UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DDE PANAMÁ

SEDE REGIONAL DE CHIRIQUÍ

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

MODULO DE ELECTRONICA

COD.GRUPO
2SE221

ASIGNATURA:
ELECTRONICA 1
CÓD. 0906

FACILITADOR:
RICARDO BARRIA

INTEGRANTES:
JESSICA MEGÍA PE – 13 – 915
JOSE CORTES 4 – 746 - 1790
ALBERTO SANCHEZ 4 – 806 – 2287
VANESA BARRIA 1 – 739 - 769
ARIEL SERRUT 4 – 805 – 21 45
EYNER CASTILLO 4 – 785 – 732
LUIS LEONES 7 – 712 – 1813
ELIECER SANTAMARIA 1 – 36 – 243
JOSE URIBE 4 - 761 - 1817
DIOMEDES GONZALEZ 4 – 791 – 1378
NODIER CUBILLA 2 – 743 – 1075
FRANCISCO OROCU 4 – 805 – 1552
GUILLERMO DELGADO 4 – 798 – 769
JOSEPH MARTINEZ 4 – 803 - 132

I SEMESTRE

AÑO: 2019

1
 Tabla de contenido

1. EL DIODO DE UNION ...................................................................................... 4

1.2 Teoría básica de Semiconductores ................................................................ 4
1.2 La union PN ................................................................................................... 6
1.3 Polarizacion y curvas caracteristicas del diodo .............................................. 8
1.3.1 Polarizacion directa y resistencia DC....................................................... 9
1.3.2 Polarización inversa Y tension de ruptura .............................................. 11
1.3.3 Ruptura por avalancha y por efecto Zener ............................................. 13
1.3.4 Capacitancia de transición y de difusión ................................................ 14
1.3.5 Tiempos de conmutación ....................................................................... 15
1.3.6 Efectos de la temperatura ...................................................................... 16
1.4 Circuitos equivalentes del diodo................................................................... 16
1.5 Hoja de especificaciones técnicas. .............................................................. 19
1. Circuitos con diodos ....................................................................................... 19
1.1 Rectificador: ............................................................................................. 19
1.1.1 Rectificador de media onda ............................................................... 20
1.1.2 Rectificador de onda completa con derivación central ....................... 21
1.1.3 Rectificador de onda completa tipo puente ........................................ 22
1.2 Fuentes de tensión no reguladas ................................................................. 23
1.3 El diodo zener .............................................................................................. 24
1.3.1 Características ................................................................................... 25
1.3.2 Circuito regulador simple ................................................................... 25
1.4 El diodo Varactor ...................................................................................... 26
1.4.1 Características ................................................................................... 27
1.4.2 Aplicación en circuitos sintonizadores ............................................... 28
1.5 Otros diodos ............................................................................................. 28
2. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN DC ............................................................... 31
2.1 ESTRUCTURA Y TEORÍA DE FUNCIONAMIENTO ................................... 32
2.1.1 CORRIENTES INTERNAS, EXTERNAS Y LA RELACION ENTRE
ELLAS............................................................................................................. 32
2.1.2 TENSION EN LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR ......................... 33
2.1.3 CORRIENTE DE FUGA Y EFECTO DE TEMPERATURA .................... 34

2
 2.2 MODELO DC ............................................................................................... 34
2.3 CONFIGURACIONES (BJT), SUS CURVAS, REGIONES Y LÍMITES DE
OPERACIÓN ..................................................................................................... 34
2.4 CIRCUITO DE POLARIZACION DEL BJT ................................................... 42
2.4.1 RECTA DE CARGA DC Y PUNTO DE OPERACIÓN............................ 44
2.5 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INTERRUPTOR ................................. 45
2.6 HOJA DE ESPECIFICACIONES TECNICAS............................................... 46
3. Transistor de Efecto de campo FET ............................................................... 49
3.1 Estructura y teoría de funcionamiento .......................................................... 49
3.1.1 El FET de unión (JFET) ......................................................................... 50
3.1.2 El MOSFET de agotamiento (D-MOSFET) ............................................ 52
3.1.3 El MOSFET de Enriquecimiento (E-MOSFET) ...................................... 53
3.3 Configuraciones del JFET, sus curvas, regiones y límites de operación. .... 58
3.4. Circuito de polarización del JFET................................................................ 61
3.4.1. Recta de carga DC y punto de operación ............................................. 61
3.5. Circuitos de polarización del (D-MOSFET) ................................................. 63
3.6. Circuitos de polarización del (E-MOSFET) ................................................. 63
3.7. JFET como un interruptor. .......................................................................... 64
3.8. Hoja de datos técnicos JFET y MOSFET .................................................... 65
5. Otros componentes electrónicos ....................................................................... 68
5.1 Amplificador operacional .............................................................................. 68
5.1.1 Aplicación lineal ..................................................................................... 69
5.2 Reguladores integrados ............................................................................... 69
5.2.1 Reguladores integrados fijos ................................................................. 70
5.2.2 Reguladores integrados ajustables ........................................................ 71
5.3 Dispositivos de la opto-electrónica ............................................................... 71
5.3.1 Aplicaciones básicas con los leds, el foto-resistor, el foto-transistor, orto-
acopladores .................................................................................................... 72
5.4 Sensores: ..................................................................................................... 75
5.4.1 Aplicaciones básicas con sensores de temperatura, de presión, de
humedad, de iluminación. ............................................................................... 76

3
 1. EL DIODO DE UNION
1.2 Teoría básica de Semiconductores
Los semiconductores son materiales cuya conductividad varía con la temperatura,
pudiendo comportarse como conductores o como aislantes. Los materiales
semiconductores más conocidos son: Silicio (Si) tiene tantas cargas positivas en el
núcleo, como electrones en las órbitas que lo rodean (en el caso del silicio este
número es 14) y Germanio (Ge) (número atómico es 32 y en su última capa tiene
4 electrones de valencia), los cuales poseen cuatro electrones de valencia en su
último nivel.

Semiconductores intrínsecos
Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra
en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni
átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la
cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de
valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conducción.

Cuando el cristal se encuentra a temperatura ambiente algunos electrones pueden

absorber la energía necesaria para saltar a la banda de conducción dejando el
correspondiente hueco en la banda de valencia y allí funcionan como “electrones
de conducción”, Las energías requeridas, a temperatura ambiente, son de 1,12 eV
y 0,67 eV para el silicio y el germanio respectivamente.

Semiconductores extrínsecos
Cuando a la estructura molecular
cristalina del silicio o del germanio se le
introduce cierta alteración, esos
elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente eléctrica por su
cuerpo en una sola dirección. Para hacer

4
posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los átomos
de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de otros elementos o
"impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a elementos

semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su última
órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones también
en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico (As)]. Una vez dopados,
el silicio o el germanio se convierten en semiconductores “extrínsecos” y serán
capaces de conducir la corriente eléctrica.

Cristal Tipo N. Conducción

Es el que está impurificado con impurezas
"Donadoras", que son impurezas pentavalentes
(con 5 electrones de valencia) como el Fósforo
(P), el Arsénico (As) o el antimonio (Sb). El
donante aporta electrones en exceso, los
cuales, al no encontrarse enlazados, se
moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el
material tipo N se denomina también donador
de electrones. Como los electrones superan a
los huecos en un semiconductor tipo n, reciben
el nombre de "portadores mayoritarios",
mientras que a los huecos se les denomina
"portadores minoritarios".

5
Cristal Tipo P. Conducción
Es el que está impurificado con impurezas
"Aceptoras", que son impurezas trivalentes (3
electrones de valencia) como el boro (B), Indio
(In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no
aportan los 4 electrones necesario para
establecer los 4 enlaces covalentes, en la red
cristalina éstos atomos presentaran un defecto
de electrones (para formar los 4 enlaces
covalentes). De esa manera se originan huecos
que aceptan el paso de electrones que no
pertenecen a la red cristalina. Asi, el material tipo
P tambien se le denomina donador de huecos (o aceptadores de electrones).
Como el número de huecos supera el número de electrones libres, los huecos son
los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.

1.2 La union PN
Una de las claves cruciales en la electrónica de
estado sólido es la naturaleza de la unión P-N.
Cuando los materiales de tipo p y tipo n se
colocan en contacto uno con otro, la unión se
comporta de manera muy diferente a como lo
hacen cada uno de los materiales por si solos.
Específicamente, la corriente fluirá fácilmente en
una dirección (polarización directa) pero no en la otra (polarización inversa),
creando un diodo básico. Este comportamiento no reversible, surge de la
naturaleza del proceso de transporte de carga en los dos tipos de materiales.

Los círculos vacíos en el lado izquierdo de la unión de

arriba a la derecha, representan "huecos" o

6
deficiencias de electrones en la red, que pueden
actuar como portadores de carga positiva. Los
círculos sólidos a la derecha de la unión
representan los electrones disponibles desde el
dopante de tipo n. Cerca de la unión, los
electrones se difunden a su través y se combinan con los agujeros, creando una
"región de depleción". El croquis de nivel de energía de arriba a la derecha, es una
forma de visualizar la condición de equilibrio de la unión P-N. La dirección
ascendente en el diagrama representa la energía creciente de electrones.

1.2.1 Formación de la capa de agotamiento y la barrera potencial

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusión de electrones del cristal n al p

(Je).
Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados
de la unión, zona que recibe diferentes denominaciones como barrera interna de
potencial, zona de carga espacial, de agotamiento o empobrecimiento, de
deplexión, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusión, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unión. Sin embargo, la acumulación de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo eléctrico (E) que actuará sobre los

7
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento, que
se opondrá a la corriente de electrones y terminará deteniéndolos.

Este campo eléctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensión
entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V0) es de 0,7 V en el caso del
silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.

La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser
del orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales está mucho más dopado
que el otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

1.3 Polarizacion y curvas caracteristicas del diodo

El diodo se puede puede hacer funcionar de 2 maneras diferentes:

Polarización directa: Cuando la corriente circula en sentido directo, es

decir del ánodo A al cátodo K, siguiendo la ruta de la flecha (la del

diodo).
En este caso la corriente atraviesa el diodo con mucha facilidad
comportándose prácticamente como un corto circuito. El diodo conduce.

Polarización inversa:
Cuando una tensión negativa en bornes del diodo tiende a hacer
pasar la corriente en sentido inverso, opuesto a la flecha (la flecha del
diodo), o sea del cátodo al ánodo.
En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto. El diodo está bloqueado.

Las curvas características representan la relación entre la tensión y la corriente del

diodo durante su funcionamiento.

8
Tensión umbral, de codo o de partida (Vγ ).

La tensión umbral (también llamada barrera de potencial) de polarización directa

coincide en valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado.
Corriente máxima (Imax ).
Es la intensidad de corriente máxima que puede
conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado
que es función de la cantidad de calor que puede
disipar el diodo, depende sobre todo del diseño del
mismo.
Corriente inversa de saturación (Is ).
Es la pequeña corriente que se establece al polarizar
inversamente el diodo por la formación de pares electrón-
hueco debido a la temperatura, admitiéndose que se
duplica por cada incremento de 10 °C en la temperatura.
Corriente superficial de fugas.
Es la pequeña corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarización
inversa), esta corriente es función de la tensión aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensión, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensión de ruptura (Vr ).
Es la tensión inversa máxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

1.3.1 Polarizacion directa y resistencia DC

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
Para que un diodo esté polarizado directamente, se debe conectar el polo positivo
de la batería al ánodo del diodo y el polo negativo al cátodo. En estas condiciones
podemos observar que:
9
 El polo negativo de la batería
repele los electrones libres del
cristal n, con lo que estos
electrones se dirigen hacia la
unión p-n.
 El polo positivo de la batería atrae
a los electrones de valencia del
cristal p, esto es equivalente a
decir que empuja a los huecos
hacia la unión p-n.
 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor
que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones
libres del cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos
del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.
 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la
zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batería.
De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y
atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una
corriente eléctrica constante hasta el final.

Resistencia en DC
Resistencia de diodo Se puede definir como la oposición efectiva.Ofrecido por
el diodo al flujo de corriente que lo atraviesa. Idealmente hablando, se espera
que un diodo ofrezca resistencia cero cuando está polarizado hacia adelante y
resistencia infinita cuando está polarizado inversamente.

10
 Resistencia estática o DC
Es la resistencia ofrecida por el diodo a laFlujo de CC a través de él cuando le
aplicamos un voltaje de CC. Matemáticamente, la resistencia estática se
expresa como la relación de la tensión de CC aplicada a través de los
terminales del diodo a la CC que fluye a través de ella,es decir:

1.3.2 Polarización inversa Y tension de ruptura

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión
en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como
se explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al
verse desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren
estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y
átomo) y una carga eléctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones
positivos.

11
 El polo negativo de la batería cede
electrones libres a los átomos
trivalentes de la zona p. Recordemos
que estos átomos sólo tienen 3
electrones de valencia, con lo que una
vez que han formado los enlaces
covalentes con los átomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de
valencia, siendo el electrón que falta el
denominado hueco. El caso es que
cuando los electrones libres cedidos por la batería entran en la zona p,
caen dentro de estos huecos con lo que los átomos trivalentes adquieren
estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga eléctrica
neta de -1, convirtiéndose así en iones negativos.
 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.
En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo,
debido al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco (ver
semiconductor) a ambos lados de la unión produciendo una pequeña
corriente (del orden de 1 μA) denominada corriente inversa de saturación.
Además, existe también una denominada corriente superficial de fugas la
cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por la
superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están
rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los átomos de la
superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su
orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a través
de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturación, la
corriente superficial de fuga es usualmente despreciable.

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Tension de roptura
La 'tensión de ruptura' de un diodo es la mínima tensión necesaria en polarización
inversa para hacer que el diodo conduzca en sentido inverso.
Ruptura de la unión
La característica inversa pone en evidencia una zona de ruptura del diodo, es
decir, una zona donde la corriente inversa se hace sumamente importante, dentro
de los principales efectos que provocan la ruptura se encuentran: El efecto
térmico, el efecto de campo, el efecto de avalancha y el efecto zener.

Efecto térmico
Un aumento de temperatura provoca una mayor energía en los electrones y por
tanto una mayor corriente inversa. La potencia que se disipa en la unión es igual al
producto del voltaje en sus extremos y la corriente que lo atraviesa. Por tanto la
potencia que se disipe en la unión aumenta hasta llegar a la ruptura del diodo.
Este efecto no será destructivo a condición que se limite la temperatura que puede
alcanzar la unión.

Efecto de campo
El aumento del voltaje inverso provoca un crecimiento del campo eléctrico en la
unión. Para un valor elevado de este campo se produce el fenómeno “disrupción”
o arranque de los electrones de enlace. Por tanto la corriente inversa aumenta en
proporciones y solo está limitada por el propio diodo.

1.3.3 Ruptura por avalancha y por efecto Zener

Efecto de avalancha
Las cargas eléctricas que atraviesan la unión reciben
energía proporcional al voltaje aplicado entre sus extremos.
A todo aumento del voltaje inverso corresponde un
incremento en la energía almacenada por las cargas de

13
desplazamiento; cuando esta energía alcanza cierto umbral se produce el efecto
de ionización por choque. Este fenómeno se puede hacer acumulativo a su vez;
las cargas eléctricas provocan esta ionización, produciéndose un efecto de
avalancha de electrones. En este caso la corriente inversa se limita por medio de
los elementos del circuito exterior al diodo.

Ruptura Zener
Si el voltaje aumenta lo suficiente, es posible que el
campo eléctrico en la unión se vuelva lo bastante
fuerte como para que se rompan bruscamente los
enlaces covalentes cuando se llega al voltaje de
ruptura este fenómeno se le llama ruptura Zener.
Generalmente los diodos que utilizan este fenómeno
para su funcionamiento se llaman Zener y son
fabricados de Silicio (Si).

1.3.4 Capacitancia de transición y de difusión

En la región de polarización inversa, se presenta la capacitancia de transición (C T)

o de región de agotamiento, mientras que para la región de polarización directa
tendremos la capacitancia de difusión (CD) o de almacenamiento.

Capacitancia de transición o de
agotamiento.

En la región de polarización inversa existe una

región de agotamiento (libre de portadores)
que se comporta como un aislante entre las
capas de carga opuesta. Debido a que el
ancho de esta región (d) se incrementará
mediante el aumento del potencial de
polarización inversa, la capacitancia de
transición que resulta disminuirá.

14
Capacitancia de difusión o de almacenamiento.

El efecto también se encuentra en la región de polarización directa, pero este es

mucho menor que un efecto de capacitancia directamente dependiente de la
velocidad a la que la carga es inyectado hacia las regiones justo fuera de la región
de agotamiento. El resultado es que niveles crecientes de corriente resultaran
niveles crecientes de la capacitancia de difusión.

1.3.5 Tiempos de conmutación

Supongamos una tensión de entrada escalón al circuito de la figura.

En el instante t = 0 la tensión
aplicada pasa súbitamente de Vf a
–Vr manteniéndose a este nivel
para t > 0. Si suponemos que Vf y
RL son mucho mayores que V y Rf
respectivamente, la intensidad que
circula por el diodo será: i D Vf R L
La polarización directa motiva una
alta concentración del exceso de
minoritarios en las proximidades de
la unión. Con polarización inversa
el exceso de minoritarios en las
proximidades de la unión es
virtualmente nulo. Cuando hay un

15
cambio de polarización deben retroceder a través de la unión hacia el lado original.
Este movimiento de carga produce una corriente en sentido inverso (de cátodo a
ánodo). El periodo de tiempo durante el que el exceso de portadores minoritarios
decrece hasta cero se denomina “tiempo de almacenamiento”. Durante este
tiempo el diodo conduce fácilmente y la corriente a su través es –VR/RL. Esto
continua hasta que el exceso de portadores minoritarios desaparece, a
continuación, la corriente de crece hasta IS.

1.3.6 Efectos de la temperatura

La temperatura tiene un efecto importante en la determinación de las

características operativas de los diodos. Conforme aumenta la temperatura,
disminuye la tensión V.

Por otra parte, un descenso en la temperatura provoca un incremento de V. Esta

tensión umbral varia linealmente con la temperatura según la siguiente ecuación,
suponiendo que la corriente 𝑰𝑫 en el diodo se mantiene constante.

Siendo:
 V (𝑇0): tensión del diodo a temperatura ambiental.
 V (𝑇1): tensión del diodo a la nueva temperatura.
 𝑇0: temperatura ambiental, ºC.
 𝑇1: nueva temperatura del diodo, ºC.
 α: coeficiente de temperatura en V/ ºC.

1.4 Circuitos equivalentes del diodo

Un circuito equivalente es una combinación de elementos elegidos de forma

apropiada para representar de la mejor manera las características terminales
reales de un dispositivo, sistema o similar, para una región de operación particular.

En otras palabras, una vez que se define el circuito equivalente, es posible

eliminar el símbolo del dispositivo de un diagrama y sustituirlo por el circuito

16
equivalente sin afectar de forma importante el comportamiento real del sistema. El
resultado a menudo es una red que puede resolverse mediante las técnicas
tradicionales de análisis de circuitos.

Circuito equivalente de segmentos lineales

Una técnica para obtener un circuito equivalente para un Diodo consiste en
aproximar las características del dispositivo utilizando segmentos de líneas rectas.

Las líneas rectas no representaran una copia exacta de las características reales,
especialmente en la región del punto de inflexión; sin embargo, los elementos, los
segmentos resultantes son lo suficientemente aproximados a la curva real que
posible establecer un circuito equivalente que proporcionara una primera
aproximación excelente al comportamiento real del dispositivo.

Circuito equivalente simplificado

Para la mayoría de las aplicaciones, la resistencia Rav es lo suficientemente
pequeña para compararla con los otros elementos de la red, como para poder
ignorarla. La eliminación de Rav del circuito equivalente es similar a afirmar que
las características del Diodo. Esta aproximación se utiliza frecuentemente en el
análisis de circuitos semiconductores. El circuito equivalente reducido se muestra
manifiesta que valores nominales n un sistema electrónico, un Diodo de silicio
polarizado directamente, bajo condiciones de corriente dc tendrá una caída de
0.7v a través de el, en el estado de conducción a cualquier nivel de corriente del
diodo (dentro de los valores nominales).

Circuito equivalente ideal

Una vez que se eliminado Rav del circuito equivalente vayamos a un paso
adelante y establezcamos que un nivel de 0.7 v normalmente puede ignorarse
cuando se compara con el nivel se voltaje aplicado. En este caso, el circuito
equivalente se reducirá al de un Diodo ideal con sus características.

17
En la industria, una popular sustitución de la frase "circuito equivalente Diodo, un
modelo por definición es una representación de un dispositivo, objeto, sistema, u
otro existente.

Si el diodo está polarizado directamente, su circuito

equivalente es el de un conmutador cerrado, pequeña
resistencia.

Con polarización inversa, el circuito representa un

conmutador abierto, gran resistencia.

18
1.5 Hoja de especificaciones técnicas.

Normalmente, el fabricante proporciona datos sobre dispositivos semiconductores

específicos en una de dos formas. Con más frecuencia, dan una descripción muy
breve, tal vez limitada a una página. En otras ocasiones proporcionan un examen
completo de las características mediante gráficas, material gráfico, tablas, etc. En
uno u otro caso, son piezas con datos específicos que se deben incluir para el uso
apropiado del dispositivo. Incluyen:

1. El voltaje en directa VF (a una corriente y temperatura especificadas)

2. La corriente máxima en directa IF (a una temperatura especificada)
3. La corriente de saturación en inversa IR (a un voltaje y temperatura
especificados)
4. El valor nominal de voltaje inverso [PIV, PRV, o V(BR), donde BR
proviene del término
“breakdown” (ruptura) (a una temperatura especificada)]
5. El nivel de disipación de potencia máximo a una temperatura particular
6. Niveles de capacitancia
7. Tiempo de recuperación en inversa trr
8. Intervalo de temperatura de operación
Según el tipo de diodo que se esté considerando, es posible que también se
den más datos, como intervalo de frecuencia, nivel de ruido, tiempo de
conmutación, niveles de resistencia térmica y valores repetitivos pico.

1. Circuitos con diodos

Un diodo rectificador, idealmente hablando, es un interruptor cerrado cuando se
polariza en directa y una interruptor abierto cuando se polariza en inversa. Por
ello, es muy útil para convertir corriente alterna en continua.

1.1 Rectificador: Un rectificador es el dispositivo electrónico que permite

convertir la corriente alterna en corriente continua.1 Esto se realiza
utilizando diodos rectificadores, ya sean semiconductores de estado

19
 sólido, válvulas al vacío o válvulas gaseosas como las de vapor de
mercurio (actualmente en desuso).

Dependiendo de las
características de la
alimentación en corriente alterna
que emplean, se les clasifica en
monofásicos, cuando están
alimentados por una fase de la
red eléctrica, o trifásicos cuando
se alimentan por tres fases.

Atendiendo al tipo de
rectificación, pueden ser de
media onda, cuando solo se
utiliza uno de los semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos
semiciclos son aprovechados.

El tipo más básico de rectificador es el rectificador monofásico de media onda,

constituido por un único diodo entre la fuente de alimentación alterna y la carga.

1.1.1 Rectificador de media onda

Es construido con un diodo ya que este puede mantener el flujo de corriente en

una sola dirección, se puede utilizar para cambiar una señal de CA a una de CC.
En la figura I. se muestra un circuito rectificador de media onda. Cuando la tensión
de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo y se puede sustituir por un
corto circuito. Si la tensión de entrada es negativa el diodo se polariza en inverso y
se puede remplazar por un circuito abierto. Por tanto cuando el diodo se polariza
en directo, la tensión de salida a través de la carga se puede hallar por medio de
la relación de un divisor de tensión. Sabemos además que el diodo requiere 0.7

20
voltios para polarizarse, así que la tensión de salida está reducida en esta
cantidad (este voltaje depende del material de la juntura del diodo). Cuando la
polarización es inversa, la corriente es cero, de manera que la tensión de salida
también es cero. Este rectificador no es muy eficiente debido a que durante la
mitad de cada ciclo la entrada se bloquea completamente desde la salida,
perdiendo así la mitad de la tensión de alimentación. El voltaje de salida en este
tipo de rectificador es aproximadamente 0.45 veces el voltaje eficaz de la señal de
entrada (este 0.45 surge de calcular La forma de onda que observamos a la salida
se muestra en la figura I.

1.1.2 Rectificador de onda completa con derivación central

Se muestra el rectificador de onda

completa con derivación central, este
utiliza ambas mitades de la onda
sinusoidal de entrada; para obtener
una salida unipolar, invierte los
semiciclos negativos de la onda
sinusoidal. En esta aplicación se utiliza
en el devanado central del
transformador con la finalidad de
obtener dos voltajes VS iguales, en
paralelo con las dos mitades del
devanado secundario con las
polaridades indicadas.

Cuando el voltaje de línea de entrada, que alimenta al devanado primario, es

positivo, ambas señales marcadas como VS serán positivas. En este caso D1

21
conduce y D2 estará polarizado inversamente. La corriente que pasa por
D1circulara por la carga y regresara a la derivación central del secundario. El
circuito se comporta entonces como rectificador de media onda, y la salida durante
los semiciclos positivos será idéntica a la producida por el rectificador de media
onda. Ahora, durante el semiciclo negativo del voltaje de ca de la línea, los voltajes
marcados como VS serán negativos. Entonces D1 estará en corte y D2 conduce.
La corriente conducida por D2 circulara por la carga y regresa a la derivación
central. Se deduce que durante los semiciclos negativos también el circuito se
comporta como rectificador de media onda, excepto que ahora el diodo D2 es el
que conduce. Lo más importante es que la corriente que circula por la carga
siempre pasa por la misma dirección y el voltaje vo será unipolar. La onda de
salida se obtiene suponiendo que un diodo conductor tiene una caída constante de
voltaje VDO, es decir, se desprecia el efecto de la carga. El voltaje de salida es
aproximadamente 0.9 voltaje máximo de la onda.

1.1.3 Rectificador de onda completa tipo puente

El puente rectificador de onda

completa es un circuito
electrónico utilizado en la
conversión de una corriente
alterna en continua. Este
puente rectificador está formado por 4 diodos. Existe una configuración en donde
se tiene un diodo, esta se le conoce de media. El rectificador de onda completa,
tiene 4. Recordemos antes que nada, que el diodo, se puede idealizar como un
interruptor. Si el voltaje es positivo y mayor que el voltaje en directa, el diodo
conduce. Recordemos que el voltaje en directa de un diodo de silicio esta sobre
los 0.7V. Si el diodo esta polarizado en inversa no conduce. Gracias a esto
podemos generar dos caminos de nuestro puente rectificador de onda completa.
Uno para la primera mitad del periodo, que es positiva y otro para la segunda, que
es negativa.

22
Para la siguiente figura, podemos observar que para la primera mitad del periodo,
el diodo D1 denaria pasar el voltaje, mientras que el diodo D2 no. El voltaje que
pasa a través de la carga, regresa a través de la net 0 (GND), en donde pasara
por D3 debido a que D2 tiene un voltaje en el cátodo por lo que no se polariza.
Para la segunda mitad del periodo, D2 y D4 son los que conducen para la parte
negativa.

1.2 Fuentes de tensión no reguladas

Las fuentes no reguladas, cuya circuitería básica se muestra en la Figura
1, incluyen un
transformador,
un rectificador
(por lo general
tipo puente) y
un filtro (que en
el caso de las
fuentes en el
rango de
voltajes y
potencias bajas es puramente capacitivo). Con estos componentes
aplican un voltaje y suministran una cantidad de corriente a una carga.
Cuando las fuentes no reguladas son el primer bloque de las fuentes
reguladas, la carga es el regulador.

Figura 1. Circuito básico de una fuente no regulada con transformador ideal.

23
El voltaje en la carga (que coincide con el del condensador), tiene la forma de
onda presentada en la Figura 2. En esta figura están identificados el voltaje
máximo (Vmax), el voltaje mínimo (Vmin), el tiempo t0, el período T de la forma de
onda sinusoidal de entrada y fracciones del mismo (como por ejemplo T/4).

Figura 2. Forma de onda del voltaje sobre el condensador y la carga

Los voltajes Vmax y Vmin están relacionados mediante la expresión:

Vmin = Vmax sen t0

El voltaje de rizado se define como:

Vr = Vmax – Vmin = V

Y el factor de rizado se expresa como:

Fr = x 100% = x 100%

1.3 El diodo zener

los diodos zener, zener diodo o simplemente zener, son diodos que están
diseñados para mantener un voltaje constante en sus terminales, llamado Voltaje
o Tensión Zener (Vz) cuando se polarizan inversamente, es decir cuando está el
cátodo con una tensión positiva y el ánodo negativa. Un zener en conexión con
polarización inversa siempre tiene la misma tensión en sus extremos (tensión
zener).

24
 1.3.1 Características

Una de las principales

características que
identifican al diodo zener
es la polarización inversa,
ya que un diodo común al
ser polarizado
inversamente actúa como
un circuito abierto.

Cuando la corriente a través del diodo zener cambie, el voltaje de salida

permanece relativamente constante, es decir la variación de ΔIz y ΔVz.

Los diodos Zener se pueden polarizar directamente y comportarse como un diodo

norma en donde su voltaje permanece cerca de 0.6 a 0.7 V.

1.3.2 Circuito regulador simple

Son buenos candidatos

para construir reguladores
de voltaje simples o
limitadores de voltaje, ya
que al mantener un voltaje
de CD estable en presencia
de una tensión variable de
voltaje y con una resistencia
de carga variable.

Un circuito muy simple consiste en poner un diodo zener en serie con un resistor.
El voltaje de salida del circuito Vsal se mantiene o es regulada por el diodo zener
al voltaje zener Vz.
25
Ya que la carga aplicada al regulador de voltaje cambiará con el tiempo y por ende
la fuente de voltaje mostrará fluctuaciones se debe tener consideración al efecto
sobre el voltaje regulado Vz.

Del circuito se obtiene que la corriente zener está relacionada con los voltajes del
circuito de acuerdo con:

𝑉𝑒𝑛𝑡 − 𝑉𝑧)
Iz = 𝑅

Debido al cambio del tiempo se considera un delta:

𝛥𝑉𝑒𝑛𝑡 − 𝛥𝑉𝑧
ΔIz = 𝑅

Es posible definir una resistencia Rz o Rd que corresponde al Vd de un diodo

Zener (tomando en consideración que el diodo zener se puede descomponer en
una fuente Vz y un resistor Rz). Esto permite expresar el cambio de corriente
zener en términos del cambio en el voltaje zener:

𝛥𝑉𝑧
ΔIz = 𝑅𝑑

1.4 El diodo Varactor

El diodo Varicap conocido como diodo de capacidad variable o varactor, es

un diodo que aprovecha determinadas técnicas constructivas para comportarse,
ante variaciones de la tensión aplicada, como un condensador variable. Polarizado
en inversa, este dispositivo electrónico presenta características que son de suma
utilidad en circuitos sintonizados (L-C), donde son necesarios los cambios
de capacidad.

Cuando un diodo Varicap es polarizado en inversa, la barrera de potencial o

juntura que forman los materiales N y P a partir del punto de unión de las junturas
se produce una capacitancia. Visto en forma metafórica y práctica, es el
equivalente a dos placas de un condensador que van separándose a medida que
la tensión de alimentación se incrementa. Este incremento de tensión provoca una

26
disminución de la capacidad equivalente final en los terminales del diodo (a mayor
distancia entre placas, menor capacidad final). Por este motivo queda claro el
concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de esta
naturaleza se encuentra en un punto de baja tensión de alimentación (no cero),
mientras que la mínima capacidad final estará determinada por cuánta tensión
inversa pueda soportar entre sus terminales. Sin llegar a valores extremos, los
más habituales suelen encontrarse entre 3 o 4 picofaradios y 50 picofaradios para
ejemplos como el diodo BB148 de NXP. Con una tensión menor a un voltio
alcanza su máxima capacidad, llegando al mínimo valor con 12 o 13V, según
podemos ver en la gráfica obtenida de su hoja de datos.

Para poder medir la capacidad de estos diodos se puede recurrir a la fórmula de

MBR:

Donde C = capacidad del diodo con polarización inversa (Faradios)

Vd= voltaje de polarización inversa del diodo (Voltios), ( es la magnitud del

voltaje de polarización inversa del diodo, siempre positiva)

Cd= C

1.4.1 Características

Diodos varactor, también conocidos como diodos varicap, son de un simple

componente electrónico. Un tipo de diodo semiconductor sencilla
comúnmente utilizado en la electrónica, tales como amplificadores
paramétricos, filtros, osciladores y sintetizadores de frecuencia, los diodos
varactor tiene una capacitancia variable, que es una función de la tensión
aplicada en sus terminales. En electrónica, diodos varactores se utilizan
principalmente como condensadores controlados por voltaje.

27
 1.4.2 Aplicación en circuitos sintonizadores

 En esencia un circuito sintonizador es un circuito selector.

 La teoría más básica que podemos utilizar para explicar el principio de
un circuito sintonizador es a base de la comparación con un filtro.

Una aplicación popular del diodo varicap está en los circuitos de sintonización
electrónica, como los sintonizadores de televisión. El voltaje de control DC varía la
capacidad del diodo varicap, resintonizando el circuito resonante.

1.5 Otros diodos

Diodo detector o de baja señal

Los diodos detectores también denominados diodos de señal o de contacto

puntual, están hechos de germanio y se caracterizan por poseer una unión
PN muy diminuta. Esto le permite operar a muy altas frecuencias y con
señales pequeñas. Se emplea, por ejemplo, en receptores de radio para
separar la componente de alta frecuencia (portadora) de la componente de
baja frecuencia (información audible). Esta operación se denomina
detección.

28
Diodo emisor de luz (led’s)

Es un diodo que entrega luz al aplicársele un determinado voltaje. Cuando

esto sucede, ocurre una recombinación de huecos y electrones cerca de la
unión NP; si este se ha polarizado directamente la luz que emiten puede ser
roja, ámbar, amarilla, verde o azul dependiendo de su composición.

Diodo láser

Los diodos láser, también conocidos como láseres de inyección o ILD’s.

Son LED’s que emiten una luz monocromática, generalmente roja o
infrarroja, fuertemente concentrada, enfocada, coherente y potente. Son
muy utilizados en computadoras y sistemas de audio y video para leer
discos compactos (CD’s) que contienen datos, música, películas, etc., así
como en sistemas de comunicaciones para enviar información a través de
cables de fibra óptica. También se emplean en marcadores luminosos,
lectores de códigos de barras y otras muchas aplicaciones.

29
Diodo estabilizador

Está formado por varios diodos en serie, cada uno de ellos produce una
caída de tensión correspondiente a su tensión umbral. Trabajan en
polarización directa y estabilizan tensiones de bajo valores similares a lo
que hacen los diodos Zéner.

Diodo túnelLos diodos túnel, también conocidos como diodos Esaki. Se

caracterizan por poseer una zona de agotamiento extremadamente delgada y
tener en su curva una región de resistencia negativa donde la corriente
disminuye a medida que aumenta el voltaje. Esta última propiedad los hace
muy útiles como detectores, amplificadores, osciladores, multiplicadores,
interruptores, etc,en aplicaciones de alta frecuencia.

Diodo pin

Su nombre deriva de su formación P(material P), I(zona intrínseca)y

N(material N). Los diodos PIN se emplean principalmente como resistencias
variables por voltaje y los diodos Gunn e IMPATT como osciladores.
También se disponen de diodos TRAPATT, BARITT, ILSA, etc.
Son dispositivos desarrollados para trabajar a frecuencias muy elevadas,
donde la capacidad de respuesta de los diodos comunes está limitada por
su tiempo de tránsito, es decir el tiempo que tardan los portadores de carga
en atravesar la unión PN. Los más conocidos son los diodos Gunn, PIN e
IMPATT.

30
Diodo backward

Son diodos de germanio que presentan en polarización inversa una zona de

resistencia negativa similar a las de los diodos túnel.

Diodo schottky

Los diodos Schottky también llamados diodos de recuperación rápida o de

portadores calientes, están hechos de silicio y se caracterizan por poseer una
caída de voltaje directa muy pequeña, del orden de 0.25 V o menos, y ser muy
rápidos. Se emplean en fuentes de potencia, sistemas digitales y equipos de alta
frecuencia.

2. EL TRANSISTOR BIPOLAR EN DC
El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas
BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN
muy cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje,
además de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La
denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones
negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

31
Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

2.1 ESTRUCTURA Y TEORÍA DE FUNCIONAMIENTO

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas:
la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones
son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N
en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un
terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.

La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta

de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector
rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados
en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor
resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor
una gran β.

2.1.1 CORRIENTES INTERNAS, EXTERNAS Y LA RELACION ENTRE ELLAS

En un transistor bipolar uno de los aspectos más interesantes para su análisis y
uso es el conocer las relaciones existentes entre sus tres corrientes (IE, IB e IC).
En la ecuación I tenemos una primera relación. Otras relaciones se pueden
obtener definiendo una serie de parámetros dependientes de la estructura del
propio transistor.

Definimos los parámetros α y β (de continua) como la relación existente entre la

corriente de colector y la de emisor, o la de emisor y la de base, es decir:

32
Operando podemos relacionar ambos parámetros de la siguiente forma:

En general el parámetro α será muy próximo a la unidad1 (la corriente de emisor

será similar a la de colector) y el parámetro β tendrá un valor elevado

2.1.2 TENSION EN LOS TERMINALES DEL TRANSISTOR

En un transistor PNP, se da una tensión positiva al terminal del emisor y la
corriente fluye desde el emisor al colector, dado que hay flujo de corriente negativo
suficiente desde la base.

En un transistor NPN, se da una tensión positiva al terminal de colector y la

corriente fluye desde el colector al emisor, dado que hay suficiente corriente de
base.

33
2.1.3 CORRIENTE DE FUGA Y EFECTO DE TEMPERATURA
Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga y es Ico
(corriente Ic con la terminal del emisor abierta

El voltaje en los terminales de unión entre emisor y base decrecen en 2mV por
casa 1ºc de

Y Calentamiento siempre que la unión opere en corriente constante

2.2 MODELO DC
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y
tensiones: continúa y alterna. La componente en continua o DC polariza al
transistor en un punto de trabajo localizado en la región lineal. Este punto está
definido por tres parámetros: ICQ, IBQ y VCEQ.

2.3 CONFIGURACIONES (BJT), SUS CURVAS, REGIONES Y LÍMITES DE

OPERACIÓN
Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse de manera que quede
una terminal común en su circuito de polarización; es decir, un elemento que
forma parte tanto de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser
cualquiera de las tres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Así
entonces, se tienen tres configuraciones:

34
 Configuración de Base Común:

La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base)

La terminología de la base común se deriva del hecho de que la base es común

tanto a la entrada como a la salida de la configuración. Para describir el
comportamiento de un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos
de características, uno para la entrada y otro para la salida.

Configuración de Emisor Común:

El emisor es común tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-

emisor). La entrada está en la base y la salida en el colector. La terminología
emisor común se deriva del hecho de que el emisor es común tanto a la entrada
como a la salida de la configuración. Para describir el comportamiento de un

35
dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno
para la entrada y otro para la salida.

Configuración de Colector Común:

El colector es común tanto a la entrada (base-colector) como a la salida (emisor-

colector). La entrada está en la base y la salida en el emisor. La terminología
colectora común se deriva del hecho de que el colector es común tanto a la
entrada como a la salida de la configuración. Para describir el comportamiento de
un dispositivo de tres terminales, se requiere de dos conjuntos de características,
uno para la entrada y otro para la salida. El conjunto de características de entrada
para el amplificador de colector común relacionara la corriente de entrada.

36
 Regiones operativas del transistor

Región activa directa en cuanto a la polaridad:

corriente del emisor = (β + 1)·Ib ; corriente del colector= β·Ib

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte

entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la
corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las resistencias que se
encuentren conectadas en el colector y emisor. Esta región es la más importante
si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador de señal.

37
Región inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en modo activo, el

transistor bipolar entra en funcionamiento en modo inverso. En este modo, las
regiones del colector y emisor intercambian roles. Debido a que la mayoría de los
BJT son diseñados para maximizar la ganancia de corriente en modo activo, el
parámetro beta en modo inverso es drásticamente menor al presente en modo
activo.

Región de corte:

Un transistor está en corte cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de
voltaje, ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente
de base = 0 (Ib =0)

De forma simplificada, se puede decir que el la unión CE se comporta como un

circuito abierto, ya que la corriente que lo atraviesa es cero.

Región de saturación:

Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector ≈ corriente de emisor = corriente máxima, (Ic ≈ Ie = Imáx)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
Ley de Ohm. Se presenta cuando la diferencia de potencial entre el colector y el
emisor desciende por debajo del valor umbral VCE, sat. Cuando el transistor esta
en saturación, la relación lineal de amplificación Ic=β·Ib (y por ende, la relación
Ie=(β+1)·Ib ) no se cumple.

De forma simplificada, se puede decir que la unión CE se comporta como un

cable, ya que la diferencia de potencial entre C y E es muy próxima a cero.

38
 CURVAS CARACTERÍSTICAS EN BASE COMÚN.

Curvas características de entrada.

Vamos a ver las curvas características de entrada para un transistor BJT pnp. Los

sentidos positivos de tensiones y corrientes

En las curvas características de entrada en base común se representa

Estas curvas aparecen representadas. En principio, si observamos, es como si

tuviésemos la curva característica correspondiente a la unión de emisor [IE =
f(VEB)], sin embargo, la relación entre estas dos variables se ve influenciada por
la tensión que tenemos a la salida (VCB). Así, no tenemos una única curva, sino
que tenemos una familia de curvas en función de la tensión VCB.

Curvas características de salida.

39
 CURVAS CARACTERÍSTICAS EN EMISOR COMÚN

No obstante, esta dependencia de IC con VCB es apenas apreciable ya que

aunque, efectivamente se produzca un aumento de , el valor del mismo siempre
será muy próximo a la unidad por lo que se seguirá cumpliendo.

Curvas características de entrada.

En la figura aparecen representados los convenios de tensiones y corrientes

positivas que se han tenido en cuenta para representar las distintas curvas.
Nótese que a diferencia del caso anterior ahora vamos a trabajar con un transistor
npn.

40
Como se puede ver en la figura, no hay una única curva que relacione IB con

VBE, sino que hay una familia de curvas en función de VCE. De nuevo, al igual
que en el caso anterior, este desdoblamiento de curvas se debe al efecto Early.

Curvas características de salida

41
En las características de salida en emisor común se representa

Es por ello que van a haber grandes diferencias para cada transistor individual

dentro de la misma familia, esto es, dos transistores idénticos (misma numeración,
del mismo fabricante, en principio, exactamente iguales) pueden tener valores de
completamente dispares.

Anteriormente se analizó que un aumento de la polarización inversa de la unión

de colector (en este caso mediante un aumento de la tensión VCE) trae consigo
una disminución de la anchura efectiva de la base, lo que se traduce en un
aumento del α del transistor. En las curvas de salida en base común las corrientes
implicadas eran IC e IE que estaban relacionadas precisamente mediante α (IC =
αIE).

2.4 CIRCUITO DE POLARIZACION DEL BJT

La polarización del transistor consiste en aplicar las tensiones adecuadas a las

uniones de emisor-base y colector -base que permitan situar al transistor en la

región de funcionamiento adecuada a la aplicación que se persigue, en ausencia
de la señal de entrada. Si la aplicación que se persigue es la utilización del
transistor como amplificador, situaremos el punto de trabajo en aquella zona
dónde tenga un comportamiento más o menos lineal. Como ya se ha visto en la
curva de puntos característicos del transistor, este comportamiento se puede
apreciar en la zona activa.

42
Aplicando una señal variable a la unión base-emisor (VBE) obtenemos una
corriente de salida, en este caso IC, de forma muy semejante a la señal aplicada.
Si lo que se pretende es que el transistor se comporte como un circuito abierto,
situaremos el punto de funcionamiento en la región de corte. En esta región para
cualquier variación de la tensión VBE, obtendremos la misma corriente IC, cuyo
valor es tan pequeño que se puede considerar cero. De igual modo, si lo que se
busca es el comportamiento como cortocircuito, nos situaremos en la zona de
saturación, dónde podemos obtener cualquier valor de IC sin cambios apreciables
en la tensión VBE. Una vez elegida la zona de funcionamiento, hay que procurar
que el punto de trabajo sea lo más estable posible, con el fin de asegurar su
correcto funcionamiento para un amplio rango de señales de entrada.

43
2.4.1 RECTA DE CARGA DC Y PUNTO DE OPERACIÓN
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensión del diodo. Las rectas de carga son especialmente útiles para
los transistores, por lo que más adelante se dará una explicación más detallada
acerca de ellas.

Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de

forma gráfica, esto es calculando su recta de carga.

44
Para cada transistor existe una región de operación sobre la característica, la cual
asegurará que los valores nominales máximos no sean excedidos y la señal de
salida exhibe una distorsión mínima.

2.5 EL TRANSISTOR BIPOLAR COMO INTERRUPTOR

La función del transistor como interruptor es exactamente igual que la de un
dispositivo mecánico: o bien deja pasar la corriente, o bien la corta.

La polarización de base es muy útil en los circuitos digitales, la razón es que, por

lo general, estos circuitos se diseñan para funcionar en las regiones de saturación

y corte. Por ello, se va a obtener a la salida una tensión próxima a la de
alimentación (valor alto de tensión) y también próxima a cero (valor bajo de
tensión). Dicho de otra manera, no se emplea ningún punto Q que no esté situado
en la región de saturación o corte, por lo que la estabilidad de dicho punto pasa a
un segundo plano. En la figura 4.49a se muestra un esquema de polarización de
base al cual se le aplica una tensión vi que puede tomar valores muy altos,
próximos a VCC, o bien próximos a cero.

Si en dicho circuito se hace que vi = 0, la tensión en la unión emisor-base no será

suficiente para que haya una corriente de base apreciable, por lo que se puede
considerar que IB = 0, y en consecuencia IC = 0.

45
En esta situación, la caída de tensión en la resistencia de colector será nula, y
toda la tensión de alimentación, VCC, la tenemos en los terminales de colector y
emisor, por tanto, a la salida, V0 = VCC. Esta situación se corresponde con el
punto de trabajo Q1 mostrado en la fig.4.49b. Por el contrario, si vi = VCC, la
corriente de base será muy elevada, al igual que IC, llevando el transistor a la
zona de saturación, posición representada por Q2. En esta zona VCE 0,2V,
valor que se puede considerar cero en comparación con las tensiones que
estamos manejando y, por tanto, V0 = 0. Se han representado los circuitos
equivalentes del transistor trabajando en ambas situaciones. Si vi = 0 el transistor
se comporta como un circuito abierto (4.50a) y si vi = VCC se puede considerar al
transistor como un cortocircuito (4.50b).

Circuito equivalente del transistor, (a) trabajando en la zona de corte, (b)

trabajando en saturación.

2.6 HOJA DE ESPECIFICACIONES TECNICAS

46
47
48
 3. Transistor de Efecto de campo FET
3.1 Estructura y teoría de funcionamiento
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET
(Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:

 Transistor de Efecto de Campo de Unión: JFET (Junction Field Effect Transistor)

 Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal

Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).

49
El FET es un dispositivo unipolar, ya que la corriente existe tanto en forma de
electrones como de huecos. En un FET de canal n, la corriente se debe a
electrones, mientras que en un FET de canal p, se debe a huecos. Ambos tipos de
FET se controlan por un voltaje entre la compuerta y la fuente.

Al comparar el FET con el BJT se aprecia que el drenaje (D) es análogo al

colector, en tanto que la fuente (S) es análoga al emisor. Un tercer contacto, la
compuerta (G), es análogo a la base. La fuente y el drenaje de un FET se pueden
intercambiar sin afectar la operación del transistor.

3.1.1 El FET de unión (JFET)

Estructura Básica.
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
 JFET de canal n
 JFET de canal p
En la Figura. se ha representado la construcción básica de un JEFT de canal n.

50
Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n
ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en ambos
extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre
dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con
sendos contactos óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos
casos los dos terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta)
aunque lo más habitual es que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo
un único terminal de puerta (dispositivo de tres terminales)
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin
polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de deflexión (región
carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar
en el diodo la unión p-n en ausencia de polarización.

D =

Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p).

S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.

G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la

corriente de portadores a través del canal.

51
3.1.2 El MOSFET de agotamiento (D-MOSFET)
MOSFET de Deflexión. Vamos a continuar con el siguiente gran grupo de
transistores MOSFET, en este caso, el MOSFET de deflexión o empobrecimiento.

Estructura Básica. Estructura básica del MOSFET de deflexión canal n.

Como podemos observar en la Figura. la estructura básica para un MOSFET de

deflexión es similar al caso del de deflexión, con la importante diferencia de que en
este caso disponemos de un canal inicial realizado en el proceso de fabricación
del dispositivo.

Principio de Funcionamiento.

Funcionamiento del MOSFET de deplexión canal n.

52
En este caso, si aplicamos una tensión VGS > 0, se atraerán más electrones hacia
la zona de la puerta y se repelerán más huecos de dicha zona, por lo que el canal
se ensanchará. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el caso del
MOSFET de acumulación, es decir, para valores VGS > 0 el MOSFET de deflexión
tiene un comportamiento de acumulación. Si por el contrario damos valores VGS <
0 el efecto será el contrario, disminuyéndose la anchura del canal. En definitiva,
volvemos a tener de nuevo un efecto de modulación de la anchura de un canal en
función de una tensión aplicada VGS. Sin embargo, si seguimos disminuyendo el
valor de VGS podrá llegar un momento en que el canal desaparezca por completo,
esto sucederá cuando VGS disminuya por debajo de un valor VGSoff.

3.1.3 El MOSFET de Enriquecimiento (E-MOSFET)

Estructura Básica. Como podemos ver en la Figura. en la que aparece
representada la estructura básica para un MOSFET de canal n, partimos de una
zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con
contactos metálicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja
representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso óxido de
silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una
zona metálica (correspondiente al contacto óhmico) una zona de óxido y una zona
de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dónde le viene el
nombre al dispositivo de Metal – Óxido – Semiconductor (MOS). Además, este
dispositivo tendría un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque
habitualmente éste se encuentra conectado a la fuente. Es preciso que notemos
una característica fundamental de este dispositivo y es que la puerta está aislada
eléctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexión eléctrica entre la puerta y
el sustrato.

53
Influencia de VGS. A diferencia de lo hecho con el JFET, vamos a comenzar en
este caso con el efecto de la influencia de la tensión VGS. Para ello vamos a

suponer en un principio VDS = 0 En primer lugar, si aplicamos una tensión VGS

=0, (Figura a) aunque apliquemos una tensión VDS no circulará corriente alguna
por el dispositivo, ya que la unión de drenador está polarizada en inversa.

Efecto de VGS; a) VGS = 0 b) VGS > 0.

Sin embargo, cuando VGS >0 aparece un campo eléctrico que lleva a los
electrones hacia la zona de la puerta y aleja de dicha zona a los huecos, no
pudiéndose establecer una corriente por estar la puerta aislada. Para valores
pequeños de esta tensión VGS aplicada se creará una zona de carga de espacio

54
(sin portadores), sin embargo, si seguimos aumentando el valor de esta tensión, la
acumulación de electrones se hará lo suficientemente importante como para decir
que tenemos una zona n, es decir, se formará un canal de tipo n que unirá los
terminales de drenador y fuente (Figura a). De esta forma, cuanto mayor sea la
tensión VGS aplicada mayor será la anchura del canal formado, es decir, de nuevo
tenemos un efecto de modulación de anchura del canal con la tensión VGS.
Por otra parte, vemos que en este dispositivo se produce un efecto de variación de
una carga almacenada con una tensión aplicada. Este es precisamente el efecto
que se produce en un condensador. De esta forma, estamos viendo que, de
alguna manera, este dispositivo puede comportarse como un condensador.
Si ahora nos fijamos en la Figura b al estar los terminales de fuente, sustrato y
drenador a la misma tensión (por ser VDS = 0) las tensiones VGS y VGD serán
iguales, y por lo tanto el canal simétrico respecto de la puerta.

Efecto de VGS.

Por tanto, vemos que con la tensión VGS podemos modular la anchura del canal,
pero no basta con que esta tensión sea positiva, sino que deberá superar un de
terminado nivel de tensión. A esta tensión umbral a partir de la cual hay canal
formado que permite la circulación de corriente entre el drenador y la fuente en
algunos libros se le suele llamar VT (tensión de threshold). Aunque en realidad
tiene el mismo significado que la tensión VGSoff vista para el transistor JFET, ya
que en ambos casos se trata del valor mínimo de tensión para el que existe canal
que permite la circulación de corriente.

55
- Influencia de VDS. Si una vez que se ha formado el canal aplicamos una tensión
positiva, por el canal circulará una corriente ID en el sentido del drenador hacia la
fuente. Si ahora nos fijamos en la relación de tensiones VDS = VGS - VGD , al ser
VDS > 0 tendremos que VGD < VGS , por lo tanto la anchura del canal será menor
del lado del drenador.

Efecto de la tensión VDS. El canal se estrecha más de la zona del drenador.

De nuevo el comportamiento es el mismo que hemos visto anteriormente para el

JFET. Para valores de tensión VDS pequeños, el estrechamiento del canal no será
importante, por lo que la relación entre la tensión aplicada y la corriente que circula
será lineal tal y como establece la Ley de Ohm. A medida que el valor de VDS
aumente, el estrechamiento comenzará a ser importante, variando la resistencia
que presenta el canal y perdiendo la linealidad de la característica. Hasta que la
tensión VDS alcance el valor de VDSsat, momento en el cual el canal se habrá
cerrado por completo. A partir de este instante, si seguimos aumentando la tensión
VDS, por encima de este valor VDSsat, la corriente ID se mantiene constante.

56
 Característica ID - VDS para una valor de VGS constant.

De nuevo, la corriente no se anula al cerrarse el canal, ya que si ello sucediese

drenador y fuente estarían al mismo potencial, lo que implicaría que VGS y VGD
serán iguales y por lo tanto el canal simétrico respecto a la puerta, es decir, la
situación en la que estábamos con VDS = 0.

57
3.3 Configuraciones del JFET, sus curvas, regiones y límites de operación.
Influencia de VDS.
En primer lugar, vamos a estudiar el efecto que sobre el dispositivo tiene la
variación de la tensión VDS aplicada entre los extremos del canal. Para ello vamos
a suponer que inicialmente la tensión VGS = 0 y vamos a ir aumentando el valor
de VDS desde 0.

Al establecer una tensión VGS = 0 los terminales de fuente y puerta están al

mismo potencial, por tanto, la zona de deflexión del lado de la fuente será
semejante a la que teníamos en condiciones de no polarización. En el instante en
que apliquemos una tensión VDS, los electrones se verán atraídos hacia el lado
del drenador, estableciéndose una corriente ID en el sentido mostrado en la
Figura. Bajo estas condiciones las corrientes ID e IS serán iguales y se verán
únicamente limitadas por la resistencia eléctrica que presenta el canal entre el
drenador y la fuente. Es importante notar que ambas uniones p-n se encuentran
polarizadas en inversa, con lo cual la corriente a su través será prácticamente
nula.

Para valores pequeños de la tensión VDS aplicada, el estrechamiento del canal no

será importante, por lo que el dispositivo se comporta, en esencia, como una
resistencia de forma que la relación entre la tensión aplicada y la corriente que
circula por el dispositivo será lineal tal y como establece la Ley de Ohm. Sin
embargo, a medida que aumentamos la tensión aplicada, el estrechamiento del
canal se va haciendo más importante, lo que lleva consigo un aumento de la
resistencia y por tanto un menor incremento en la corriente ante un mismo
incremento de la tensión aplicada.

58
 Característica ID – VDS con VGS = 0.

Influencia de VGS.
Una vez establecida la variación de la corriente ID por el dispositivo en función de
la tensión VDS cuando VGS = 0, para completar el análisis, tenemos que estudiar
el comportamiento del JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por
ser JFET de canal n). El funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy
similar al que tiene con VGS = 0, con alguna pequeña modificación.

59
 La tensión VGS modula la anchura del canal.

Cuando VGS = VGSoff el canal se cierra por completo.

En las curvas características podemos distinguir 4 zonas bien diferenciadas:

 Zona de corte o de no conducción.

 Zona óhmica o de no saturación.
 Zona de saturación o de corriente constante.
 Zona de ruptura.

60
3.4. Circuito de polarización del JFET.

3.4.1. Recta de carga DC y punto de operación

61
62
3.5. Circuitos de polarización del (D-MOSFET)

Polarización del MOSFET de deplexión.

3.6. Circuitos de polarización del (E-MOSFET)

63
3.7. JFET como un interruptor.

Cuando un interruptor simple está en condición ON, es ese comportará como un

cortocircuito y, por lo tanto, la caída de voltaje en el interruptor es cero. Por lo
tanto, cualquiera que sea la corriente a través del interruptor, no habrá pérdida de
energía en el interruptor. Por otro lado, cuando un interruptor está en condición de
apagado, el interruptor se comporta como un circuito abierto, por lo que la
corriente a través del interruptor es cero, por lo que la pérdida de energía en este
caso también es cero.

Ahora, si usamos un JFET como interruptor, debemos establecer que también hay
una pérdida de potencia muy baja en todo el JFET durante el modo de conducción
y sin conducción.

Esto solo es posible si el JFET está operando en su región óhmica y de corte.

Aquí hay que señalar otro punto que, en JFET, la corriente de la compuerta es
siempre cero, independientemente de su modo de conducción o de no
conducción. Así que no hay pérdida de potencia causada por la señal de la puerta.

Así que podemos decir que el transistor de efecto de campo de unión se comporta
como un interruptor cuando se opera en la región óhmica y de corte de su
característica.

64
3.8. Hoja de datos técnicos JFET y MOSFET

65
66
67
5. Otros componentes electrónicos

5.1 Amplificador operacional:

Un amplificador operacional, a menudo conocido op-amp por sus siglas en inglés

(operational amplifier) es un dispositivo amplificador electrónico de
alta ganancia acoplado en corriente continua que tiene dos entradas y una salida.
En esta configuración, la salida del dispositivo es, generalmente, de cientos de
miles de veces mayor que la diferencia de potencial entre sus entradas.

Los diseños varían entre cada fabricante y cada producto, pero todos los
amplificadores operacionales tienen básicamente la misma estructura interna, que
consiste en tres etapas:

1. Amplificador diferencial: es la etapa de entrada que proporciona una baja

amplificación del ruido y gran impedancia de entrada. Suelen tener una
salida diferencial.
2. Amplificador de tensión: proporciona ganancia de tensión.
3. Amplificador de salida: proporciona la capacidad de suministrar la corriente
necesaria, tiene una baja impedancia de salida y, usualmente, protección
frente a cortocircuitos. Éste también proporciona una ganancia adicional.

El concepto del amplificador operacional surgió hacia 1947, como un dispositivo

construido con tubos de vacío, como parte de las primeras computadoras
analógicas dentro de las cuales ejecutaban operaciones.
matemáticas (suma, resta, multiplicación, división, integración, derivación, etc.), de
lo cual se originó el nombre por el cual se le conoce. El primer amplificador
operacional monolítico construido como circuito integrado, fue desarrollado en
1964 en la empresa Fairchild Semiconductor por el ingeniero electricista
estadounidense Robert John Widlar y llevó el número de modelo μA702.

68
5.1.1 Aplicación lineal:

De acuerdo a sus características operativas, el amplificador operacional puede

configurarse de acuerdo a una tarea específica. Entre las aplicaciones lineales
más importantes tenemos; el amplificador como inversor, no inversor, sumador,
derivador o diferenciador e integrador.

Es probable que el más utilizado de los circuitos sea el amplificador sumador; en

éste, la salida está dada por una combinación lineal de cada una de las entradas.
Mediante este circuito es posible sumar algebraicamente los voltajes de cada una
de las entradas, multiplicado por un factor de ganancia constante dado por Rf / Rk.

5.2 Reguladores integrados:

En ingeniería automática, un regulador es un dispositivo que tiene la función de

mantener constante una característica determinada del sistema. Tiene la

69
capacidad de mantener entre un rango determinado una variable de salida
independientemente de las condiciones de entrada.

Algunos ejemplos de reguladores automáticos son un regulador de tensión (el cual

puede mantener constante la tensión de salida en un circuito independientemente
de las fluctuaciones que se produzcan en la entrada, siempre y cuando estén
dentro de un rango determinado), un regulador de gas, una llave de paso de
cualquier fluido (donde se regula el flujo del fluido que sale por ella), un regulador
de buceo(que mantiene el aire que respira un buceador constantemente a la
presión del agua que le rodea, en función de la profundidad) y un regulador de
combustible (que controla el suministro de combustible a un motor).

Los reguladores pueden ser diseñados para el control

desde gases o fluidos hasta luz o electricidad. El control puede realizarse de forma
electrónica, mecánica o electromecánica.

5.2.1 Reguladores integrados fijos:

En la mayoría de las aplicaciones se requiere una tensión fija y estable de un

determinado valor. La línea de reguladores ideales para este tipo de necesidades
es la conocida como LM78XX. Las primeras letras y dos números corresponden a
la denominación, mientras que las dos últimas XX deben ser reemplazados por la
tensión de salida requerida.

Cada uno de estos dispositivos posee sólo tres terminales, uno corresponde a la
entrada de tensión no regulada, otro es la salida regulada y el restante es la masa,
común a ambos. En cuanto al encapsulado, conviene aclarar que, si bien están
disponibles en varios tipos, generalmente se los suele encontrar en el
encapsulado del tipo TO-220, correspondiente a una corriente de salida de 1
amper.

Como se observa, sólo fueron agregados dos capacitores al circuito integrado.

Explicaremos la función de cada uno de ellos. C1, que se halla a la entrada del
regulador, filtra la tensión de posibles transitorios y picos indeseables, mientras

70
que C2, que se encuentra a la salida, disminuye la tensión de rizado de salida, a la
vez que evita oscilaciones.
En cuanto a la tensión de entrada, se puede ver que es de un rango muy amplio.
Por ejemplo, si el regulador elegido es uno de 12 voltios (LM7812), la tensión de
entrada podrá ser de entre 15 y 39 voltios.

5.2.2 Reguladores integrados ajustables:

Permiten establecer el voltaje de salida a un valor regulado deseado. El LM317 es

un conocido regulador de tensión muy versátil que permite ajustar su tensión de
salida con tan solo dos resistencias y permite una corriente de salida de hasta 1.5
Amperios.
Podemos utilizarlo en los proyectos que necesiten de una tensión de alimentación
específica o incluso para hacerse una pequeña fuente de alimentación de
laboratorio con muy pocos componentes.

Los reguladores de ajustables de tres terminales: permiten ajustar la tensión de

salida a partir de resistencias externas conectadas al terminal denominado
ADJUSTMENT o ADJ. Uno de los más utilizados es el LM317 (positivo) y el
LM337 (negativo) de la National Semiconductor capaces de proporcionar hasta 1.5
A de corriente de salida, otros ejemplos de estos reguladores son el LM338 de la
misma fabrica cuya corriente alcanza hasta 5 A, LT1038 de Linear
Technology y LM896 de 10 A de salida.

5.3 Dispositivos de la opto-electrónica:

La optoelectrónica es el nexo entre los sistemas ópticos y los
sistemas electrónicos. Los componentes opto-electrónicos son aquellos cuyo
funcionamiento está relacionado directamente con la luz.

La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica y la electrónica. Este

campo incluye a muchos dispositivos basados en la acción de una unión pn.

Los sistemas opto-electrónicos son cada vez más frecuentes, hoy en día parece
imposible mirar cualquier aparato eléctrico y no ver un panel lleno de luces o de

71
dígitos más o menos espectaculares. Por ejemplo, la mayoría de los walkman
disponen de un piloto rojo (LED) que nos avisa de que las pilas se han agotado y
que deben cambiarse. Los tubos de rayos catódicos con los que funcionan los
osciloscopios analógicos y los televisores, las pantallas de cristal líquido, los
modernos sistemas de comunicaciones mediante fibra óptica.

Los dispositivos opto-electrónicos se denominan opto aisladores o dispositivos de

acoplamiento óptico.

La optoelectrónica simplemente se dedica a todo objeto o cosa que esté

relacionado con la luz, como por ejemplo los teléfonos móviles, aparatos
electrónicos, etc.

5.3.1 Aplicaciones básicas con los leds, el foto-resistor, el foto-transistor,

orto-acopladores:
Leds:

 Alumbrado decorativos: se podrá decorar el ambiente que uno desee de

maneras ilimitadas. Se podrán utilizar luces de distintos tipos y colores para
dejar el lugar de forma alucinante.
 Alumbrado para suelos, pavimentos, baños: Ya que cada una de estas
estancias tendrá una iluminación diferente y propia acorde con sus
características.
 Alumbrado de exteriores: Tiene un buen rendimiento y soporta bien las
condiciones ambientales a comparación de otros focos de energía.
 Zonas comprometidas en horarios nocturnos: Se pueden configurar las
luces, controladas por sensores de movimiento para que estas se
enciendan automáticamente cuando este detecte algo.
 Seguridad: como en el ítem anterior, se pueden programar las luces para
que en cierto rango horario proporcionen una iluminación adecuada
constante para poder persuadir cualquier intento de robo, creando la
sensación de que la casa está habitada sin realmente ser cierto.

72
Foto-resistor:

Un fotorresistor o fotorresistencia es un componente electrónico

cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede
también ser llamado fotoconductor, célula fotoeléctrica o resistor dependiente de la
luz, cuyas siglas, LDR, se originan de su nombre en inglés light-dependent
resistor. Su cuerpo está formado por una célula fotorreceptora y dos patillas. En la
siguiente imagen se muestra su símbolo eléctrico.

Su funcionamiento se basa en el efecto fotoeléctrico. Un fotorresistor está hecho

de un semiconductor de alta resistencia como el sulfuro de cadmio, CdS. Si la luz
que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por
las elasticidades del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía
para saltar la banda de conducción. El electrón libre que resulta, y su hueco
asociado, conducen la electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Los
valores típicos varían entre 1 MΩ, o más, en la oscuridad y 100 Ω con luz brillante.

Foto-transistor:

Los fototransistores y fotodiodos son transductores electroópticos estrechamente

relacionados que convierten la luz incidente en corriente eléctrica en aplicaciones
tales como detección de posición/presencia, medición de intensidad de luz y
detección de pulso óptico de alta velocidad. Sin embargo, para aprovechar al
máximo estos dispositivos, los diseñadores deben prestar especial atención a los
circuitos de interfaz, la longitud de onda y la alineación mecánica óptica.

Por ejemplo, se necesitan circuitos de interfaz apropiados para extraer la corriente

máxima en diferentes intensidades y condiciones. Sin embargo, la aplicación
efectiva también requiere una comprensión de sus principios de funcionamiento y
cómo difieren los fototransistores y fotodiodos.

Este artículo discutirá los principios de funcionamiento de estos dispositivos,

algunas de las consideraciones paramétricas críticas y algunos de los matices

73
más finos de la aplicación del dispositivo, junto con algunas soluciones de
ejemplo.

Opto-acopladores:
Un opto-acoplador optoaislador es un componente electrónico de tipo óptico
pasivo que está diseñado para transferir señales eléctricas utilizando ondas de
luz y así proporcionar un acoplamiento con aislamiento eléctrico entre su
entrada y salida.
El propósito principal de un opto-acoplador es proteger al circuito de salida
frente a picos de voltajes o tensiones elevadas en su entrada que pueden dañar
al otro circuito.
Un opto-acoplador contiene, por lo general, un LED que convierte la señal
eléctrica de entrada en luz y un sensor que detecta la luz del LED.
El sensor se trata de un componente opto-electrónico, normalmente un
fototransistor o un fototriac, que modula la corriente eléctrica de salida en
función de la intensidad lumínica del LED.
En resumidas cuentas, podemos entender al optoacoplador como un dispositivo
de transmisión de señales que aísla eléctricamente dos circuitos de manera
óptica.
Otro elemento muy común en el aislamiento de señales es el transformador, sin
embargo, éste proporciona un aislamiento de carácter magnético.

Como funciona un opoto-acoplador:

El funcionamiento de un optoaislador es muy sencillo. Para que funcione,
primero se debe de aplicar una corriente a su entrada, lo que hace que el LED
emita una luz proporcional a dicha corriente.
Esta luz es transmitida por el encapsulado hasta incidir en el sensor o
fotodetector. Si la cantidad de luz alcanza un nivel adecuado, el sensor entrará
en saturación permitiendo que la corriente circule por el circuito de salida.
Este dispositivo funciona básicamente como un interruptor, conectando dos
circuitos aislados ópticamente. Cuando la corriente deja de fluir a través del
LED, el dispositivo fotosensible también deja de conducir y se apaga.

74
5.4 Sensores:
Un sensor es todo aquello que tiene una propiedad sensible a una magnitud del
medio, y al variar esta magnitud también varía con cierta intensidad la propiedad,
es decir, manifiesta la presencia de dicha magnitud, y también su medida.

Un sensor en la industria es un objeto capaz de variar una propiedad ante

magnitudes físicas o químicas, llamadas variables de instrumentación, y
transformarlas con un transductor en variables eléctricas. Las variables de
instrumentación pueden ser por ejemplo: intensidad lumínica, temperatura,
distancia, aceleración, inclinación, presión, desplazamiento, fuerza, torsión,
humedad, movimiento, pH, etc. Una magnitud eléctrica puede ser una resistencia
eléctrica (como en una RTD), una capacidad eléctrica (como en un sensor de
humedad), una tensión eléctrica (como en un termopar), una corriente eléctrica ,
etc.

Un sensor se diferencia de un transductor en que el sensor está siempre en

contacto con la magnitud que la condiciona o variable de instrumentación con lo
que puede decirse también que es un dispositivo que aprovecha una de sus
propiedades con el fin de adaptar la señal que mide para que la pueda interpretar
otro dispositivo. Por ejemplo el termómetro de mercurio que aprovecha la
propiedad que posee el mercurio de dilatarse o contraerse por la acción de la
temperatura. Un sensor también puede decirse que es un dispositivo que convierte
una forma de energía en otra.

Áreas de aplicación de los sensores: Industria automotriz, robótica, industria

aeroespacial, medicina, industria de manufactura, etc.

Los sensores pueden estar conectados a un computador para obtener ventajas

como son el acceso a la toma de valores desde el sensor, una base de datos, etc.

75
5.4.1 Aplicaciones básicas con sensores de temperatura, de presión, de
humedad, de iluminación.

Sensores de temperatura:

Los sensores de temperatura se utilizan en diversas aplicaciones tales como

aplicaciones para la elaboración de alimentos, climatización para control
ambiental, dispositivos médicos, manipulación de productos químicos y control de
dispositivos en el sector automotriz (p. ej., refrigerantes, ingreso de aire,
temperaturas del cabezal de cilindro, etc.). Los sensores de temperatura se
utilizan para medir el calor para asegurar que el proceso se encuentre, o bien
dentro de un cierto rango, lo que proporciona seguridad en el uso de la aplicación,
o bien en cumplimiento de una condición obligatoria cuando se trata de calor
extremo, riesgos, o puntos de medición inaccesibles.

Hay dos variedades principales: sensores de temperatura con contacto y sin

contacto. Los sensores de contacto incluyen termopares y termistores que hacen
contacto con el objeto a medir, y los sensores sin contacto se encargan de medir
la radiación térmica emitida por una fuente de calor para determinar su
temperatura. Este último grupo mide la temperatura a distancia y a menudo se
utilizan en entornos peligrosos.

Sensores de presión:

Un sensor de presión es un dispositivo para medir la

presión de gases o líquidos. La presión es una expresión de la fuerza requerida
para parar un fluido que está en expansión, y es normalmente medido en términos
de fuerza por unidad de área. Un sensor de presión generalmente actúa como
transductor; genera una señal en función de la presión impuesta. Para los
propósitos de este artículo, tal señal es eléctrica.

Los sensores de presión se utilizan para controlar y monitorear miles de

aplicaciones diarias. Los sensores de presión también se pueden usar para medir
indirectamente otras variables como el flujo del fluido/gas, la velocidad, el nivel de
agua y la altitud. Dichos sensores de presión también pueden

76
denominarse transductores de presión, transmisores de presión, indicadores de
presión, piezómetros, manómetros, entre otros nombres.

Sensores de humedad:
En las aplicaciones concretas de los instrumentos de medición de humedad las
especificaciones del fabricante siempre pierden algo de significación. Las
condiciones de operación no ideales afectan de alguna manera hasta
el sistema más preciso, estas condiciones incluyen los siguientes factores:

 Efectos de la temperatura: Casi todos los higrómetros son calibrados a una

temperatura ambiente fija. usualmente esta temperatura es de 25°C ±1°C por lo
tanto las variaciones en la temperatura pueden afectar los resultados de la
medición. Muchos sistemas compensan este efecto ya sea electrónicamente o
controlando la temperatura del sensor.
 Electrónica: La instrumentación electrónica moderna es inmune a la
temperatura ambiente en los rangos normales. Sin embargo grandes
oscilaciones de temperatura pueden causar errores en diversos componentes
electrónicos.
 Presión: Los efectos de la presión son más fáciles de cuantificar y por lo tanto
más fáciles de corregir que los efectos de la temperatura. Si se conoce
el valor de la presión en el punto de medición su efecto puede corregirse
totalmente a condición de que la naturaleza del gas y su comportamiento con la
presión sean conocidos.
 Caudal de gas: En teoría el caudal no debería afectar el nivel de humedad
medido, pero en la práctica así ocurre. El excesivo caudal de gas en sistemas
entubados puede producir gradientes de presión. Se debe tener cuidado para
asegurar que el sistema de muestreo pueda acomodarse a las distintas
condiciones de trabajo.
 Contaminacion

77
Sensores de iluminación:

Para medir exactamente la iluminación se necesitan utilizar sensores digitales, Le

recomendamos el modelo TSL235R disponible por unos pocos dólares en el robot
de Italia y otros minoristas.
La tensión de alimentación, De 4.5 en 5.5 voltios, y el diseño de cableado son las
mismas de los conectores del sistema Theremino (Vdd GND-marrón/rojo/amarillo-
Out -) por qué este sensor puede ser conectado directamente con los cables
estándar. Para medir la iluminación baja, usted puede utilizar el tipo de perno
“Contador” está disponible en todos los. A medir hasta la máxima iluminación (1k
uW/cm2) Debe utilizar el tipo de perno “Fast_Counter” en uno de los Pin maestro 1
en 10. o en el pin 8 los esclavos “Criado” o en el pin 7 los esclavos “Genérico”.

El cronómetro de cuenta ascendente entonces debe ser convertido de frecuencia,

activando la casilla correspondiente, un promedio de tiempo, reducir el valor
“Velocidad de respuesta” en un valor lo suficientemente bajo como (generalmente
a partir de 10 en 30). Para estabilizar aún más el valor medido puede pulsar
también el botón “Velocidad de respuesta”.

78