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Memória flash e o tunelamento quântico

Gabriel Silva, Mário Gamelas, João Felipe Rabelo, Lucas Bulhosa e Murilo Silva
Faculdade de Engenharia Elétrica do Pará, Universidade federal do Pará, Rua Augusto Corrêa,
Guamá, 66075-110, Belém, Pará, Brasil.
gabrielbssilva1@gmail.com

Resumo – Dentre os vários tipos de memória, as memórias flash tornaram-se bastante


populares em equipamentos portáteis como pen-drives, telefones celulares, players de
música e entre outros. A grande vantagem na utilização destes tipos de memória está na
capacidade de armazenar uma grande quantidade de informação sem a necessidade de
uma fonte de energia, além da alta resistência e ocupar cada vez menos espaço. Para isso,
a tecnologia utilizada nas memórias flash advém de estudos na área da mecânica quântica,
chamada de Tunelamento Quântico ou Efeito Túnel no qual partículas podem passar para
um estado de energia que a mecânica clássica não permitiria.

Há várias maneiras de se guardar informações eletronicamente, com diversas categorias e


subcategorias para caracterizar os tipos de memória. Nos dias atuais, um tipo de memória que vem sendo
cada vez mais utilizada é a flash, um tipo de memória ROM (Read-Only Memory – Memória somente de
leitura) e recebem este nome por terem dados gravados somente uma vez, não podendo ser apagadas,
somente lidas. No entanto, as memórias flash são uma forma de evolução dessa categoria, sendo do tipo
EEPROM (Electrically-Erasable Progammable Read-Only Memory), que são memórias ROM que
permitem serem apagadas e regravadas diversas vezes eletronicamente, não precisando de um aparelho
especial para tal. Além disso, uma outra característica dessa categoria é que elas são do tipo não-voláteis,
ou seja, guardam a informação caso não haja uma fonte de alimentação de energia, diferente das memórias
RAM (Random-Access Memory) que perdem seus dados quando é desligado da fonte [3].
Com isso, a memória flash consegue uma ampla vantagem em relação aos outros tipos, sendo uma
das mais utilizadas nos anos atuais, pela capacidade de ter um tamanho cada vez menor, grande
quantidade de informação, resistência e durabilidade e vários outros motivos. Sem a tecnologia utilizada
na memória flash, não haveriam tantos avanços na eletrônica com é vista hoje em dia [2]. As memórias
flash tradicionais utilizam Transistores MOSFET de Porta Flutuante (FG Transistor ou FGMOS), uma
tecnologia que embora apresente bom funcionamento, apresenta uma vida útil curta. Dessa forma, novas
tecnologias estão sendo pesquisadas para esses dispositivos, como por exemplo substituir as Portas
Flutuantes por Pontos Quânticos (PQs), em que os dados são armazenados através de confinamento
quântico de elétrons dentro desses PQs [1]. Para a gravar e deletar dados, é utilizado o Tunelamento
Quântico ou de Fowler-Nordheim.
A principal ideia do MOSFET é um dispositivo semicondutor que possa controlar a passagem de
corrente elétrica por meio de uma carga aplicada na sua terminal porta (Gate), e o FGMOS é fabricado
para reter a carga neste terminal, criando um efeito de memória. No FGMOS, a terminal porta é isolada
entre a porta de controle e o fluxo de elétrons entre a fonte e o dreno do transistor (Veja a Fig. 1). Esse
isolamento garante que os elétrons contidos dentro da porta flutuante não possam escapar sobre condições
normais.
Figura 1: Esquema simples de um FGMOS

Para ler a informação armazenada, basta aplicar uma tensão intermediária na porta de controle, assim
como é feito em um MOSFET comum. Se existir uma corrente elétrica entre a fonte e o dreno, isso
significa que o FGMOS está operando normalmente, sem influência da porta flutuante, e logo ele
armazena o valor lógico ‘1’. Caso a porta flutuante esteja dopada com elétrons, a tensão intermediária
aplicada na porta de controle não terá efeito sobre o canal, bloqueando a passagem de corrente,
implicando em um valor ‘0’ para este FGMOS.
O controle da porta flutuante é feito por métodos baseados na física quântica. Usando o tunelamento
de Fowler-Nordheim[4] é possível injetar elétrons na porta flutuante aplicando uma tensão alta o
suficiente para que a energia dos elétrons consiga superar a barreira do isolante. Um dos grandes
problemas da memória flash é como organizar os transistores para obter uma grande capacidade de
armazenamento em um espaço confinado. As associações NOR e NAND de células apresentam
característica distintas, necessitando de uma análise da aplicação para definir qual a mais apropriada para
o uso.

REFERÊNCIAS
1. CAVA, Carlos Eduardo. DISPOSITIVOS DE MEMÓRIA BASEADOS EM NANOTUBOS DE
CARBONO PREENCHIDOS COM ÓXIDO DE FERRO. 2006. 75 f. Dissertação (Mestrado) -
Engenharia e Ciências dos Materiais, Universidade Federal do Paraná, Curitiba, 2006. Disponível
em: <http://www.pipe.ufpr.br/portal/defesas/dissertacao/117.pdf>. Acesso em: 10 nov. 2017.
2. CODÁ, Luiza Maria Romeiro. MEMÓRIA FLASH. São Paulo: Eesc Usp, [20--]. 15 p.
3. RIO DE JANEIRO. Desconhecido. Ufrj. Memórias ROM e RAM. Disponível em:
<http://www.dee.ufrj.br/cirlog/TextosCompl/memorias02.PDF>. Acesso em: 10 nov. 2017.
4. PAVAN, Paolo; BEZ, Roberto; OLIVO, Piero; ZANONI, Enrico. FLASH MEMORY CELLS —
AN OVERVIEW. 1997. Proceedings of the IEEE.

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