inchisa a etajului este data de formula A v = (R 1 +R t )/R 1 . Pentru acest
tip de oscilator (vezi Curs DCE II), in regim permanent, A v =3 si deci, R t /R 1 = 2.
Pentru stabilizarea amplitudinii de oscilatie, una din rezistentele retelei de reactie negativa
trebuie sa fie neliniara. Astfel, pe schema din fig. 2, rezistenta R t este un termistor cu coeficient
negativ de temperatura la care rezistenta scade cu cresterea tensiunii aplicate. Astfel, daca
tensiunea la iesirea generatorului tinde sa creasca, termistorul se incalzeste si rezistenta lui
scade aducand cu sine scaderea valorii amplificarii A v sub valoarea de regim permanent.

4
 Tensiunea efectiva pe termistor se determina cu relatia:

2^ 1 2 ^
Vt = V o ⋅ = ⋅V o
3 2 3
unde V 0 este amplitudinea tensiunii la iesire, in cazul acesta 2.4V. Rezulta pentru V t valoarea
aproximativa de 1.1V. Pentru un termistor NTC Philips 6343 de pe caracteristica V t = f(I t ) (vezi
“DCE - Culegere de probleme de proiectare”, A. Rusu, s.a. – Litografia UPB, 1991/ pag. 81) se
determina I t de aproximativ 4mA, rezultand valoarea rezistentei nominale R t = 1.1/4mA = 282
ohmi. Din relatia R t /R 1 = 2 rezulta valoarea nominala a rezistentei R 1, 141 ohmi. Pentru
asigurarea posibilitatii de ajustare a amplitudinii tensiunii de iesire, R 1 va fi un potentiometru de
valoare 500 ohmi. Deoarece rezistenta la temperatura ambianta a termistorului este R t0 = 4.7 k
rezulta la pornire A v > 3 (conditie necesara pentru pornirea oscilatorului).

OBS.
In final se va verifica prin calcul (pentru valorile nominale din schema) functionarea in
RAN a tuturor componentelor active (la etajul final pot apare situatii de blocare (clasa B de
functionare)).
Se va studia circuitul in regim dinamic pentru functionarea pe una din alternantele tensiunii
de intrare (se va lua in calcul numai unul din tranzistorii finali, celalalt este blocat). Pe schema de
regim dinamic se va determina a v (obligatoriu >10.000), R i , R 0 . Valorile obtinute vor satisface
obligatoriu datele de proiectare.