Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Gabriel Silva, Mário Gamelas, João Felipe Rabelo, Lucas Bulhosa e Murilo Silva
Faculdade de Engenharia Elétrica do Pará, Universidade federal do Pará, Rua Augusto Corrêa,
Guamá, 66075-110, Belém, Pará, Brasil.
gabrielbssilva1@gmail.com
Para ler a informação armazenada, basta aplicar uma tensão intermediária na porta de controle, assim
como é feito em um MOSFET comum. Se existir uma corrente elétrica entre a fonte e o dreno, isso
significa que o FGMOS está operando normalmente, sem influência da porta flutuante, e logo ele
armazena o valor lógico ‘1’. Caso a porta flutuante esteja dopada com elétrons, a tensão intermediária
aplicada na porta de controle não terá efeito sobre o canal, bloqueando a passagem de corrente,
implicando em um valor ‘0’ para este FGMOS.
O controle da porta flutuante é feito por métodos baseados na física quântica. Usando o tunelamento
de Fowler-Nordheim[4] é possível injetar elétrons na porta flutuante aplicando uma tensão alta o
suficiente para que a energia dos elétrons consiga superar a barreira do isolante. Um dos grandes
problemas da memória flash é como organizar os transistores para obter uma grande capacidade de
armazenamento em um espaço confinado. As associações NOR e NAND de células apresentam
característica distintas, necessitando de uma análise da aplicação para definir qual a mais apropriada para
o uso.
REFERÊNCIAS
1. CAVA, Carlos Eduardo. DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA BASEADOS EM NANOTUBOS DE
CARBONO PREENCHIDOS COM ÓXIDO DE FERRO. 2006. 75 f. Dissertação (Mestrado) -
Engenharia e Ciências dos Materiais, Universidade Federal do Paraná, Curitiba, 2006. Disponível
em: <http://www.pipe.ufpr.br/portal/defesas/dissertacao/117.pdf>. Acesso em: 10 nov. 2017.
2. CODÁ, Luiza Maria Romeiro. MEMÓRIA FLASH. São Paulo: Eesc Usp, [20--]. 15 p.
3. RIO DE JANEIRO. Desconhecido. Ufrj. Memórias ROM e RAM. Disponível em:
<http://www.dee.ufrj.br/cirlog/TextosCompl/memorias02.PDF>. Acesso em: 10 nov. 2017.
4. PAVAN, Paolo; BEZ, Roberto; OLIVO, Piero; ZANONI, Enrico. FLASH MEMORY CELLS —
AN OVERVIEW. 1997. Proceedings of the IEEE.