Sunteți pe pagina 1din 299

UNIVERSITATEA TEHNICĂ A MOLDOVEI

Valeriu Blajă

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE
ELECTRONICE
Ciclu de prelegeri

CL

2018
MINISTERUL EDUCAŢIEI
REPUBLICII MOLDOVA
Universitatea Tehnică a Moldovei

Departamentul Inginerie Electrică

Valeriu Blajă

DISPOZITIVE ŞI CIRCUITE
ELECTRONICE
Ciclu de prelegeri

Chişinău
2018
Prezentul ciclu de prelegeri este elaborat conform programelor
de învăţământ la disciplinele „Dispozitive Şi Circuite Electronice”,
„Electronica Industrială”, „Electronica şi Microelectronica”, ţinute
studenţilor Facultăţii Energetică și Inginerie Electrică. Lucrarea îşi
propune prezentarea teoriei de bază, principiilor şi regimurilor de
funcţionare, domeniilor de utilizare în practică a dispozitivelor
semiconductoare discrete (diode, tranzistoare, tiristoare, dispozitive
optoelectronice) şi a circuitelor integrate; amplificatoarelor electronice
şi oscilatoarelor. Lucrarea, deasemenea, prezintă funcţionarea
circuitelor şi a dispozitivelor tehnicii digitale, porţi logice,
circuite integrate digitale. Sunt prezentate metode de analiză şi
sinteză a circuitelor logice combinaţionale şi secvenţiale şi
analizate sisteme cu microprocesoare. Fără a utiliza un aparat
matematic prea sofisticat, în lucrare se explică clar modelele
matematice, caracteristicile şi parametrii dispozitivelor şi circuitelor
electronice. Lucrarea este adresată studenţilor tuturor specialităţilor cu
profil electric şi electronic (atât cursuri de zi, cât şi frecvenţă redusă)
şi poate fi de asemenea utilă masteranzilor şi doctoranzilor.

Referent ştiinţific: conf. univ., dr. Tudor Ciuru


Recenzent: conf. univ., dr. Nicolae Bejan

© Valeriu Blajă, 2018


INTRODUCERE 3

INTRODUCERE
Electronica este un domeniu al tehnico-ştiinţific, care are ca
obiecte de studiu:
‰ fenomenele fizice în dispozitivele semiconductoare şi alte
dispozitive electronice,
‰ elaborarea unor dispozitive de performanţă sau cu
destinaţii speciale,
‰ caracteristicile electrice şi parametrii acestor dispozitive,
‰ elaborarea circuitelor electronice cu diverse destinaţii şi
aplicaţii.
Primele două obiecte constituie baza electronicii fizice, iar altele
două – a electronicii tehnice. Din electronica tehnică fac parte:
ª radioelectronica stă la baza radiotelecomunicaţiilor,
televiziunii, radiolocaţiei, radioastronomiei, etc.;
ª electronica industrială asigură diverse ramuri ale
industriei cu aparate electronice, sisteme de măsură,
sisteme de comandă, convertoare de putere
(electronica de putere), echipament tehnologic etc.;
ª bioelectronica furnizează echipament electronic
pentru cercetări în domeniul biologiei şi, în deosebi,
pentru medicină (electronica medicinală).
ª există şi alte domenii ale electronicii tehnice cum ar fi
electronica pentru cercetări ştiinţifice etc.
Diverse domenii ale electronicii tehnice au o bază comună −
aplicarea dispozitivelor semiconductoare pentru elaborarea
circuitelor electronice (amplificatoare, oscilatoare, generatoare,
convertoare statice, circuite digitale etc.). Aceste circuite formează
baza diferitelor sisteme electronice sofisticate ca sisteme de comandă
automată sisteme de măsură şi achiziţii de date, sisteme cu
microprocesoare etc.

©Valeriu Blajã
4 INTRODUCERE

În electronica industrială deosebim câteva direcţii ca:


‰ electronica informaţională, care stă la baza sistemelor
informaţionale (dispozitive de transmitere, recepţie,
prelucrare şi păstrare a informaţiei, reţele de
calculatoare), sistemelor de măsură şi a celor de
automatizare (de exemplu automatizarea şi
monitorizarea proceselor tehnologice).
‰ electronica de putere are ca obiective convertoarele
statice de putere şi dispozitive semiconductoare pentru
aceste aplicaţii.
‰ electronica tehnologică, care cuprinde domeniile de
elaborare şi exploatare a aparatelor şi echipamentelor
electronice utilizate pentru diverse tehnologii de
prelucrare a materialelor (spre exemplu, cu fluxuri de
electroni sau ioni, lasere, ultrasunet etc.).
Scopurile ciclului prezent sunt:
9 studiul structurii, principiului de funcţionare,
caracteristicilor şi parametrilor şi modului de
exploatare a dispozitivelor semiconductoare;
9 analiza principiilor de elaborare, funcţionare şi
utilizare a circuitelor electronice analogice
(amplificatoare electronice, reacţii în amplificatoare,
oscilatoare etc.) și digitale (porți logice, circuite logice
combinaționale, circuite logice secvențiale, memorii
semiconductoare).

©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 5

1. SEMICONDUCTOARE
1.1.Diagrama energetică a cristalului
Structura unui atom separat este formată din nucleu şi
electroni, care sunt situaţi pe anumite orbite strict determinate pentru
elementul chimic. Fiecărei orbite îi corespunde un nivel energetic, o
valoare a energiei electronului. În cazul formării unui corp solid din
atomi prin legături (mai des covalente) nivelurile energetice din
atomii separaţi se suprapun formând benzi energetice. O bandă
energetică presupune un continuu de valori a energiei pe care le
poate căpăta electronul în acest cristal. Benzile de valori admise sunt
separate între ele prin benzi interzise.
Structura şi dimensiunile benzilor energetice într-un cristal
sunt reprezentate în diagrama energetică a cristalului. Din punct de
vedere a proprietăţilor electrice este importantă partea superioară a
diagramei energetice, care cuprinde trei benzi: banda de valenţă, cu
valoarea maximă Ev, în care sunt situate nivelurile energetice ale
electronilor de valenţă, care formează legăturile covalente; banda de
conducţie, cu valoarea minimă Ec, în care sunt situate nivelurile
energetice ale electronilor, care au fost rupţi din legăturile covalente,
se pot mişca liber prin cristal şi se numesc purtători de sarcină. Ei
realizează conductivitatea electrică a cristalului. Aceste benzi sunt
separate de banda interzisă cu lăţimea Eg.

EC
EV EC
Eg Eg
EC EV
EV

a b c
Fig.1.1. Diagrama energetică a cristalului:
a − conductor, b − izolator, c − semiconductor

©Valeriu Blajã
6 Diagrama energetică a cristalului
Diagrama energetică a cristalului permite explicaţia clasificării
materialelor din punct de vedere a proprietăţilor electrice în 3
categorii (vezi fig.1.1):
1) izolatoare – materiale care au banda interzisă foarte largă,
prin urmare probabilitatea apariţiei purtătorilor de sarcini
este foarte mică, concentraţia lor este foarte mică şi
conductivitatea electrică a cristalelor este foarte mică;
2) conductoare – materiale care au banda interzisă foarte
îngustă, sau lipseşte, sau banda de conducţie şi banda de
valenţă sunt parţial suprapuse. Prin urmare, pentru apariţia
purtătorilor de sarcină nu sunt necesare eforturi energetice
deosebite şi în condiţii normale conductivitatea acestor
materiale este foarte înaltă;
3) semiconductoare – au banda interzisă de o valoare
intermediară. Din acest motiv în condiţii normale (fără
excitanţi externi) proprietăţile semiconductoarelor sunt
foarte aproape de izolatoare, având conductivitate mică.
Odată cu apariţia unor excitanţi energetici externi (căldura,
câmpuri magnetice, electrice, electromagnetice, stresuri
mecanice etc.), datorită energiei comunicate electronilor în
cristal, creşte brusc concentraţia purtătorilor de sarcină şi
conductivitatea electrică. Proprietăţile electrice ale
semiconductoarelor pot fi comandate prin intermediul
factorilor externi şi din acest motiv materialele
semiconductoare sunt folosite la confecţionarea
dispozitivelor electronice. Sunt considerate (convenţional)
semiconductoare materialele cu lăţimea benzii interzise
0,5≤Eg≤3,5 eV.

©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 7

1.2. Conductivitatea semiconductorului intrinsec


În acest paragraf vom analiza conductivitatea
semiconductorului intrinsec. Prin semiconductor intrinsec înţelegem
un cristal ideal, fără impurităţi şi fără defecte în reţeaua cristalină.
În acest caz purtătorii de sarcină apar numai datorită
transferului din banda de valenţă în banda de conducţie. Sub acţiunea
factorilor externi electronilor de valenţă li se comunică destulă
energie pentru a distruge legătura covalentă şi, prin urmare, aceşti
electroni sunt transferaţi în banda de conducţie. În aşa mod aceşti
electroni devin purtători de sarcină. Acest proces poartă un caracter
de probabilitate. Conform mecanicii cuantice probabilitatea aflării
electronului pe nivelul energetic E la temperatura T (vezi fig.1.2)
este:
1
f (E , T ) = , (1.1)
⎛ E − Ef ⎞
exp⎜⎜ ⎟ +1

⎝ kT ⎠
unde: k este constanta Boltzmann, iar Ef este nivelul Fermi –
reprezintă nivelul energetic pentru care această probabilitate este ½ .
Concentraţia electronilor liberi în cristal creşte exponenţial cu
temperatura:
⎛ Eg ⎞
ni = A ⋅ exp⎜⎜ − ⎟⎟, (1.2)
⎝ 2kT ⎠
E E E
EC EC EC
EF EF EF
EV EV EV

0 0,5 1 P 0 0,5 1 P 0 0,5 1 P


a b c
Fig.1.2.Probabilitatea aflării electronului în diagrama energetică
a cristalului pentru: a − T=0 K, b − T=T1, c − T=T2>T1
©Valeriu Blajã
8 Conductivitatea semiconductorului intrinsec

unde: A este o constantă valoarea cărei depinde de proprietăţile


materialului semiconductor.
Când electronului din legătura covalentă i se comunică un
cuantum de energie ca el să treacă în banda de conducţie şi devine
purtător de sarcină, rămâne un loc vacant, care de asemenea poate să
se deplaseze prin cristal ca un purtător de sarcină pozitivă şi se
numeşte gol. Acest proces se numeşte generarea cuplurilor electron-
gol. În cristal este posibil şi procesul invers, când electronul ocupă
un loc vacant; un cuplu de purtători de sarcină (electron şi gol) este
anihilat şi este eliberat un cuantum de energie. Acest proces se
numeşte recombinare (vezi fig.1.2). În condiţii de echilibru dinamic
aceste procese se echilibrează reciproc, vitezele acestor procese sunt
egale:
Vg =Vr=В⋅ni⋅pi, (1.3)
unde: ni şi pi sunt concentraţia
E E
− − − − electronilor şi concentraţia
EC EC golurilor, respectiv, iar B este o
constantă valoarea cărei depinde
de proprietăţile materialului
semiconductor.
EV + + EV + +
În semiconductorul
a b intrinsec concentraţia
Fig.1.3. Procesele de electronilor şi concentraţia
generare (a) şi golurilor sunt egale ni=pi, şi,
recombinare (b) a prin urmare, expresia (1.3) se va
purtătorilor de sarcină modifica:

Vg =Vr=В⋅ni2. (1.3a)
Expresia (1.3a) reprezintă condiţia de echilibru pentru
purtătorii de sarcină în semiconductorul intrinsec.
În lipsa câmpului electric purtătorii de sarcină se mişcă prin
haotic cristal. Să analizăm situaţia când în cristal este format un

©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 9

câmp electric cu ε
intensitatea ε (vezi
fig.1.4). Dacă electronul + + + + a
părăseşte atomul din
stânga şi se deplasează ε
contrar sensului
câmpului electric, aşa se + + + + b
formează un gol. Sub
acţiunea câmpului ε
electric electronul
atomului vecin ocupă
+ + + + c
locul golului, iar pe
acest atom se formează ε
un gol. Acest proces se
dezvoltă în continuare în
+ + + + d
mod analogic. Prin
urmare, în cristal are loc ε
deplasarea electronilor
contrar câmpului şi + + + + e
deplasarea golurilor în
sensul câmpului. Deci
curentul electric în Fig.1.4. Conductivitatea
semiconductor este semiconductorului intrinsec
format din două
componente:
Ö mişcarea orientată a electronilor contra câmpului electric şi
Ö mişcarea orientată a golurilor în sensul câmpului electric. şi
Densitatea curentului electric este formată analogic din
componenta electronică jn şi componenta lacunară jp:
j=jn+jp, (1.4)
Densitatea curentului electric depinde de viteza medie a
purtătorilor de sarcină, care este proporţională intensităţii câmpului
electric:

©Valeriu Blajã
10 Conductivitatea semiconductorului intrinsec

υn=μn⋅ε, (1.5)
unde μn este mobilitatea electronilor. Mobilitatea egală cu valoarea
vitezei electronilor într-un câmp electric cu intensitatea de 1 V/m:
μn =υn /ε. (1.6)
În mod analogic se poate scrie pentru componenta lacunară.
Viteza medie a golurilor:
υp=μp⋅ε, (1.7)
iar mobilitatea:
μp =υp /ε. (1.8)
Densitatea curentului electric este egală cu valoarea sarcinii
electrice care trece prin secţiunea transversală cu o arie unitară într-o
unitate de timp. Prin urmare, densitatea curentului electric prin
electroni:
jn=e⋅n⋅υn=e⋅n⋅μn⋅ε, (1.9)
densitatea curentului electric prin goluri:
jp=e⋅p⋅υp=e⋅p⋅μp⋅ε, (1.10)
iar densitatea curentului global este:
j=jn+jp=e⋅n⋅μn⋅ε+e⋅p⋅μp⋅ε. (1.11)
Pornind de la legea lui Ohm în formă diferenţială:
j=σ⋅ε. (1.12)
Din expresia pentru curent:
j=e⋅(n⋅μn+p⋅μp)⋅ε ; (1.13)
şi deoarece n=p=ni, găsim conductivitatea:
σ=e⋅ni⋅(μn+μp); (1.14)
iar ţinând cont de expresia (1.2) căpătăm:
⎛ Eg ⎞
σ = e ⋅ (μ n + μ p ) ⋅ A ⋅ exp⎜⎜ − ⎟⎟. (1.15)
⎝ 2 kT ⎠
Expresia (1.15) reprezintă dependenţa conductivităţii
semiconductorului intrinsec de lăţimea benzii interzise Eg,
mobilitatea purtătorilor de sarcină μn şi μp şi de temperatură.

©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 11

1.3. Conductivitatea semiconductoarelor cu impurităţi


Introducerea intenţionată sau neintenţionată a impurităţilor în
cristalul semiconductor afectează cardinal proprietăţile cristalului. În
funcţie de tipul atomilor de impurităţi introduse în cristal predomină
un tip de purtători de sarcină.

Si Si Si Si Si Si

Si As Si Si In Si

Si Si Si Si Si Si

Fig.1.5. Semiconductor Fig.1.6. Semiconductor


de tip n de tip p
Să analizăm fenomenele în reţeaua cristalină a Si (vezi fig.1.5),
în care atomii au câte patru vecini şi fiecare din cei patru electroni de
valenţă formează legături covalente cu un electron al atomului vecin.
Dacă în locul unui atom de Si, în
E E
reţeaua cristalină va fi implantat
un atom cu cinci electroni de EC EC
valenţă (spre exemplu As), patru ΔEd
din cinci electroni completează
Eg Eg
legăturile covalente, iar un ΔEa
electron rămâne neimplicat.
EV EV
Nivelul energetic al acestui
electron este situat în banda
a b
interzisă la distanţa ΔEd de la
banda de conducţie (vezi Fig.1.7. Diagrama energetică a
fig.1.7a). Dacă acestui electron i semiconductorului de tip n (a) şi
de tip p (b)
se comunică un cuantum de

©Valeriu Blajã
12 Conductivitatea semiconductorului cu impurităţi

energie ΔEd, acest electron se rupe de la atom şi va deveni purtător


de sarcină. Din acest motiv în cristale de acest tip, concentraţia
electronilor la temperaturi normale va fi mult mai mare ca
concentraţia golurilor. Deci conductivitatea va fi electronică
(de tip n). Impurităţile de acest tip se numesc donoare.
Conductivitatea cristalului caracterizată de impurităţi este:
⎛ ΔE ⎞
σ n = e ⋅ nn ⋅ μ n = eμ n Bn exp⎜ − d ⎟ , (1.16)
⎝ kT ⎠
unde nn este concentraţia electronilor în cristalul de tip n, iar
Bn – coeficient caracteristic materialului semiconductor.
Când atomul de impuritate are trei electroni de valenţă, o
legătură covalentă rămâne incompletă (vezi fig.1.6). Această stare
este caracterizată printr-un nivel energetic din banda interzisă la
distanţa ΔEa de la banda de valenţă. Cu un cuantum de energie ΔEa
în cristal se va forma un gol, prin acapararea unui electron de la un
atom vecin. În condiţii normale concentraţia golurilor în cristal va fi
mult mai mare ca concentraţia electronilor. Impurităţile de acest tip
se numesc acceptoare. Cristalul are conductivitate prin goluri
(lacunară) iar semiconductor este de tip p:
⎛ ΔE ⎞
σ p = e ⋅ p p ⋅ μ p = eμ p B p exp⎜ − a ⎟ . (1.17)
⎝ KT ⎠
unde pp este concentraţia golurilor în cristalul de tip p, iar
Bp – coeficient caracteristic materialului semiconductor.
Ponderea conductivităţii extrinseci (cauzată de impurităţi) va fi
sesizabilă numai când concentraţia atomilor de impurităţi
(Nd şi/sau Na) va fi mult mai mare ca concentraţia purtătorilor
intrinseci:
Nd>>ni sau Na>>ni. (1.18)
Deoarece practic toţi atomii de impurităţi vor fi ionizaţi în
cazurile real existente, putem presupune că concentraţia purtătorilor
extrinseci coincide cu concentraţia atomilor de impurităţi:
nn = Nd sau pp =Na. (1.19)
Atunci pentru conductivitatea extrinsecă poate fi exprimată:
©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 13

σn=e⋅ Nd⋅μn şi σp=e⋅ Na⋅μp . (1.20)


În caz general conductivitatea globală a semiconductorului este
formată atât de purtători generaţi de pe atomii de impurităţi, adică în
procese de tipul (1) şi (2) (vezi fig.1.18), cât şi de conductivitatea
intrinsecă, adică de purtători de sarcină generaţi prin procesul
bandă-bandă de tipul (3) din fig.1.18.
Prin urmare, dependenţa conductivităţii semiconductorului de
temperatură reprezentată în fig.1.19 poate fi explicată în modul
următor. La joase temperaturi (domeniul 1) se manifestă
conductivitatea extrinsecă cu panta dependenţei σ(1/T) de ΔEa.
În domeniul 2 se atinge saturaţia acestui proces, adică toţi atomii de
impurităţi au fost ionizaţi şi au format purtători de sarcină.
La temperaturi înalte (în domeniul 3) predomină conductivitatea
intrinsecă şi panta caracteristicii este Ec.
Atunci când este proiectat un dispozitiv semiconductor care
trebuie să aibă parametrii stabili la variaţia temperaturii, se alege
materialul semiconductor din condiţia ca domeniul (2) al
dependenţei σ(1/T) să acopere intervalul temperaturilor de lucru al
dispozitivului proiectat.
σ
E 1
EC

ΔEd
Eg 3

EV
ΔEa 1
2 3 2 1
T
Fig.1.8. Procese de generare Fig.1.19. Dependenţa conductivităţii
a purtătorilor de sarcină semiconductorului
de temperatură

©Valeriu Blajã
14 Curenţii de drift şi de difuzie

1.4. Curenţii de drift şi de difuzie


Curentul electric în semiconductor poate fi cauzat de câmp
electric sau de un proces de difuzie a purtătorilor de sarcină:
J = J dr + J dif . (1.21)
Curentul de drift este mişcarea orientată a putătorilor de
sarcină cauzată de câmpul electric. Curentului de drift poate fi
format de electroni (componenta electronică) sau de goluri
(componenta lacunară):
jdr. = jdr. n + jdr. p. (1.22)
Densitatea curentului de drift prin electroni este proporţională
vitezei de deplasare a electronilor printr-o secţiune unitară e⋅n⋅μn, şi
proporţională intensităţii câmpului electricε:
jdr. n= e⋅n⋅μn⋅ε. (1.23)
Densitatea curentului de drift prin goluri este proporţională
vitezei de deplasare a golurilor printr-o secţiune unitară e⋅p⋅μp, şi
proporţională intensităţii câmpului electric:
jdr. p= e⋅p⋅μp⋅ε. (1.23a)
Prin urmare, curentul de drift global este:
jdr. = e⋅n⋅μn⋅ε+ e⋅p⋅μp⋅ε. (1.24)
Curentul de difuzie este mişcarea orientată a putătorilor de
sarcină într-un proces de difuzie, cauzat de existenţa unui gradient al
concentraţiei putătorilor de sarcină în cristal. Curentului de difuzie
poate fi format de electroni (componenta electronică) sau de goluri
(componenta lacunară):
J dif = J difn + J difp . (1.25)
Densitatea curentului de difuzie este proporţională gradientului
concentraţiei putătorilor de sarcină (vezi fig.1.8):
dn
j difn = eDn , (1.26)
dx

©Valeriu Blajã
SEMICONDUCTOARE 15

dp
j difp = −eD p , (1.26a)
dx
unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, iar Dn este
coeficientul de difuzie al golurilor, care depind de proprietăţile
materialului. Semnul minus în expresia (1.26a) pentru densitatea
curentului lacunar de difuziune se explică prin faptul că fluxul de
difuzie a golurilor este orientat în sens opus gradientului
concentraţiei golurilor (vezi fig.1.20b).
În caz general curentul global în semiconductor poate fi format
din toate componentele:
dn dp
j = enμ n ε + epμ p ε + eDn + eD p . (1.27)
dx dx

n p

x x
grad n grad p
υn υp
jdif n jdif p
a b
Fig.1.20. Curentul de difuzie: a − electronic şi b − lacunar

©Valeriu Blajã
16 Procesele fizice în joncţiunea p-n în absenţa tensiunii

2. DIODE SEMICONDUCTOARE
Dioda este un element al circuitului electric cu două
terminale, care manifestă conductivitatea unilaterală (proprietate de
redresare). În dioda semiconductoare pentru a asigura proprietatea
de conductibilitate unilaterală în cristalul semiconductor este formată
joncţiunea p-n. Joncţiunea p-n reprezintă un cristal semiconductor în
care un domeniu are conductivitate de tip p, iar altul – conductivitate
de tip n. Structura simplificată a joncţiunii p-n, simbolul grafic al
diodei semiconductoare şi caracteristica statică a diodei ideale sunt
reprezentate în figura 2.1.
I

A K A K
p n
U
a b c
Fig.2.1. Structura simplificată a joncţiunii p-n (a),
simbolul grafic al diodei semiconductoare (b)
şi caracteristica statică a diodei ideale (c)

2.1. Procesele fizice în joncţiunea p-n în absenţa tensiunii


Joncţiunea p-n nu poate fi formată printr-un proces simplu
de aducere în contact a două cristale semiconductoare,
deoarece inevitabil între ele vor rămâne impurităţi: oxizi, decapant
rezidual aer etc. Joncţiunea p-n poate fi formată prin diverse procese
tehnologice: difuzie, creştere epitaxială, implantare ionică etc.
Dacă în cristalul semiconductor este formată joncţiunea p-n
prin doparea unui domeniu cu impurităţi acceptoare, iar alt domeniu
cu impurităţi donore, atunci în condiţii normale atomii de impurităţi
sunt complet ionizaţi. Prin urmare, atomii de impurităţi donore au
cedat câte un electron, care au devenit purtători de sarcină, iar atomii
de impurităţi acceptoare au acaparat câte un electron formând goluri.
Aceşti purtători de sarcină sunt majoritari: în domeniul n – electronii,

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 17

iar în domeniul p – golurile. Menţionăm că în cristal există şi


purtători minoritari (intrinseci): : în domeniul n – goluri, iar în
domeniul p – electroni.
În domeniul p concentraţia golurilor este mult mai mare ca
concentraţia electronilor, din acest motiv golurile se numesc
purtători majoritari, iar electronii – purtători minoritari. În domeniul
n concentraţia electronilor este mult mai mare ca concentraţia
golurilor, din acest motiv electronii sunt purtători majoritari, iar
golurile – purtători minoritari.
În practică mai răspândite sunt structurile p-n în care
concentraţia impurităţilor în domeniile n (Nd) şi p (Na) se deosebesc
cardinal. Mai frecvent Na >>Nd. Dacă ţinem cont că Na≈pp, iar
Nd≈nn, atunci în aceste structuri pp>>nn.
La suprafaţa de separaţie sub acţiunea gradientului
concentraţiei purtătorilor de sarcină apare mişcare de difuzie a
purtătorilor majoritari: golurile din domeniul p spre domeniul n, iar
electronii din domeniul n se mişcă spre domeniul p. Golurile
ajungând în domeniul n recombină cu electronii, iar electronii
ajungând în domeniul p recombină cu golurile.
În urma a două procese:
ª purtătorii de sarcină majoritari părăsesc domeniile
adiacente suprafeţei de separaţie,
ª recombinarea purtătorilor de sarcină;
în domeniul adiacent suprafeţei de separaţie concentraţia purtătorilor
de sarcină se micşorează cardinal. Golurile părăsind domeniul p lasă
la suprafaţa de separaţie ionii atomilor de impurităţi cu sarcină
negativă, iar în domeniul n rămân ioni pozitivi. Aceste sarcini sunt
fixate rigid în reţeaua cristalină şi formează domeniul de sarcină
spaţială (D.S.S.) – o consecinţă importantă a difuziei purtătorilor de
sarcină majoritari este formarea unui compusă de ionii de impurităţi
(vezi fig.2.2). Grosimea D.S.S. este în structurile reale de fracţiuni
de micron.
Deoarece din domeniul de sarcină spaţială au plecat purtătorii
de sarcină, el are proprietăţi de izolator. Datorită acestor sarcini în

©Valeriu Blajã
18 Procesele fizice în joncţiunea p-n în absenţa tensiunii

Eint. joncţiunea p-n apare un


A −−− +++ K câmp electric intern Eint.,
p −−− +++ n care reprezintă împreună
−−− +++ a
cu D.S.S. caracteristica
n, p pp D.S.S. nn principală a joncţiunii p-n.
Câmpul electric
b intern frânează purtătorii
np pn
majoritari şi în acest mod
q x pentru purtătorii majoritari
în joncţiunea p-n apare o
+ barieră de potenţial cu
− x înălţimea φc. Deci curentul
c de difuzie al purtătorilor
ϕ majoritari va fi format
x numai din acei purtători de
ϕc sarcină care posedă
d energie destulă pentru
depăşirea barierei de
potenţial.
Fig.2.2. Joncţiunea p-n în absenţa tensiunii: În acelaşi timp
a − structura, câmpul electric intern
b − profilul concentraţiei accelerează purtătorii de
purtătorilor de sarcină, sarcină minoritari formând
c − profilul sarcinii electrice, un curent de drift al
d − profilul potenţialului purtătorilor minoritari,
orientat de la catod spre
anod (cu sens negativ).
În lipsa surselor externe de energie în joncţiunea p-n se
stabileşte un echilibru dinamic şi, prin urmare, se stabileşte valoarea
câmpului electric intern, se stabileşte grosimea domeniului de
sarcină spaţială, se stabileşte sarcina în domeniul de sarcină spaţială,
se stabileşte valoarea barierei de potenţial. În aceste condiţii curentul
global prin joncţiunea p-n este nul:
j= jdif. − jdr = jdif. p − jdr. p + jdif. n − jdr. n= 0. (2.1)

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 19

2.2. Procesele fizice în joncţiunea p-n la polarizare


La aplicarea tensiunii Eext.
(polarizarea) pe bornele Eint
joncţiunii p-n se modifică
A −− ++ K
condiţiile de transport a p n
−− ++
purtătorilor de sarcină prin −− ++
joncţiune şi este foarte
important sensul polarizării. + U −
La polarizare directă,
ϕ
x
când pe anod se aplică +, iar ϕ=ϕc−U
pe catod –; câmpul electric
extern Eext. este opus câmpului
electric intern Eint şi câmpul Fig.2.3. Polarizare directă a
electric global în joncţiune se joncţiunii p-n
micşorează (vezi fig.2.3):
9 se micşorează sarcina electrică în domeniul de sarcină spaţială,
9 se micşorează bariera de potenţial:
ϕ=ϕc−U. (2.2)
Purtătorii de sarcină majoritari au posibilitate să se apropie de
suprafaţa de separaţie a joncţiunii p-n şi compensează o parte din
ionii de impurităţi. Acest fapt duce, atât la micşorarea sarcinii în
D.S.S., cât şi la micşorarea grosimii D.S.S. Prin urmare, vor exista
mai mulţi purtători de sarcină majoritari, care pot depăşi bariera de
potenţial, în aşa mod creşte curentul de difuzie al purtătorilor
majoritari. Acest fenomen se numeşte injecţie. Injecţie este procesul
de trecere a purtătorilor de sarcină din domeniul unde ei sunt
majoritari în domeniul unde ei sunt minoritari, datorită micşorării
barierei de potenţial.
Deoarece câmpul electric în joncţiunea p-n se micşorează
considerabil, curentul de drift al purtătorilor minoritari scade brusc.
Curentul global în joncţiunea p-n va fi orientat de la anod spre catod
şi este format preponderent de curentul de difuzie al purtătorilor
majoritari.
j= jdif. − jdr. > 0. (2.3)
©Valeriu Blajã
20 Procesele fizice în joncţiunea p-n la polarizare

La polarizare inversă,
Eext. când pe anod se aplică –, iar pe
Eint. catod +; sensul câmpului
A −−−− ++++ K electric extern Eext. coincide cu
p −−−− ++++ n sensul câmpului electric intern
−−−− ++++ Eint şi câmpul electric global în
− U + joncţiune creşte (vezi fig.2.4).
ϕ În consecinţă, în joncţiunea p-n
creşte bariera de potenţial:
x
ϕ=ϕc+U. (2.4)
Prin urmare, cantitatea
ϕ=ϕc+U purtătorilor de sarcină
majoritari care posedă energie
destulă pentru a depăşi bariera
de potenţial este foarte mică şi
Fig.2.4. Polarizare inversă a curentul de difuzie al
joncţiunii p-n purtătorilor majoritari scade
brusc.
Sarcina în D.S.S. creşte şi grosimea domeniului de sarcină
spaţială creşte. Deoarece creşte câmpul, creşte curentul de drift al
purtătorilor minoritari. Curentul global prin joncţiunea p-n este
format preponderent de curentul de drift al purtătorilor minoritari şi
este orientat de la catod spre anod:
j= jdr. − jdif. < 0. (2.5)
Valoarea curentului invers practic nu depinde de tensiune
deoarece cantitatea de cupluri electron-gol (purtători intrinseci)
generaţi la o temperatură constantă este şi ea constantă.
Prin urmare, la polarizare directă curentul direct în joncţiunea
p-n este format de purtătorii majoritari, iar la polarizarea inversă
curentul invers în joncţiunea p-n este format de purtători minoritari.
Deoarece concentraţia purtătorilor majoritari este cu câteva ordine
zecimale mai mare ca concentraţia purtătorilor minoritari, şi curentul
direct este aproximativ tot de atâtea ori mai mare ca curentul invers.
În aşa mod se explică proprietatea de redresare a joncţiunii p-n.

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 21

2.3. Caracteristica statică a joncţiunii p-n


Proprietăţile joncţiunii p-n sunt
reprezentate prin caracteristica I
statică, care reprezintă dependenţa
curentului prin joncţiune ca funcţie de
valoarea şi polaritatea tensiunii
aplicate, în regim staţionar.
I0
Caracteristica ideală a joncţiunii p-n
(vezi fig.2.5) poate fi reprezentată U
prin următoarea expresie analitică:
⎛ ⎛ eU ⎞ ⎞ Fig.2.5. Caracteristica statică
I = I 0 ⎜⎜ exp⎜ −
⎟ ⎟1 ⎟, (2.6) a joncţiunii p-n
⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠
unde: I0 − curentul invers (curent de
saturaţie, curent termic) al joncţiunii p-n, valoarea cărui depinde de
proprietăţile fizice ale materialului semiconductor, U − tensiunea
aplicată pe bornele joncţiunii p-n, k − constanta Boltzman, е −
sarcina electronului, Т − temperatura absolută.
La polarizare directă, funcţia exponenţială fiind foarte rapidă,
deja de la valori foarte mici ale tensiunii:
⎛ eU ⎞
U > 0 şi exp⎜ ⎟ >> 1. (2.7)
⎝ kT ⎠
Prin urmare, în expresia (2.6) unitatea poate fi neglijată:
⎛ eU ⎞
I = I 0 exp⎜ ⎟. (2.8)
⎝ kT ⎠
Deci la polarizare directă curentul în joncţiunea p-n ideală
depinde de tensiune exponenţial.
⎛ eU ⎞
La polarizarea inversă: U < 0 şi exp⎜ ⎟ << 1, (2.9)
⎝ kT ⎠
Prin urmare, expresia (2.6) se poate reduce la:
I = −I0 , (2.10)
Deci la polarizare inversă curentul în joncţiunea p-n ideală
nu depinde de tensiune (depinde foarte slab).

©Valeriu Blajã
22 Străpungerea joncţiunii p-n

2.4. Străpungerea joncţiunii p-n. Dioda Zener


I Caracteristica statică a
joncţiunii p-n prezentată mai sus
nu ţine cont de unele fenomene
prezente în caracteristica reală, în
UZmax. mod deosebit, la polarizare
UZmin 0 inversă. La tensiuni inverse mari
în joncţiunea p-n are loc
IZ min. U
1 străpungerea joncţiunii p-n.
Fenomenul de străpungere în
4 joncţiunea p-n se manifestă la
IZ max.
2 polarizare inversă, când
domeniul de sarcină spaţială se
3 impune ca izolator. Străpungerea
Fig.2.6. Caracteristica statică în joncţiunea p-n poate fi:
reală a joncţiunii p-n ‰ electrică (reversibilă),
‰ termică (ireversibilă).
Străpungerea electrică poate fi:
ª prin avalanşă – în joncţiuni p-n "lungi" (cu
grosime mare a domeniului de sarcină spaţială)
are loc străpungerea conform efectului Zener;
ª prin efectul tunel – în joncţiuni "scurte".
Străpungerea în avalanşă poate fi explicată în modul următor:
la polarizarea inversă purtătorii de sarcină minoritari se mişcă în
câmp electric cu intensitate mare. Accelerându-se electronii capătă
energie cinetică destulă pentru a rupe alţi electroni din legăturile
covalente. În acest mod concentraţia purtătorilor de sarcină creşte în
avalanşă şi în acelaşi mod va creşte curentul prin joncţiunea p-n. Pe
caracteristica statică a joncţiunii p-n (vezi fig.2.6) străpungerii
electrice îi corespunde pe porţiunea 1-2.
Atunci când curentul prin joncţiunea p-n depăşeşte valoarea
Izmax are loc străpungerea termică (porţiunea 2–3 în fig.2.6).
Străpungerea termică are loc datorită generării intensive a cuplurilor

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 23

electron-gol (purtătorilor intrinseci) în joncţiunea p-n. Deoarece în


structurile reale semiconductorul nu este absolut omogen, în anumite
locuri prin suprafaţa de separaţie a joncţiunii p-n curentul are
densitate mai mare. Prin urmare, cantitatea de căldură degajată în
aceste locuri este mai mare şi în aceste locuri creşte temperatura
cristalului. Deoarece concentraţia purtătorilor intrinseci creşte
proporţional temperaturii absolute, curentul invers creşte şi el în
acelaşi mod. Prin urmare, în aceste locuri creşte curentul.
Temperatura atinge valori foarte mari, la care au loc transformări
metalurgice – fenomenul străpungerii termice. În cazul când nu este
asigurată evacuarea de căldură de la joncţiunea p-n, străpungerea
termică poate anticipa străpungerea electrică (pe porţiunea 1–4 a
caracteristicii din fig.2.6).
După cum se vede din fig.2.6, într-un interval vast de valori ale
curentului invers (Izmin÷Izmax), tensiunea pe joncţiunea p-n rămâne
practic constantă, cu o variaţie mică ΔUz=Uzmax–Uzmin. Acest efect
este folosit în dispozitive speciale, care se numesc diode Zener
(diode stabilitron). Diodele Zener sunt dispozitive semiconductoare
formate în baza joncţiunii p-n şi folosite pentru stabilizarea tensiunii
pe sarcină. Diodele Zener sunt fabricate mai frecvent din Si,
deoarece acestea în comparaţie cu diodele Zener cu Ge prezintă
următoarele avantaje:
9 valori mai mici ale curentului minim de stabilizare IZ min,
9 deviaţia tensiunii stabilizate ΔUz este mai mică,
9 poate funcţiona la temperaturi mai înalte
În figura 2.7 este
Rb reprezentată ca exemplu schema
de montaj a diodei Zener VD.
+
Rs Rezistenţa de balast Rb se alege
Uint. VD

pentru protecţia diodei Zener de
supracurent şi este dimensionată în
Fig.2.7. Schema de montaj aşa mod încât curentul să nu
a diodei Zener depăşească valoarea Izmax.

©Valeriu Blajã
24 Capacitatea joncţiunii p-n

2.5.Capacitatea joncţiunii p-n. Diodă varicap


Structura joncţiunii p-n este caracterizată de o capacitate care
este formată din două componente capacitate de barieră şi
capacitatea de difuzie:
Сp−n=Cbar+Сdif.. (2.11)
Capacitatea de barieră este formată de sarcinile electrice ale
ionilor de impurităţi. Odată cu variaţia tensiunii aplicate pe
joncţiunea p-n este modulată grosimea D.S.S. Dependenţa sarcinii
electrice în D.S.S. de tensiunea aplicată se manifestă ca capacitatea
de barieră:
dQD.S .S .
C bar = , (2.12)
dU
Deoarece capacitatea condensatorului plat este proporţională
ariei suprafeţei şi invers proporţională distanţei între armături, în
cazul joncţiunii p-n, prin analogie, putem presupune că capacitatea
de barieră va fi invers proporţională grosimii D.S.S.
La tensiuni mici de polarizare sarcinile din ambele părţi ale
suprafeţei de separaţie sunt situate foarte aproape (grosimea D.S.S.
este mică) deci capacitatea de barieră este mare. Odată cu creşterea
tensiunii aplicate creşte şi grosimea D.S.S. şi, prin urmare, valoarea
capacităţii de barieră scade. Dependenţa
Cbar capacităţii joncţiunii p-n de tensiune este
reprezentată în caracteristica capacitate–
tensiune (vezi fig.2.8).
Această proprietate a joncţiunii p-n stă
la baza funcţionării diodelor cu capacitate
comandată în tensiune – varicap. Variind
tensiunea inversă este modulată capacitatea
varicapului. Prin urmare, varicapul
U
funcţionează la polarizare inversă.
Рис.2.8. Caracteristica
capacitate–tensiune

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 25

Varicap este o diodă semiconductoare folosită ca condensator


cu capacitate comandată în tensiune.
Un exemplu de utilizare a
varicapului este reprezentat în R C1
fig.2.9. Dioda varicap VD este
montată în paralel cu conturul +
oscilant LC şi contribuie la E C
− VD L
modificarea frecvenţei de
rezonanţă a conturului.
Rezistorul R evită şuntarea
diodei varicap prin sursa de Fig.2.9. Contur oscilant cu varicap
polarizare.
Odată cu schimbarea tensiunii de polarizare a joncţiunii p-n
variază nu numai sarcina ionilor de impurităţi dar şi sarcina electrică
formată de purtătorii de sarcină. O parte importantă din purtătorii de
sarcină traversând bariera de potenţial nu reuşesc să recombine şi se
acumulează în domeniile p şi n. Fiecărei valori a tensiunii îi
corespunde o valoare a sarcinii electrice Qdif. acumulate în joncţiune.
Acest fenomen cauzează capacitatea de difuzie a joncţiunii p-n:
dQdif
C dif = , (2.13)
dU

Ţinând cont de toate efectele prezentate, joncţiunea p-n poate


fi reprezentată prin schema echivalentă din fig.2.10, unde:
R0 este rezistenţa volumică a bazei
Cp-n
diodei semiconductoare (rezistenţa
materialului semiconductor cu R0
excepţia joncţiunii p-n propriu
zise),
Rp-n − rezistenţa joncţiunii p-n, Rp-n
care depinde de tensiunea de Fig.2.10. Schema echivalentă a
polarizare, diodei semiconductoare
Cp-n − capacitatea joncţiunii p-n.

©Valeriu Blajã
26 Capacitatea joncţiunii p-n

La polarizare directă capacitatea de barieră practic nu se


manifestă, iar rezistenţa joncţiunii p-n Rp-n este aproape de zero şi,
prin urmare, dioda semiconductoare este caracterizată numai de
capacitatea de difuzie Cdif. şi rezistenţa bazei R0. Deci la polarizare
directă dioda semiconductoare se comportă ca o rezistenţă mică R0.
La polarizare inversă: capacitatea de difuzie nu se manifestă, iar
rezistenţa joncţiunii p-n Rp-n este foarte mare, mult mai mare ca R0
şi, prin urmare, dioda semiconductoare este caracterizată numai de
capacitatea de barieră Cbar. şi rezistenţa foarte mare Rp-n. Deci la
polarizare inversă dioda semiconductoare se comportă ca o rezistenţă
foarte mare în montaj paralel cu capacitate.
La frecvenţe înalte reactanţa joncţiunii p-n scade rapid
deoarece:
1
XC = , (2.14)
ωC p − n
şi curentul invers al joncţiunii p-n poate creşte brusc. Acest fapt este
echivalent cu şuntarea rezistenţei mari a joncţiunii p-n prin
capacitatea de barieră. În aşa mod, dioda semiconductoare la
frecvenţe înalte poate să-şi piardă proprietatea de redresare. Pentru a
evita acest fenomen la înalte frecvenţe sunt folosite diode
semiconductoare punctiforme, care au aria suprafeţei joncţiunii p-n
foarte mică şi, prin urmare, capacitatea de barieră este mică, iar
reactanţa diodei are valori mari.

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 27

2.6.Diode tunel

În anul 1958 savantul nipon Esaki a observat că caracteristica


curent–tensiune a joncţiunii p-n cu domeniile supradopate are o
formă specială, care a fost ulterior explicată aplicându-se efectul
tunel. Din acest motiv şi diodele semiconductoare respective se
numesc diode tunel.
Din mecanica cuantică se cunoaşte că o particulă, care nu are
energie destulă pentru a trece peste o barieră de potenţial, poate fi
găsită de cealaltă parte a barierei de potenţial, dacă acolo acelaşi
nivel energetic este liber. Probabilitatea acestei traversări a barierei
este cu atât mai mare cu cât mai îngustă este bariera de potenţial şi
cu cât este mai mică înălţimea barierei. Traversarea barierei prin
efectul tunel are loc fără consum de energie.
Pentru a explica cum efectul tunel modifică caracteristica
statică a joncţiunii p-n vom analiza diagrama energetică a unei
structuri p-n supradopate. Deoarece concentraţia purtătorilor de
sarcină este enormă (1021 cm−3) nivelul Fermi este situat în domeniul
n în banda de conducţie, iar în domeniul p – în banda de valenţă.
Aceste fenomen se explică prin faptul că nivelurile energetice ale
atomilor de impurităţi sunt foarte multe şi situate foarte aproape
(energetic) încât ele se contopesc într-o bandă, care la rândul său se
contopeşte cu banda energetică fundamentală apropiată. Tot din
cauza concentraţiei înalte a purtătorilor de sarcină grosimea D.S.S.
este foarte mică (∼ 108 V/m). Pentru a simplifica situaţia vom
considera , că toate nivelurile energetice situate mai sus de nivelul
Fermi sunt libere, iar cele situate mai jos de nivelul Fermi – ocupate
de electroni. Principiul de funcţionare a diodei tunel este explicat în
fig.2.11 şi fig.2.12, unde sunt reprezentate, respectiv, diagrama
energetică a structurii pentru diferite valori ale tensiunii de polarizare
(pe diferite porţiuni ale caracteristicii statice) şi caracteristica statică
a diodei tunel.

©Valeriu Blajã
28 Diode tunel

p n p n
U
EF EFn
EC EFp EC

a b
EV EV

p n

U EFn
p n EFp EC

c
EV
EFp U
EFn
EC
p n

f EV U EFn
EFp EC
Fig.2.11.Diagrama energetică a
diodei tunel pentru tensiunea de d EV
polarizare:
a − U=0,
b −0<U<U1, p n
c −U=U1, EFn
d −U>U1, U EC
EFp
e −U>U1,
f − U<0.
e EV

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 29

Dacă la bornele joncţiunii p-n se aplică tensiune de polarizare


directă, bariera de potenţial se micşorează şi vis-à-vis de nivelurile
ocupate de electroni în banda de conducţie în domeniul n sunt situate
nivelurile libere în banda de valenţă în domeniul p. Prin urmare,
prin joncţiune va circula curentul de tunel. Concomitent va circula şi
curentul de difuziune, dar acest curent în semiconductoarele
supradopate este mult mai mic.
Cazul în care este aplicată o tensiune mică de polarizare directă
este reprezentat în fig.2.11b. În acest caz majorarea tensiunii duce la
creşterea domeniului de suprapunere a nivelurilor energetice ale
electronilor din cele două părţi ale joncţiunii. În consecinţă creşte
curentul de tunel odată cu creşterea tensiunii. La tensiunea de
polarizare directă U=U1 (vezi fig.2.11с) domeniul de suprapunere
atinge aria maximală. La o eventuală creştere în continuare a
tensiunii (vezi fig.2.11d) aria domeniului de suprapunere se
micşorează şi la tensiunea U>U2 (vezi fig.2.11e) suprapunerea
acestor niveluri energetice dispare şi dispare curentul de tunel. Deci
în continuare dioda îşi capătă proprietăţile unei diode simple şi
curentul creşte exponenţial cu tensiunea.
Atunci când se aplică tensiune de polarizare inversă (vezi
fig.2.11f) odată cu creşterea tensiunii creşte şi aria domeniului de
suprapunere şi, prin urmare, creşte
curentul de tunel (curentul invers). I
Diodele tunel sunt atractive 1
prin faptul că fiind dipoli au I1 3
proprietatea de a amplifica
semnalele electrice ca şi
I2 2
tranzistoarele. Acest fapt se explică
prin prezenţa pe caracteristica 0 U1 U2 U3 U
curent–tensiune a unui domeniu de
conductibilitate diferenţială
negativă. Caracteristica statică a Fig.2.12. Caracteristica statică a
diodei tunel este caracterizată de diodei tunel

©Valeriu Blajã
30 Diode tunel

poziţia a două puncte importante(1 şi 2 în fig.2.12), care reprezintă


limitele domeniului de conductibilitate diferenţială negativă; şi
tensiunea şi curentul în punctul 3. Între punctele 1 şi 2 variaţiile
tensiunii şi curentului au sensuri diferite:
dU (> 0 )
rd = < 0. (2.15)
dI (< 0 )
Cu alte cuvinte tensiunea şi curentul sunt în antifază. Deci
puterea semnalului variabil fiind produsul tensiunii şi curentului va fi
negativă. Această proprietate este folosită atunci când pe baza diodei
tunelsunt asamblate generatoare
VD
sau amplificatoare de semnal în
Uint. ∼ Rs banda de microunde sau a
E dispozitivelor cu viteză înaltă de
+ − funcţionare. Pentru
Fig.2.13. Amplificator cu exemplificare în figura 2.13 este
diodă tunel reprezentată schema unui
amplificator simplu cu diodă
tunel.
Diodele tunel sunt fabricate din germaniu Ge sau arsenură de
galiu GaAs. Din fig.2.11 se observă că tensiunea de vârf U1 are
valoarea direct proporţională cu „adâncimea” nivelului Fermi în
benzile fundamentale în domeniile respective ale joncţiunii p-n. Deci
această valoare va fi mai mare în dispozitivele cu arsenură de galiu
decât în diodele cu germaniu, deoarece în GaAs nivelurile energetice
ale atomilor de impurităţi sunt situate mai departe de limitele benzii
interzise în comparaţie cu Ge.
O variantă interesantă o reprezintă dioda inversată. În aceste
diode valoarea tensiunii în maximum U1 este foarte mică (aproape
lipseşte). În acest mod se capătă o diodă a cărei caracteristică statică
este „inversată” în comparaţie cu diodele simple.

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 31
2.7.Fotoconductivitate. Fotorezistor. Fotodiodă
Fotoefectul intern se manifestă prin modificarea conductivităţii
cristalului sub acţiunea unui flux luminos. Acest fenomen se explică
prin creşterea concentraţiei purtătorilor de sarcină, datorită generaţiei
cuplurilor electron-gol sub acţiunea undelor electromagnetice.
În absenţa undelor electromagnetice cristalul are
conductivitatea:
σ = e ⋅ n ⋅ μn + e ⋅ p ⋅ μ p . (2.16)

Dacă sub acţiunea luminii are loc procesul de generare a


cuplurilor electron-gol, concentraţia electronilor creşte cu Δn, iar
concentraţia golurilor – cu Δp, atunci conductivitatea cristalului va
creşte cu Δσ.
Δσ=e⋅Δn⋅μn+ e⋅Δp⋅μp, (2.17)
Acest fenomen are loc când:
hνcr≥Εg, (2.18)
Eg
unde ν r = este pragul roşu al fotoefectului intern.
h
În baza acestui efect funcţionează fotorezistoarele.
Fotorezistorul este un cristal
semiconductor montat într-o FR
capsulă, în care este prevăzută o
fereastră cu o lentilă pentru
focalizarea fluxului luminos A Rs
E
incident pe cristal. + −
Dacă fotorezistorul este Fig.2.14. Schema de montaj
montat într-un circuit ca cel a fotorezistorului
reprezentat în fig.2.14 cu tensiune
şi sarcină, în lipsa luminii prin
circuit va circula curentul de întuneric:

©Valeriu Blajã
32 Fotoconductivitate. Fotorezistor. Fotodiodă

E
Ii = (2.19)
Ri + RS
În prezenţa unui flux luminos prin circuit va circula
curentul de iluminare:
E
I il = (2.20)
Ril + RS
Deoarece Ril<<Rî, curentul Iil>>Iî. Prin urmare, la
iluminare prin fotorezistor va circula un curent mult mai important
ca valoare decât în regim de întuneric. Diferenţa acestor curenţi
Iil-Iî se numeşte curent fotoelectric If=Iil-Iî
Fotorezistoarele ca şi alte fotoreceptoare sunt folosite în
diverse echipamente metrologice, de semnalizare, automatică,
comunicaţii etc.
Să analizăm procesele care au loc în joncţiunea p-n aflată sub
radiaţie electromagnetică. Sub acţiunea fluxului luminos în domeniul
p şi/sau în domeniul n are loc procesul de generare a cuplurilor
electron-gol. Prin urmare, în domeniile respective creşte concentraţia
purtătorilor de sarcină. Sub
hν acţiunea câmpului electric intern
are loc separarea purtătorilor de
sarcină: golurile sunt transportate
p n spre anod şi se acumulează ca
sarcină pozitivă, iar electronii sunt
A+ + −K
+ transportaţi spre catod şi se
− acumulează ca sarcină negativă

(vezi fig.2.15). În aşa mod la
bornele joncţiunii p-n apare
Eint. tensiune electromotoare
Fig.2.15. Separarea fotoelectrică, valoarea maxim
purtătorilor de sarcină în posibilă a cărei este determinată de
câmpul electric intern al înălţimea barierei de contact. Acest
joncţiunii p-n fenomen stă la baza funcţionării
fotodiodelor.

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 33
Fotodioda este un dispozitiv semiconductor format dintr-o
joncţiune p-n cu două terminale (anod şi catod) şi care funcţionează
în baza efectului fotoelectric intern.
Fotodioda poate funcţiona în două regimuri:
‰ regim de fotogenerator −
FD
fără sursă externă de
tensiune,
‰ regim de ventil − cu sursă A Rs
externă de tensiune. E
+ −
Atunci când fotodioda va fi
montată într-un circuit analogic Fig.2.16. Montajul
fotodiodei
celui prezentat în fig.2.16; curentul
în circuit va fi determinat de
caracteristica statică a fotodiodei:

⎛ ⎛ eU ⎞ ⎞
I = I 0 ⎜⎜ exp⎜ ⎟ − 1⎟⎟ − I f , (2.21)
⎝ ⎝ kT ⎠ ⎠
unde If este curentul I
fotoelectric (un curent
electric intern orientat de la
catod spre anod), care are
valoarea dependentă de
valoarea fluxului luminos. 0
Caracteristica statica a Φ =0 A U
fotodiodei pentru diferite
valori ale fluxului luminos Φ1 ≠0
incident Ф este prezentată Φ2>Φ1 B
în fig.2.17. Observăm că
curentul fotoelectric Fig.2.17. Caracteristica statică
deplasează caracteristica a fotodiodei
fotodiodei spre curenţi
inverşi.

©Valeriu Blajã
34 Fotoconductivitate. Fotorezistor. Fotodiodă

Pe caracteristica statică a fotodiodei observăm:


9 curentul de întuneric care este echivalent curentului invers al
joncţiunii p-n pe caracteristica de întuneric (Ф=0),
9 segmentul 0-В este curentul de scurtcircuit Is.c. al fotodiodei
pentru valoarea dată a fluxului luminos (Ф=Ф2),
9 curentul de scurtcircuit al fotodiodei este echivalent curentului
fotoelectric pentru valoarea dată a fluxului luminos (Ф=Ф2),
9 segmentul 0-А este tensiunea de mers în gol Um.g. a fotodiodei
pentru valoarea dată a fluxului luminos (Ф=Ф2),
9 tensiunea de mers în gol este echivalentă tensiunii electromotoare
fotoelectrice a fotodiodei pentru valoarea dată a fluxului luminos
(Ф=Ф2),
9 aria suprafeţei haşurate este proporţională cu puterea electrică
maximă, care poate fi obţinută de la fotodioda respectivă în
regim de fotogenerator.
Alte caracteristici specifice, atât fotorezistorului, cât şi
fotodiodei sunt:
ª caracteristica de iluminare, care prezintă
dependenţa curentului fotoelectric de
intensitatea fluxului luminos pentru o valoare
stabilită a tensiunii de polarizare If=f(Ф);
ª caracteristica spectrală, care prezintă
dependenţa curentului fotoelectric raportat la
valoarea fluxului vs lungimea de undă a
radiaţiei incidente If/Фλ = f(λ).

şi parametrii:
• sensibilitatea absolută (integrală), care este raportul
curentului fotoelectric If (pentru valoarea stabilită a
tensiunii de polarizare) la valoarea intensităţii
fluxului incident de lumină albă:
If
Sa = , (2.22)
Φ

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 35
• sensibilitatea relativă, care este raportul curentului
fotoelectric If la valoarea intensităţii fluxului
incident de lumină albă şi valoarea tensiunii de
polarizare:
If
Sr = , (2.23)
Φ ⋅U
• sensibilitatea spectrală, care este raportul curentului
fotoelectric If (pentru valoarea stabilită a tensiunii de
polarizare) la valoarea intensităţii fluxului incident
de lumină monocromatică cu lungimea de undă λ
(într-o gamă foarte îngustă λ, λ+Δλ) Фλ:
If
Sλ = , (2.24)
Φλ
• randamentul − raportul puterii electrice dezvoltate
de fotodiodă pe sarcină către fluxul luminos:
I s ⋅U s
η= . (2.25)
Φ
Valoarea randamentului este determinată de pierderile interne
de energie, care depind, atât de materialul semiconductor şi
structura, cât şi de regimul de funcţionare a dispozitivului (sarcina
electrică, intensitatea luminii, temperatură etc.).
Fotoreceptoarele – fotodiodele şi fotorezistoarele – au domenii
foarte vaste de utilizare practică. Aplicaţiile fotoreceptoarelor pot fi
clasificate în trei grupe:
™ echipament metrologic şi traductoare, care au valoarea
semnalului de ieşire în dependenţă proporţională de intensitatea
luminii;
™ echipament cu diverse destinaţii în care fotoreceptorul
funcţionează ca o poartă electronică cu un prag prestabilit de
sensibilitate;
™ folosirea fotodiodelor pentru conversia energiei solare în energie
electrică (celule şi baterii solare).

©Valeriu Blajã
36 Diode luminiscente

2.8.Diode luminiscente
Dacă în semiconductor într-un careva mod sunt generaţi
purtători de sarcină, apare posibilitatea recombinării lor cu emiterea
energiei în formă de fotoni. Acest proces este numit luminiscenţă.
Una din cele mai simple şi eficiente metode de excitare a purtătorilor
de sarcină în semiconductor este formarea unui curent electric prin
joncţiunea p-n, adică injecţia purtătorilor minoritari. Luminiscenţa
stimulată prin curent direct prin joncţiunea p-n este numită
electroluminiscenţă de injecţie.
În această situaţie în dioda
semiconductoare are loc o
LED
convertizare (transformare) directă a
energiei electrice în energie de
RS lumină. Diodele electroluminiscente,
E LED-urile (Light Emitting Diodes) au
+ −
găsit un domeniu foarte vast de
Fig.2.18. Schema de
folosire datorită coeficientului înalt de
montaj a diodei
luminiscente
conversie. În fig.2.18 este prezentată
schema de montaj a diodei
electroluminiscente.
Principiul constructiv impus la confecţionarea diodelor
electroluminiscente presupune nu numai o eficienţă fotonică internă
mare, dar şi eficienţă înaltă la ieşirea luminii. Emiterea luminii din
cristal poate fi efectuată prin suprafaţa de deasupra joncţiunii sau
prin suprafaţa laterală. Deoarece lumina este formată în zona
joncţiunii p-n, o parte din ea este absorbită în volumul cristalului,
transformându-se în căldură. O parte din lumină este reflectată de la
suprafaţa exterioară a cristalului. Deoarece indicele de refracţie a
majorităţii materialelor semiconductoare este mare, la valori mari ale
unghiului de incidenţă are loc reflecţia internă totală. Pentru fosfura
şi arsenura de galiu unghiul de reflecţie internă totală are valorile
respective de 12,70 şi 16,20.
Pentru reducerea reflexiei totale interne în diodele
luminiscente sunt folosite pelicule antireflectante cu un indice de

©Valeriu Blajã
DIODE SEMICONDUCTOARE 37

refracţie egal cu indicele de refracţie al materialului semiconductor.


Eficienţa de emisie a diodei poate fi îmbunătăţită prin reducerea
pierderilor de reflexie internă totală dacă suprafaţa de emisie a diodei
luminiscente are forma unei emisfere sau a unei sfere secţionate
(fig.2.19). Structura în formă de sferă secţionată introduce
suplimentar şi un efect de focalizare a fluxului luminos emis.

n n

p p

A K A K
a b
Fig.2.19. Structura diodei luminiscente cu emisie prin:
a − emisferă; b − sferă secţionată
Poziţia maximumului pe caracteristica spectrală de emisie este
determinată de lăţimea benzii interzise a materialului semiconductor
şi de energia de ionizare a impurităţilor care sunt implicate în
procesul de recombinare luminiscente. Intensitatea luminiscenţei este
proporţională cu densitatea curentului electric care circulă prin
joncţiunea p-n. Alt moment important este lungimea de undă la care
are loc emisia LED-ului în comparaţie cu sensibilitatea ochiului
uman care este maximă pentru lumina verde (λ=0,55 μm). Spre
exemplu, pentru lumina roşie (λ≈0,70 μm) sensibilitatea ochiului
uman scade aproximativ de 30 ori faţă de sensibilitatea în maximum.
În aşa mod se explică o intensitate mai mare a luminii emise de
LED-urile „verzi” în comparaţie cu diodele cu luminiscenţă roşie, cu
toate că eficienţa de emisie internă este mai mică.

©Valeriu Blajã
38 Diode luminiscente

Luminiscenţa LED-urilor poate fi monocromatică şi, prin


urmare, poate fi modulată cu semnal (mesaj) de înaltă frecvenţă. În
regim nominal comutarea LED-urilor poate fi efectuată în timpi de
ordinul 10−7÷10−9 secunde. Acest efect este folosit pe larg pentru
transmiterea informaţiei (telecomunicaţii, transmisiuni de date etc.)
prin linii de transmisiune cu fibră optică. Altă utilizare larg
răspândită a diodelor luminiscente sunt elementele de indicaţie (spre
exemplu, cu 7 segmente).
Un domeniu aparte este fabricarea optocuploarelor.
Optocuploarele sunt dispozitive optoelectronice formate dintr-o
sursă de lumină şi un fotoreceptor, montate într-o capsulă şi alese cu
eficienţa maximă la aceeaşi lungime de undă. Simbolul
optocuplorului este prezentat în figura 2.20. În calitate de sursă de
lumină pot fi folosite: becul electric, LED-ul sau laserul
semiconductor. În calitate de fotoreceptor pot fi folosite:
fotorezistorul, fotodioda, fototranzistorul, fototiristorul.
Optocuploarele sunt folosite pentru separarea galvanică între diverse
circuite electronice. De exemplu, pentru separarea galvanică între
circuitul de comandă şi circuitul de forţă în sisteme metrologice,
echipamente de automatică, electronică de putere, echipament
medical electronic, telecomunicaţii etc.

Fig.2.20. Simbolul
optocuplorului

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 39

3. TRANZISTOARE BIPOLARE
Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor cu cel puţin
trei terminale capabil să amplifice puterea semnalelor electrice, la
baza funcţionării cărui se află comanda fluxului de purtători de
sarcină în cristalul semiconductor. Proprietăţile de amplificare ale
tranzistorului se explică prin prezenţa a două circuite − de intrare şi
de ieşire − şi posibilităţii de comandă a curentului în circuitul de
ieşire. În funcţie de principiul de funcţionare şi structură sunt
cunoscute câteva tipuri de tranzistoare În funcţie de categoria
fluxului de purtători de sarcină tranzistoarele pot fi clasificate în
două categorii:
‰ bipolare (tranzistoare cu injecţia purtătorilor de sarcină),
‰ unipolare (tranzistoare cu efect de câmp).

3.1.Structura şi principiul de funcţionare a tranzistorului


bipolar
Se numesc bipolare tranzistoarele în care fluxul de purtători
de sarcină este format simultan din două tipuri de purtători de
sarcină (goluri şi electroni). Tranzistorul bipolar este elaborat de
fizicianul american Schokley. El poate realiza, atât funcţiile de
amplificare, cât şi funcţiile de poartă electronică. Prin urmare, este
un element universal al circuitelor electronice. Principiul de
funcţionare a tranzistorului bipolar se bazează pe fenomenul de
injecţie a purtătorilor de sarcină prin joncţiunea p-n. Dacă se aplică
un mic semnal electric între emitor şi bază, atunci în circuitul
colectorului, de pe o rezistenţă de sarcină de sarcină mare se culege
un semnal un semnal electric mult amplificat. Denumirea de
tranzistor provine din reunirea cuvintelor din limba engleză
TRANsfer reZISTOR, care indică proprietatea principală a
dispozitivului, adică transformarea de la o rezistenţă mică a
joncţiunii emitorului la o rezistenţă foarte mare a joncţiunii
colectorului.

©Valeriu Blajã
40 Structura şi principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor format


într-un cristal semiconductor cu structura formată din trei domenii
de conductivitate consecutiv diferită divizate prin două
joncţiuni p-n.

E C E C E C E C
p n p n p n
B a B c
B b B d
Fig.3.1. Structura (a, c) şi simbolurile grafice(b, d)
ale tranzistoarelor bipolare

În funcţie de ordinea alternării tipurilor de conductivitate


deosebesc două tipuri de tranzistoare bipolare: p−n−p şi n−p−n.
Structura şi simbolurile grafice ale tranzistoarelor bipolare sunt
prezentate în fig.3.1. În ambele tipuri de tranzistoare principiul de
funcţionare este analogic. De la un tip la altul se schimbă în invers
tipul purtătorilor de sarcină, care traversează baza, polaritatea
tensiunilor de polarizare şi sensul curenţilor. Din aceste motive în
continuare ne vom opri numai la analiza funcţionării unui tip de
tranzistoare – p−n−p. În calitate de material semiconductor pentru
fabricarea tranzistoarelor mai frecvent este
n folosit Ge sau Si.
Primele tranzistoare se fabricau prin
E C
p p metoda de aliere. Să analizăm procedura de
fabricare a tranzistorului de tip p−n−p (vezi
fig.3.2). Placheta de Si de conductibilitate
electronică este baza structurii
tranzistorului şi de aici provine denumirea
B domeniului şi terminalului respectiv – bază.
Fig.3.2. Structura Prin procedura de difuzie sunt formate
tranzistorului domeniile externe cu conductibilitate
Si-aliat
lacunară: emitorul şi colectorul. În acelaşi

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 41

sunt numite şi joncţiunile p-n respective.


Funcţia emitorului este injecţia purtătorilor de sarcină în
bază, iar funcţia colectorului – extragerea (colectarea) purtătorilor
de sarcină din bază. Pentru ca colectorul să-şi realizeze efectiv
funcţia el este confecţionat cu o arie maxim posibilă.
Distribuţia concentraţiei purtătorilor de sarcină şi a
potenţialelor în structura tranzistorului p-n-p sunt prezentate în
figura 3.3. Concentraţiile purtătorilor de sarcină în emitor şi
colector nu se deosebesc esenţial, însă ele se deosebesc cardinal de
concentraţia electronilor în bază. Ultimul fapt afectează într-un
mod important
parametrii Eint Eint
tranzistorului.
Concentraţia E − ++ ++ − C
purtătorilor majoritari p − ++ n ++ − p
− ++ ++ − а
în bază trebuie să fie − −
mult mai mică ca
B
concentraţia purtătorilor n, p pp pp
majoritari în emitor
nn
nn<<pp. Această situaţie
se realizează prin np np
pn b
alegerea unui material
semiconductor cu x
ϕ
rezistenţă specifică x
mare ca material iniţial
al bazei. ϕk ϕk c
În absenţa
polarizării la suprafeţele
de separaţie ale
joncţiunilor se formează Fig.3.3. Tranzistorul p-n-p:
domenii de sarcină a − structura, b − profilul concentraţiei
spaţială, câmp electric purtătorilor majoritari,
intern. c − profilul potenţialelor

©Valeriu Blajã
42 Structura şi principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar

Să analizăm procesele fizice, care vor avea loc în structura


tranzistorului la polarizarea tranzistorului după cum este prezentat
în fig.3.4. Mai frecvent joncţiunea emitorului este polarizată direct,
iar joncţiunea colectorului – invers, fapt, care este format de sursele
de polarizare UE şi UC.
Deoarece joncţiunea emitorului este polarizată direct bariera
de potenţial pentru goluri se micşorează şi, prin procedura de
difuzie, golurile sunt injectate în bază, formând curentul emitorului
prin
goluri (IEp). În mod analog creşte fluxul electronilor din bază în
emitor, formând curentul emitorului prin electroni (IEn). Prin
urmare:
IE = IEp + IEn. (3.1)
Majoritatea golurilor ajunge la joncţiunea colectorului formând
curentul colectorului prin goluri − ICp. Componenta electronică a
curentului IEn este formată de fluxul de electroni din bază spre
colector şi se închide prin sursa de polarizare UE şi este inutilă
pentru formarea curentului colectorului ICp.
Un indice important de calitate a funcţionării joncţiunii
emitorului este factorul de injecţie γ, care reprezintă ponderea
componentei lacunare în curentul emitorului:
I Ep I Ep
γ= = , (3.2)
IE I Ep + I En
Pentru îmbunătăţirea parametrilor tranzistorului este necesar
ca IEp>>IEn, fapt care realizat prin raportul respectiv al
concentraţiilor purtătorilor de sarcină majoritari în emitor şi bază.
Golurile injectate în bază formează o concentraţie excesivă în
apropierea emitorului. Acest fapt cauzează apariţia unui flux
difuzional de goluri spre colector. Prezenţa simultană a golirilor
injectate şi a electronilor (ca purtători majoritari) în bază aduce la
recombinarea unei părţi din totalul de goluri injectate. Prin urmare,
nu toate golurile ajung până la joncţiunea colectorului.

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 43

Concentraţia electronilor în bază este completată prin electronii


furnizaţi prin circuitul sursei de polarizare, care formează curentul
bazei − IBp. Prin urmare, pentru componentele lacunare ale
curenţilor în tranzistor:
IEp = ICp + IBp. (3.3)
Efectul procesului de recombinare asupra parametrilor de
amplificare ai tranzistorului este reprezentat de factorul de transfer
al purtătorilor de sarcină în bază δ, care reprezintă ponderea
golurilor care ajung la joncţiunea colectorului în toată cantitatea de
goluri injectate în bază:
I Cp
δ= . (3.4)
I Ep
Pentru a
îmbunătăţi parametrii p IEp n p
de calitate ai ICp
E IBp C
tranzistorului este
necesar ca δ să fie cât IEn a
IC0
mai aproape de
unitate. Cu acest scop B
se micşorează UE −
+ + UC −
grosimea bazei şi se
măreşte viteza de ϕ ϕE=ϕk−UE
trecere a purtătorilor x
b
de sarcină prin bază.
ϕC=ϕk+ UC

Fig.3.4. Tranzistorul p-n-p în regim activ


direct: a − structura şi curenţii,
b − profilul potenţialelor

©Valeriu Blajã
44 Structura şi principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar

Relaţia între curentul colectorului ICp şi curentul emitorului IE


este reprezentată prin raportul lor, care se numeşte factor de
transfer al curentului:
I Cp
α= . (3.5)
IE
În modul următor:
I Cp I Cp ⋅ I Ep I Cp ⋅ I Ep
α= = = = γ ⋅ δ, (3.6)
IE I E ⋅ I Ep I Ep ⋅ I E
găsim relaţia între parametrii prezentaţi mai sus.
Prin joncţiunea colectorului polarizată direct va mai circula şi
curentul său invers IC0. Această componentă a curentului
colectorului este formată de curentul de derivă al purtătorilor
minoritari din zona limitrofă joncţiunii p-n. Deoarece concentraţia
purtătorilor minoritari (intrinseci) este proporţională pătratului
temperaturii absolute şi valoarea curentului colectorului
aproximativ în acelaşi mod depinde de temperatură, fapt care
explică denumirea acestui curent – curent termic.
Totalizând expunerea funcţionării tranzistorului bipolar,
putem spune: principiul de funcţionare al tranzistorului bipolar
constă în formarea fluxului de purtători de sarcină din emitor spre
colector prin bază şi comanda curentului colectorului prin varierea
curentului emitorului. Prin urmare, tranzistorul bipolar este
comandat în curent.
Relaţiile principale ale curenţilor tranzistorului sunt:
I E = I C + I B, (3.7)
IC = α⋅IE + IC0, (3.8)
IB = IE − IC= IE − α⋅IE − IC0= IE(1 − α)− IC0. (3.9)
În funcţie de polaritatea tensiunilor de polarizare a
joncţiunilor sunt posibile patru regimuri de funcţionare a
tranzistorului:

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 45

‰ regim activ direct:


™ joncţiunea emitorului este polarizată direct, UE>0,
™ iar joncţiunea colectorului − invers, UC<0.
Regimul activ direct este cel mai des folosit, îndeosebi în
circuitele electronice liniare, unde tranzistorul funcţionează
ca dispozitiv de amplificare.
‰ regim de tăiere (tranzistorul este blocat):
™ joncţiunea emitorului este polarizată invers, UE<0,
™ şi joncţiunea colectorului − invers, UC<0.
‰ regim de saturaţie (tranzistorul este în conducţie saturată):
™ joncţiunea emitorului este polarizată direct, UE>0,
™ şi joncţiunea colectorului − direct, UC>0.
Regimul de tăiere şi regimul de saturaţie sunt folosite
împreună când tranzistorul este folosit ca poartă
electronică (releu). Aceste regimuri sunt folosite în circuite
neliniare în tehnica cu impulsuri, tehnica digitală şi
electronica de putere.
‰ regim activ invers
™ joncţiunea emitorului este polarizată invers, UE<0,
™ iar joncţiunea colectorului − direct, UC>0.
Regimul activ invers ca atare nu este folosit.
Regimurile de funcţionare a IC
tranzistorului bipolar pot fi prezentate pe
caracteristica de transfer a tranzistorului,
spre exemplu, în montaj EC (vezi fig.3.5).
Regimului activ direct îi corespunde
porţiunea liniară (1) a caracteristicii de
transfer. În regim de tăiere curentul de ieşire
(IC) al tranzistorului este aproape de zero 2 1 3
(porţiunea 2 a caracteristicii), iar în regim de IB
saturaţie curentul de ieşire atinge valoarea Fig.3.5. Caracteristica
maxim posibilă şi nu mai depinde de de transfer a
valoarea curentului de intrare (porţiunea 3). tranzistorului bipolar
în montaj EC

©Valeriu Blajã
46 Conexiunile a tranzistorului bipolar

3.2. Conexiunile a tranzistorului bipolar


Deoarece tranzistorul are trei terminale – emitor, bază şi
colector – în montaj de cuadripol un terminal este terminal de
intrare, unul de ieşire, iar al treilea este comun pentru circuitul de
intrare şi circuitul de ieşire. Deoarece pentru amplificare baza
trebuie să fie inclusă în circuitul de intrare, iar colectorul – în
circuitul de ieşire, sunt posibile trei variante de montaj al
tranzistorului: bază comună (BC), emitor comun (EC) şi colector
comun (CC) (vezi fig.3.6).

IC

IE VT IC IB
VT
Uint. Rs Uint. Rs
IB IE
+ UEB − +UCB − a −UBE+ +UCE− b

IE

IB
VT
Fig.3.6. Conexiunile
Uint. Rs tranzistorului bipolar:
IC a − BC, b − EC, c − CC
+UBC− −UEC+ c

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 47

3.2.1. Conexiune bază comună


În montaj bază comună (BC) curentul de intrare al este
curentul emitorului Iint.=IE, iar curentul de ieşire este curentul
colectorului Iieş.=IC (vezi fig.3.6.а). În circuitul de intrare în serie cu
sursa de polarizare UEB este conectată sursa de semnal Uint, iar în
circuitul de ieşire – sarcina Rs. Dacă sub acţiunea semnalului de
intrare în circuitul de intrare se va modifica valoarea tensiunii, se va
modifica corespunzător şi valoarea curentului de intrare cu
ΔIint.=ΔIE. Această variaţie va provoca o variaţie respectivă a
curentului de ieşire cu ΔIieş.=ΔIC:
IE+ΔIE = IC+ΔIC+IB+ΔIB. (3.10)
Cel mai important parametru responsabil de proprietăţile de
amplificare a tranzistorului, indiferent de conexiune, este factorul
de amplificare a curentului (factor de transfer a curentului). În
montajul BC la regim de scurt circuit în circuitul de intrare pentru
semnal variabil acest factor este determinat ca raportul variaţiilor
curenţilor (curentului de ieşire către cea a curentului de ieşire):
ΔI ieş. ΔI C
α= = . (3.11)
ΔI int . ΔI E U CB = const

Acest factor pentru tranzistorul planar are valori în domeniul


0,95÷0,99.
Deoarece curentul emitorului IE este cel mai mare curent din
tranzistor, în montajul BC tranzistorul are cea mai mică impedanţă
de intrare. Practic ea este determinată de impedanţa joncţiunii
emitorului. Valoarea mică a impedanţei de intrare (unităţi sau zeci
de Ω) este un dezavantaj important al montajului BC, deoarece
formează efect de şuntare în circuitele cu multe etaje şi în acest mod
este brusc micşorată amplificarea etajului în tensiune şi putere.

©Valeriu Blajã
48 Conexiunile a tranzistorului bipolar

3.2.2. Conexiune emitor comun


Curent de intrare în montaj EC este curentul bazei Iint.=IB, iar
curent de ieşire este curentul colectorului Iieş.=IC (vezi fig..3.6.b). În
circuitul de intrare în serie cu sursa de polarizare UBE este conectată
sursa de semnal Uint., iar în circuitul de ieşire este conectată sarcina
Rs. Dacă sub acţiunea semnalului de intrare tensiunea în circuitul de
intrare se va modifica şi, prin urmare, se va modifica curentul de
intrare cu o valoare ΔIint.=ΔIB. Acest fapt va provoca o variaţie a
curentului de ieşire cu o valoare de ΔIieş.=ΔIC. Factorul de transfer a
curentului în montaj EC este determinat în modul următor:
ΔI ieş. ΔI C
β= = . (3.12)
ΔI int . ΔI B U CE = const
Să găsim relaţia între factorii α şi β:
ΔI C
ΔI ΔI C ΔI E α (3.13)
β= C = = = .
ΔI B ΔI E − ΔI C ΔI E ΔI 1−α
− C
ΔI E ΔI E

Pentru α∼0,98, găsim β∼50. Prin urmare, în montaj EC putem


căpăta un factor de transfer a curentului cu valori de ordinul câtorva
zeci sau mai mare. Impedanţa de intrare a montajului EC este mult
mai mare în comparaţie cu montajul BC. Acest fapt rezultă din
relaţia:
ΔU int . ΔU int .
>> . (3.14)
ΔI B ΔI E

Impedanţa de ieşire a montajului EC are valori de ordinul


30÷40 kΩ. Alt moment caracteristic montajului EC este
posibilitatea polarizării în comun a ambelor joncţiuni, deoarece şi
pe bază şi pe colector se aplică aceeaşi polaritate a sursei de
polarizare. Stabilitatea termică a montajului EC este mai proastă ca
a montajului BC.

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 49

3.2.3. Conexiune colector comun


Curent de intrare în montaj CC este curentul bazei Iint.=IB, iar
curent de ieşire este curentul emitorului Iieş.=IE (vezi fig..3.6.c).
Factorul de transfer a curentului în montaj CC este determinat în
modul următor:

ΔI ieş. ΔI E
αC = = . (3.15)
ΔI int . ΔI B U EB = const

Să găsim relaţia între factorii α şi αС:

ΔI E
ΔI ΔI E ΔI E 1 (3.16)
αC = E = = = .
Δ I B ΔI E − Δ I C Δ I E ΔI 1−α
− C
ΔI E ΔI E

În montaj CC factorul de transfer al curentului este mai mare


şi, prin urmare, impedanţa de intrare tot este mare (aproximativ ca
în montajul EC). Deci caracteristicile circuitului cu montaj CC sunt
analogice cu caracteristicile circuitului cu montaj EC, deoarece
factorul de amplificare şi relaţiile între curenţii de ieşire şi intrare în
ambele montaje sunt aproape identice. Însă, spre deosebire de alte
conexiuni, montajul CC nu prezintă amplificare în tensiune,
deoarece impedanţa de ieşire este foarte mică. Acest montaj este
folosit preponderent pentru amplificarea puterii (curentului) şi
pentru acordarea (în impedanţă) între diferite etaje de amplificare
sau între ieşirea amplificatorului şi sarcina cu rezistenţă mică.

©Valeriu Blajã
50 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

3.3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar


Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar reprezintă
dependenţa curenţilor de tensiuni la intrare sau la ieşire. Prin urmare,
deosebim caracteristici de intrare şi de ieşire. Caracteristicile de
intrare sunt determinate pentru anumit regim permanent în circuitul
de ieşire, cele de ieşire – pentru un regim permanent în circuitul de
intrare. Din acest motiv caracteristicile de intrare sunt mai multe şi
formează familia caracteristicilor de intrare. În acelaşi mod se
defineşte familia caracteristicilor de ieşire. În cataloage găsim
caracteristici statice pentru montajul BC şi EC. Montajul CC este
analizat ca un caz particular al montajului EC şi, în acest caz, la
calcule se folosesc caracteristicile statice pentru montajul EC.
3.3.1. Caracteristicile statice în montaj BC
Caracteristicile de intrare pentru montajul BC reprezintă
dependenţa curentului de intrare de tensiunea de intrare pentru regim
permanent în circuitul de ieşire: I E = f (U EB ) . Deoarece
U CB = const
tensiunea în circuitul de ieşire poate căpăta diferite valori (dar
constante pentru fiecare caracteristică), căpătăm o mulţime de
caracteristici, care formează familia caracteristicilor de intrare
Caracteristicile de intrare în montaj BC sunt analogice caracteristicii
statice a joncţiunii p-n polarizată direct, deoarece în circuitul de
intrare este conectată joncţiunea emitorului polarizată direct.
Valoarea curentului emitorului depinde slab de tensiunea UCB,
deoarece această tensiune cade preponderent pe joncţiunea
colectorului şi nu afectează esenţial trecerea purtătorilor de sarcină
prin joncţiunea emitorului. Însă la creşterea tensiunii inverse pe
joncţiunea colectorului creşte intensitatea câmpului electric în
joncţiunea şi se îmbunătăţeşte extracţia purtătorilor de sarcină din
bază. Prin urmare, creşte diferenţa concentraţiilor golurilor în emitor
şi bază şi în aşa mod creşte curentul de difuziune al emitorului.
Caracteristicile statice de intrare ale tranzistorului bipolar în montajul
BC sunt prezentate în fig.3.7.
©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 51

IE UCB=5 V IC IE3
UCB=0
IE2

IE1

UEB UCB
Fig.3.7. Caracteristicile Fig.3.8. Caracteristicile statice de
statice de intrare ale ieşire ale tranzistorului bipolar în
tranzistorului bipolar în montaj BC:
montaj BC IE1 <IE2<IE3

Caracteristicile statice de ieşire ale tranzistorului bipolar în


montaj BC reprezintă dependenţa curentului de ieşire de tensiunea în
circuitul de ieşire pentru regim permanent în circuitul de intrare
IC = f (UCB ) şi sunt prezentate în fig.3.8. Cu toate că atât
IE = const
curenţii, cât şi tensiunile de ieşire au valori negative, caracteristicile
de ieşire, de regulă, sunt prezentate în coordonate pozitive.
Deoarece caracteristicile de ieşire sunt determinate de
joncţiunea colectorului, ele sunt identice caracteristicilor statice ale
joncţiunii p-n polarizate invers. Caracteristicile de ieşire au forma
unor drepte cu o pantă foarte mică deoarece în montaj BC valoarea
curentului colectorului este determinată de valoarea curentului
emitorului şi depinde slab de tensiunea pe colector. Chiar şi în cazul
când UCB=0 are loc extracţia purtătorilor de sarcină de joncţiunea
colectorului şi curentul colectorului poate avea valori importante
determinate de curentul emitorului. Când se schimbă polaritatea
tensiunii UCB, curentul colectorului scade brusc până la zero şi creşte
în sens opus, care corespunde polarizării directe a joncţiunii p-n.
Porţiunile discontinue ale caracteristicilor de ieşire, de regulă, nu se
foloseşte şi în cataloage nu se prezintă.

©Valeriu Blajã
52 Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

3.3.2. Caracteristicile statice în montaj EC


În acest montaj caracteristicile statice de intrare reprezintă
dependenţa curentului de intrare de tensiunea de intrare pentru regim
permanent în circuitul de ieşire: I B = f (U BE ) .
U CE = const
Caracteristicile de intrare în montaj EC sunt analogice caracteristicii
statice a joncţiunii p-n polarizată direct. La creşterea tensiunii UCE
creşte intensitatea câmpului electric în joncţiunea colectorului şi se
îmbunătăţeşte extracţia purtătorilor de sarcină din bază. Prin urmare,
se micşorează concentraţia golurilor în bază. În aşa mod scade
probabilitatea recombinării golurilor cu electronii în bază. Acest fapt
provoacă micşorarea curentului bazei. Caracteristicile statice de
intrare ale tranzistorului bipolar în montajul EC sunt prezentate în
fig.3.9.
Caracteristicile statice de ieşire ale tranzistorului bipolar în
montaj EC reprezintă dependenţa curentului de ieşire de tensiunea în
circuitul de ieşire pentru regim permanent în circuitul de intrare
I C = f (UCE ) şi sunt prezentate în fig.3.10.
I B = const

IB UCE=0 IC IB3
UCE=5 V I II III
IB2

IB1

UBE UCE
Fig.3.9. Caracteristicile Fig.3.10. Caracteristicile statice de
statice de intrare ale ieşire ale tranzistorului bipolar în
tranzistorului bipolar în montaj EC:
montaj EC IB1 <IB2<IB3

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 53

Observăm că dependenţa curent-tensiune are caracter diferit în


cele trei domenii (I, II şi III). Pentru a explica caracteristicile statice
de ieşire vom analiza montajul EC în modul prezentat în fig. 3.11.
Deoarece UCE şi UBE sunt aplicate pe
joncţiunea colectorului în serie cu polarităţi C
opuse, polarizarea colectorului depinde de −
raportul între valorile acestor tensiuni. În UCE
montaj EC tensiunea pe joncţiunea p
B +
colectorului este diferenţa tensiunilor de n −
polarizare: UCE−UBE. Prin urmare, la valori
p UBE
mici ale tensiunii UCE, U CE < U BE , +
joncţiunea colectorului este polarizată
E
direct şi dependenţa curent–tensiune este
exponenţială (domeniul I). La valori mai Fig.3.11. Montaj EC
mari ale tensiunii UCE ⎪UCE⎪>⎪UBE⎪
(domeniul II) joncţiunea colectorului este
polarizată invers. Caracteristicile de ieşire în acest domeniu sunt
analogie cu caracteristica joncţiunii polarizată direct. Panta
caracteristicilor în acest domeniu scade brusc şi dependenţa
curentului de tensiune este foarte slabă şi valoarea curentului
colectorului IC este determinată de nivelul de injecţie a golurilor din
emitor în bază, adică de valoarea curentului de intrare IB. La tensiuni
mai mari, în domeniul III se începe străpungerea joncţiunii
colectorului.
Poziţia fiecărei caracteristicii în familia caracteristicilor de
ieşire depinde de valoarea curentului respectiv al bazei.

©Valeriu Blajã
54 Circuite echivalente cu parametri naturali

3.4. Circuite echivalente cu parametri naturali


Prezentarea tranzistorului printr-un circuit echivalent este
necesară pentru efectuarea calculelor în circuitele dotate cu
tranzistoare. Utilizarea circuitelor (schemelor) echivalente prezintă
un mod comod şi ilustrativ de analiză a influenţei caracteristicilor şi
parametrilor tranzistorului asupra circuitului în ansamblu.
Să analizăm circuitele echivalente simplificate ale
tranzistorului bipolar în montaj BC şi EC, prezentate în fig.3.12.
Aceste scheme reprezintă suficient de bine structura tranzistorului şi
includ parametrii care au sens fizic. Din acest motiv aceste scheme se
numesc circuite echivalente cu parametri naturali.
αiB βi B
E iE iC C B iB iC C
rE rC rB rC
uEB rB uCB uBE rE uCE
iB iE
B a E b
Fig.3.12. Scheme echivalente cu parametrii naturali ale tranzistorului
bipolar în montaj BC (a) şi EC (b)

Parametrii principali necesari pentru formarea circuitului


echivalent al tranzistorului bipolar sunt:
™ Rezistenţa diferenţială a emitorului (joncţiunii emitorului)
duEB
rE = . (3.17)
diE uCB = const
Rezistenţa diferenţială a joncţiunii emitorului polarizată
direct (de regulă) are valori de ordinul câtorva Ohmi.
™ Rezistenţa diferenţială a colectorului (joncţiunii
colectorului)

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 55

duCB
rC = . (3.18)
diC iE = const
Rezistenţa diferenţială a joncţiunii colectorului polarizată
invers (de regulă) are valori de ordinul câtorva zeci sau sute
kiloOhmi.
™ Rezistenţa volumică a bazei rB. Spre deosebire de alţi
parametri, rezistenţa bazei trebuie calculată nu în cadrul unui
model monodimensional, dar reieşind din structura reală a
tranzistorului, deoarece curentul bazei circulă perpendicular
fluxului golurilor, şi, prin urmare, este necesar să fie ţinut
cont configuraţia reală a bazei, atât în domeniul său activ, cât
şi în cel pasiv. Domeniul bazei este format din material
semiconductor cu nivel de dopare jos. Din acest motiv
rezistenţa bazei are valori de circa câtorva sute de Ohmi.
™ Generatoarele echivalente de curent α⋅iB şi β⋅iB ţin cont de
componenta a curentului emitorului de tranzit prin bază. Ele
reprezintă efectul curentului de intrare asupra valorii
curentului de ieşire. Acest fapt permite prezentarea în
circuitul echivalent a condiţiilor reale de funcţionare a
tranzistorului şi, prin urmare, reprezintă proprietăţile de
amplificare ale tranzistorului. Dacă de acest efect nu se va
ţine cont, atuci, deoarece rC>>rE şi rC>>rB, circuitul nu va
reprezenta situaţia reală.
™ Factorul dinamic de transfer a curentului emitorului în
montaj BC este definit în modul următor:
di
α= C . (3.19)
diE uCB = const
™ Factorul dinamic de transfer a curentului bazei în montaj
EC este definit în modul următor:
di
β= C . (3.20)
diB uCE = const

©Valeriu Blajã
56 Parametrii hibrizi ai tranzistorului

3.5. Tranzistorul ca cuadripol activ.


Parametrii hibrizi ai tranzistorului.
Parametrii naturali ai tranzistorului implicaţi în schema
echivalentă în „T” ar putea fi calculaţi folosind dimensiunile şi
caracteristicile electrofizice ale domeniilor tranzistorului. Însă
determinarea lor prin măsurare directă este imposibilă. Din acest
motiv în practică este folosit modelul în care tranzistorul este
considerat un cuadripol. În acest model parametrii pot fi determinaţi
prin măsurări directe.
Dacă la intrarea tranzistorului nu se aplică semnal, el este
element pasiv. Tranzistorul este în circuitul electric un element
comandat. Prin urmare, dacă la intrare se aplică tensiune variabilă,
tranzistorul devine dispozitiv activ, care formează semnal pe sarcina
montată în circuitul de ieşire. În regim de amplificator pe intrarea
tranzistorului se aplică tensiune variabilă, deci tranzistorul este
cuadripol activ. Relaţiile între componentele variabile ale curenţilor
şi tensiunilor, în acest caz, sunt determinate de parametrii diferenţiali
(dinamici) ai tranzistorului, care pot fi
i1 i2 consideraţi invariabili pentru semnale de
T intrare de valori mici. Din aceste considerente
u1 u2 pentru semnal mic tranzistorul este tratat ca un
cuadripol liniar activ (vezi fig.3.13).
Fig.3.13. Tranzistorul Parametrii de semnal mic depind de tensiunile
− cuadripol activ de polarizare, deci de poziţia punctului de
funcţionare al tranzistorului.
Mărimile variabile i1, i2, u1, u2 care caracterizează tranzistorul
sunt legate reciproc. Dacă două din ele sunt date, altele două vor fi
determinate univoc din caracteristicile statice sau prin parametrii
tranzistorului. Coeficienţii în ecuaţiile cuadripolului reprezintă
relaţiile între tensiunile şi curenţii din etajul tranzistorului. Variabile
independente pot fi oricare două din cele patru mărimi, iar altele
două se vor reprezenta ca funcţii de aceste argumente. Pentru
tranzistorul bipolar mai bine corespunde sistema de parametri hibrizi.
În calitate de variabile sunt alese variaţiile curentului de intrare ΔI1 şi

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 57

tensiunii de ieşire ΔU2, iar variaţiile tensiunii de intrare ΔU1 şi


curentului de ieşire ΔI2 sunt determinate din sistema de ecuaţii:
ΔU1=h11⋅ΔI1+h12⋅ΔU2, (3.21)
ΔI2=h21⋅ΔI1+h22⋅ΔU2. (3.22)
Parametrii h11, h12, h21, h22 din sistema de ecuaţii
(3.21)-(3.22) sunt parametri hibrizi ai tranzistorului şi sunt
determinaţi după cum urmează:
™ Impedanţa de intrare a tranzistorului:

ΔU 1
h11 = U 2 = const . (3.23)
Δ I1
ΔU 2 = 0
Acest parametru este măsurat practic în regim de scurt
circuit pentru curent variabil la ieşirea cuadripolului.
™ Factor de reacţie în tensiune:

ΔU 1
h12 = I 1 = const . (3.24)
ΔU 2
ΔI1 = 0
Acest parametru este măsurat practic în regim de mers în gol
pentru curent variabil la intrarea cuadripolului.
™ Factor dinamic de transfer direct al curentului:

ΔI 2
h 21 = U 2 = const . (3.25)
Δ I1
ΔU 2 = 0
Acest parametru este măsurat practic în regim de scurt
circuit pentru curent variabil la ieşirea cuadripolului.
™ Impedanţa de ieşire a tranzistorului:

ΔI 2
h22 = I 1 = const . (3.26)
ΔU 2
Δ I1 = 0
Acest parametru este măsurat practic în regim de mers în gol
pentru curent variabil la intrarea cuadripolului.
©Valeriu Blajã
58 Relaţiile între parametrii naturali şi cei hibrizi

Spre deosebire de alte sisteme de parametri (spre exemplu, z-


sau y-), parametrii hibrizi presupun implicit impedanţe diferite (la
intrarea şi ieşirea cuadripolului). Prin urmare, în cazul tranzistoarelor
bipolare cu impedanţă mică la intrare şi impedanţă mare la ieşire
folosirea sistemului de parametri hibrizi dă rezultate mult mai bune,
precizie mult mai înaltă la măsurarea parametrilor tranzistorului,
îndeosebi la joase frecvenţe, deoarece regimurile necesare la
măsurare: mers în gol la intrare şi scurt circuit la ieşire; sunt uşor
realizabile. Din aceste considerente în cataloage pentru tranzistoarele
bipolare sunt prezentaţi anume parametrii hibrizi. Dezavantajul
acestui sistem de parametri îl constituie nivelul înalt de sofisticare al
expresiilor analitice folosite în calcule.

3.6. Relaţiile între parametrii naturali şi cei hibrizi


Folosind circuitele echivalente cu parametri naturali ale
tranzistorului bipolar (vezi fig.3.12) să găsim conform definiţiilor
parametrii hibrizi ai tranzistorului în montaj BC şi EC. cu acest scop
vom înlocui componentele variabile ale mărimilor cu variaţiile
respective.

3.6.1. Montaj BC

ΔI1≡iE; ΔI2≡iC; ΔU1≡uEB; ΔU2≡uCB; iB= iE(1−α); (3.27)

ΔU 1 u EB i E rE + i B rB i E rE + i E rB (1 − α )
h11 = = = = .
ΔI1 iE iE iE
ΔU 2 = 0 u CB = 0

Prin urmare: h11 = rE + rB (1 − α ). (3.28)

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 59

ΔU 1 u EB iB rB
h12 = = = . (3.29)
ΔU 2 uCB iB rB + iC rC
ΔI 1 = 0 iE = 0

Deoarece iE=0, prin urmare, iB=iC, şi în acest caz expresia


(3.29) se poate scrie:
iC rB rB
h12 = = . (3.30)
iC rB + iC rC rB + rC
Ne amintim că rB<<rC, şi, prin urmare, rB în expresia (3.30)
poate fi neglijată. În aşa mod pentru h12 obţinem:
rB
h12 ≅ . (3.30а)
rC

ΔI 2 iC
h21 = = = α. (3.31)
ΔI1 iE
ΔU 2 = 0 u CB = 0

ΔI 2 iC iC
h 22 = = = . (3.32)
ΔU 2 u CB i B rB + iC rC
ΔI1 = 0 iE = 0
Deoarece iE=0, prin urmare, iB=iC, şi în acest caz expresia
(3.32) se poate scrie:
iC 1
h22 = = . (3.33)
iC rB + iC rC rB + rC
Ne amintim că rB<<rC, şi, prin urmare, rB în expresia (3.33)
poate fi neglijată. În aşa mod pentru h22 obţinem:
1
h22 ≅ . (3.33а)
rC
©Valeriu Blajã
60 Relaţiile între parametrii naturali şi cei hibrizi

Acum putem exprima parametrii naturali ai tranzistorului prin


parametrii săi hibrizi:
α=h21, (3.34)
1
rC ≅ , (3.35)
h12
h
rB ≅ 12 , (3.36)
h 22
h
rE ≅ h11 − 12 (1 − h 21 ). (3.37)
h 22
3.6.2. Montaj EC
ΔI1≡iB; ΔI2≡iC; ΔU1≡uBE; ΔU2≡uCE; iE= iB(1+β); (3.38)

ΔU 1 u BE i B rB + i E rE i r + i B rE (1 + β )
h11 = = = = E B .
Δ I1 iB iB iB
ΔU 2 = 0 u CE = 0

Prin urmare: h11 = rB + rE (1 + β ). (3.39)

ΔU 1 u BE iE rE
h12 = = = . (3.40)
ΔU 2 uCE iE rE + iC rC
ΔI1 = 0 iB = 0
Deoarece iB=0, prin urmare, iE=iC, şi în acest caz expresia
(3.40) se poate scrie:
iC rE rE
h12 = = . (3.41)
iC rE + iC rC rE + rC
Ne amintim că rE<<rC, şi, prin urmare, rE în expresia (3.41)
poate fi neglijată. În aşa mod pentru h12 obţinem:
r
h12 ≅ E . (3.41а)
rC

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 61

ΔI 2 iC
h21 = = = β. (3.42)
Δ I1 iB
ΔU 2 = 0 u CE = 0

ΔI 2 iC iC
h 22 = = = . (3.43)
ΔU 2 u CE i E rE + i C rC
ΔI1 = 0 iB = 0

Deoarece iB=0, prin urmare, iE=iC, şi în acest caz expresia


(3.43) se poate scrie:
iC 1
h 22 = = . (3.44)
iC rE + iC rC rE + rC
Ne amintim că rE<<rC, şi, prin urmare, rE în expresia (3.44)
poate fi neglijată. În aşa mod pentru h22 obţinem:
1
h12 ≅ . (3.44а)
rC
Acum putem exprima parametrii naturali ai tranzistorului prin
parametrii săi hibrizi:
β=h21, (3.45)
1
rC ≅ , (3.46)
h12
h
rE ≅ 12 , (3.47)
h 22
h
rB ≅ h11 − 12 (1 + h 21 ). (3.48)
h 22
Deoarece în funcţie de conexiune parametrii hibrizi respectivi
au valori diferite, în cataloage parametrii hibrizi sunt însoţiţi de
indicii respectivi.

©Valeriu Blajã
62 Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar

3.7. Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar ca orice dispozitiv electronic este


caracterizat printr-o serie de parametri de exploatare, care reprezintă
limitele de exploatare, adică limitele ariei de funcţionare sigură a
tranzistorului bipolar (SOA − Safe Operating Area). Aria de
funcţionare sigură a tranzistorului bipolar este domeniul
caracteristicilor statice de ieşire în limitele cărui este admisă
poziţionarea punctului regimului de funcţionare a tranzistorului fără
pericolul ieşirii lui din funcţie (vezi fig.3.14). Aria de funcţionare
sigură este prezentată în catalog. În acest caz caracteristicile statice
sunt prezentate în scară logaritmică.
Aria de funcţionare sigură este limitată de:
I hiperbola puterii maxim admisibile,
II curentul colectorului maxim admisibil,
III străpungerea joncţiunii colectorului.

II
IC
IC M
PC M

III

UCE M UCE
Fig.3.14. Aria de funcţionare sigură a
tranzistorului bipolar

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE BIPOLARE 63
Să analizăm parametrii uzuali de exploatare ai tranzistorului:
™ Puterea maxim admisibilă disipată pe colector, PCM − este
puterea dezvoltată în tranzistor care este transformată în căldură
şi provoacă creşterea temperaturii cristalului tranzistorului. În caz
general ea este puterea disipată pe tranzistor:
P=PE +PC=IE⋅UEB+IC⋅UCB. (3.49)
Deoarece în regim activ direct curenţii IE şi IC au aproximativ
aceeaşi valoare, iar tensiunile:
UEB<< UCB, (3.50)
puterea se va disipa preponderent pe joncţiunea colectorului şi, prin
urmare:
P≅IC⋅UCB. (3.51)
Fiecare tranzistor este caracterizat de temperatura joncţiunii maxim
admisibilă, la depăşirea căreia scad brusc parametrii tranzistorului.
Dacă evacuarea de căldură este slabă, are loc încălzirea joncţiunii
colectorului, care provoacă o creştere rapidă s curentului colectorului.
Acesta, la rândul său, aduce la o creştere a puterii disipate pe colector.
Procesul poate evolua în avalanşă şi tranzistorul este deteriorat
definitiv.
Valoarea maxim admisibilă a puterii colectorului se alege în aşa
mod încât temperatura joncţiunii colectorului să nu depăşească
temperatura maxim admisibilă TJ M:
TJM − TA
PCM = , (3.52)
RthJA
unde ТА este temperatura mediului ambiant,
Rth JA − impedanţa termică joncţiune–mediu ambiant.
Valorile mărimilor Rth JA şi TJ M sunt indicate în catalog.
Valoarea tipică a impedanţei Rth JA pentru tranzistoare de mică putere
este de 0,5−0,7 0С/mW. Pentru tranzistoarele de putere această
valoare este de zeci de ori mai mică. Valorile tipice ale temperaturii
TJM sunt 150-200 0С pentru siliciu şi de 90-100 0С pentru germaniu.

©Valeriu Blajã
64 Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar
Din expresia (3.52) rezultă, că puterea maxim admisibilă scade
la creşterea temperaturii mediului ambiant. Prin urmare, metoda
principală de creştere a puterii este reducerea impedanţei termice,
adică îmbunătăţirea evacuării de căldură.
™ Curentul colectorului maxim admisibil, IC − este limitat de
puterea maxim admisibilă disipată pe joncţiunea colectorului.
™ Tensiunea maxim admisibilă între colector şi terminalul comun −
UCBM sau UCEM. Este determinată de străpungerea joncţiunii
colectorului.
™ Frecvenţa limită a amplificării în curent fα sau fβ − este
frecvenţa la care factorul de transfer direct al curentului α sau β
scade de е ori faţă de valoarea sa maximală la joase frecvenţe.
Parametrii prezentaţi mai sus sunt cei mai importanţi. În funcţie
de montajul folosit al tranzistorului din catalog mai pot fi folosite şi
valorile altor parametri. Spre exemplu:
™ Curentul maxim admisibil al bazei,
™ Curentul invers al emitorului,
™ Curentul colectorului maxim admisibil în impuls etc.
În cazul folosirii tranzistorului la înalte frecvenţe vor fi utile
valorile:
™ Capacitatea joncţiunii emitorului şi
™ Capacitatea joncţiunii colectorului.

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP 65

4. TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP

Tranzistoarele unipolare au funcţionarea bazată pe un singur


tip de purtători de sarcină (electroni sau goluri). Aceste tranzistoare
mai sunt numite tranzistoare cu efect de câmp deoarece curentul de
ieşire este comandat prin efectul de câmp (spre deosebire de
comanda în curent realizată în tranzistoarele bipolare). În literatura
de limbă engleză aceste tranzistoare sunt numite FET (Field Effect
Transistors).
FET este un dispozitiv semiconductor capabil de amplificarea
semnalelor electrice, care are trei terminale: sursă, drenă şi grilă.
Sursa şi drena sunt domenii de conductivitate înaltă în cristalul
semiconductor. Între ele este format canalul, prin care la aplicarea
tensiunii apare mişcarea purtătorilor majoritari de sarcină de la sursă
spre drenă. Acest curent electric depinde de conductivitatea
canalului şi secţiunea lui transversală. Conductivitatea canalului (sau
secţiunea transversală) este comandată de tensiunea aplicată pe grilă.
În funcţie de metoda de formare a canalului deosebesc:

‰ FET grilă–joncţiune,
‰ FET grilă–izolată.

FET grilă–joncţiune au fost propuse în a. 1952 şi funcţionează


folosind efectul de câmp în joncţiunea p-n. FET grilă–izolată au fost
propuse în a. 1963 şi funcţionează folosind efectul de câmp în stratul
izolator format între placheta de semiconductor (în care este format
sau indus canalul) şi pelicula de metal, care formează grila. Aceste
tranzistoare cu structura metal-izolator-semiconductor sunt numite
MIS FET sau MOS FET (deoarece ca izolator este folosit oxidul de
siliciu). MIS FET pot fi :

ª cu canal iniţial,
ª cu canal indus.

©Valeriu Blajã
66 FET grilă-joncţiune
4.1. FET grilă-joncţiune
Pentru analiza principiului de funcţionare a tranzistorului cu
efect de câmp grilă-joncţiune (FET-J) vom folosi modelul prezentat
în fig.4.1. În structura prezentată canalul tranzistorului este format
într-un strat de semiconductor de tip n aflat între două joncţiuni p-n.
La capetele canalului sunt formate terminalele: sursa şi drena.
Canalul este inclus în circuitul de ieşire împreună cu sursa de
tensiune UDS şi sarcina cu rezistenţa RS.
G
+ UG −

Uint.
D
S
p
n
p RS

− UDS +
Fig.4.1. Structura FET-J cu canal de tip n
Straturile semiconductoare de tip p, care formează cu canalul
joncţiuni p-n, sunt cu o concentraţie a purtătorilor de sarcină mai
înaltă ca în canal. Ambele straturi de tip p sunt legate electric şi
formează al treilea terminal – grila. În circuitul grilei este montată
sursa de semnal de intrare Uint.. Structura tranzistorului FET grilă-
joncţiune cu canal de tip p este identică cu cea prezentată pentru FET
grilă-joncţiune cu canal de tip n. Simbolurile grafice ale FET grilă-
joncţiune cu canale de tip n şi de tip p sun prezentate în fig.4.2 а şi
b, respectiv.
D D
G G
Polaritatea tensiunilor de polarizare
a tranzistorului este prezentată în fig.4.1.
S S
a b Ambele joncţiuni p-n (grilă-canal) sunt
Fig.4.2. Simbolurile grafice polarizate invers de tensiunea UG.
ale FET-J: Comanda în FET se explică prin
а − cu canal de tip n, dependenţa curentului de ieşire de
b − cu canal de tip p secţiunea transversală a canalului, care
©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP 67
este la rândul său dependentă, atât de tensiunea de comandă UG, cât
şi de tensiunea aplicată pe canal UDS. Efectul acestor tensiuni de
polarizare asupra funcţionării FET este prezentat în fig.4.3. În funcţie
de valoarea acestor tensiuni variază grosimea DSS a joncţiunii p-n.
Deoarece în DSS practic lipsesc purtătorii de sarcină, la creşterea
grosimii DSS secţiunea efectivă a canalului se va micşora respectiv.
În fig.4.3.a tensiunea de polarizare este aplicată numai în
circuitul de intrare. Variaţia UG provoacă modificarea conductivităţii
canalului prin schimbarea secţiunii canalului, care este identică pe
toată lungimea canalului. Însă curentul prin canal lipseşte deoarece
pe canal (între drenă şi sursă) nu se aplică tensiune.
Pentru analiza efectului UDS p
asupra secţiunii canalului în fig.4.3.b este
n
prezentată situaţia în care UG=0, UDS>0.
În acest caz prin canal circulă curentul ID,
care este format de tensiunea crescândă + UG −
spre drenă. Căderea globală de tensiune a
pe porţiunea drenă-sursă este UDS. Prin p
urmare, potenţialul de-a lungul canalului n
de la sursă spre drenă creşte de la zero
până la UDS; iar potenţialul în domeniul
grilei este constant (0). În aşa mod
tensiunea inversă aplicată pe joncţiunea b − UDS +
p-n creşte şi ea de la sursă spre drenă,
deci grosimea DSS creşte spre drenă. p
Acest efect aduce la îngustarea canalului n
în vecinătatea drenei, iar la o anumită
valoare a tensiunii pe joncţiunea p-n
+ UG −
lângă drenă are loc „strangularea” c − UDS +
canalului. În acest caz curentul canalului
circulă prin DSS. Fig.4.3. Efectul polarizării
asupra geometriei canalului:
În fig.4.3.c este prezentat efectul
a − UG<0, UDS=0;
sumar al celor două tensiuni de polarizare
b − UG=0, UDS>0;
UG şi UDS. Canalul este prezentat pentru
c − UG<0, UDS>0.
cazul strangulării canalului.

©Valeriu Blajã
68 Caracteristicile statice ale FET-J

4.2. Caracteristicile statice ale FET grilă-joncţiune


Pentru tranzistoarele cu efect de câmp prezintă interes practic
două tipuri de caracteristici statice:
ƒ caracteristica de transfer şi
ƒ caracteristicile de ieşire.
Caracteristicile de ieşire (de drenă) ale FET-J sunt reprezentate
în fig.4.4. Ele prezintă dependenţa curentului de drenă ID de tensiunea
drenă-sursă UDS pentru o valoare fixată a tensiunii pe grilă UG:
I D = f (U DS ) . Pe fiecare din caracteristicile acestei familii se
U G = const
deosebesc trei domenii cu comportament diferit:
I dependenţă rapidă a curentului ID de tensiunea UDS;
II dependenţă slabă a curentului ID de tensiunea UDS;
III străpungerea joncţiunii p-n.
Să analizăm caracteristica de ieşire a FET-J pentru UG =0. În
domeniul I efectul UG asupra conductivităţii canalului este
neesenţială. Din acest motiv caracteristica de ieşire în acest domeniu
este liniară. La creşterea tensiunii UDS efectul de îngustare a canalului
se manifestă mai mult şi, prin urmare, scade panta caracteristicii. În
punctul de trecere între domeniul I şi domeniul II are loc

ID
UG1=0 ID
I
UG2
UG3
II III

UDS UP UG
Fig.4.4. Caracteristicile de ieşire ale Fig.4.5.
FET-J cu canal de tip n: Caracteristica de transfer a
⏐UG3⏐>⏐UG2⏐>UG1=0 FET-J cu canal de tip n

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP 69
„strangularea” canalului (lângă drenă secţiunea eficientă a canalului
este nulă). Pentru valori mai mari ale UDS curentul ID depinde slab de
tensiune (creşte brusc rezistenţa canalului) deoarece curentul drenei
circulă prin DSS al joncţiunii p-n polarizate invers. În domeniul III
are loc o creştere rapidă a curentului ID cauzată de străpungerea
joncţiunii p-n în domeniul limitrof drenei.
Pe grilă se aplică tensiune corespunzătoare polarizării inverse a
joncţiunii p-n a grilei şi, prin urmare, creşterea ⏐UG⏐ provoacă
micşorarea conductivităţii canalului. Acest fapt cauzează micşorarea
pantei caracteristicii de ieşire în domeniul I la creşterea ⏐UG⏐.
Datorită tensiunii pe grilă strangularea canalului are loc pentru valori
mai mici ale tensiunii UDS.
Deoarece curentul de ieşire în FET este comandat de tensiunea de
intrare, pentru dimensionarea circuitelor electronice dotate cu FET
este necesară caracteristica de transfer (de grilă), care prezintă
dependenţa I D = f (U G ) (vezi fig.4.5). Această caracteristică
U DS = const
poate fi trasată din caracteristicile de drenă. Un parametru important
al FET-J, care rezultă din caracteristica de grilă este tensiunea pe grilă
pentru curentul de drenă nul ID=0. Această tensiune corespunde
situaţiei, când punctul de strangulare a canalului ajunge la sursă şi
canalul dispare complet şi se numeşte tensiune de penetraţie sau
tensiune de prag UP.
4.3.FET grilă izolată
Tranzistoarele cu efect de câmp grilă izolată au structura:
metal-izolator-semiconductor (MIS FET sau MOS FET). Prezenţa
izolatorului între grilă şi canal asigură o impedanţă foarte înaltă a
acestor tranzistoare. Principiul de funcţionare al MIS FET se bazează
pe efectul de câmp, adică modificarea conductivităţii stratului
superficial al semiconductorului la suprafaţa de separaţie
semiconductor-izolator (în care este format canalul) sub acţiunea
câmpului electric transversal. MIS FET pot fi:
ª cu canal iniţial,
ª cu canal indus.

©Valeriu Blajã
70 FET grilă izolată
Simbolurile grafice ale MIS FET sunt prezentate în fig.4.6.

D D D
G G G S
S S S
a b c
D D D
G G G S
S S S
d e f
Fig.4.6. Simbolurile grafice ale MIS FET:
а − cu canal iniţial de tip n, b − cu canal iniţial de tip p,
c − cu canal iniţial de tip p cu terminal de la substrat,
d − cu canal indus de tip n, e − cu canal indus de tip p,
f − cu canal iniţial de tip n cu terminal de la substrat
Să analizăm funcţionarea
S G MIS FET cu canal iniţial, spre
SiO2 D
exemplu, de tip n (vezi fig.4.7).
În placheta de semiconductor
n canal de tip n n de tip p (siliciu) sunt formate
domeniile sursei, drenei şi
p
canalului prin doparea
respectivă cu impurităţi donore.
Stratul de SiO2 serveşte pentru
S
protecţia suprafeţei
Fig.4.7. Structura MIS FET semiconductorului în domenii
cu canal iniţial de tip n limitrofe sursei şi drenei, şi
pentru izolarea canalului.
Caracteristicile de drenă ale MIS FET cu canal iniţial de tip n
sunt prezentate în fig.4.8.a. Forma acestor caracteristici este analogică
cu caracteristicile FET-J. În cazul UG=0 prin tranzistor circulă
curentul valoarea cărui este determinată de conductivitatea iniţială a
canalului. În domeniul iniţial al caracteristicilor (I) căderea de
tensiune pe canal este mică şi dependenţa ID(UDS) este practic liniară.

©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP 71

ID ID
UG1>0
I
UG2=0
UG3<0
II III

a UDS UP b UG
Fig.4.8. Caracteristicile de drenă (а) şi de grilă (b) ale MIS FET
cu canal iniţial de tip n
La trecerea în domeniul II al caracteristicilor tensiunea aplicată
pe canal provoacă strangularea canalului (linia discontinuă în fig.4.7)
şi modifică conductivitatea canalului, reduce panta creşterii
curentului. În domeniul II canalului este îngustat până la strangulare şi
caracteristica trece în saturaţie.
Să analizăm efectul UG asupra caracteristicilor de drenă. În
cazul când grila este polarizată invers (UG<0) câmpul grilei respinge
purtătorii de sarcină din canal şi, prin urmare, scade concentraţia
purtătorilor în canal şi conductivitatea canalului. În consecinţă,
caracteristicile de drenă pentru UG<0 sunt situate mai jos de
caracteristica pentru UG=0. Regimul de funcţionare al MIS FET cu
canal indus în condiţia concentraţiei reduse a purtătorilor de sarcină în
canal se numeşte regim de sărăcire.
În cazul când UG>0 câmpul grilei atrage purtătorii de sarcină
(electronii) din volumul semiconductor de tip p în canal. Concentraţia
purtătorilor de sarcină în canal creşte ce corespunde regimului de
îmbogăţire a canalului cu purtători de sarcină. Conductivitatea
canalului creşte şi, respectiv, creşte curentul drenei, iar caracteristicile
pentru UG>0 sunt situate mai sus de caracteristica pentru UG=0.
Forma caracteristicii de grilă a MIS FET cu canal iniţial de tip n
este prezentată în fig.4.8.b. Spre deosebire de FET-J, MIS FET cu
canal iniţial pot funcţiona atât pentru UG<0 (regim de sărăcire), cât şi
pentru UG>0 (regim de îmbogăţire).

©Valeriu Blajã
72 FET grilă izolată
G Structura MIS FET cu
S SiO2 Dcanal indus de tip n este
prezentată în fig.4.9.
n n Canalul de conducţie nu este
canal de tip n format din fabrică, el este
indus datorită fluxului de
p purtători de sarcină
(electroni) din volumul
S semiconductor de tip p spre
Fig.4.9. Structura MIS FET grilă sub acţiunea tensiunii
cu canal indus de tip n pozitive pe grilă. În acest
caz creşte conductivitatea
semiconductorului în stratul superficial sub grilă şi este format
canalul, prin care circulă curentul între drenă şi sursă. Odată cu
creşterea polarizării directe a grilei conductivitatea canalului creşte.
Prin urmare, MIS FET cu canal indus funcţionează numai în regim de
îmbogăţire.
Caracteristicile de drenă ale MIS FET cu canal indus sunt
analogice caracteristicilor MIS FET cu canal iniţial (vezi fig.4.10.a).
Deosebirea constă în faptul că comanda curentului drenei este
realizată numai cu tensiune pe grilă de o singură polaritate, care
coincide cu polaritatea tensiunii UDS. Pentru UDS=0 curentul ID=0.
Forma caracteristicii de transfer a MIS FET cu canal indus este
prezentată în fig.4.10.b.
ID ID
UG3
I
UG2
UG1
II III

a UDS b UG
Fig.4.8. Caracteristicile de drenă (а) şi de grilă (b)
ale MIS FET cu canal indus de tip n:
0<UG1<UG2<UG3
©Valeriu Blajã
TRANZISTOARE CU EFECT DE CÂMP 73
4.4. Parametrii tranzistoarelor cu efect de câmp
Parametrii de catalog principali ai FET sunt:
™ Panta caracteristicii de transfer S,
™ Curentul de drenă maxim admisibil ID M,
™ Tensiunea pe drenă maxim admisibilă UDS M,
™ Tensiunea de prag UP,
™ Rezistenţa de intrare rint.,
™ Rezistenţa de ieşire (internă) rieş.,
™ Capacităţile între terminale:
9 grilă-sursă CGS,
9 grilă-drenă CGD,
9 drenă-sursă CDS.
Panta caracteristicii de transfer S reprezintă eficienţa de
comandă a grilei. Deoarece curentul de intrare este practic nul, ca
parametru (fixat) în familia caracteristicilor statice de ieşire (spre
deosebire de tranzistorul bipolar) este folosit nu curentul ci tensiunea
de intrare UG. Deci parametrul de bază, care caracterizează
proprietatea de amplificare a FET, este nu factorul de transfer al
curentului ci panta caracteristicii de transfer (admitanţa de transfer):
di D (4.1)
S = .
du G u DS = const
Panta are valori de circa 1÷2 mS pentru tranzistoare discrete.
Curentul de drenă maxim admisibil ID M corespunde valorii
curentului drenei la începutul domeniului III pe caracteristica de ieşire
(pentru UG=0).
Tensiunea pe drenă maxim admisibilă UDS M se alege de
1,2÷1,5 ori mai mică ca tensiunea de străpungere a joncţiunii
grilă-sursă pentru UG=0.
Tensiunea de prag UP corespunde penetraţiei canalului, adică
tensiunea pe grilă pentru curentul drenei nul.
Rezistenţa de intrare rint. a FET este determinată de rezistenţa
joncţiunii p-n polarizată invers sau stratului izolator sub grilă:
du G (4.2)
rin t . = .
di G

©Valeriu Blajã
74 Parametrii FET
Rezistenţa de intrare a FET-J este foarte mare, iar pentru MIS FET cu
mult mai mare.
Rezistenţa de ieşire (internă) a FET rieş. Reprezintă panta
caracteristicii de ieşire în domeniul II:
du DS (4.3)
rieş . = .
di D u G = const
Capacităţile între terminale CGS, CGD sunt formate preponderent
de joncţiunile p-n limitrofe domeniilor sursei şi drenei, prezente în
structura tranzistorului.
Avantaje importante ale FET:
Tranzistoarele FET prezintă faţă de tranzistoarele bipolare
următoarele avantaje:
‰ Avantajul principal al FET este rezistenţa de intrare foarte mare.
De acest moment se ţine cont la proiectarea circuitelor dotate cu
FET. Apare posibilitatea formării etajelor amplificatoare cu
cuplaj direct şi circuite logice cu capacitate mare de încărcare atât
la intrare, cât şi la ieşire (coeficient de sortanţă mare şi număr
mare de intrări).
‰ Deoarece în tranzistoarele unipolare circuitul este realizat de un
singur tip de purtători de sarcină, probabilitatea proceselor de
generare-recombinare este mult mai mică ca în tranzistoarele
bipolare. Prin urmare, lipseşte zgomotul de generare-
recombinare, fapt, care explică nivelul foarte mic de zgomot
propriu în comparaţie cu tranzistoarele bipolare.
‰ În cazul circuitelor electronice cu FET lipseşte dezavantajul
acumulării şi disipării purtătorilor minoritari şi, prin urmare,
timpii de comutare sunt determinaţi numai de încărcarea şi
descărcarea capacităţilor tranzistorului.
‰ FET prezintă o integrabilitate superioară faţă de tranzistoarele
bipolare. Aria ocupată de un MOS FET în circuitul integrat este
cu câteva ordine mai mic ca cea ocupată de un tranzistor bipolar.
‰ Tranzistoarele cu efect de câmp sunt caracterizate de stabilitate
înaltă termică şi la radiaţii.

©Valeriu Blajã
FOTOTRANZISTOR 75

5. FOTOTRANZISTOR

Fototranzistorul este un dispozitiv semiconductor fotoelectric,


care are structura unui tranzistor bipolar în care curentul colectorului
este comandat de fluxul luminos incident. Radiaţia electromagnetică
cade pe una sau câteva domenii ale tranzistorului: emitor, colector sau
bază (mai frecvent pe bază). În capsula fototranzistorului este
prevăzută o fereastră în care este montată o lentilă pentru focalizarea
fluxului luminos pe cristal.

E C

C
a
B
B p
n RS
p

Fig.5.1. Simbolul grafic (a) şi UCE b


E
structura (b) fototranzistorului + −

Simbolul grafic şi structura fototranzistorului sunt prezentate în


fig.5.1. Fototranzistorul este polarizat în aşa mod încât joncţiunea
emitorului este polarizată direct, iar joncţiunea colectorului – invers.
Terminalul bazei, de regulă, se lasă liber. Sub acţiunea undelor
electromagnetice în semiconductor are loc generarea cuplurilor
electron-gol. În joncţiunea colectorului, în mod identic cu procesele
din fotodiodă, are loc separarea purtătorilor de sarcină în câmpul
electric al joncţiunii p-n: golurile sunt transportate în colector,
majorând curentul colectorului; iar electronii rămân în bază,
micşorând potenţialul bazei. Acest din urmă fapt aduce la o polarizare
directă suplimentară a joncţiunii emitorului. Prin urmare, este
intensificată injecţia purtătorilor de sarcină (a golurilor) în bază.

©Valeriu Blajã
76 FOTOTRANZISTOR
Golurile injectate suplimentar în bază ajung la joncţiunea colectorului
contribuie, de asemenea, la creşterea curentului colectorului. În aşa
mod, purtătorii de sarcină generaţi de fluxul luminos formează un
surplus de curent prin colector, care este curentul fotoelectric.
Datorită proceselor suplimentare, care au loc în fototranzistor,
curentul fotoelectric în fototranzistor este mai mare ca în fotodiodă.
Montajul fototranzistorului
IС cu terminalul bazei liber este
Ф3 caracterizat printr-o stabilitate
termică proastă, deoarece
Ф2 curentul colectorului este mult
dependent de temperatură. Din
Ф1
aceste considerente, de regulă,
Ф=0 prin terminalul bazei este format
UСЕ circuitul de stabilizare termică.
Alt dezavantaj al
Fig.5.2. Caracteristicile statice ale fototranzistorului este nivelul
fototranzistorului: Ф1<Ф2<Ф3
înalt de zgomot propriu.
În fig.5.2 sunt prezentate caracteristicile statice (electrice) ale
fototranzistorului.
Parametrii principali ai fototranzistorului:
™ Curentul de întuneric Iînt. − curentul, care circulă prin
fototranzistor la tensiune nominală, dar în lipsa iluminării.
™ Curentul de iluminare Iil. − curentul, care circulă prin
fototranzistor la tensiune nominală şi la un nivel prestabilit de
iluminare.
™ Puterea colectorului maxim admisibilă PС M.
Pentru fototranzistor sunt caracteristici, atât toţi parametrii
prezentaţi pentru dispozitivele fotoelectrice (fotorezistor,
fotodiodă), cât şi parametrii caracteristici pentru tranzistorul
bipolar.

©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 77

6. TIRISTOARE
6.1. Noţiuni generale
Tiristorul este un dispozitiv semiconductor cu două stări
stabile: în conducţie (amorsat) şi blocat şi cu o structură formată din
patru straturi cu tip de conductibilitate diferită situate consecutiv în
ordinea p-n-p-n. Comanda tiristorului (comutarea dintr-o stare în
alta) este realizată printr-un semnal de comandă (în curent, tensiune
sau flux luminos) aplicat din exterior. Tiristoarele pot fi fără terminal
de comandă – diodice sau cu terminal de comandă – triodice.
Simbolurile grafice ale tiristoarelor sunt prezentate în fig. 6.1.
În tiristorul diodic – diodă Schokley – amorsarea are loc în momentul
în care tensiunea pe anod atinge o anumită valoare. În tiristorul
triodic amorsarea are loc prin circuitul terminalului de comandă –
grilă (poartă). Tiristoarele sunt ventile comandate. Ele pot fi
semicomandate, dacă amorsarea are loc sub acţiunea semnalului de
comandă pe grilă, iar blocarea poate fi realizată numai prin circuitul
anodic. În tiristoarele complet comandate – tiristoare cu stingere pe
poartă (TSP sau GTO − Gate-Turn-Off), atât comutarea directă

A K A K A K A K

a
G (P) b G (P) c d

A K A K

G (P) e G (P) f
g h
Fig. 6.1. Simbolurile grafice ale tiristoarelor:
а − diodă Schokley, b − tiristor convenţional cu comandă de la catod,
c − tiristor convenţional cu comandă de la anod, d − fototiristor,
e − GTO cu comandă faţă de catod, f − GTO cu comandă faţă de anod,
g − diac, h − triac

©Valeriu Blajã
78 Principiul de funcţionare şi caracteristica tiristorului
(amorsarea, comutarea din blocat în conducţie), cât şi comutarea
inversă (din amorsat în blocat) poate fi realizată prin circuitul grilei.
În fototiristoare amorsarea are loc sub acţiunea unui flux luminos.
Atât ventilele semicomandate, cât şi cele complet comandate, pot fi
comandate faţă de catod, dacă semnalul de comandă se aplică între
grilă şi catod (catodul este comun pentru circuitul de forţă şi circuitul
de comandă); sau comandate faţă de anod, dacă semnalul de
comandă se aplică între grilă şi anod. Toate dispozitivele menţionate
realizează funcţia de ventil – poartă electronică cu conductibilitate
unilaterală. Dispozitivele capabile să comande curentul în ambele
sensuri sunt: diac (diode alternating current switch– întreruptor
diodic de curent alternativ) sau triac (triode alternating current
switch – întreruptor triodic de curent alternativ). În conformitate cu
funcţiile pe care le realizează aceste dispozitive înlocuiesc un montaj
antiparalel al două tiristoare.
6.2. Principiul de funcţionare şi caracteristicile tiristorului
Pentru început vom analiza structura celui mai simplu tiristor –
diodei Schokley. Structura este formată din patru domenii cu
conductivitate diferită de tip p-n-p-n: p1, n1, p2 şi n2; cu trei
joncţiuni p-n: J1, J2 şi J3 (vezi fig.6.2). Funcţionarea tiristorului vom
analiza-o trasând simultan caracteristica statică (vezi fig.6.2) pentru
polarizare directă şi inversă.

I 3

J1 J2 J3
A К
p1 n1 p2 n2 2
1
RS 0
+U − U
Fig. 6.2. Structura
Fig.6.3. Caracteristica statică
diodei Schokley
a diodei Schokley

©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 79
Polarizare inversă În acest caz joncţiunea J2 este polarizată
direct, iar joncţiunile J1 şi J3 – invers. Deoarece J2 este polarizată
direct, căderea de tensiune pe J2 este foarte mică. Prin urmare,
tensiunea externă este distribuită preponderent şi uniform pe
joncţiunile J1 şi J3. În aşa mod se explică faptul, că caracteristica
tiristorului la polarizare inversă este analogică cu caracteristica
respectivă a joncţiunii p-n.
Polarizare directă În acest caz joncţiunile J1 şi J3 sunt
polarizate direct, iar joncţiunea J2 − invers. Deci practic toată
tensiunea externă (anodică) cade pe J2, iar căderea de tensiune pe J1
şi J3 este foarte mică. Prin urmare, caracteristica tiristorului este
determinată de joncţiunea J2 polarizată invers – tiristorul este blocat
şi curentul prin structura semiconductoare este foarte mic. Acest
regim este reprezentat pe caracteristică de porţiunea 0-1.
La creşterea tensiunii curentul prin tiristor creşte slab datorită
creşterii polarizării directe a joncţiunilor J1 şi J3. Reducerea barierei
de potenţial în joncţiunile J1 şi J3 provoacă intensificarea injecţiei
golurilor din domeniul p1 în n1 şi intensificarea injecţiei electronilor
din domeniul n2 în p2. O parte din aceşti purtători de sarcină evitând
recombinarea ajung în joncţiunea J2 şi sunt transferaţi de câmpul
acestei joncţiuni: golurile din domeniul n1 în p2, iar electronii din
domeniul p2 în n1. În acest mod în domeniul p2 se acumulează o
sarcină electrică pozitivă, iar în domeniul n1 – negativă. În aceste
condiţii scad brusc barierele de potenţial în joncţiunile J1 şi J3, şi este
declanşat un proces de creştere în avalanşă a curentului prin
structură.
La o anumită valoare a tensiunii externe se intensifică în
avalanşă procesul de injecţie a purtătorilor majoritari: a golurilor din
domeniul n1 în p2 şi a electronilor din domeniul p2 în n1. Are loc o
creştere bruscă a concentraţiei electronilor în domeniul n1 şi a
golurilor în domeniul p2, care provoacă o scădere bruscă a tensiunii
pe joncţiunea J2 polarizată (până când) invers. Aceste sarcini
electrice compensează tensiunea externă pe joncţiunea J2 şi duce la
polarizarea directă a acestei joncţiuni. Prin urmare, scade brusc
căderea de tensiune pe toată structura tiristorului, deoarece:

©Valeriu Blajã
80 Principiul de funcţionare şi caracteristica tiristorului
U=U1+U2+ U3, (6.1)
În aşa mod se explică prezenţa unui domeniu cu rezistenţă
dinamică negativă (vezi domeniul 1-2 pe caracteristica din fig.6.3) pe
caracteristica statică a tiristorului, unde creşterea curentului este
însoţită de o scădere a tensiunii. În continuare procesul evoluează cu
o creştere bruscă a curentului în circuitul dotat cu tiristor. Valoarea
acestui curent şi panta caracteristicii în acest caz (domeniul 2-3) sunt
determinate preponderent de tensiunea sursei de alimentare şi
rezistenţa sarcinii. Domeniul 2-3 corespunde stării de conducţie
(amorsat) a tiristorului. Pentru blocarea tiristorului este necesară
micşorarea curentului anodic până la zero sau polarizarea inversă a
tiristorului.
Să analizăm particularităţile funcţionării tiristorului
convenţional (triodic). Structura şi familia caracteristicilor statice
sunt prezentate în fig.6.4. Tensiunea de amorsare a tiristorului
(valoarea tensiunii anodice în punctul 1 în fig.6.3) poate fi redusă,
dacă pe domeniul p2 sau n1 este format un terminal de comandă
(grilă) şi pe el se aplică tensiunea de comandă UG. Sursa de tensiune
montată în circuitul grilei furnizează în domeniul respectiv p2 (n1) o
cantitate suplimentară de purtători de sarcină – goluri (electroni)
datorită circulaţiei curentului grilei IG. În acest caz pentru
declanşarea procesului de amorsare (multiplicare în avalanşă a
curentului anodic) este destulă o tensiune anodică mult mai mică,
deoarece o parte din sarcina necesară este formată de curentul grilei.
A I
p1 I
J1 IG3> IG2> IG1=0
n1
G J RS
p2 2
IG
+ n2 J3 0 U
UG UBO3 UBO2 UBO1
− К U
− + b
а
Fig.6.4. Structura (a) şi familia caracteristicilor statice (b)
ale tiristorului convenţional
©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 81
În aşa mod tensiunea de amorsare
a tiristorului poate fi micşorată prin UBO
majorarea curentului IG sau tensiunii pe
grilă UG (vezi fig.6.4.b). Dependenţa
tensiunii de amorsare UBO (Uam.) de
curentul IG este prezentată de
caracteristica de amorsare (vezi
fig.6.5). Comanda tiristorului poate fi
realizată în curent continuu, în curent IG
alternativ sau, mai frecvent, prin Fig. 6. 5. Caracteristica de
impulsuri. Deoarece după amorsare amorsare a tiristorului
starea de conducţie a tiristorului este
menţinută de sarcinile electrice (purtătorii de sarcină) acumulate în
domeniile n1 şi p2 şi în continuare dispare necesitatea tensiunii pe
grilă, de regulă, comanda tiristoarelor se face cu impulsuri de scurtă
durată.
Valoarea curentului (tensiunii, puterii) de comandă (pe grilă)
este cu câteva ordine (~ 105) mai mică ca valoarea curentului
(tensiunii, puterii) în circuitul anodic. Acest fapt cauzează folosirea
tiristoarelor pentru manipularea (dirijarea) unor fluxuri mari de
energie electrică prin semnale foarte slabe de comandă.

6.3. Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”


Analiza funcţionării tiristorului este simplificată prin aplicarea
modelului „cu două tranzistoare”. La polarizare directă structura a
tiristorului poate fi prezentată prin două tranzistoare bipolare de tip
p-n-p şi n-p-n: tranzistorul Т1 de tip p1-n1-p2 şi tranzistorul Т2 de tip
n2-p2-n1 (vezi fig.6.6). Rolul joncţiunii emitorului în primul tranzistor
este realizat de joncţiunea J1, iar în tranzistorul secund − de
joncţiunea J3. Joncţiunea J2 realizează funcţia joncţiunii colectorului
pentru ambele tranzistoare. În acest caz polaritatea tensiunilor pe
toate joncţiunile corespunde regimului activ direct pentru ambele
tranzistoare.

©Valeriu Blajã
82 Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”

E1
p1 n1 p2 C1 E1 C1 IC1≡ IB2
Т1 I≡ IE1
B1 B2 B2
B1
E2 C2 E2
Т2 C2 n1 p2 n2
IB1≡ IC2 IE2≡ I
a b
Fig. 6.6. Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”:
structura (a) şi schema (b)

Tiristorul fiind prezentat prin combinaţia a două tranzistoare:


Т1 cu factorul de transfer al curentului α1 şi curentul emitorului IE1; şi
Т2 cu factorul de transfer al curentului α2 şi curentul emitorului IE2,
putem prezenta şi componentele curentului prin structura tiristorului
(vezi fig.6.6.b). În tranzistorul Т1 curenţii sunt formaţi preponderent
de deplasarea golurilor prin baza a n1:
curentul bazei Т1: IB1=(1−α1) IE1, (6.2)
curentul colectorului Т1: IС1=α1IE1. (6.3)
În tranzistorul Т2 curenţii sunt formaţi preponderent de deplasarea
electronilor prin baza p2:
curentul bazei Т2: IB2=(1−α2) IE2, (6.4)
curentul colectorului Т2: IС2=α2IE2. (6.5)
Deoarece joncţiunea colectorului este polarizat invers, prin J2 circulă
şi curentul său invers format de purtătorii minoritari: golurile din
domeniul n1 trec în p2 şi formează curentul I01, iar electronii din
domeniul p2 trec în n1 şi formează curentul I02. Curenţii I01 şi I02
formează curentul: I0= I01+ I02. (6.6)
Curentul global prin joncţiunea J2 determină valoarea curentului
prin structură în ansamblu şi este format din curenţii de colector ale
ambelor tranzistoare şi curentul sumar al purtătorilor minoritari:
I=IС1+IС2+I0. (6.7)
Dacă se vor folosi expresiile (6.3) şi (6.5), atunci expresia (6.7)
se va scrie:
I=α1IE1+α2 IE2+I0. (6.8)

©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 83
Deoarece în joncţiunea J2 sunt posibile tensiuni (câmpuri
electrice) înalte, este necesar să ţinem cont de posibilitatea procesului
de multiplicare prin avalanşă a purtătorilor în joncţiunea J2. Prin
urmare, expresia (6.8) se va scrie:
I=М(α1IE1+α2IE2+I0), (6.9)
unde М − este factorul de multiplicare a purtătorilor de sarcină.
Pentru simplificare vom presupune că factorii de multiplicare pentru
ambele tipuri de purtători de sarcină au aceeaşi valoare. La tensiuni
mici procesul de multiplicare practic lipseşte. Prin urmare, М=1. la
valori importante ale tensiunii inverse în joncţiunea J2 se manifestă
considerabil procesul de ionizare în avalanşă şi М capătă valori mult
mai mari de unitate.
Alt moment important este α1,α1,02
dependenţa factorilor α1 şi α2 de 0,8
valoarea curentului. Forma 0,6
aproximativă a acestei dependenţe este 0,4
prezentată în fig.6.7. Factorul α2 are o 0,2
valoare mai mare ca α1 deoarece 0
grosimea bazei p2 este mai mică ca a 10 10 10 10 10 1 I, А
-5 -4 -3 -2 -1

bazei n1. Din aceste considerente baza Fig.6.7.Dependenţa


n1 este numită “groasă”, iar p2 − α1 şi α2 de curent
“subţire”.
Deoarece structura tiristorului este în serie, prin urmare, şi
curenţii prin toate joncţiunile vor avea aceeaşi valoare, care va
coincide cu curentul prin circuitul extern:
I=IЕ1=IЕ2. (6.10)
În acest caz expresia (6.9) poate fi scrisă în modul următor:
I=М(α1I+α2I+I0). (6.11)
Din (6.11) pentru curentul în circuitul extern rezultă:
MI 0
I= . (6.12)
1 − M (α1 + α 2 )

©Valeriu Blajã
84 Modelul tiristorului “cu două tranzistoare”
Expresia (6.12) este ecuaţia de bază a structurii de tip tiristor şi
reprezintă caracteristica statică a tiristorului în formă analitică.
Dependenţa curentului anodic de tensiunea pe anod este prezentată în
(6.12) în formă implicită prin dependenţa factorului de multiplicare
de intensitatea câmpului electric în joncţiunea J2.
La valori mici ale tensiunii anodice intensitatea câmpului electric
în J2 nu este suficientă pentru procesul de multiplicare, iar factorii α1
şi α2 au valori foarte mici.
Deci: М=1, iar М(α1+α2)→0 şi, prin urmare: I=I0. (6.13)
La valori înalte ale tensiunii, aplicate pe anodul tiristorului, în
joncţiunea J2 este declanşat procesul de multiplicare în avalanşă a
purtătorilor de sarcină. Prin urmare, cresc brusc valorile factorului de
multiplicare M şi ale factorilor de transfer în curent α1 şi α2.
În consecinţă:
М→∞, iar М(α1+α2)→1 şi, prin urmare: I→∞, (6.14)
deci se observă o creştere bruscă a curentului prin structura
tiristorului − proces, care are loc la amorsarea tiristorului.
6.4. Parametrii tiristorului
Sensul parametrilor uzuali ai tiristorului se explică prin
construcţiile efectuate pe caracteristica statică a tiristorului prezentate
în fig.6.8.
I

IH

IBO
UBR IRM
UTO
IDRM UBO U

Fig.6.8. Parametrii tiristorului

©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 85
™ Tensiunea de amorsare UBO − tensiunea anodică necesară pentru
comutarea tiristorului din stare de blocare în stare de conducţie
(aprinderea tiristorului), deci tensiunea în punctul caracteristicii
statice în care curentul începe să crească brusc.
™ Curentul de amorsare IBO − curentul anodic în momentul iniţial
al amorsării tiristorului.
™ Curentul de menţinere IH − valoarea minimă a curentului anodic,
la care tiristorul rămâne în stare de conducţie.
™ Tensiunea pe tiristorul în conducţie UТO − căderea de tensiune
pe tiristorul în stare de condiţie.
™ Curentul direct al tiristorului în stare de blocare IDRM −
valoarea curentului, care circulă prin tiristorul polarizat direct,
dar blocat.
™ Curentul maxim admisibil în stare de conducţie IFAVM −
valoarea maxim admisibilă a curentului mediu direct prin
tiristorul în conducţie.
™ Tensiunea inversă repetitivă maxim admisibilă URRM − valoarea
maxim admisibilă a tensiunii repetitiva de polarizare inversă pe
anodul tiristorului şi constituie circa 60−80 % din valoarea
tensiunii de străpungere a tiristorului UBR.
™ Curentul invers în stare blocată maxim admisibil IRM − valoarea
maxim admisibilă a curentului, care circulă prin tiristorul blocat
şi polarizat invers de tensiunea URRM.
™ Puterea maxim admisibilă PFAVM − valoarea maxim admisibilă
a puterii disipate pe tiristorul în stare de conducţie.
™ Timpul de revenire (timp de dezamorsare) trr − intervalul de
timp pe parcursul cărui la polarizare inversă are loc disiparea
completă a purtătorilor de sarcină din bazele tiristorului, care
menţin starea de conducţie. După acest interval de timp
tiristorul poate fi polarizat direct fără pericolulul amorsării
necondiţionate.
™ Curentul de grilă continuu de amorsare IGT − valoarea minimă a
curentului continuu de grilă, care asigură amorsarea sigură a
tiristorului.
™ Curentul pulsant de grilă IGSM − amplitudinea minimală a
impulsului de grilă, care asigură amorsarea sigură a tiristorului.

©Valeriu Blajã
86 Modificările principale ale tiristoarelor
6.5. Modificările principale ale tiristoarelor
6.5.1. Fototiristor
Fototiristorul este un fotoreceptor cu caracteristică de poartă
capabil să comande tensiuni şi curenţi mari. Principiul de funcţionare
şi caracteristica curent–tensiune sunt analogice cu ale tiristorului
convenţional. Deosebirea constă în faptul, că acumularea purtătorilor
de sarcină, care formează condiţiile necesare pentru amorsarea
fototiristorului este stimulată de fluxul luminos incident pe structura
dispozitivului (pe bazele n1 şi/sau p2). Lumina provoacă generarea
purtătorilor de sarcină, care, fiind separaţi de joncţiunea J2,
stimulează amorsarea fototiristorului. Prin urmare, tensiunea de grilă
este substituită prin fluxul luminos. Structura fototiristorului e
analogică cu cea a tiristorului convenţional. În capsula dispozitivului
este formată o fereastră, în care este montată o lentilă pentru
focalizarea luminii pe cristal.
Fototiristoarele sunt aplicate pe larg în electronica de putere
datorită separării galvanice între circuitul de forţă şi circuitul de
comandă, care este realizată de fototiristor.
6.5.2. Tiristoare GTO
Tiristoarele cu stingere pe poartă, cunoscute şi sub numele de
tiristoare GTO (Gate - Turn - Off) deşi au fost realizate încă din anul
1960, deci după patru ani de la elaborarea primului tiristor
convenţional, datorită progresului tehnologic de abia după anul 1980,
au putut fi livrate utilizatorilor exemplare economice în calitate de
dispozitive semiconductoare comandabile pentru curenţi şi tensiuni de
valori ridicate. Tiristorul GTO este comandat în ambele sensuri de
comutare. La aplicarea tensiunii pozitive pe grilă tiristorul este
amorsat, iar prin aplicarea tensiunii negative pe grilă este comutarea
inversă – dezamorsarea. În aceste dispozitive este valorificată
proprietatea de reacţie pozitivă: curentul invers prin grilă reduce
curentul bazei p2, fapt care duce la scăderea tuturor componentelor de
curent prin tiristor, şi, prin urmare, duce la micşorarea curentului
anodic şi blocarea tiristorului.

©Valeriu Blajã
TIRISTOARE 87
6.5.3. Diacul şi triacul
Denumirea diac provine de la diode alternating current switch
(întrerupător diodic de curent alternativ), iar triac – triode alternating
current switch (întrerupător triodic de curent alternativ). Prin
combinaţii ale domeniilor de tip p şi n sunt formate structuri
semiconductoare, în care pentru ambele polarităţi ale tensiunii
anodice sunt realizate condiţii analogice polarizării directe a
tiristorului convenţional. Caracteristica diacului este simetrică pentru
ambele polarităţi ale tensiunii. Diacul poate fi conceput ca două
Schokley, iar triacul ca două tiristoare convenţionale, conectate
antiparalel. Triacul este utilizat în variatoarele de curent alternativ.
Structura şi familia caracteristicilor statice sunt prezentate în fig.6.9.
Partea superioară, formată din domeniile n1, p1 şi n4. Peliculele
metalice extreme sunt conectate la terminalul A. În partea inferioară
pelicula metalică conectată la terminalul B interconectează domeniile
p2 şi n3. La domeniul p1 este formată grila. Structura este formată din
5 joncţiuni p-n. Dacă se aplică tensiunea externă cu polaritatea: pe
terminalul A – plus şi pe terminalul B – minus, joncţiunile J2 şi J4
sunt polarizate direct, iar J3 – invers. Prin urmare, va funcţiona
structura de tiristor p1-n2-p2-n3. La polaritate inversă a tensiunii
externe funcţionarea dispozitivului este determinată de structura
n1-p1-n2-p2.
G A I

n1
IG3> IG2> IG1=0
n4
J1 p1 J5
J2
n2
J3 U
p2 J4
n3

B а 0=IG1< IG2< IG3 b

Fig. 6.9. Structura (a) şi familia caracteristicilor statice (b) ale triacului

©Valeriu Blajã
88 Noţiuni generale

7. CIRCUITE INTEGRATE
7.1. Noţiuni generale
Dezvoltarea electronicii este însoţită de câteva tendinţe:
ª sofisticarea dispozitivelor şi sistemelor, care rezultă din
multiplicarea funcţiilor solicitate de practică;
ª creşterea numărului elementelor în dispozitiv;
ª cresc cerinţele faţă de dispozitive, şi anume faţă de
fiabilitate, energia consumată, gabarite şi masă.
În aşa mod apar contradicţii între cerinţele faţă de calitate şi
creşterea numărului de elemente, care duce la scăderea fiabilităţii şi
creşterea puterii consumate, gabaritelor şi masei. Soluţia a fost găsită
în elaborarea dispozitivelor microelectronice.
Microelectronica este un domeniu aparte al electronicii, care
este preocupat de proiectarea, fabricarea şi aplicarea dispozitivelor
microelectronice – circuitelor integrate.
La baza microelectronicii se află principiul integral de
fabricare şi utilizare. Circuitul integrat este un microcircuit, în care
elementele circuitului (rezistenţe, capacităţi, inductanţe, diode,
tranzistoare etc.) sunt asociate rigid în unităţi funcţionale şi pot fi
utilizate numai ca atare, nu şi ca piese separate, şi au o capsulă
pentru a proteja de factorii externi. Circuitele integrate se deosebesc
după principiul constructiv – tehnologic: monolitice şi peliculare
(vezi fig.7.1). În circuitele monolitice toate elementele sunt realizate
într-un cristal semiconductor printr-un proces tehnologic unic.
Elementul de bază în circuitele integrate semiconductoare poate fi
tranzistorul bipolar sau tranzistorul unipolar (cu efect de câmp), şi
circuitele pot fi, respectiv, bipolare sau unipolare.
În circuitele integrate peliculare hibride elementele pasive
(rezistenţe, capacităţi, inductanţe) sunt realizate pe suprafaţa
substratului de mică sau sticlă din pelicule conductoare, rezistive şi
izolatoare, iar elementele active, confecţionate în cristale
semiconductoare (chip), sunt montate sub aceeaşi capsulă.

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 89

Circuitele optoelectronice sunt constituite din emiţătoare,


conductoare şi receptoare optice:
ª emiţătoare optice (surse de lumină):
9 lasere,
9 diode luminiscente;
ª fotoreceptoare:
9 fotorezistor,
9 fotodiodă,
9 fototranzistor;
ª canal optic:
9 ghid optic,
9 fibră optică.
După principiul funcţional circuitele integrate se împart în
două clase mari: circuite integrate digitale şi circuite integrate
analogice (liniare).
Nivelul de sofisticare a circuitelor integrate este caracterizat
prin gradul de integrare:
k=lgN, (7.1)
unde N − este numărul de elemente pe aria unui chip. De regulă
valoarea k este rotunjit până la număr întreg (în partea mai mare).
În aşa mod dacă numărul de elemente în circuitul integrat este până
la 10 circuitul este de primul grad de integrare,
de la 11 până la 100 − gradul doi de integrare etc.
Circuitele cu k=3÷5 formează grupa circuitelor integrate mari, iar
pentru k>5 – circuite integrate foarte mari.
Din anul 1959, care poate fi considerat începutul erei circuitelor
integrate, până la momentul actual dimensiunea specifică a
elementului în cristalul semiconductor a scăzut cu câteva ordine până
la 0,13 μm. Simultan numărul de elemente în chip a atins valori de
circa mii, zeci şi sute de mii, milioane. Spre exemplu, dacă circuitul
integrat al microprocesorului Intel 8080, apărut în anul 1974, conţine
circa 4000 de tranzistoare; atunci procesoarele Intel Pentium apărute
în anul 1993 conţine circa 3100000 tranzistoare.

©Valeriu Blajã
90 Noţiuni generale

fibră optică

Circuite optoelectronice
ghid optic

receptoare optice

lasere
DISPOZITIVE MICROELECTRONICE

Circuite
integrate
Circuite integrate

hibride

Circuite
integrate
unipolare
Circuite
integrate
monolitice
Circuite
integrate
bipolare

Tranzistoare cu
Dispozitive discrete

efect de câmp

Tranzistoare Fig.7.1.
bipolare Clasificarea
dispozitivelor
microelectronice
diode

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 91
7.2. Codificarea circuitelor integrate
Codurile circuitelor integrate (fabricate în U.R.S.S.) conţin
informaţie despre realizarea constructivă şi tehnologică, despre
posibilităţile funcţionale şi parametrii aparatului concret. Codul
include patru elemente (de exemplu K140УД8A sau 155TM2):
elementul
→ I II III IV
− 1 55 ТМ 2 −
К 1 40 УД 8 А
I Primul element este o cifră, care indică realizarea
constructiv–tehnologică:
ª cifrele 1, 5, 6, 7 − reprezintă circuitul
integrat monolitic,
ª cifrele 2, 4, 8 − reprezintă circuit integrat
hibrid.
II Al doilea element conţine două cifre, care indică numărul
curent al elaborării tehnologice.
Primele două elemente împreună formează codul
(numărul) seriei.
III Elementul al treilea constă din două litere, care reprezintă
posibilităţile funcţionale ale circuitului integrat:
ª prima literă indică subgrupa funcţională a
circuitului integrat,
ª a două literă indică tipul circuitului.
Clasificarea circuitelor integrate şi codurile
respective sunt prezentate în tabelul 5.1.
IV Ultima poziţie, a patra, reprezintă numărul de ordine al
elaborării schemei funcţionale şi este formată din câteva
cifre.
Suplimentar codul poate conţine la început litera K, care este
atribuită circuitelor integrate de uz larg, iar la sfârşit o literă, care
deosebesc circuitele integrate de acelaşi tip cu diferite valori ale
parametrilor.
În alte ţări fiecare firmă producătoare are sistemul său de
codificare, care este prezentat în cataloagele respective.
©Valeriu Blajã
92 Codificarea circuitelor integrate
Tabelul 7. 1. Clasificarea funcţională a circuitelor integrate
N d/o Posibilităţile funcţionale ale circuitului integrat обозначение
1 2 3
1 Generatoare:
1.1. de semnale armonice ГС
1.2. de funcţii speciale ГФ
1.3. de impulsuri dreptunghiulare ГГ
1.4. de semnale liniar variabile ГЛ
1.5. zgomot ГМ
2 Detectoare:
2.1. de amplitudine ДА
2.2. de frecvenţă ДС
2.3. de fază ДФ
2.4. de impulsuri ДИ
3 Modulatoare:
3.1. de amplitudine МА
3.2. de frecvenţă МС
3.3. de fază МФ
3.4. de impulsuri МИ
4 Convertoare:
4.1. de frecvenţă ПС
4.2. de fază ПФ
4.3. de impulsuri (durată) ПД
4.4. de tensiune ПН
4.5. de putere ПМ
4.6. de nivel ПУ
4.7. digital-analogic ПА
4.8. analogic-digital ПВ
5 Amplificatoare:
5.1. de semnal sinusoidal УС
5.2. de curent continuu УТ
5.3. de impulsuri УИ
5.4. de frecvenţe înalte УВ
5.5. de joase frecvenţe УН
5.6. de frecvenţe medii УР
5.7. repetitoare УЕ
5.8. operaţionale şi diferenţiale УД
6 Linii de întârziere:
6.1. pasive БМ
6.2. active БР

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 93
1 2 3
7 Filtre:
7.1. de frecvenţe înalte ФВ
7.2. de joase frecvenţe ФН
7.3. de bandă ФЕ
7.4. de rejecţie ФР
8 Dispozitive multifuncţionale:
8.1. analogice ХА
8.2. digitale ХЛ
8.3. combinate ХК
9 Porţi logice:
9.1. AND ЛИ
9.2. OR ЛЛ
9.3. NOT ЛН
9.4. AND-OR ЛС
9.5. NAND ЛА
9.6. NOR ЛЕ
9.7. NAND-OR ЛР
10 Bistabile:
10.1. Schmitt ТЛ
10.2. dinamice ТД
10.3. T ТТ
10.4. RS ТР
10.5. D ТМ
10.6. JK ТВ
11 Circuite combinaţionale şi secvenţiale
11.1. registre ИР
11.2. sumatoare ИМ
11.3. numărătoare ИЕ
11.4. codificatoare ИВ
11.5. decodificatoare ИД
12 Memorie:
12.1. matrice RAM РМ
12.2. matrice RAM cu circuit de comandă РУ
12.3. matrice ROM РВ
12.4. matrice ROM cu circuit de comandă РЕ
12.5. RAM cu circuit de comandă РП

©Valeriu Blajã
94 Tehnologia circuitelor integrate

7.3. Tehnologia circuitelor integrate


7.3.1. Tehnologia circuitelor integrate bipolare
Circuitele integrate bipolare, de regulă, au ca element de bază
tranzistorul integrat bipolar de tip n-p-n, fapt care se explică prin o
viteză de funcţionare mai înaltă în comparaţie cu tranzistorul de tip
p-n-p şi posibilitatea obţinerii unui factor α mai înalt. Ambele
avantaje ale tranzistorului de tip n-p-n sunt cauzate de mobilitatea
mai înaltă a electronilor în comparaţie cu golurile. Valori mai înalte
pentru factorul α se obţin prin folosirea fosforului în calitate de
impuritate donoare inserată în cristalul de siliciu prin procesul de
difuziune. Solubilitatea fosforului în siliciu este net superioară şi se
pot obţine domeniile emitoarelor cu nivel înalt de dopare (în
comparaţie cu domeniul bazei) pentru obţinerea factorului de injecţie
γ înalt şi, prin urmare, a factorului de transfer α înalt.
Circuitele integrate sunt formate în plachete de siliciu prin
tehnologia în grup – într-un procedeu sunt formate câteva mii de
circuite. După formarea circuitelor în volumul sau pe suprafaţa
plachetei de siliciu, ultima este separată în chipuri (fiecare chip este
un circuit integrat). Aria unui chip este de circa câţiva mm2, iar
dimensiunile unui element al circuitului sunt de ordinul μm.
Elementele circuitului integrat sunt conectate electric prin domeniile
respective în volumul semiconductorului sau prin pelicule
superficiale de metal (conductor).
Procesul de fabricare a circuitelor integrate poate fi realizat
prin tehnologia planară sau planar-epitaxială. Domeniile necesare în
semiconductor sunt formate prin metoda difuziuei sau prin creştere
epitaxială. O etapă importantă este în acest caz formarea unui strat
protector din SiO2 cu configuraţia necesară prin metoda
fotolitografică. Din aceste considerente procedura de oxidare termică
a siliciului procedeele fotolitografice întră în lista operaţiilor
principale de fabricare a circuitelor integrate.
Elementul de bază în circuitul integrat monolitic este
tranzistorul integrat, în baza cărui sunt formate alte elemente ca:

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 95
diode, rezistoare şi condensatoare. peliculă SiO2
Tranzistoarele integrate au un cost
mult mai mic ca tranzistoarele plachetă Si de tip p a
respective discrete. Prin urmare, un
etaj poate fi constituit din 5-10
tranzistoare spre deosebire de etajul găuri în SiO2
cu 2-3 tranzistoare discrete. Fiecare
circuit poate fi dotat cu tranzistoare p
de tipul necesar, dimensiunile, b
caracteristicile şi parametrii cărui
corespund cerinţelor specifice
dispozitivului elaborat. În circuitele n n c
p
integrate monolitice este posibilă
combinarea tranzistoarelor de
frecvenţă înaltă cu cele de putere. p p
Deoarece toate elementele n n d
p
(tranzistoarele integrate) sun formate
simultan într-un proces unic şi într- n n
un cristal comun, este uşor realizabilă p p
n p n e
combinarea (corespunderea
reciprocă) a caracteristicilor electrice
C E B B E C
şi termice.
Să analizăm procesul de n
p
n
p
fabricare a tranzistorului bipolar n n f
p
integrat (vezi fig.7.2). În calitate de
substrat serveşte placheta de siliciu Fig. 7.2. Procesul de fabricare
de tip p. Pe suprafaţa a tranzistorului integrat:
semiconductorului prin oxidare а − oxidare,
termică este format o peliculă de b − gravarea SiO2,
SiO2, care va proteja suprafaţa c − difuziune (formarea
plachetei de siliciu în locurile colectorului),
necesare în timpul procedurii de d − formarea bazei,
difuziune a impurităţii. e − formarea emitorului,
Prin metoda fotolitografică f − formarea contactelor
pelicula de oxid este gravată în aşa

©Valeriu Blajã
96 Tehnologia circuitelor integrate
mod încât în timpul etapei următoare prin găurile formate în SiO2
prin difuzia fosforului este format domeniul colectorului. După
această procedură pelicula de SiO2 este decapată. Printr-o serie de
proceduri analogice celor enumerate mai sus este format domeniul
bazei, în altă serie – domeniul emitorului. În etapa următoare este
formată o peliculă nouă de SiO2, prin găurile cărei, prin depunere a
unui strat metalic, sunt formate contacte electrice pentru terminalele
tranzistorului integrat.
Dezavantajul acestei metode constă în necesitatea unei difuzii
profunde (la formarea domeniului colectorului, spre exemplu), din
care rezultă neuniformitatea joncţiunilor între domeniile formate prin
difuziune. Acest dezavantaj este
strat epitaxial n-Si exclus în metoda tehnologică
planar-epitaxială, în care sunt
combinate procesele de difuziune
plachetă p-Si a cu cele de creştere epitaxială
(vezi fig.7.3.).
difuzie Pe placheta de siliciu de tip
găuri în SiO2 p este crescut prin metoda
epitaxială un strat de siliciu de
p n p tip n. Prin metoda fotolitografică
buzunar substrat p- Si b este gravată pelicula de SiO2
(formată prin oxidare termică) şi
C E B prin difuzia impurităţii
n acceptoare se obţin buzunarele
p
n (insule de tip n), în care în
continuare sunt formate
c structurile n-p-n ale
p
tranzistoarelor integrate prin
Fig. 7.3. Fabricarea tranzistorului metoda de difuzie. În aşa mod se
planar-epitaxial: obţin joncţiuni p-n uniforme,
а − creştere epitaxială, care sunt caracterizate de
b − formarea buzunarelor, tensiuni mai înalte de
c − tranzistorul în buzunar străpungere (joncţiunile
colectoarelor).

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 97
Pentru formarea diodelor în circuitele integrate monolitice sunt
folosite joncţiunile tranzistorului integrat: dioda este formată sau în
joncţiunea emitorului, sau în joncţiunea colectorului, sau ambele
joncţiuni conectate paralel, în funcţie de caracteristicile necesare.
Joncţiunea colectorului este caracterizată de tensiune înaltă de
străpungere, iar joncţiunea emitorului – de curent invers mic. Un
avantaj important al diodelor integrate sunt caracteristicile şi
parametrii identici (sunt formate în acelaşi material semiconductor).
Rezistoarele în circuitele integrate au dimensiuni de circa 1μm
sau mai mici şi pot fi formate prin difuzie. De regulă, pentru
formarea rezistoarelor cu rezistenţe mari este folosit domeniul bazei,
iar cu rezistenţe mici – domeniul emitorului. Rezistorul este izolat
electric printr-o joncţiune p-n. Tensiunea de străpungere a acestei
joncţiuni limitează tensiunea de lucru a rezistorului. Aria suprafeţei
rezistorului determină valoarea maxim admisibilă a puterii disipate
pe rezistor. Dezavantajele rezistoarelor integrate sunt: dispersia
rezistenţei şi valorile mari ale factorului termic al rezistenţei.
Pentru formarea condensatoarelor în circuitele integrate
monolitice sunt folosite capacităţile joncţiunilor (emitorului sau
colectorului) polarizate invers. Condensatoarele, formate pe
joncţiunea emitorului, sunt caracterizate prin valori mari ale
capacităţii şi tensiuni de străpungere joase, iar pe joncţiunea
colectorului – invers – capacităţi mici şi tensiuni înalte de
străpungere. Folosirea joncţiunilor ca condensatoare este limitată de
rezistenţa echivalentă de pierderi serie şi capacitatea parazitară
paralelă. Alt dezavantaj este dependenţa capacităţii de tensiune.
Alt tip de condensatoare integrate sunt condensatoarele MOS,
care au caracteristici mult mai înalte. Aceste condensatoare sunt
formate direct pe placheta de siliciu, folosindu-se o peliculă de SiO2,
în calitate de izolator. În calitate de armături sunt folosite: substratul
semiconductor şi o peliculă conductoare (spre exemplu, Al) formată
prin metalizare. Aceste condensatoare sunt identice cu cele discrete
nepolarizate. Aceste condensatoare sunt caracterizate prin stabilitate
înaltă şi capacitatea nu depinde de tensiune.

©Valeriu Blajã
98 Tehnologia circuitelor integrate

7.3.2. Tehnologia circuitelor integrate unipolare

În circuitele integrate unipolare preponderent ca element de


bază este folosit tranzistorul cu efect de câm cu canal indus. Aceste
tranzistoare sunt caracterizate de tensiuni de străpungere între grilă şi
drenă mult mai înalte în comparaţie cu tensiunea de străpungere ea
joncţiunii colectorului în tranzistoarele bipolare. Într-un montaj
adecvat MOS FET poate fi folosit ca element pasiv (rezistor sau
condensator). Acest fapt permite formarea circuitelor integrate numai
pe baza structurilor de tip MOS. Fabricarea circuitelor integrate
MOS este mult mai simplă în comparaţie cu cele bipolare: numărul
necesar de operaţii tehnologice este de circa trei ori mai mic, iar
suprafaţa unui tranzistor integrat este de zeci de ori mai mică.
Circuitele integrate unipolare sunt preferabile, în special în tehnica
digitală: memorii RAM şi ROM, microprocesoare etc.
În circuitele integrate cu tranzistoare MOS FET cu un singur
tip de canal izolarea reciprocă a tranzistoarelor nu este necesară,
deoarece ele sunt separate de volumul semiconductor cu
conductivitate joasă, iar joncţiunile sunt polarizate invers. Un interes
deosebit prezintă circuitele integrate unipolare cu tranzistoare MOS
FET complementare (cu canale de tip diferit) – CMOS FET. Aceste
integrate sunt caracterizate de:
9 viteză înaltă de funcţionare,
9 consum foarte redus de energie în regim static,
9 stabilitate înaltă la perturbaţii,
9 posibilitatea funcţionării cu tensiuni de
alimentare într-un domeniu vast de valori.

Însă în circuitele integrate CMOS FET apare problema izolării


tranzistoarelor cu canal de tip p(PMOS FET) de cele cu canal de tip n
(NMOS FET). Cu acest scop pot fi folosite două metode:

©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 99

ª sunt create domenii izolatoare (buzunare) pentru


tranzistoarele cu un tip de canal;
ª fabricare separată a tranzistoarelor de un tip pe
substraturi diferite cu conexiune ulterioară. Însă în
această metodă este sofisticat montajul cristalelor.
Consecutivitatea fabricării
p
circuitelor integrate C MOS FET a
este prezentată în fig. 7.4. La plachetă n-Si
etapa iniţială (vezi fig.7.4.a) în
placheta de tip n prin difuziune p+ p+
p
sunt formate domeniile de tip p n b
(buzunarele), care vor servi, în
continuare, ca substrat pentru
tranzistoarelor cu canal de tip n p+ p+ n+ n+
p c
(NMOS FET). La etapa n
următoare prin difuzia
impurităţii acceptoare în
substratul de tip n (vezi fig.7.4.b) p+ p+ n+ n+
sunt formate domeniile sursei şi p d
n
drenei tranzistorului cu canal de
tip p (PMOS FET), iar prin
difuzia impurităţii donoare în p+ p+ n+ n+
buzunarul de tip p (vezi p e
fig.7.4.c) sunt formate domeniile n
sursei şi drenei NMOS FET. În Fig. 7.4. Fabricarea
continuare în ambele tranzistoare C MOS FET integrate:
sunt formate şi gravate peliculele а − formarea buzunarelor,
de oxid (vezi fig.7.4.d), prin b − formarea PMOS FET,
găurile cărora sunt formate apoi c − formarea NMOS FET,
(vezi fig.7.4.e) contactele. d − formarea oxidului sub grilă,
e − formarea contactelor

©Valeriu Blajã
100 Tehnologia circuitelor integrate

7.3.3. Tehnologia circuitelor integrate hibride


În circuitele integrate hibride elementele pasive (rezistoare,
condensatoare, bobine, conductoare etc.) sunt formate prin depunerea
peliculelor pe un substrat izolator. Peliculele rezistive, conductoare
sau izolatoare sunt depuse prin metoda evaporării termiceice în vid sau
prin metoda serigrafică. În prima metodă configuraţia peliculei este
asigurată de masca, prin care are loc depunerea, sau se obţine prin
procedura fotolitografică. În cazul al doilea are loc imprimarea prin
intermediul sitei serigrafice a peliculei necesare formate din aliaje cu
proprietăţile necesare, fiind apoi prelucrate termic. Deci, în circuitele
integrate hibride elementele pasive sunt formate pe substratul de
mică sau sticlă, iar elementele active sunt aderate prin montaj
superficial (SMD – Surface Mounted Devices). Elementele active
(diode, tranzistoare etc.), formate în cristale aparte, fără terminale,
sunt lipite cu zonele respective metalizate pe locul pregătit pe
substrat.
Rezistoarele peliculare sunt formate din materiale cu rezistenţă
specifică înaltă. Materialele rezistive pot fi metale (crom, tantal) sau
aliaje (nicrom, nitrizi sau silicizi de crom). Configuraţia rezistoarelor
peliculare poate fi simplă dreptunghiulară – „liniară” sau „în zigzag”
(vezi fig.7.5), în funcţie de valoarea necesară a rezistenţei.
Configuraţia „în zigzag” asigură obţinerea unor valori mari ale
rezistenţei.
SiOx
a

b
SiO2
Fig.7.5. Configuraţia
rezistoarelor peliculare:
n-Si
a − liniară,
b − în zigzag Fig.7.6. Structura
condensatorului
pelicular
©Valeriu Blajã
CIRCUITE INTEGRATE 101
Condensatoarele peliculare au structura formată din trei
straturi: conductor – izolator – conductor. Elementul principal în
condensatorul pelicular este izolatorul. Capacitatea şi alţi parametri
ai condensatoarelor depind de proprietăţile materialului dielectric.
Pentru formarea stratului izolator sunt folosite materiale neporoase
cu tensiuni înalte de străpungere şi pierderi dielectrice minime.
Aceste caracteristici le pot asigura, spre exemplu, oxizii de siliciu
SiOx, oxidul de titan TiO, Sb2S3 etc. Structura unui condensator
pelicular este prezentată în figura 7.6.
Folosirea inductanţelor peliculare în unele circuite integrate
liniare este inevitabilă. Spre deosebire de circuitele integrate
monolitice în cele hibride este posibilă formarea inductanţelor.
Inductanţe peliculare cu valori nu prea mari se obţin prin depunerea
peliculelor conductoare cu configuraţii de tip spirală (vezi fig.7.7.).
Însă datorită valorilor foarte mici posibile ale inductanţelor
peliculare, de regulă, în circuite inductanţele necesar sunt folosite ca
elemente discrete.

a b
Fig.7.7. Configuraţia inductanţelor peliculare:
a − circulară, b − dreptunghiulară

Conexiunile între elemente, zonele pentru terminale, armăturile


condensatoarelor, inductanţele şi contactele elementelor sunt formate
din pelicule conductoare de aur, argint, cupru sau aluminiu.

©Valeriu Blajã
102 Noţiuni generale

8. AMPLIFICATOARE
8.1. Noţiuni generale
Amplificator se numeşte circuitul electronic, care
transformă semnalul de putere mică, aplicat la intrare, într-
un semnal de ieşire de putere mai mare.
În fig.8.1 amplificatorul este
Iint. Iieş. reprezentat ca un cuadripol.
Procesul de amplificare constă în
Uint Uieş.
modularea puterii sursei de alimentare
de curent continuu conform variaţiei în
Fig.8.1. Simbolul timp a semnalului de intrare. Parametrul
amplificatorului principal al amplificatorului este factorul
de amplificare k. Deosebim:
- factorul de amplificare a tensiunii
U ie ş .
kU = , (8.1)
U in t.
- factorul de amplificare a curentului
I
k I = ie ş . , (8.2)
I in t.
- factorul de amplificare a puterii
P ie ş . U ⋅ I ie ş .
k P = = ie ş .
= k U ⋅k I . (8.3)
P in t . U in t . ⋅ I in t .
Valorile factorilor de amplificare pentru diferite amplificatoare
pot fi diferite, însă k≥1. În caz contrar amplificatorul îşi pierde
sensul. Dacă exprimăm factorul de amplificare în decibeli, avem:
U ie ş
k U [dB ] = 20 lg , (8.4)
U int.
I ie ş .
k I [d B ] = 2 0 lg , (8.5)
I in t.
P
k P [dB ] = 10 lg ie ş , (8.6)
P int.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 103
Deoarece factorul de amplificare în caz general este un număr
complex, el poate fi scris în forma:

k = k e , (8.7)
Caracteristice importante ale amplificatorului sunt:
- caracteristica amplitudine - frecvenţă (CAF) (vezi. fig. 8.2
a), care exprimă dependenţa modulului factorului de amplificare
de frecvenţa semnalului k = F(f ) ,
- caracteristica fază - frecvenţă (CFF), care reprezintă
dependenţa defazajului introdus de amplificator (argumentul ψ)
de frecvenţa semnalului ψ = F(f) (vezi fig. 8.2 b):

Im k . (8.8) k
ψ = arctg
Re k kmax
Parametrii de intrare ai k m ax
amplificatorului sunt: 2 a
-tensiunea de intrare Uint. , Δf
-curentul de intrare Iint. ,
-puterea de intrare Pint. , fj fs f
-impedanţa de intrare ψ
U int.
Z int. = , b
I int.
Parametrii de ieşire ai
f
amplificatorului sunt:
-tensiunea de ieşire Uieş. ,
-curentul de ieşire Iieş. , Fig. 8.2. Caracteristicile
-puterea de ieşire Pieş. , amplificatorului
a – amplitudine-frecvenţă;
-impedanţa de ieşire
b – fază-frecvenţă
U ieş.
Z ieş. = .
I ieş.
Criterii de calitate: Zint. şi Pieş. - maximale, iar Zieş. - minimală.
Altă caracteristică importantă este caracteristica de amplitudine
(de transfer), reprezentată în figura 1.3. Pe porţiunea liniară a ei (de
la Uint.min. până la Uint.max.) amplificatorul este în regim dinamic. La
tensiuni mai înalte este regimul de saturaţie.
©Valeriu Blajã
104 Noţiuni generale
Modificarea componentei spectrale
Uieş. a semnalului este definită prin
distorsiuni. Distorsiunile pot fi
liniare şi neliniare. Distorsiunile
liniare sunt:
− de frecvenţă, când diferite
Uint.min. Uint.max. Uint. frecvenţe sunt amplificate diferit, adică
datorită dependenţei k = F (f ) ;
Fig.8.3. Caracteristica
de amplitudine − de fază, când defazajul pentru
diferite frecvenţe este diferit.
Factorul distorsiunilor de frecvenţă este
k (8.9)
M = .
k m ax.

Distorsiunile de fază şi de frecvenţă sunt liniare, deoarece nu


provoacă modificarea spectrului semnalului. Adică nu apar
componente spectrale suplimentare la ieşirea amplificatorului.
Distorsiunile liniare sunt provocate de elementele reactive din
schemă. Distorsiunile de fază sunt inacceptabile în televizoare,
osciloscoape şi alte echipamente de acest gen.
Distorsiunile neliniare se exprimă prin modificarea formei
semnalului. În componenta spectrală a semnalului de ieşire găsim
armonici noi sau nu găsim unele armonici ale semnalului de
intrare.
Factorul distorsiunilor neliniare este:

∑ I 2
m i

ν = i = 2
, (8.10)
I m 1

unde Im1 este amplitudinea armonicii fundamentale,


iar Imi sunt amplitudinile armonicilor superioare.
Alt parametru important este randamentul:
P
η = ie ş . , (8.11)
Ps.a.
unde Ps.a. – puterea, consumată de la sursa de alimentare.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 105

8.2. Clasificarea amplificatoarelor


Clasificarea amplificatoarelor se face după câteva criterii:
™ În funcţie de distorsiuni neliniare deosebim
amplificatoare liniare, în care aceste distorsiuni sunt
minime şi neliniare, оn care aceste distorsiuni sunt
foarte mari;
™ După tipul dispozitivelor active deosebim amplificatoare
• cu tuburi electronice,
• cu tranzistoare bipolare,
• cu tranzistoare FET,
• parametrice cu diode tunel sau diode Gunn.
™ După mărimea semnalului:
• amplificatoare de tensiune,
• amplificatoare de curent,
• amplificatoare de putere.
™ După natura semnalului:
• amplificatoare de semnal mic
(amplificatoare de tensiune)
• amplificatoare de semnal mare
(amplificatoare de putere).
™ După numărul de etaje amplificatorul poate fi format
dintr-un etaj sau câteva, legate în lanţ (vezi fig. 8.4).

1 2 N

Fig. 8.4.Amplificatoare cu multe etaje legate în lanţ

k = k 1 ⋅ k 2 ⋅⋅⋅ k N , (8.12)
ψ = ψ1 + ψ 2 + ⋅ ⋅ ⋅ + ψ Ν . (8.13)

©Valeriu Blajã
106 Clasificarea amplificatoarelor
™ După cuplajul între etaje şi cuplajul semnalului de
intrare şi sarcinii deosebim:
• - amplificatoare cu cuplaj direct;
• amplificatoare cu cuplaj RC (rezistiv-capacitativ);
• amplificatoare cu cuplaj prin transformator.
™ După clasa de funcţionare a etajului deosebim
amplificatoare de clasa A, B, C şi AB.
™ Amplificatoarele liniare în funcţie de banda de trecere se
deosebesc:
• amplificatoare de joasă frecvenţă (audio) cu:
– frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi
– frecvenţa limită de sus circa 20 kHz,
• amplificatoare de înaltă frecvenţă cu:
– frecvenţa limită de jos circa 20 kHz şi
– frecvenţa limită de sus circa 100 MHz,
• amplificatoare bandă largă (amplificatoare video) cu:
– frecvenţa limită de jos circa 20 Hz şi
– frecvenţa limită de sus circa 100 MHz,
• amplificatoare de curent continuu, care au frecvenţa
limită de jos aproape de zero. Caracteristica
amplitudine-frecvenţă a amplificatorului de curent
continuu este prezentată în fig.8.5.
• amplificatoare bandă îngustă (selective). CAF a
amplificatorului selectiv este prezentată în fig.8.6.
k k

f f0 f
Fig.8.4.CAF a amplificatorului Fig.8.5. CAF a
de curent continuu amplificatorului selectiv

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 107

8.3. Structura etajului amplificator E


Amplificatorul poate fi format din mai R
multe etaje: etaj de intrare, etaje
intermediare, etaj de ieşire. Etajul de intrare
DA
trebuie să aibă impedanţa de intrare
Uint. Uieş.
mare, nivelul de zgomot mic şi
sensibilitatea înaltă. Etajele intermediare
amplifică semnalul în tensiune până la
nivelul necesar. Etajele de ieşire asigură Fig. 8.6. Structura
puterea de ieşire (pe sarcină) maximală şi etajului de amplificare
servesc pentru adaptarea ieşirii amplificatorului cu sarcină. Toate
aceste etaje sunt formate pe acelaşi principiu unic. Structura unui
etaj de amplificare este reprezentată în fig.8.6.
Elementele princpale ale unui etaj amplificator sunt:
- dispozitivul activ DA, care asigură procesul de amplificare
(poate fi, spre exemplu, tranzistorul);
- sursa de alimentare de curent continuu E, inclusă în circuitul
de ieşire, care furnizează energie pentru formarea semnalului de
ieşire şi asigură regimul de repaos al etajului;
- rezistenţa R, pe care este format semnalul de ieşire şi de
pe care el este cules.
Sub acţiunea semnalului de intrare variază rezistenţa dinamică
a DA şi în circuitul de ieşire se formează semnalul de ieşire.
Procesul de amplificare este bazat pe transformarea energiei
sursei de alimentare de curent continuu (c.c.) în energie de curent
alternativ (c.a.) în circuitul de ieşire datorită modificării rezistenţei
dispozitivului activ sub acţiunea semnalului de intrare.
Deoarece sursa de alimentare este de c.c., în circuitul de ieşire pe
curentul continuu este suprapus semnalul variabil. Este necesar, prin
urmare, ca amplitudinile semnalului variabil să nu depăşească
componentele de c.c. I m ≤ I C şi U m ≤ U C . În caz contrar, în
anumite intervale de timp curentul de ieşire va fi nul şi semnalul de
ieşire va fi distorsionat. Prin urmare, şi în circuitul de intrare trebuie
formată o componentă de curent continuu. Componentele de c. c. ale

©Valeriu Blajã
108 Structura etajului amplificator
tensiunilor şi intensităţilor în circuitul etajului amplificator formează
regimul de repaos al etajului. Regimul de repaos al etajului
amplificator este definit ca regimul existent în circuitul etajului în
absenţa semnalului de intrare.
Deosebesc etaje amplificatoare dotate cu tranzistoare bipolare
în montaj emitor comun (EC), bază comună (BC) şi colector comun
(CC).
Analiza etajelor amplificatoare vom efectua-o presupunând
semnalul este sinusoidal de frecvenţe medii de unde rezultă, că pot
fi neglijate:
ƒ reactanţele condensatoarelor,
ƒ rezistenţa internă în c.c. a sursei de alimentare,
ƒ capacităţile de montaj şi capacităţile tranzistorului şi
ƒ dependenţa parametrilor tranzistorului de frecvenţă.
8.4. Etaj amplificator cu tranzistor bipolar în montaj EC

−EC + Etajul amplificator


cu tranzistor bipolar în
conexiune emitor comun
R1 RC (în continuare etaj
C2 amplificator EC) este cel
C1 mai larg folosit. Vom
VT analiza schema cu
Rg Uieş. RS tranzistor de tip p-n-p
(vezi fig.8.7). Pentru
Eg Uint. R2 RE CE schema cu tranzistor de
tip n-p-n se schimbă
numai polaritatea sursei
Fig.8.7.Schema etajului amplificator EC de alimentare şi sensurile
curenţilor.
Elementele principale ale etajului sunt:
ƒ tranzistorul VT,
ƒ sursa de alimentare EC,
ƒ rezistenţa RC, de pe care este cules semnalul de ieşire.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 109

Restul elementelor îndeplinesc funcţii auxiliare. Elementele


auxiliare sunt:
™ condensatoarele de cuplaj C1 şi C2, care exclud influenţa
sursei de semnal şi a sarcinii asupra regimului de repaos,
menţinându-l neschimbat. C1 exclude circulaţia curentului
continuu prin sursa de semnal Eg (cu rezistenţa internă Rg), iar
C2 admite numai circulaţia curentului alternativ prin sarcină.
™ Rezistenţele R1 şi R2 formează divizor de tensiune, care
asigură componenta de c.c. a tensiunii UBE (UBE0) şi
determină regimul de repaos la intrarea tranzistorului.
™ Rezistenţa RE serveşte pentru stabilizarea termică, formând
reacţie negativă serie în curent. De exemplu, dacă în timpul
funcţionării tranzistorul s-a încălzit, va creşte curentul
colectorului şi creşte curentul emitorului. Prin urmare, creşte
căderea de tensiune pe RE şi tensiunea se micşorează UBE,
adică scad curenţii IB si IC , iar tranzistorul este întors la
regimul iniţial.
™ Condensatorul CE şuntează reacţia negativă adică RE în
curent alternativ evitând micşorarea factorului de amplificare.
Principiul de funcţionare a etajului: pe componentele de c.c.
ale tensiunilor şi curenţilor în circuitul de intrare este suprapus
semnalul variabil , care condiţionează apariţia componentei variabile
a curentului colectorului. Ultima formează componentă de c.a. a
căderii de tensiune pe rezistenţa RC. Semnalul variabil este cules prin
condensatorul de cuplaj C2 spre sarcina RS. Semnalul de ieşire are
amplitudine mai mare ca cel de intrare deoarece impedanţa de ieşire
a tranzistorului este mai mare ca impedanţa de intrare.
Etajul EC este caracterizat de impedanţă de intrare mică,
impedanţă de ieşire mare şi defazaj între semnalul de ieşire şi cel de
intrare de 180o . Etajul EC este etaj inversor.

©Valeriu Blajã
110 Analiza etajului EC în c.c.

8.5. Analiza etajului EC în curent continuu


(Relaţiile principale pentru alegerea regimului de repaos)
Analiza etajului în curent continuu este efectuată prin
metoda grafo-analitică, adică sunt efectuate construcţii grafice în
baza caracteristicilor statice ale tranzistorului însoţite de expresii
analitice. În sistemul de coordonate al caracteristicilor de ieşire
(vezi fig. 1.8.) este trasată dreapta de sarcină în curent continuu.
Dreapta de sarcină în curent continuu este locul
geometric al punctelor, coordonatele cărora corespund
valorilor posibile ale curentului colectorului IC şi tensiunii
UCE.
Din schema etajului observăm, că bilanţul tensiunilor în
circuitul de ieşire este:
EC = ICRC + UCE + IERE. (8.14)
Deoarece IC=αIE, iar α≈1, putem admite că I C ≅ IE .
Prin urmare, expresia (8.14) poate fi simplificată până la:
EC = IC (RC + RE) + UCE. (8.15)
Formula (1.15)este ecuaţia dreptei de sarcină. Trasăm dreapta
de sarcină în c.c. prin două puncte de intersecţie cu axele.
• La intersecţia cu axa tensiunilor:
EC
U CE = 0 şi IC = , (8.16)
RC + RE

• iar la intersecţia cu axa curenţilor:


IC = 0 şi UCE = EC . (8.17)
La intersecţia dreptei de sarcină cu caracteristica de ieşire
corespunzătoare curentului bazei de repaos IB0 este găsit punctul de
repaos P. De alegerea corectă a punctului de repaos depinde
funcţionarea etajului fără distorsiuni.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 111
În c.a. RE este şuntată, sursa de curent continuu EC (cu
rezistenţa internă mică). Reactanţa condensatorului C2 este foarte
mică şi în curent alternativ în paralel cu RC este conectată sarcina RS.
Prin urmare, în expresia (8.15) RE dispare, iar rezistenţa RC este mai
mică. Deci dreapta de sarcină în c.a., care se mai numeşte
caracteristica dinamică de ieşire, trece prin punctul de repaos
P şi are panta mai mare ca dreapta de sarcină în c.c. (vezi
dreapta AB în fig.8.8.). Caracteristica dinamică de ieşire reprezintă
dependenţa între componentele de c.a. ale tensiunii şi curentului de
ieşire.
Din fig.8.8 observăm: dacă la intrarea amplificatorului, este
aplicat un semnal variabil, alternanţa sa pozitivă provoacă creşterea
tensiunii UBE, curentului IB, curentului IC şi, conform dreptei de
sarcină, micşorarea tensiunii UCE. Prin condensatorul de cuplaj C2
este culeasă componenta alternativă a tensiunii de pe colector, care
va avea aceeaşi formă cu semnalul de intrare şi un defazaj de 180°
faţa de semnalul de intrare. Etajul EC este inversor, adică introduce
defazaj de 180°. De aceea factorul de amplificare a tensiunii pentru
el este considerat negativ.
8.6. Clasele de funcţionare a etajelor amplificatoare
În funcţie de poziţia punctului de repaos şi amplitudinea
semnalului variabil deosebesc 3 clase de funcţionare a etajelor
amplificatoare: A, B, C şi clasa intermediară AB. Clasele se
deosebesc prin valoarea maximală posibilă a randamentului şi
distorsiunile neliniare.
CLASA A Punctul de repaos se află în mijlocul porţiunii liniare
a caracteristicii de transfer a tranzistorului (vezi fig.8.8), iar
amplitudinea semnalului variabil este limitată în domeniul, care nu
scoate punctul funcţionare a tranzistorului din limitele porţiunii
liniare a caracteristicii de transfer. Clasa A este caracterizată prin
distorsiunile neliniare minime şi randament până la 50 %.
Randamentul etajului amplificator este
P 0,5I Cm U Cm I U Cm
η = ieş. = = 0,5 Cm . (8.18)
Ps.a. I C 0 U CE0 I C 0 U CE0
©Valeriu Blajã
112 Clasele de funcţionare a etajelor amplificatoare

IC
IC IC A IB2

IC0 P IB0

IB1
B
UBE t EC UCE

t t
Fig. 8.8. Caracteristicile etajului amplificatorului clasa A

Deoarece ICm ≤ IC0 şi U Cm ≤ U CE0 , găsim η ≤ 0 ,5 .


CLASA B Punctul de repaos este situat în originea coordonatelor
caracteristicii de transfer (fig.8.9). Prin urmare, curentul bazei de
repaos este nul. Pe sarcină apare curent şi tensiune numai de o
alternanţă (pozitivă), în timpul căreia tranzistorul este în conducţie
(regim activ direct). Cealaltă alternanţă (negativă) este tăiată,
deoarece tranzistorul este blocat.
Distorsiunile liniare sunt foarte mari, însă randamentul poate
căpăta valori mai mari în comparaţie cu clasa A.
IC IC IC IB3

IB2

IB1
P
UBE t UCE

t t
Fig. 8.9. Caracteristicile etajului amplificator clasa B

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 113
• Puterea de ieşire este: Pieş. = 0,5 UCmICm. (8.19)
• Puterea, consumată de la sursa de alimentare este:
Ps.a. = UC0IC med.. (8.20)
Curentul mediu consumat de la sursa de alimentare va circula numai
în timpul alternanţei pozitive:
1
π
1
π
I π 2
ICmed. = ∫ iCd(ωt ) = ∫ ICmsinω td (ω t ) = Cm (−cosωt ) = ICm . (8.21)
π0 π0 π 0 π
Deoarece UCm poate fi nu mai mare ca UC0, randamentul va fi:
0,5U Cm ⋅ I Cm π (8.22)
η = ≤ ≈ 78 , 6 %,
2 4
U ⋅ I Cm
π
C0

Clasa B este folosită în amplificatoarele în contratimp, adică


atunci când tranzistoarele, funcţionând pe rând, amplifică câte o
alternanţă a semnalului de intrare.
CLASA C Aici punctul de repaos este situat în zona
corespunzătoare a regimului de tăiere (vezi fig.8.10) şi, prin urmare,
va fi amplificată numai o porţiune de alternanţă a semnalului de
intrare. Distorsiunile neliniare sunt foarte mari, iar randamentul poate
atinge valoarea η ≤85%. Clasa C este folosită în cazul, când avem
nevoie la ieşire de o singură armonică, adică în amplificatoare
selective şi oscilatoare (generatoare de semnal sinusoidal).
IC IC IC IB3

IB2

IB1
P
UBE t UCE

t t

Fig. 8.10. Caracteristicile etajului amplificator clasa C

©Valeriu Blajã
114 Analiza etajului amplificator EC în c.a.

8.7. Analiza etajului amplificator EC pentru semnal variabil


Dacă analiza etajului în c.c. ne permite să dimensionăm
elementele schemei, atunci analiza în c.a. ne dă posibilitate să găsim
parametrii de amplificare, adică:
• factorii de amplificare în curent, tensiune şi putere,
• impedanţele de intrare şi ieşire.
Pentru analiza în curent alternativ ne vom limita numai la banda
de frecvenţe medii, în care
• parametrii tranzistorului nu depind de frecvenţă.
Vom folosi schema echivalentă a tranzistorului în montaj EC
cu parametri naturali (vezi fig.3.12.b) şi vom presupune:
• rezistenţa internă a sursei de alimentare în c.a. nulă,
• reactanţele condensatoarelor nule şi, prin urmare,
• rezistenţa RE fiind şuntată dispare din schemă.
• rezistenţele R1 şi R2 pentru c.a. vor fi conectate în paralel.
• în paralel cu RC va fi conectată sarcina RS.
Schema echivalentă a etajului EC la frecvenţe medii este
prezentată în figura 8.11.
rB rC
B C

Rg R1 R2
Uint
r RC RS Uieş
β ib
Eg

Fig.8.11.Schema echivalentă a etajului EC la frecvenţe medii


1. Pentru a găsi impedanţa de intrare a etajului Zint. este necesar să
găsim rezistenţa la intrarea tranzistorului. Cu acest scop exprimăm
tensiunea uCE prin curentul bazei iB. Influenţa elementelor rC,
βiB, RC şi RS poate fi neglijată, deoarece rC este foarte mare şi
rezistenţa internă a sursei de curent este foarte mare mică.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 115
uBE = iB rB + iE rE. (8.23)
Deoarece β ib are rezistenţa foarte mare, iar
rC+ R S R C >> rE, (8.24)
expresia (8.23) poate fi scrisă în modul următor:
uBE=iBrB+(iB+iC)rE=iBrB+iB(1+β)rE=iB[rB+(1+β)rE]. (8.25)
Prin urmare, rezistenţa de intrare a tranzistorului este:
rint. =
u BE
= rB + rE (1 + β) , (8.26)
i B
iar impedanţa de intrare a etajului Zint. este
Z int. = R 1 R 2 rint. = R 1 R 2 [ rB + rE (1 + β ) ] . (8.27)
2. Găsim factorul de amplificare a curentului:
i i
k I = ie s . = s . (8.28.)
i in t . i in t .
Cu acest scop vom exprima curentul de intrare şi curentul de
ieşire (curentul sarcinii) prin curentul bazei:
iint.Zint.=iBrint., (8.29)
rint.
i int. = ⋅ iB , (8.30)
Z int.
u
iS = ie ş .
. (8.31)
R S

Deoarece rE este foarte mică în comparaţie cu rC şi RC, ea poate


fi neglijată în circuitul de ieşire şi, prin urmare, putem scrie:
βi ⋅ [r R R S ]
iS = B C C . (8.32)
RS
Introducând (8.30) şi (8.32) în (8.28.) vom obţine:
iieş. Z int. rC R C R S
kI = =β . (8.33)
iint. rint. RS

©Valeriu Blajã
116 Analiza etajului amplificator EC în c.a.
În cazul dimensionării optimale a schemei etajului amplificator
EC, factorul de amplificare a curentului poate atinge valoarea
maximală egală cu β (h21EC).
3. Factorul de amplificare a tensiunii:
u
kU = ieş. . (8.34)
Eg
Exprimăm tensiunea pe sarcină uS prin curentul sarcinii iS
uieş. = uS = iSRS . (8.35)
Analizând circuitul de intrare putem scrie că:

(
E g = iint. Z int. + R g . ) (8.36)
Prin urmare,
iS ⋅ R S RS
kU = = kI . (8.37)
iint. ( )
Z int. + R g Z int + R g
Observăm că, factorul de amplificare a tensiunii va fi cu atât
mai mare cu cât mai mare este β (vezi expresia (8.33)) şi va fi cu atât
mai mare cu cât va fi mai mare raportul rezistenţei sarcinii către
rezistenţa circuitului de intrare. Deoarece etajul EC este inversor
factorul său de amplificare a tensiunii este considerat având valoare
negativă.
4. Factorul de amplificare puterii:
P
k P = ie ş . = k U k I . (8.38)
P in t .
5. Impedanţa de ieşire Zieş. este calculată, fiind raportată la bornele
colector-emitor:
Z ieşe = rC R C . (8.39)
Deoarece rC este foarte mare (rC»RC), valoarea impedanţei de
ieşire este determinată de RC.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE 117

8.8 Repetitor pe emitor (Etaj CC)


Repetitoare sunt numite amplificatoarele, care au factorul de
amplificare unitar şi polaritatea sau faza tensiunii de ieşire coincide
cu cea a tensiunii de intrare.
Schema etajului este reprezentată în fig. 1.13. Pentru semnal
variabil colectorul (prin sursa de alimentare) este comun pentru
circuitul de intrare şi circuitul − EC +
de ieşire .
Elementele principale sunt:
• tranzistorul VT, R1
• sursa de alimentare EC şi C1
• rezistenţa RE, pe care este
format şi de pe care este VT C2
cules semnalul de ieşire.
Uint.
Elementele auxiliare: RE Uieş.
• condensatoarele C1 şi C2 au
aceeaşi destinaţie ca şi în
cazul EC,
• rezistenţa RB polarizează Fig. 8.13. Repetitor pe emitor
baza.
Tensiunea aplicată nemijlocit la intrarea tranzistorului este:
UBE = Uint. - Uieş. . (8.40)
Prin urmare, avem în circuitul repetitorului reacţie negativă
(serie în tensiune) totală (χ=1). Şi factorul de amplificare a tensiunii
în repetitor este:
k U EC
k U R = , (8.41)
1 + k U EC
unde kU EC este factorul de amplificare a tensiunii în conexiune EC.
Deoarece KU EC »1, KU R va fi practic aproape 1:
KU R=1
Etajul CC nu roteşte faza semnalului. Dacă este aplicată
alternanţa pozitivă a semnalului de intrare, curentul bazei creşte,
©Valeriu Blajã
118 Repetitor pe emitor
creşte curentul emitorului, căderea de tensiune pe RE creşte, fapt
echivalent cu apariţia alternanţei pozitive la ieşire.
Deoarece semnalul de ieşire reproduce (repetă) valoarea
tensiunii şi faza semnalului de intrare şi este cules de pe
emitor, etajul este numit repetitor pe emitor.
Etajul este folosit ca etaj de ieşire, deoarece are
impedanţa de ieşire foarte mică.
Proprietăţile importante ale repetitorului pe emitor sunt:
• impedanţă de intrare mare;
• amplificare în curent mare (ki CC ≈ ki EC);
• amplificare în tensiune aproximativ unitară şi schimbare de semn;
• impedanţă de ieşire – foarte mică;
• amplificare în putere – mare.
Datorită impedanţei de intrare foarte mare şi impedanţei de
ieşire foarte mici repetitorul pe emitor este folosit frecvent ca etaj de
adaptare (de ieşire) între amplificatoare cu impedanţe de ieşire mari
şi sarcini (impedanţe de sarcini) mici.
−EC+
Atunci când avem nevoie
de două semnale de aceeaşi
formă dar în antifază este
folosit amplificatorul cu
R1 RC sarcină divizată, schema cărui
C3 este reprezentată în fig. 1.14.
C1 Tensiunile U1 şi U2 vor avea
aceeaşi formă însă U1 este
VT U2 cules de pe emitor şi coincide
în fază cu semnalul de intrare,
Uint. C2 iar U2 este cules de pe
R2 RE U1 colector şi este în antifază cu
semnalul de intrare.

Fig. 8.14. Etaj cu sarcina divizată

©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 119

9. REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE
9.1 Noţiuni generale
Reacţia este modificarea circuitului
electric al amplificatorului în aşa mod, încât
împreună cu semnalul de intrare se aplică
un semnal (semnalul de reacţie) proporţional
cu una din mărimile de ieşire (tensiune, curent R
sau putere) (vezi fig.9.1).
Reacţia poate fi parazitară sau poate fi Fig.9.1. Schema bloc
introdusă intenţionat. a amplificatorului
Reacţia poate globală sau locală, cu reacţie
pozitivă sau negativă.
Atunci, când semnalul de reacţie este în antifază cu semnalul
de intrare reacţia este negativă şi factorul de amplificare se va
micşora:
K , (9.1)
K RN =
1+ χK
unde K este factorul de amplificare iniţial (fără reacţie),
χ este factorul de transfer al circuitului de reacţie χ = U R .
U ieş.
Atunci, când semnalul de reacţie coincide în fază cu semnalul
de intrare, reacţia este pozitivă şi factorul de amplificare se va mări
conform expresiei:
K =
K , (9.2)
RP 1 - χK
Reacţia negativă prezintă următoarele avantaje:
• este redus nivelul zgomotului, distorsiunilor de toate tipurile
şi a tensiunilor perturbatoare, provenite din amplificator;
• reacţia negativă, ca şi cea pozitivă, permite modificarea
impedanţelor de intrare şi ieşire ale amplificatorului în
sensul dorit;
• este îmbunătăţită stabilitatea funcţionării amplificatorului;
• este lărgită banda de trecere (vezi fig. 9.2).

©Valeriu Blajã
120 Noţiuni generale

k Dacă se ţine seama atât de


kmax modul în care se culege
k max semnalul de reacţie de la ieşire,
2 a cât şi de modul în care el este
ΔF aplicat la intrare, în funcţie de
conexiunea buclei de reacţie
fj fs f la circuitul amplificatorului
k RN
deosebesc următoarele tipuri
kmax b
k max
generale de reacţie, schemele-
2 ΔFRN bloc ale cărora sunt reprezentate
în fig.9.3,:
fjRN fsRN f serie-serie (fig. 9.3, a),
Fig.9.2.CAF a amplificatorului serie-paralel (fig. 9.3, b),
până la (a) şi după (b) paralel-serie (fig.9.3, c),
introducerea reacţiei negative paralel-paralel (fig. 9.3, d).

R R R R
a b c d
Fig.9.3.Schemele-bloc ale tipurilor generale de reacţie:
a – serie -serie, b – serie-paralel, c – paralel -serie, d – paralel-paralel
−EC + În cazul reacţiei serie-serie
semnalul de reacţie este
R1 RC proporţional curentului de ieşire
C2
C1 (din această cauză mai este numită
reacţie în curent), iar la intrare are
VT loc compararea (sumarea)
Uieş. tensiunilor semnalelor de intrare şi
Uint.
R2 RE de reacţie (adică este reacţie serie
în curent).Este clar, că şi
impedanţa de intrare, şi impedanţa
de ieşire după introducerea reacţiei
Fig.9.4.Schema etajului EC
serie-serie se vor mări.
cu reacţie negativă serie-serie
©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 121
Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă serie-serie
este etajul EC, care are în circuitul emitorului o rezistenţă (RE)
nedecuplată (neşuntată) de condensator (vezi fig.9.4).
Adeseori, în aceste cazuri, în amplificatoarele cu etaje, pentru
compensarea efectului de micşorare a factorului de amplificare de
reacţia negativă, este realizată reacţia pozitivă serie-serie (vezi
fig.9.5). Tensiunea de reacţie aplicată pe emitorul etajului de intrare
este în opoziţie de fază cu tensiunea semnalului de intrare. Aceasta
provoacă creşterea tensiunii UBE şi, în consecinţă, creşte factorul de
amplificare.
−EC +

R1 RC1 R’1 RC2


C3
C1 C2
VT
VT
Uint. Uieş.
R2 RE1 R R’2 RE2

Fig.9.5.Amplificator cu două etaje şi reacţie pozitivă serie-serie


În cazul reacţiei serie-paralel mărimile ce se compară la intrare
sunt tensiuni, iar mărimea cu care este proporţională tensiunea de
reacţie este tensiunea de ieşire (adică este reacţie serie în tensiune).
Este clar, că după introducerea reacţiei serie-paralel impedanţa de
intrare se va mări, iar impedanţa de ieşire se va micşora.
Un exemplu de amplificator cu reacţie negativă serie-paralel
este reprezentat în figura 9.6. Semnalul de reacţie este cules de pe
colectorul tranzistorului VT2 în etajul de ieşire şi este aplicat pe
emitorul tranzistorului VT1 în etajul de intrare. Adică tensiunea de
reacţie va fi proporţională tensiunii de ieşire, şi la intrare ea este
aplicată în serie cu tensiunea de intrare. În banda de frecvenţe medii
defazajul global, introdus de amplificator, este ϕ a = 2π , deoarece
fiecare etaj roteşte faza cu π. Prin urmare:
©Valeriu Blajã
122 Noţiuni generale
UBE= Uint. − UR, (9.3)
adică reacţia este negativă. Condensatorul CR separă emitorul VT1
de colectorul VT2 în curent continuu. Capacitatea CR trebuie să fie
mare, ca în banda de trecere impedanţa buclei de reacţie să depindă
slab de frecvenţă.
−EC +

R1 RC1 R’1 RC2


C3
C1 VT C2 VT

Uint. R Uieş.
R2 RE1 CR R’2 RE2

Fig.9.6.Amplificator cu două etaje şi reacţie negativă serie-paralel


În cazul reacţiei paralel-serie mărimile, ce se compară la intrare
– sunt curenţii, iar curentul de reacţie este proporţional cu curentul de
ieşire (adică este reacţie paralelă în curent). Este clar, că după
introducerea reacţiei paralel-serie impedanţa de intrare se va
micşora, iar impedanţa de ieşire se va mări. Un exemplu de
amplificator cu reacţie negativă paralel-serie este dat în fig.9.7. Şi în
−EC +

R1 RC1 R’1 RC2


C3
C1 C2
VT
VT
Uint. Uieş.
R2 RE1 R R’2 RE2

Fig.9.7.Amplificator cu două etaje şi reacţie negativă paralel-serie


©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 123
acest caz trebuie considerate două etaje de amplificare, deoarece
numai astfel curentul de ieşire din al doilea etaj este în opoziţie
de fază cu curentul de intrare în primul etaj.
Dacă reacţia este paralel-paralel, mărimile, care se compară la
intrare, sunt curenţi, iar mărimea de ieşire, cu care este
proporţional curentul de reacţie, este tensiunea de ieşire (adică este
reacţie paralelă în tensiune). Este clar, că după introducerea reacţiei
paralel-paralel, şi impedanţa de intrare, şi impedanţa de ieşire se vor
micşora. În figura 9.8 este reprezentată schema unui amplificator cu
reacţie negativă paralel-paralel.

− EC +

R1 RC
CR C2
RR
C1
VT
Uieş.
Uint.
R2 RE CE

Fig.9.8. Amplificator cu reacţie negativă paralel-paralel

©Valeriu Blajã
124 Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă
9.2 Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă
Pentru lărgirea benzii de trecere şi liniarizarea caracteristicii
amplitudine-frecvenţă este efectuată corecţia caracteristicilor de
frecvenţă. Ea este realizată prin utilizarea în schemă a unor elemente
suplimentare cu caracteristici dependente de frecvenţă sau cu ajutorul
reacţiei. Liniarizarea în extremele benzii de trecere este efectuată cu
elemente diferite în schemă. Adică problema corecţiei caracteristicii
amplitudine-frecvenţă este divizată în secvenţe (după frecvenţă) şi
soluţionată separat.
Corecţia poate fi realizată folosindu-se în bucla de reacţie
circuite parametrii cărora depind de frecvenţă, adică circuite cu
elemente reactive. Sunt folosite filtrele trece-jos, trece-sus şi filtrele
de bandă. Pentru a avea posibilitatea să modificăm faza semnalului
de reacţie în intervalul de la 0 până la π sunt unite în lanţ celule
elementare, care reprezintă filtrele simple de formă “L”.
Mai frecvent elementele se aleg cu valori identice:
C1=C2=C3=C şi R1=R2=R3=R. În acest caz banda de trecere este
limitată de frecvenţa fl, calculată în cazul filtrului trece-sus conform
expresiei:
1 , (9.4)
fl =
2π 6 RC

χ
C1 C2 C3
χ max
2 b
R1 R2 R3

ψ fl f
a 3π
Fig.9.9.Filtru RC trece-sus 2
a – schema; π c
b – CAF;
π
c – CFF 2

fl f
©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 125
iar în cazul filtrului trece-jos conform expresiei:
fl =
6 . (9.5)
2 π RC
Pentru a evita efectul de şuntare a celulei precedente de cea
următoare trebuie majorată impedanţa de intrare a celulei următoare.
Cu acest scop sunt formate reţelele progresive, în care: R2=mR1,
R3=mR2, C2=C1/m, C3=C2/m, iar m>1. În acest caz frecvenţa limită fl
şi factorul de transfer la frecvenţa limită, sunt calculate în cazul
filtrului trece-sus conform expresiilor:
1 , (9.6)
fl =
2 1
2π R 1 C 1 3 + +
m m 2
1 , (9.7)
χ =
l
12 7 1
8 + + 2
+
m m m3
iar în cazul filtrului trece-jos conform expresiilor:
2 1
3+ +
fl = m m2 , (9.8)
2π R 1C 1
1 , (9.9)
χ =
l
12 7 1
8+ + +
m m2 m3

χ
χ max
b
R1 R2 R3 2

C1 C2 C3
fl f
ψ
fl f
a
Fig.9.10. Filtru RC trece-jos
a – schema;
− π2
c
b – CAF; −π
c – CFF
− 3π
2
©Valeriu Blajã
126 Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă
În calitate de filtre de bandă mai frecvent sunt folosite:
• filtru trece-bandă – reţeaua Wien (vezi fig.9.11)
• filtru de rejecţie– reţeaua dublu T (vezi fig.9.12.).
χ

b
C1 R2

R1 C2
f0 f
a
ψ
Fig.9.11. Reţea Wien π
a – schema; 2 c
b – CAF;
0
c – CFF f0 f
− π
2

R1 R2 χ

C1 C2 b

R3 C3

f0 f
a
Fig.9.12. Reţea dublu “T” ψ
a – schema;
π
b – CAF; 2 c
c – CFF
0
f0 f
− π
2

©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 127
Frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de transfer capătă
valoarea maximală) f0 şi factorul de transfer la această frecvenţă χ0,
sunt calculate în cazul reţelei Wien conform expresiilor:
f =
1 , (9.10)
0
2π R 1C 1 R 2C 2

1 , (9.11)
χ0 =
C1 R
1+ + 2

C2 R 1

Pentru a obţine un factor de transfer aproape de zero la


frecvenţa de cvazirezonanţă (la care factorul de transfer capătă
valoarea minimală) în cazul filtrului dublu T elementele sunt alese:
R1=R2=2R3=R; C1=C2=C3/2=C. Atunci frecvenţa de cvazirezonanţă
f0 este:
1 , (9.12)
f0 =
2 π RC
Corecţia la joase frecvenţe se face, de regulă, folosind filtrul
RF CF în circuitul sursei de alimentare (vezi fig.9.13). Corecţia de
joasă frecvenţă este bazată pe faptul că odată cu micşorarea
frecvenţei impedanţa circuitului colectorului etajului EC creşte, iar,

− EC +

RF k
R1 CF k max 2
RC
C1 C2
k max
VT 2

R2 CE 1
RE
f ’j fj f
a b
Fig.9.13. Etaj EC cu corecţie la joase frecvenţe
a − schema, b − caracteristicile amplitudine-frecvenţă pentru:
1 − etajul fără corecţie, 2 − etajul cu corecţie

©Valeriu Blajã
128 Corecţia caracteristicilor amplitudine-frecvenţă
prin urmare, creşte şi factorul de amplificare şi în aşa mod este
compensată scăderea factorului de amplificare, cauzată de
distorsiunile de frecvenţă (provocate de condensatoarele de cuplaj şi
din circuitul emitorului).
În figura 9.13 în circuitul colectorului suplimentar rezistorului
RC este inclus rezistorul RF, şuntat de condensatorul CF. La frecvenţe
medii şi înalte impedanţa XCF decuplează rezistenţa RF şi ZC=RC. La
frecvenţe joase XCF creşte considerabil şi impedanţa circuitului
colectorului ZC =RC +RF XCF de asemenea creşte, ceea ce majorează
factorul de amplificare în tensiune. În aşa mod frecvenţa limită de jos
se micşorează de la fj la f1j (vezi fig.9.13.b).
Valoarea necesară a capacităţii CF este foarte mare, de aceea
sunt utilizate condensatoare electrolitice. Concomitent filtrul folosit
în circuitul din fig.9.13.a joacă rol de protecţie contra perturbaţiilor,
− EC+ ce pătrund prin sursa de alimentare.
Corecţia caracteristicii
L amplitudine-frecvenţă la înalte
R1 frecvenţe este realizată prin corecţia
RC
C2 paralelă sau prin reacţie în curent. În
C1 cazul corecţiei paralele în circuitul
VT colectorului sunt folosite elemente,
care majorează impedanţa în circuitul
R2 RE CE colectorului la frecvenţe înalte.
Corecţia paralelă la frecvenţe înalte se
face punându-se o inductanţă în
Fig.9.14. Etaj EC cu corecţie circuitul colectorului (vezi fig.9.14).
paralelă la frecvenţe înalte Circuitul echivalent al etajului în
banda de frecvenţe înalte poate fi
reprezentată ca în fig.9.15. Conform acestei scheme inductanţa L,
capacitatea C (capacitatea C reprezintă capacitatea de montaj) şi
rezistenţa RC formează un circuit oscilant derivaţie. La frecvenţa de
rezonanţă impedanţa circuitului oscilant va fi mai mare ca RC şi, prin
urmare, creşte impedanţa sarcinii: ZC=RC+XL şi, în aşa mod, creşte
factorul de amplificare. Dacă vom alege frecvenţa de rezonanţă în
banda de frecvenţe înalte, va creşte şi frecvenţa limită de sus de la fS
©Valeriu Blajã
REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 129
1
la f S. În caz de alegere optimală fS poate fi majorată de 1,7 ori.
Pentru calcule de dimensionare a inductanţei de corecţie este folosită
expresia:
RS , (9.13)
L =
2π f S
unde fS este valoarea dorită a frecvenţei limita de sus.

k
k max 1 3

RC k max
rint. RS Uieş. 2 2
−SUint. L C

a f S f ’S f
b
Fig.9.15. Circuitul echivalent al etajului EC
cu corecţie paralelă la frecvenţe înalte (a) şi CAF (b) pentru:
1− etajul fără corecţie, 2 − circuitul oscilant LC, 3 − etajul cu corecţie
Mai frecvent, în amplificatoarele cu tranzistoare bipolare este
folosită corecţia la frecvenţe înalte prin −EC+
reacţie negativă în curent (vezi fig.9.16).
Pentru formarea reacţiei, în circuitul R1 RC
emitorului este inclus suplimentar, C2
rezistorul R0 (R0<<RE), şuntat de C1

condensatorul C0. Capacitatea C0 este VT


aleasă în aşa mod, ca la frecvenţe medii
R0, să nu fie decupat, adică R2 R0 C0
1 (9.14)
<< R0 .
2π fmC0 RE CE
Prin urmare, la frecvenţe medii şi
joase reacţia negativă (R0) va micşora
factorul de amplificare şi caracteristica Fig.9.16. Etaj EC cu corecţie
amplitudine-frecvenţă îşi va extinde la frecvenţe înalte prin
domeniul de uniformitate spre reacţie negativă în curent
frecvenţele înalte.
©Valeriu Blajã
130 AMPLIFICATOARE SELECTIVE

10 AMPLIFICATOARE SELECTIVE

Amplificatoarele selective au banda de trecere foarte îngustă şi


sunt folosite pentru a evidenţia semnalul util, prin suprimarea
celorlalte armonici suplimentare, (pentru amplificarea semnalelor
de o anumită frecvenţă f0) la recepţia radio şi TV, în echipamentele
de măsurări şi automatizări.
Pentru îngustarea benzii de trecere şi formarea
amplificatoarelor selective este folosit unul din două principii:
1. În calitate de sarcină a amplificatorului este conectat un
circuit oscilant (vezi fig. 10.1.).
2. În bucla de reacţie este folosit un filtru de bandă (vezi
fig.10.2.).

Uint. Uieş.

Uint. Uieş.

Fig. 10.1. Schema-bloc a


amplificatorului selectiv de tipul I Fig. 10.2. Schema-bloc a
amplificatorului selectiv de tipul II

Amplificatoarele selective de tipul I se mai numesc


amplificatoare de rezonanţă şi au conectate în circuitul colectorului
un circuit oscilant LC (vezi fig.10.3). Caracteristica amplitudine-
frecvenţă va avea aceeaşi formă ca şi dependenţa impedanţei
circuitului oscilant de frecvenţă. Pentru a îmbunătăţi parametrii
(factorul de calitate Q) inductanţa L este conectată în circuitul
colectorului parţial (prin priză) (vezi fig.10.4). Pentru a evita
şuntarea circuitului oscilant prin sarcina cu rezistenţă mică, semnalul
este cules prin condensatorul de cuplaj de pe o porţiune a inductanţei

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE SELECTIVE 131

(vezi fig.10.4.a.) sau este cules prin intermediul unei inductanţe


mutuale (vezi fig.10.4.b.).

−EC+ k
kmax.
C Q1
R1 L 0,7kmax.
C2
C1
VT
Uieş. kmax. Q2
Uint. R2 RE 0,7kmax.
CE

Δf f
a
Δf b
Fig.10.3. Schema (a) şi caracteristicile amplitudine-frecvenţă (b)
ale amplificatorului de rezonanţă

−EC+ −EC+

C L C2 C
R1 R1 L2
Uieş.
C1 C1
Uieş.
VT VT
Uint. CE
Uint. R2 RE R2 RE
CE

a b
Fig.10.4. Amplificatoare de rezonanţă

©Valeriu Blajã
132 AMPLIFICATOARE SELECTIVE

Deoarece la joase frecvenţe (f<50 kHz) cresc valorile necesare


ale inductanţelor şi capacităţilor, cresc gabaritele elementelor
folosite. În acelaşi timp creşte şi rezistenţa bobinei, deci scade
factorul ei de calitate. Din aceste considerente în amplificatoarele
selective de tipul II în bucla de reacţie sunt folosite filtre RC de
bandă: reţeaua Wien şi reţeaua dublu T (vezi fig.9.11 şi 9.12). Mai
frecvent este folosită reţeaua dublu T (vezi fig.10.5), deoarece putem
căpăta la frecvenţa de cuazirezonanţă f0 un factor de transfer al buclei
de reacţie aproape de zero χ0 →0. La această frecvenţă reacţia este
nulă şi factorul de amplificare al amplificatorului capătă valoarea
maximală. La frecvenţe deferite de f0 apare reacţia negativă, care
aduce la micşorarea factorului de amplificare.


Uint. Uieş.

Fig.10.5. Amplificator selectiv de tipul II cu reţea dublu T

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE PUTERE 133

11 AMPLIFICATOARE DE PUTERE
11.1 Noţiuni generale
Amplificatoarele de putere sunt etaje de ieşire (finale) ale
amplificatoarelor cu multe etaje, care servesc pentru dezvoltarea pe
sarcină a puterii maximale.
Dificultăţile esenţiale legate de amplificatoare de putere sunt:
1. sarcina are de regulă rezistenţă mică şi, prin urmare,
impedanţa de ieşire a amplificatorului de putere trebuie
să fie mică;
2. cuplajul sarcinii trebuie ales urmărind acelaşi scop şi
mai frecvent este efectuat prin transformator;
3. deoarece puterea necesară pe sarcină este mare, este
importantă alegerea tranzistorului după mărimea puterii
maxime a colectorului PCM.
Parametrii principali, prin care sunt caracterizate
amplificatoarele de putere sunt:
• puterea de ieşire Pieş;
• factorul de amplificare a puterii kp;
• randamentul η;
• factorul distorsiunilor neliniare ν;
• factorul de utilizare a tranzistorului în tensiune ξ.
Parametrii amplificatoarelor de putere depind de clasa de
funcţionare a etajului de ieşire: A, B, C sau clasa intermediară AB.
Cu toate că schemele amplificatoarelor de putere în varianta
clasică includ transformatoarele de cuplaj, în schemele moderne, de
regulă, sunt folosite amplificatoarele cu tranzistoare complementare,
în care sunt evitate transformatoarele.
Deoarece tradiţional amplificatoarele de putere sunt folosite
pentru amplificarea semnalelor sonore, ele sunt mai frecvent
amplificatoare de joasă frecvenţă.

©Valeriu Blajã
134 Amplificatoare de putere clasa A

11.2 Amplificatoare de putere clasa A


În fig.11.1 este reprezentată schema amplificatorului de putere
clasa A. Acordarea sarcinii este efectuată folosindu-se
transformatorul T. Deoarece rezistenţa înfăşurării primare a
transformatorului de ieşire Rw1 este foarte mică, dreapta de sarcină va
fi aproape verticală. Sarcina în curent alternativ este determinată de
rezistenţa sarcinii raportată la înfăşurarea primară:
R
R 1S = rS = 2S , (11.1)
kT
unde kT este factorul de transformare al transformatorului de ieşire:
w
kT = 2 . (11.2)
w1
Dreapta de sarcină în c.a. (caracteristica dinamică de ieşire) trece
prin punctul de repaos şi intersectează axa UCE în punctul:
U CE = E 1C = U CE + I C0 R 1S . (11.3)
Destinaţia celorlalte elemente ale schemei este identică cu
cazul etajului amplificator EC (vezi 8.4.).
Deoarece puterea
−E + disipată pe RE poate fi
T
trecută în pierderi, pentru
a majora randamentul va
R1 w 1 w 2 R S U ieş. fi necesar de micşora
valoarea RE. Prin urmare,
C1 capacitatea CE va trebui
VT să aibă valori foarte mari.
Atunci, când aceste valori
Uint. R2 RE CE sunt exagerat de mari ne
refuzăm de condensatorul
CE în schemă. Rezistenţa
Fig.11.1.Amplificator de putere clasa A R E va fi aleasă de o
valoare foarte mică

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE PUTERE 135

pentru a asigura stabilitatea funcţionării amplificatorului şi reducerea


zgomotului, formând reacţie negativă.
Pentru amplificatoarele de putere clasa A pot fi menţionate
următoarele avantaje:
♦ simplitatea modificării fazei tensiunii de ieşire;
♦ posibilitatea folosirii sursei de alimentare cu tensiune
joasă, deoarece în înfăşurarea primară a transformatorului
de ieşire în curent continuu căderea de tensiune va fi foarte
mică (datorită rezistenţei mici) şi U CE0 ≅ E C .
Dezavantajele principale sunt:
¾ deoarece este folosită clasa A randamentul maxim posibil
va fi 50%;
¾ datorită curentului colectorului de repaos, care curge prin
înfăşurarea primară a transformatorului de ieşire, regimul
transformatorului este apropiat de saturaţie şi acest fapt
aduce la distorsiuni neliniare esenţiale;
¾ folosirea transformatorului este însoţită de:
• creşterea gabaritelor şi masei,
• dependenţa parametrilor de frecvenţa ,
• sensibilitatea echipamentului la câmpuri
magnetice.

©Valeriu Blajã
136 Amplificatoare de putere în contratimp

11.3 Amplificatoare de putere în contratimp


cu cuplaj prin transformator

VT1 iC1 T2
T1
w 12 +EC−w 12
Uint. w 11 w 22 RS

VT2 iC2

Fig.11.2.Amplificator de putere în contratimp clasa B cu transformator

În fig.11.2. este reprezentată schema acestui amplificatorului


de putere în contratimp clasa B cu cuplaj prin transformator. Schema
este formată din două etaje cu punct neutru comun şi transformator
de ieşire comun cu priză mediană în primar. Pentru ca tensiunile de
intrare pentru fiecare etaj să fie în antifază poate fi folosit etajul cu
sarcină divizată schema cărui a fost prezentată în 8.8 (vezi fig.8.14).
De asemenea poate fi folosit un transformator de intrare cu priza
mediană în secundar (vezi în fig.11.2).
Tranzistoarele VT1 şi VT2 funcţionează pe rând în antifază,
amplificând câte o alternanţă a semnalului. În timpul alternanţei
pozitive VT1 va fi blocat şi curentul iC1 va fi egal cu zero, iar VT2 va
fi în regim activ direct şi curentul iC2 va parcurge semiînfăşurarea
primară de jos a transformatorului de ieşire T2, şi în înfăşurarea
secundară va fi indusă tensiunea de ieşire. În timpul alternanţei
negative tranzistoarele îşi schimbă rolul. Curentul înfăşurării primare
a transformatorului de ieşire va fi suma algebrică a curenţilor
colectoarelor: i1T2 = iC1 - iC2. (11.4)
În fig.11.3 sunt reprezentate formele de undă ale tensiunilor de
intrare uBE1, uBE2, curenţilor de ieşire ale tranzistoarelor iC1, iC2 şi al
transformatorului de ieşire i2 T2 în circuitul amplificatorului clasa B
pentru semnal de intrare sinusoidal.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE PUTERE 137


iB1 iB1
uBE1 2
π
2
π 2π ωt
uBE2
iC1 ωt uBE2 uBE1 t

iC2 ωt
iB2 iB2
i2T2 ωt

ωt
Fig.11.3. Formele de undă ale t
curenţilor în circuitul Fig.11.4. Distorsiuni neliniare în
amplificatorului de putere în amplificatoare clasa B
contratimp clasa B
În amplificatoarele clasa B, adică fără polarizarea
tranzistoarelor, apar distorsiuni neliniare datorită neliniarităţii
caracteristicilor de intrare ale tranzistoarelor VT1 şi VT2 la tensiuni
mici (vezi fig.11.4). În aşa mod la nivelul zero se formează o treaptă
în semnalul de ieşire. Pentru a exclude aceste distorsiuni este folosită
clasa AB . Prin divizorul de tensiune R1-R2 baza este slab polarizată.
Schema amplificatorului de putere în contratimp clasa AB este
reprezentată în fig.11.5.
Pentru amplificatoarele de putere clasa B (AB) în comparaţie
iB1 iB1
T1 VT1 iC1 T2
w 12 +EC−w 12
w 11 w 22 RS uBE uBE t
R1
iC2 iB2
VT2
iB2
R2

Fig.11.5. Amplificator de putere clasa AB:


a – schema, b – excluderea distorsiunilor t

©Valeriu Blajã
138 Amplificatoare de putere în contratimp

cu cele de clasa A menţionăm următoarele avantaje:


♦ datorită clasei de funcţionare valoarea maximă a randamentului
este mult mai mare şi poate atinge 78,6%;
♦ componentele de curent continuu ale curenţilor colectoarelor au
sensuri reciproc opuse prin înfăşurarea primară a
transformatorului T2 şi fluxurile magnetice, formate de ele, se
compensează reciproc, evitând saturaţia;
♦ etajele sunt conectate în paralel în circuitul sursei de alimentare
şi, prin urmare nu este necesară sursă cu tensiune înaltă.
Dezavantajul principal este necesitatea unei perechi de
tranzistoare cu parametrii identici, la care se adaugă dezavantajele,
legate de folosirea transformatoarelor (vezi 11.2.).

11.4 Amplificatoare de putere în contratimp fără transformator


Aceste amplificatoare pot fi (vezi fig.11.6.) cu două intrări
separate cu semnale în antifază (vezi fig.11.6.a) sau cu o intrare
comună (vezi fig.11.6.b. şi fig.11.6.c.), cu două surse de alimentare
(vezi fig.11.6.a. şi fig.11.6.b.) sau cu una comună (vezi fig.11.6.c.).
VT1 − VT1 −
E1 E1
Uint.1 RS + Uint. RS +
+ −
Uint.2 E2
− E2
+
VT2 VT2
a b
VT1
− Fig.11.6. Amplificatoare de putere
E fără transformator cu:
Uint. C RS +
a – două intrări şi două surse,
b – o intrare şi două surse,
c – o intrare şi o sursă
VT2
c

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE PUTERE 139

Schema reprezentată în fig.11.6.a. este formată din două tranzistoare


de acelaşi tip VT1 şi VT2, care funcţionează în contratimp, polarizate
de două surse individuale de alimentare (E1 şi E2), şi are două întrări,
la care semnalele de intrare se aplica în antifază. Schemele din
fig.11.6.b. şi fig.11.6.c. au o singură intrare deoarece sunt dotate cu
tranzistoare complementare (cu parametri identici): VT1 de tip p-n-p
şi VT2 de tip n-p-n. În schema din fig.11.6.b fiecare tranzistor este
polarizat separat, iar în schema din fig.11.6.c ca sursă de polarizare
pentru tranzistorul VT2 este folosit condensatorul C: când este
aplicată alternanţa negativă a semnalului de intrare, VT1 este în regim activ
direct şi curentul emitorului iE1 încarcă condensatorul C până la E .
2
În acest timp VT2 este blocat, adică curentul său este egal cu zero.
În timpul alternanţei pozitive VT1 este blocat, iar tensiunea de
pe armăturile condensatorului C polarizează VT2. Tranzistorul VT2
este în conducţie şi prin condensatorul C curge iE2. Deoarece VT1 şi
VT2 au parametri identici şi curenţii prin sarcină ai tranzistoarelor iE1
şi iE2 de asemenea sunt egali. În curent continuu tranzistoarele sunt
conectate în serie, iar în curent alternativ, atât la intrare, cât şi la
ieşire, sunt conectate în paralel. Capacitatea C este aleasă din
condiţia, ca la joase frecvenţe XC«RS. Tensiunea sursei de alimentare
este limitată de străpungerea tranzistorului VT1:
E ≤ (0.8÷0.9)UCEM. (11.4)
Dezavantajul principal al amplificatoarelor de putere în
contratimp fără transformator este necesitatea tranzistoarelor
complementare identice.

©Valeriu Blajã
140 Amplificatoare de putere cu intrare paralelă

11.5 Amplificatoare de putere cu intrare paralelă a


tranzistoarelor de ieşire
În ultimul timp sunt folosite pe larg amplificatoare de putere
fără transformator cu intrare paralelă şi sinfazică a tranzistoarelor de
ieşire. Schema unui amplificator de acest tip este reprezentată în
fig.11.7.a. În baza tranzistorului VT1 este format etajul de intrare,
care funcţionează în clasa A. Sarcina de colector a tranzistorului VT1
este rezistorul RC. În calitate de etaj de ieşire este folosit un
amplificator de putere în contratimp cu tranzistoare complementare
VT2 şi VT3. Datorită rezistorului R bazele tranzistoarelor VT2 şi VT3
sunt slab polarizate şi, prin urmare, etajul de ieşire funcţionează în
clasa AB. În acest mod sunt micşorate distorsiunile neliniare. În locul
rezistorului R poate fi inclus în schemă o diodă polarizată direct.
Folosirea unei diode semiconductoare sau a unui termorezistor în
locul rezistorului R asigură o stabilizare termică suficientă a
amplificatorului.
În timpul alternanţei pozitive a semnalului de intrare este
formată alternanţa negativă a tensiunii pe colectorul tranzistorului
VT1 şi curentul curge prin VT2 şi sarcină. În timpul alternanţei
negative a semnalului de intrare tranzistorul VT3 trece în conducţie şi
curentul curge prin VT3 şi sarcină. În aşa mod, pe parcursul unei
perioade a semnalului de intrare sunt formate alternanţele pozitivă şi
negativă ale curentului şi tensiunii pe sarcină.
Dezavantajul principal al acestor amplificatoare constă în
problema alegerii tranzistoarelor de putere VT2 şi VT3 de tip p-n-p şi
n-p-n cu aceeaşi parametri. Deoarece tranzistoare complementare (cu
parametri identici) de putere mică pot fi alese mai uşor, mai frecvent
este folosită schema cu tranzistoare de putere (de ieşire) de acelaşi tip
(vezi fig.11.7.b).

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE PUTERE 141
−EC+

RF

RC CF
VT2
t0 R C2 RS

C1 R1
VT3
VT1

Uint. R2 RE CE
a
−EC+

RF
VT2 VT4
CF
RC
R6
0
R4 C2 RS
t R

C1 R1 VT3 VT5
VT1
Uint.
R2 RE CE R5 R7
b

Fig.11.7. Amplificatoare de putere


cu intrare paralelă a tranzistoarelor de ieşire:
a – schema cu tranzistoare de putere complementare,
b – schema cu tranzistoare de putere de acelaşi tip

©Valeriu Blajã
142 A.C.C. Noţiuni generale

12. AMPLIFICATOARE DE CURENT CONTINUU


12.1. Noţiuni generale
Pentru amplificarea semnalelor foarte lente vor fi necesare
amplificatoare, frecvenţa limită de jos a căror tinde spre zero.
Ele se numesc amplificatoare de curent continuu (A.C.C.).
Caracteristicile amplitudine - frecvenţa şi fază-frecvenţa a A.C.C.
sunt reprezentate în fig. 12.1.(a şi b).
Deoarece semnalele electrice la intrarea A.C.C. au valori foarte
mici (tensiuni circa 10-7 V şi curenţii de ordinul 10-12 ÷ 10-16 A),
este necesar un factor de amplificare foarte mare, din care cauză
A.C.C. sunt amplificatoare cu multe etaje.
În amplificatoarele de c.a. cuplajul între etaje, cuplajul
semnalului de intrare şi sarcinii este realizat prin grup RC sau prin
transformator. În aşa mod se amplifică numai semnalul variabil (util).
Odată cu micşorarea frecvenţei cresc distorsiunile, provocate de
condensatoare sau transformatoare. Prin urmare, pentru liniarizarea
caracteristicii amplitudine - frecvenţă la joase frecvenţe este
necesară evitarea elementelor reactive în schema amplificatorului.
Atunci, când semnalul este foarte lent sau trebuie amplificat curent
continuu, este folosit cuplajul direct.
Toate, cele menţionate mai sus, provoacă următoarele
dificultăţi:
• Necesitatea acordării potenţialelor de la ieşirea
etajului precedent şi intrarea etajului următor.
• Este dificilă stabilizarea funcţionării amplificatorului
la variaţiile tensiunii de alimentare şi a parametrilor
elementelor schemei cu temperatura şi timpul (este
exclus condensatorul din circuitul emitorului ).
• Este complicat cuplajul sursei de semnal şi sarcinii,
deoarece variaţiile tensiunilor în schemă vor avea
acelaşi caracter şi valoare cu semnalul util.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 143

Variaţia parametrilor provoacă variaţii ale tensiunii şi


curentului de ieşire, adică decalajului .
Decalajul este variaţia maximală a semnalului de ieşire
într-un anumit interval de timp în condiţiile de scurcircuit la
intrare.
De aici rezultă noţiunea de tensiune de drift sau tensiune de
offset:
Uieş.
Uoff. = Uint. = 0 . (12.1)
kU
În acest fenomen rolul principal revine etajului de intrare.
Amplificatorul poate amplifica sigur semnale cu Uint. » Uoff..
Pentru micşorarea decalajului pot fi întreprinse următoarele
măsuri:
• folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu siliciu,
în care dependenţa curentului colectorului de
temperatură este mai mică,
• folosirea în etajul de intrare a tranzistoarelor cu efect
de câmp,
• stabilizarea tensiunii surselor de alimentare,
• termostatarea amplificatoarelor,
• folosirea în circuitul amplificatorului a compensării
termice,
• folosirea reacţiei negative locale sau globale,
• folosirea amplificatoarelor simetrice.
În majoritatea ACC este necesar ca la schimbarea polarităţii
semnalului de intrare să-şi sensul şi semnalul de ieşire. Prin urmare,
caracteristica de amplitudine a A.C.C. are forma reprezentată în fig.
12.1.c.
A.C.C. sunt utilizate în stabilizatoare de tensiune sau curent, în
metrologie, automatică, în metrologie etc. A.C.C. pot fi parte
componentă a amplificatoarelor de curent alternativ deoarece nu

©Valeriu Blajã
144 A.C.C. Noţiuni generale

conţin condensatoare (de dimensiuni mari) şi datorită posibilităţii


realizării sale în formă integrală.
A.C.C. pot fi:
• cu cuplaj direct, care au schemă mai simplă,
• amplificatoare cu modulare - demodulare.

ku Uieş.

a Uint.

fs f
ψ c
f

Fig. 12.1. Caracteristicile A.C.C.:


a – caracteristica amplitudine-frecvenţă,
b – caracteristica fază-frecvenţă,
c – caracteristica de amplitudine

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 145

12.2. A.C.C. cu cuplaj −EC+


direct
Schema unui
A.C.C. cu două etaje cu RB1 RC1 RC2
tranzistoare bipolare p-n-p UCE1
cu cuplaj direct este VT1 UBE2
reprezentată în fig.12.2. VT2
Regimul de repaos al
etajului de intrare este Uint. Uieş.
RB2 RE1
calculat în mod obişnuit. UE1 RE2 UE2
Rezistenţa în circuitul
emitorului etajului
următor RE2 este aleasă în
Fig.12.2. A.C.C. cu cuplaj direct
aşa mod, ca să se respecte
condiţia:
UCE1+UE1=UBE2+UE2, (12.2)
de unde rezultă, că:
UE2 =UCE1+UE1−UBE2. (12.3)
Deoarece, de regulă:
UCE1>>UE1, (12.4)
din (12.3) rezultă:
UE2 > UE1. (12.5)
Pentru regimuri identice ale tranzistoarelor VT1 şi VT2 (adică
IE1 =IE2 şi UCE1 =UCE2) din ultima inegalitate (12.5) rezultă:
RE2 >RE1 şi RC2 >RC1. (12.6)
Deoarece prin rezistenţa în circuitul emitorului se realizează
reacţie negativă, pentru determinarea factorului de amplificare a
fiecărui etaj putem folosi expresia (9.1), unde:
kU = S RC şi χ = RE / RC . (12.7)
Atunci: SR şi SR . (12.8)
k U1 = C1
k U2 = C2

1 + SR E1 1 + SR E2
Prin urmare, în etajul următor avem nevoie de o rezistenţă mai mare
în circuitul emitorului şi una mai mică în circuitul colectorului, iar

©Valeriu Blajã
146 A.C.C. cu cuplaj direct

acest lucru duce la adâncirea reacţiei negative în etajul următor şi,


prin urmare, în fiecare etaj următor factorul de amplificare va fi mai
mic ca în cel precedent. Adică majorarea numărului de etaje în aşa un
A.C.C. ne va aduce la o situaţie, când factorul de amplificare din
ultimul etaj va fi mai mic ca unitatea şi acest etaj va fi inutil. Din
această cauză nu putem majora valoarea factorului de amplificare
numai prin creşterea numărului de etaje.
O ieşire din situaţie este schimbarea tipului tranzistoarelor de la
etaj la etaj (vezi fig.12.3.). Acest A.C.C. a căpătat denumirea de
amplificator cu simetrie suplimentară.
−EC+

RB1 RC1 RE2 RC3

VT1
VT2 VT3

Uint. Uieş.
RB2 RE1 RC2 RE3

Fig.12.3. A.C.C. cu simetrie suplimentară

Altă soluţie folosirea în A.C.C. cu cuplaj direct a cuplajului


potenţiometric între etaje (vezi fig.12.4). În acest caz pot fi folosite
rezistoare cu aceleaşi valori de la etaj la etaj şi, prin urmare, pot fi
asigurate regimuri de repaos identice şi valori identice ale factorilor
de amplificare în diferite etaje. Rezistenţele rezistoarelor divizorului
de cuplaj Rd1 şi Rd2 sunt alese reieşind din condiţia:
E2 + UCE1 + UE1
UE2 = E2 − Id Rd2 − UBE0 = E2 − Rd2 − UBE0. (12.9)
Rd1 + Rd2

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 147

− E1 +

RB1 RC1 RC2 R1

Rd1
VT1 VT2
R0
Uieş.
Id
Uint. Rd2 RE2 R2
RB2 RE1
UBE0

+ E2 −
Fig.12.4. A.C.C. cu cuplaj potenţiometric
În circuitul de intrare, în serie cu semnalul de intrare, poate fi
conectată suplimentar o sursă de compensare a tensiunii de offset.
Sarcina este conectată în diagonala unei punţii braţele căreia sunt:
• RC2;
• R1 plus o parte din R0; R1 R2
• R2 plus cealaltă parte din R0; + a R S b
• RE2 plus tranzistorul VT2. E

În cealaltă diagonală este conectată sursa R3 R4
de alimentare E1. Puntea este în
echilibru, dacă (vezi fig.12.5): Fig.12.5. Puntea în echilibru
• curentul prin sarcină lipseşte,
• potenţialele nodurilor a şi b sunt egale,
• tensiunea pe sarcină este nulă.
Condiţia de echilibru a punţi este:
R1 R2
= . (12.10)
R3 R4
După acest principiu în circuitul de ieşire este stabilit
echilibrul variind alunecătorul R0 în condiţia, când semnalul de
intrare lipseşte.

©Valeriu Blajã
148 Amplificatoare simetrice

12.3 Amplificatoare simetrice


Schemele amplificatoarelor simetrice sunt prezentate în
fig.12.6. Structura schemotehnică a amplificatoarelor simetrice este
formată pe principiul punţii (vezi 12.2).

−E+ −E+

RB11 R1 R2 RB21 R1 R2
RS VT1 RS
VT1 VT2 VT2

R0 R0

RB12 i1 i2 RB22 RG1 RG


i1 i2
R3 R3

Uint. Uint.
a b
Fig.12.6. Amplificatoare simetrice
a − cu tranzistoare bipolare, b − cu tranzistoare cu efect de câmp

Sarcina este conectată în diagonala punţii braţele căreia sunt:


• R1,
• R2,
• VT2 plus o parte din R0,
• VT1 plus cealaltă parte din R0.
În cealaltă diagonală este conectată sursa de alimentare E.
Rezistenţele RB11, RB12, RB21, RB22 – formează divizoare de
tensiune pentru polarizarea bazelor VT1 şi VT2 (în fig. 12.6.b – RG1,
RG2). De regulă, este obligatorie condiţia că tranzistoarele trebuie se

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 149

aibă parametrii identici. Rezistenţa R3 este comună pentru


tranzistoare şi serveşte pentru stabilirea curenţilor de emitor (sursă).
Semnalul de intrare este aplicat între bazele (grilele) tranzistoarelor,
iar semnalul de ieşire este cules între colectoare (drene). În aşa mod,
amplificatoarele simetrice au intrare şi ieşire simetrice.
Deplasând alunecătorul rezistenţei R0 puntea este stabilită în
echilibru, adică în absenţa semnalului (scurtcircuit) la intrare se
stabileşte Uieş = 0. Schimbarea tensiunii sursei de alimentare,
temperaturii mediului şi a altor factori aduce la schimbări identice în
curenţii colectoarelor (drenelor). Prin urmare, tensiunile pe
colectoare (drene) se schimbă analogic şi Uieş rămâne nulă. În aşa
mod aceste fluctuaţii se compensează reciproc pe sarcină,
micşorându-se esenţial decalajul. Dacă, de exemplu, creşte
temperatura, ea va creşte pentru ambele tranzistoare cu aceeaşi
valoare. Prin urmare, va creşte căderea de tensiune pe R1 şi R2 cu
aceeaşi valoare. Se vor micşora tensiunile pe colectoare cu aceeaşi
valoare şi diferenţa de potenţial între colectoarele (drenele)
tranzistoarelor, adică tensiunea de ieşire, rămâne neschimbată. Pe
când semnalul de intrare fiind aplicat cu polarităţi diferite provoacă
schimbări egale ca valoare şi cu sensuri opuse pe cele două
tranzistoare. Prin urmare, tensiunea de ieşire se va dubla.
Schimbarea polarităţii tensiunii de intrare aduce la schimbarea
polarităţii tensiunii de ieşire, adică caracteristica de amplitudine are
forma reprezentată în fig.12.1.c.
Sub acţiunea semnalului de intrare schimbările tensiunilor
u u
bazelor (grilelor) sunt egale ca valoare şi au sens opus: int. şi − int..
2 2
Aceste tensiuni provoacă aşa schimbări ale curenţilor i1 şi i2,
că Δi1= - Δi2. Tensiunea pe R3 nu se va schimba, deoarece:
Δu3=(Δi1+Δi2)R3=0. (12.11)

©Valeriu Blajã
150 Amplificatoare simetrice

Prin urmare, pentru semnal R3 nu formează reacţie negativă, iar VT1


şi VT2 formează etaje cu R1 şi R2 , respectiv, în circuitul colectorului
(drenei) şi fără reacţie negativă.
Factorul de amplificare poate fi determinat folosind circuitele
echivalente, reprezentare în fig.12.7. Semnul minus în faţa pantei S
simbolizează proprietatea de inversor a etajului. Adică vom scrie:
uint. uint.
uieş .1 = −SR , şi uieş.2 = SR , (12.12)
2 2

uieş..= uieş..1- uieş..2=-SR uint., (12.13)

şi ku= uieş./ uint. =-SR . (12.14)

ri1R1 r R
unde R= = i2 2 . (12.15)
R1 + ri1 R2 + ri 2
Prin urmare, amplificatorul simetric are acelaşi factor de
amplificare ca etajul EC fără reacţie negativă.

ri1 R Uieş.1 ri2 R Uieş.2


U U
S ( int . ) a − S ( − int . ) b
2 2
Fig.12.7. Circuite echivalente ale amplificatoarelor simetrice

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 151

12.4 Amplificatoare diferenţiale


Amplificatorul diferenţial (vezi fig.12.8.) reprezintă o variantă
a amplificatorului simetric, în care la bazele tranzistoarelor se aplică
semnale diferite Uint1 şi Uunt2, iar semnalul de ieşire este cules de pe
unul din colectoare sau între ele.

−E+ −E+

RB11 R1 R2 RB21 R1 R2
Uieş. Uieş.
VT1 VT2 VT1 VT2

R0 R0
Uint.1 RB12 i1 i2 RB22 Uint.2 Uint.1 RG1 RG2 Uint.2
i1 i2
R3 R3
a
b
Fig.12.8. Amplificatoare diferenţiale
a − cu tranzistoare bipolare, b − cu tranzistoare cu efect de câmp

Atunci, când la intrările amplificatorului diferenţial se vor


u u
aplica semnale în antifază: u int.1 = int. şi uint.2 = − int. (semnal
2 2
diferenţial), funcţionarea schemei nu diferă de cea a amplificatorului
simetric.
Atunci, când semnalele sunt sinfazice (semnal de mod comun):
uint.1= uint.2= uint., modificările curenţilor i1 şi i2 sunt identice ca
valoare şi sens, iar variaţia tensiunii pe R3:
Δu3=(Δi1+Δi2)R3=2Δi 3. (12.16)

©Valeriu Blajã
152 Amplificatoare diferenţiale

−E+

R1 Uint.dif.
RB11
(R2) 2
(RB21)
Uint.dif.

VT1 Uint.1 Uint.c


Uint.2
(VT2) Uieş.1
Uint.1 RB12 (Uieş.2)
(Uint.2) (RB22) 2R3
Fig.12.10. Descompunerea
semnalului de intrare în
Fig.12.9. Circuit echivalent al componente
amplificatorului diferenţial
Prin urmare, pentru semnal de mod comun rezistenţa R3 formează
reacţie negativă, iar fiecare din cele două părţi (braţe) simetrice ale
schemei poate fi reprezentat ca în fig.12.9. Factorul de amplificare se
va determina prin expresia:
kU , (12.17)
k UC =
1 + χk U

unde ku=SR – este factorul de amplificare al fiecărui braţ fără a ţine


cont de reacţia negativă,
χ=uR/uieş. – factorul de transfer al buclei de reacţie negativă,
R – rezistenţa echivalentă a circuitului de ieşire a amplificatorului.
Înlocuind în (12.17), vom căpăta pentru factorul de amplificare al
unui braţ al A.D. următoarea expresie:
SR R . (12.18)
k UC = =
1 + 2SR 3 2R 3

De regulă Zieş.>>R1 şi Zieş.>>R2 şi, prin urmare, putem


considera R=R1=R2=RC. Atunci expresia (12.18) capătă forma:

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 153

RC , (12.19)
k UC =
2R E

unde RC şi RE sunt rezistenţele din circuitele colectorului şi


emitorului, respectiv.
Pentru semnal de mod comun potenţialele colectoarelor variază
identic ca valoare şi sens şi uieş.=0.
Deoarece semnalul de mod comun în realitate nu este altceva
de cât zgomot sau perturbaţii, este dorit ku c=0. Reducerea factorului
kuc se efectuează prin majorarea rezistenţei RE (R3).
În majoritatea cazurilor reale semnalele de intrare reprezintă o
combinaţie de semnal de mod comun (uint.c) şi semnal diferenţial
(uint.dif=uint.1- uint.2 ), cum este reprezentat în fig.12.10. Atunci putem
scrie:
uint.dif. u − uint.2
uint.1 = uint.c + = uint.c + int.1 , (12.20)
2 2

uint.dif. u − uint.2
uint.2 = uint.c − = uint.c − int.1 , (12.21)
2 2
În fiecare braţ al A.D. componenta de mod comun se amplifică cu
factorul kuc (vezi expresia (12.19)), iar componenta diferenţială cu
factorul ku (vezi expresia (12.14)). Prin urmare, la ieşire vom avea:
RC u − uint.2
uieş.1 = − uint.c − SR C int.1 , (12.22)
2R E 2

RC u − uint.2
uieş.2 = − uint.c + SR C int.1 , (12.23)
2R E 2

uieş. = uieş.1 − uieş.2 = −SR C (uint.1 − uint.2 ) . (12.24)

©Valeriu Blajã
154 Amplificatoare diferenţiale

Expresiile (12.22), (12.23) şi (12.24) demonstrează, că în


amplificatorul diferenţial cu braţele simetrice (identice) semnalul de
mod comun este suprimată complet, iar tensiunea semnalului de
ieşire este proporţională deferenţei tensiunilor de intrare ( de unde şi
provine denumirea amplificator diferenţial).
Semnalul de ieşire va repeta faza semnalului de intrare uint.1, de
aceea prima intrare este numită neinversoare, şi semnalul de ieşire
va fi în antifază cu semnalul de intrare uint.2 , de aceea a două intrare
este numită inversoare
În scheme reale la ieşire va fi prezentă şi o componentă
(nedorită) mică de semnal de mod comun. Caracterizarea abaterii
unui amplificator diferenţial de la comportarea ideală se indică prin
parametrul rejecţia semnalului de mod comun:
ku
G = . (12.25)
k uc
Expresia (12.25) demonstrează, că pentru îmbunătăţirea
performanţelor amplificatorului diferenţial (majorarea G ) este
necesară majorarea rezistenţei RE. Însă majorarea rezistenţei RE este
însoţită de creşterea căderii de tensiune pe ea şi cere o tensiune de
alimentare mai mare. Acest fapt cauzează înlocuirea RE cu un
generator de curent stabil, care are rezistenţe dinamică mare iar
statică mică.
Amplificatoarele diferenţiale sunt pe larg folosite în practică nu
numai în A.C.C. Ele sunt un element obligatoriu în amplificatoare
operaţionale, deoarece intrarea diferenţială a amplificatorului
operaţional este formată folosindu-se ca etaj de intrare un etaj
diferenţial. Pentru o amplificare mai mare sunt folosite câteva etaje
cuplajul între ele fiind direct.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 155

12.5 Generator de curent stabil


Schema unui
amplificator + E1 −
diferenţial cu
generator de curent
stabil (G.C.S.) cu R1 R2
tranzistoare bipolare Uieş.1 Uieş. Uieş.2
este reprezentată în Uint.1 Uint.2
VT1 VT2
fig.12.11. Aşa schemă
de principiu are
circuitul integrat RB1 RB2
i1 i2
К118УД1. G.C.S. Uint.3
este realizat pe VT3
tranzistorul bipolar VT4
VT3. Regimul de R5
funcţionare al R3
R4
tranzistorului VT3,
− E2 +
deci şi curentul
colectorului de repaos
Fig.12.11. Amplificator diferenţial
IC0, este determinat de cu generator de curent stabil
divizorul de tensiune
R4 R5, VT4 (în montaj diodă) şi rezistenţa R3 în circuitul emitorului.
G.C.S. (VT3) are rezistenţă dinamică mare şi rezistenţă statică mică
datorită caracterului neliniar al caracteristicilor statice de ieşire ale
tranzistorului VT3 (vezi fig.12.12.). În regimul de repaos cu
curentul colectorului IC0 şi tensiunea UCE0 rezistenţa statică
(integrală) este:
U CE0
RC = , (12.26)
I C0

şi deoarece caracteristica statică a tranzistorului VT3 are pantă


mică, rezistenţa dinamică este:

©Valeriu Blajã
156 Generator de curent stabil

Δ U CE
rC = . (12.27)
ΔI C

Prin urmare, rC>>RC.

I1 I2
IC
IB2
ΔIC VT1 VT2
IC0 IB0
IB1
ΔUCE UBE IE1
IE2
UCE0 UCE
Fig.12.12. Caracteristicile statice ale VT3 Fig.12.13. Oglindă de curent

În amplificatoarele diferenţiale şi alte amplificatoare integrate


în calitate de G.C.S. este folosit pe larg circuitul numit oglindă de
curent. Schema de principiu a unui aşa circuit într-o variantă
simplă este reprezentată în fig.12.13. Circuitul conţine două
tranzistoare bipolare cu emitoarele cuplate direct.
Deoarece joncţiunile emitoarelor au arii egale, curenţii
emitoarelor IE1 şi IE2 de asemenea sunt egale, iar de aici rezultă şi
egalitatea curenţilor I1 şi I2. Dacă primul etaj va fi considerat de
intrare, iar etajul doi – de ieşire, atunci din egalitatea I1 = I2 rezultă,
că curentul de ieşire repetă curentul de intrare. De aici provine
noţiunea de oglindă de curent. Circuitul mai este numit repetitor de
curent. El este caracterizat, spre deosebire de repetitorul de
tensiune, prin impedanţă de intrare mică şi impedanţă de ieşire
mare.
Curenţii emitoarelor IE1 şi IE2 vor avea valori diferite, dacă
joncţiunile emitoarelor tranzistoarelor VT1 şi VT2 se vor afla sub

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 157

tensiuni cu valori diferite, sau, dacă vor avea arii diferite. Prin
urmare, schimbând geometria tranzistoarelor sau modificând
valorile tensiunilor UBE1 şi UBE2, aplicate pe joncţiunile emitoarelor
poate fi variat factorul de redare al curentului.
Majorarea ariei joncţiunii emitorului tranzistorului VT2 poate
fi efectuată atât direct prin majorarea ariei joncţiunii, cât şi folosind
un tranzistor cu multe emitoare (vezi fig.12.14.a). În aşa mod
pentru tranzistoarele p-n-p poate fi variat factorul de redare între
valorile 1,0 şi 10.
Pentru a forma diferite valori ale tensiunilor pe joncţiunile
emitoarelor în circuitele emitoarelor sunt incluse rezistenţele
R1 şi R2 (vezi fig.12.14.b). Prin alegerea respectivă a valorilor
rezistenţelor factorul de redare poate fi variat în domeniul de valori
0,1 la 0,9.

I1 I2 I1 I2

VT1 VT2 VT1 VT2

UBE1 UBE2
R1 R2

a b

Fig.12.14. Variaţia factorului de redare

©Valeriu Blajã
158 Amplificatoare cu modulare-demodulare

12.6 Amplificatoare cu modulare-demodulare.


Cu toate, că amplificatoarele moderne cu cuplaj direct sunt
caracterizate printr-un decalaj foarte mic (circa câţiva microvolţi pe
grad), aceste amplificatoare sunt inutile pentru amplificarea
semnalelor foarte slabe de ordinul 10-7 V. Cu acest scop sunt
folosite amplificatoarele cu modulare-demodulare (A.M.D.).
Schema bloc a A.M.D. este reprezentată în fig.12.15, iar formele de
undă ale tensiunilor în amplificator − în fig.12.16.
În A.M.D. este folosit principiul modulaţiei în amplitudine şi
procesul de amplificare are loc în trei etape:
• modulaţie în amplitudine,
• amplificarea semnalului alternativ,
• demodulare.
Uint. UMA1 UMA2 Uieş.
FTJ1 M FTS1 A.C.A. FTS2 DM FTJ2

UP UP
G

Fig.12.15. Schema bloc a amplificatorului cu modulare-demodulare


Destinaţia elementelor principale ale amplificatorului cu
modulare-demodulare urmează:
• Filtrul trece-jos FTJ1 limitează semnalul de intrare (lent variabil) Uint.
la domeniu precizat al frecvenţelor joase, pentru a elimina efectul
semnalelor perturbatoare din exteriorul benzii semnalului util.
• Modulatorul M transformă semnalul lent variabil Uint. într-un
semnal alternativ de frecvenţă pilot (purtătoare) a cărui
amplitudine respectă legea variaţiei în timp a semnalului de
intrare (modulaţia în amplitudine) UMA 1.
• Filtrul trece-sus FTS1 suprimă componenta de curent continuu
şi este realizat, folosindu-se cuplajul prin condensator sau
transformator.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE DE C.C. 159

• Generatorul G furnizează oscilaţii de frecvenţa pilot Up..


Frecvenţa pilot este aleasă mult mai mare ca frecvenţa de sus a
semnalului de intrare (de circă 10 - 20 de ori). Generatorul
acţionează sincron asupra modulatorului şi demodulatorului.
• Amplificatorul de curent alternativ A.C.A. realizează funcţia
principală – de amplificare şi este realizat conform tuturor
principiilor, care le cunoaştem pentru amplificatoare de semnal
variabil (curent alternativ).
• Filtrul trece-sus FTS2 de asemenea suprimă componenta de
curent continuu şi este realizat, folosindu-se cuplajul prin
condensator sau transformator.
• Demodulatorul DM este realizat pe principiul detecţiei
sensibile. Semnalul la ieşirea demodulatorului este proporţional
cu amplitudinea semnalului de la intrarea sa.
• Filtrul trece jos FTJ2 suprimă componentele spectrale
suplimentare de frecvenţe înalte, apărute în componenţa
spectrală a semnalului în circuitul amplificatorului cu
modulare-demodulare.
Avantajele amplificatorului A.M.D. sunt următoarele:
9 posibilitatea obţinerii unui decalaj minim;
9 posibilitatea separării galvanice între ieşire şi intrare;
9 amplificarea poate fi de orice nivel cât de înalt este dorit;
9 deoarece amplificatorul este curent alternativ, este simplă
folosirea reacţiei negative şi deci putem căpăta o
funcţionare stabilă.
Ca dezavantaje pot fi menţionate:
™ Nivelul înalt de sofisticare a schemei,
™ Banda de trecere este limitată (îngustă), deoarece
trebuie respectată condiţia, expusă mai sus referitor
la relaţia între frecvenţa pilot şi banda semnalului
de intrare.

©Valeriu Blajã
160 Amplificatoare cu modulare-demodulare

Uint.

t
UP

UMA1

UMA2

Uieş.

Fig. 12.16. Formele de undă în A.M.D.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 161

13. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE

13.1. Noţiuni generale

Amplificatorul operaţional
(A.O.) este un amplificator de E1
curent continuu cu intrare
diferenţială, factor de amplificare ∞ −
Uint. 1
foarte mare, impedanţa de U ieş.
+
intrare foarte mare şi impedanţa Uint. 2 b
a
de ieşire foarte mică. E2
Termenul de operaţional a
Fig. 13.1. Simbolul A.O. (a) şi
fost aplicat acestor amplificatoare
simbolul simplificat al A.O. (b)
datorită folosirii lor în circuite de
calcul (calculatoare analogice) pentru a efectua operaţii ca: adunarea,
derivarea, integrarea, logaritmarea etc.
Amplificatoarele operaţionale (A.O.) în formă integrală şi-au
găsit aplicarea într-o gamă foarte largă de scheme: diverse
amplificatoare (inversoare şi neinversoare), comparatoare,
stabilizatoare, oscilatoare, generatoare de impulsuri, porţi electronice,
circuite de limitare, filtre active etc.
Simbolul A.O. este reprezentat în fig. 13.1. Tensiunea de ieşire
este în antifază cu semnalul de la intrarea inversoare (Uint.1 ) şi repetă
faza semnalului, aplicat la intrarea neinversoare (Uint.2 ).
De regulă etajul de intrare al A.O. este un etaj diferenţial, care
asigură o valoare foarte mare a impedanţei de intrare, stabilitate şi
sensibilitate înaltă. Etajul final este un repetitor pe emitor, care
asigură impedanţa de ieşire mică. Etajele intermediare asigură
amplificarea ( factorul de amplificare) la valoarea necesară (înaltă).
De asemenea în cadrul amplificatorului operaţional pot fi incluse
elemente suplimentare, care asigură decalarea de potenţial, formează
generator de curent stabil, reacţie şi corecţie.

©Valeriu Blajã
162 Noţiuni generale

Caracteristica de amplitudine a A.O. este reprezentată în


fig.13.2. Ea reprezintă dependenţa tensiunii de ieşire de tensiunea de
intrare pentru frecvenţe aproape de zero (curent continuu). Curba 1
corespunde amplificării semnalului aplicat la intrarea neinversoare,

Uieş.
E1

2
U+ieş. max

Uint.

U ieş. max
1

E2
Fig. 13.2.Caracteristica de amplitudine a A.O.
1 - neinversoare, 2 - inversoare

iar curba 2 corespunde semnalului aplicat la intrarea inversoare.


Caracteristica de amplitudine a A.O. are două domenii cu
comportare diferită:
™ Domeniul dinamic, în care caracteristica este liniară şi panta
ei determină factorul dinamic de amplificare:
™ Domeniul de saturaţie, în care tensiunea de ieşire rămâne
neschimbată la nivelul U+ieş. max (U-ieş..min).
Aceste valori sunt foarte aproape de valoarea tensiunii de
alimentare. Deoarece factorul de amplificare dinamic este foarte înalt
domeniul dinamic este foarte îngust.
Alimentarea A.O. este simetrică de la două surse cu polaritate
diferită E1 şi E2 raportate la masă şi egale ca modul.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 163

13.2. Parametrii principali ai amplificatoarelor operaţionale


Parametrii principali ai A.O. sunt:
4. Factorul dinamic de amplificare kU ( vezi expresia (13.1)). În
A.O. moderne pentru frecvenţe aproape de zero kU poate avea
valori de la zeci de mii până la câteva milioane (∼ 104÷106). Din
această cauză A.O., cu excepţia comparatoarelor, nu sunt folosite
fără buclă de reacţie.
5. Amplificare de mod comun. În caz ideal, dacă Uint.1=Uint.2=Uc,
tensiunea de ieşire ar trebui să fie nulă. În A.O. reale această
condiţie nu este îndeplinită absolut şi este necesară introducerea
noţiunii de amplificare de mod comun.
U
ku c = ieş. . (13.2)
Uc
6. Rejecţia semnalului de mod comun. Caracterizarea abaterii unui
amplificator operaţional de la comportarea ideală se indică în
datele de catalog prin rejecţia semnalului de mod comun, definită
ca:
k
G= u . (13.3)
kuc
Valorile tipice pentru G sunt cuprinse între 103 şi 1013.
7. Tensiunea de offset (tensiune de decalaj la intrare) este diferenţa
de tensiune, care trebuie aplicată între cele două intrări pentru a
aduce tensiunea de ieşire la zero:
Uoff.=Uint.1−Uint.2 pentru Uieş.=0. (13.4)
Tensiunea de offset poate să atingă valori de circa
Uoff.=5÷20 mV.
Tensiunea de offset poate fi compensată intern sau extern.
Funcţionarea amplificatorului este perturbată de variaţia acestei
tensiuni, variaţie determinată de temperatură, timp şi tensiunea
surselor de alimentare.

©Valeriu Blajã
164 Parametrii A.O.

8. Impedanţa de intrare Zint. a A.O. este foarte mare. În A.O. cu


tranzistoare bipolare în etajul de intrare Zint. are valori de ordinul
kΩ, iar în A.O. cu tranzistoare cu efect de câmp Zint. este de
câteva unităţi sau zeci de MΩ.
9. Impedanţa de ieşire Zieş. a A.O. este determinată de etajul de
ieşire, care este, de regulă, repetitor de tensiune. Valorile Zieş. a
A.O. pot fi de la câţiva Ω până la sute de Ω.
10. Parametrii de frecvenţă.
Amplificarea semnalelor armonice este determinată de:
™ caracteristica amplitudine-frecvenţă, reprezentată în fig.13.3.
™ banda de trecere,
™ frecvenţa limită de sus fs ,
™ frecvenţa de amplificare unitară f1.
Uint.
ku
ku max

ku max t
Uieş.
2
ΔUieş.

1
0 fs f1 f Δt t

Fig.13.3. Fig.13.4.
Caracteristica amplitudine-frecvenţă a A.O. Amplificarea impulsurilor în A.O.

11. Viteza de creştere a tensiunii de ieşire


Amplificarea impulsurilor (de regulă dreptunghiulare) este
ΔU ieş.
determinată de viteza de creştere a tensiunii de ieşire
Δt
(vezi fig. 13.4.), când la intrare se aplică o treaptă de tensiune.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 165

13.3. Amplificator operaţional К140УД1


Ca exemplu de amplificator operaţional integrat vom analiza
К140УД1, care reprezintă prima generaţie de A.O. integrate. În
fig.13.5. este reprezentată schema de principiu a acestui A.O.

+E1 −
R5 7
R6 12
R1 R2
VT7
Uint.1, neinv. VT5 VT6 2
10 VT1 VT2 R9
VD
R7 3
Uint.2,inv. 9
VT9
comun 4
R8
Uieş.
VT3 VT8 5
VT4
R10 R11
R3 R4
R12
+ E2 −
1

Fig.13.5. Schema de principiu a A.O. К140УД1

Precizia înaltă de realizare a operaţiilor în circuitele cu A.O. este


determinată de impedanţa înaltă de intrare, valoarea înaltă a
factorului de amplificare, nivelul foarte jos de zgomot, gradul înalt al
rejecţiei semnalului de mod comun, banda largă de trecere. Aceste
proprietăţi ale A.O., în primul rând, sunt determinate de etajul de
intrare. Acest fapt explică folosirea etajelor diferenţiale în calitate de
etaj de intrare.
Etajul de intrare este etaj diferenţial şi este format pe baza
tranzistoarelor VT1 şi VT2. Majorarea impedanţei de intrare şi
micşorarea curenţilor de intrare ai A.O. sunt realizate prin
funcţionarea tranzistoarelor VT1 şi VT2 cu curenţii emitoarelor de

©Valeriu Blajã
166 A.O. К140УД1

ordinul microamperilor. Stabilizarea curenţilor emitoarelor în etajul


de intrare este realizată de generatorul de curent stabil, format pe
baza elementelor VT3, VT4, R3, R4, R8. Generatorul de curent stabil
funcţionează pe principiu repetitorului de curent (oglindă de curent).
Etajul de intrare poate avea un factor de amplificare de circa
30 ÷ 100. Prin urmare, este necesar încă un etaj de amplificare − al
doilea, care, de asemenea, este diferenţial şi este realizat în baza
tranzistoarelor VT5 şi VT6 . Cuplajul între etaje este direct. Acest
fapt aduce la creşterea componentei de curent continuu de la etaj la
etaj. Tensiunea de c. c. se apropie ca valoare de tensiunea sursei de
alimentare şi, în aşa mod, se îngustează domeniul dinamic în etajele
finale. Pentru excluderea acestui efect sunt folosite scheme de
decalare a nivelului de tensiune, iar alimentarea este simetrică de la
două surse cu polaritate diferită şi aceleaşi valori ale tensiunilor:
E1 = E2 =E. Acest fapt permite şi stabilirea nivelului zero de tensiune
în etajul de intrare şi cel de ieşire.
Curentul emitoarelor etajului doi este stabilit de rezistenţa R7.
Aici nu este folosit generator de curent stabil, deoarece semnalul are
un nivel mai înalt. În acelaşi timp rezistenţa R7 serveşte pentru
decalarea potenţialului, deoarece tensiunea înaltă de pe colectoarele
etajului de intrare cad direct pe bazele tranzistoarelor în etajul doi.
În calitate de etaj de decalare a nivelului de tensiune, de regulă,
este folosit un repetitor pe emitor cu generator de curent stabil în
circuitul emitorului. În A.O. К140УД1 tensiunea amplificată,
culeasă de pe colectorul VT6 , este aplicată la baza tranzistorului VT7,
care formează etaj de decalare a nivelului de tensiune împreună cu
generatorul de curent stabil, format în baza tranzistorului VT8.
Etajul de ieşire trebuie să nu micşoreze amplificarea, realizată în
etajele intermediare, şi, prin urmare, trebuie să aibă impedanţă de
intrare mare, iar pentru dezvoltarea unei puteri maximale a
semnalului de ieşire pe sarcină − impedanţă de ieşire − mică. Prin
urmare, mai răspândit etaj în calitate de etaj de ieşire este folosit
repetitorul pe emitor.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 167

Tensiunea de pe sarcina dinamică a etajului de decalare a


nivelului de tensiune (colectorul tranzistorului VT8 ) se aplică la baza
tranzistorului VT9 , care formează cu rezistoarele R10, R11 şi R12
etajul de ieşire − repetitorul de tensiune. Pentru compensarea
atenuării tensiunii în etajul de ieşire este introdusă reacţiea pozitivă,
care majorează factorul de redare a tensiunii al repetitorului până la o
valoare supraunitară (∼ 1,5).
Reacţia pozitivă se manifestă în modul următor:
O parte din tensiunea de ieşire, culeasă de pe rezistorul R12, prin
rezistorul R10 este aplicată în circuitul emitorului tranzistorului VT8.
Pentru acest semnal tranzistorul VT8 formează un etaj bază comună.
Deoarece etajul BC este neinversor, în circuitul colectorului acestui
tranzistor (VT8) este formată o tensiune suplimentară sinfazică cu
semnalul principal. Prin urmare, pe baza şi emitorul tranzistorului
VT9 se formează o tensiune, care depăşeşte valoarea tensiunii, culese
de pe colectorul tranzistorului VT8.
Dioda VD, care este polarizată invers, este folosită în calitate de
capacitate şi serveşte pentru introducerea unui defazaj suplimentar,
necesar pentru majorarea stabilităţii funcţionării A.O.
Alimentarea A.O.К140УД1A este ±6,3 V, iar pentru
К140УД1Б − ±12,6 V.
Parametrii principali ai A.O. К140УД1Б sunt:
ku=1350÷8000,
Uint. max=±1,2 V,
Iint.max =9 μA,
Uoff.=±7 mV,
f1≥5 MHz.

©Valeriu Blajã
168 Aplicaţii ale A.O.

13.4. Aplicaţii ale amplificatoarelor operaţionale


Amplificatoarele operaţionale integrate sunt folosite pe larg în
echipamentul radioelectronic datorită caracteristicilor sale universale.
În baza A.O. sunt realizate amplificatoare, oscilatoare, filtre active,
generatoare de impulsuri şi alte semnale de formă specială,
stabilizatoare, limitatoare de amplitudine şi diverse alte dispozitive
analogice şi digitale. Datorită costului său mic A.O. sunt folosite şi
în amplificatoarele de joasă frecvenţă.
La analiza circuitelor cu A.O. vom considera:
• factorul de amplificare infinit de mare kU → ∞ ,
• impedanţa de intrare foarte mare Zint.→ ∞ ,
• tensiunea de offset nulă Uoff.=0.
Prin urmare, potenţialele de repaos ale intrărilor inversoare şi
neinversoare sunt egale, iar curenţii de intrare pot fi neglijaţi.
13.4.1 Comparator de tensiune
Deoarece domeniul dinamic al A.O. este foarte îngust, la
egalarea tensiunilor de intrare are loc trecerea bruscă a semnalului de
ieşire de la o tensiune de saturaţie la cealaltă. Prin urmare, semnalul
de ieşire depinde de raportul între cele două semnale de intrare.
Schema circuitului, în care A.O. joacă rolul de comparator, este
reprezentată în fig.13.6.
Când Uint.1>Uunt.2, la ieşire
DA vom avea: Uieş.=U−ieş. max , iar atunci,

Uint. 1 când Uint.1<Uunt.2, la ieşire vom avea
Uieş.=U+ieş. max. Prin urmare, pot fi
Uint. 2 Uieş.
comparate între ele două semnale
sau poate fi comparat semnalul de
Fig.13.6. Comparator intrare cu o tensiune de referinţă.

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 169

13.4.2 Multiplicarea cu o constantă


În circuitele, care le vom analiza în continuare, A.O. va fi
folosit cu o buclă de reacţie, care poate avea caracter diferit.
În fig.13.7. este reprezentată schema circuitului, care
efectuează multiplicarea cu o constantă, adică a amplificatorului
inversor. Rezistenţa RN, introdusă în bucla de reacţie, determină
factorul de multiplicare (amplificare) împreună cu R1. Deoarece
impedanţa de intrare A.O. este foarte mare, putem considera
Zint » RN, iar curenţii de intrare ai A.O. − neglijabili.
Prin urmare, putem considera iint.=−iN şi, deoarece din schemă
observăm, că:
U ies Uint
iN = şi iint = , (13.5)
RN R1
pentru tensiunea de ieşire putem scrie:
RN
Uies = − Uint , (13.6)
R1
iar pentru factorul de multiplicare (amplificare):
U ies R
kU = =− N . (13.7)
U int R1
Semnul “minus” în expresia (13.7) simbolizează opoziţia de
fază între tensiunea de ieşire şi tensiunea de intrare, de unde şi
provine denumirea de amplificator inversor.
RN RN
iN
R1
iint.
∞ DA ∞ DA
iint.1
iint 2
Uint.
Rp Uieş. Uint. R1 Uieş.

Fig.13.7. Amplificator inversor Fig.13.8. Amplificator neinversor

©Valeriu Blajã
170 Aplicaţii ale A.O.

Rezistenţa RN, introdusă în circuitul de intrare, are rolul de a


micşora eroarea, introdusă de curenţii de intrare ai A.O., care totuşi
au valori finite. Rezistenţa RN este aleasă în aşa mod, ca să se
îndeplinească egalitatea:
R ⋅R
i int.1 1 N = i int.2R p . (13.8)
R1 + R N
Prin urmare, dimensionarea acestei rezistenţe se face conform
expresiei:
R ⋅R
Rp = 1 N . (13.9)
R1 + R N
În fig.13.8. este reprezentată schema unui amplificator
neinversor. Tensiunea de ieşire este calculată conform expresiei:
RN
U ies = (1 + )U int . (13.10)
R1

13.4.3 Circuit de însumare ponderată


Dacă la intrarea amplificatorului inversor vor fi aplicate în
paralel câteva semnale, vom căpăta un circuit, care efectuează
operaţia de adunare − însumare ponderată. Schema unui aşa circuit
în varianta cu trei intrări este reprezentată în fig.13.9.

i1 R1
R2 RN
i2 iN
Uint.1 R3
i3 iint.
∞ DA
Uint.2

Uint.3
Rp Uieş.

Fig.13.9. Circuit de însumare ponderată

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 171

Deoarece impedanţa de intrare a A.O. este foarte mare putem scrie:


iint. = -iN , (13.11)
iint. = i1 + i2 + i3. (13.12)
Din schemă rezultă:
U U U U
i1 = int.1 , i 2 = int.2 , i 3 = int.3 , iN = ieş. . (13.13)
R1 R2 R3 RN
Ţinând cont de (13.11) şi (13.12), expresia pentru tensiunea de ieşire
va fi:
⎛R R R ⎞
Uieş. = −⎜⎜ N Uint.1+ N Uint.2+ N Uint.3⎟⎟ . (13.14)
⎝ R1 R2 R3 ⎠
Prin urmare, tensiunea de ieşire este proporţională sumei tensiunilor
semnalelor de intrare.
13.4.4 Circuit de integrare
Schema unui circuit de integrare cu A.O. este reprezentată în
fig.13.10. Deducerea expresiei tensiunii de ieşire se obţine uşor,
aplicând regula de însumare a curenţilor, dacă ţinem cont, că
Zint.→ ∞ şi iint.→0:

i + iC = 0 . (13.15)
dU ieş
Deoarece: iC = (13.16)
dt
U
şi: i = int. , (13.17)
R
π
1
RC∫0
se obţine: Uieş = − Uint.dt +Uieş t=0 . (13.18)

Prin urmare, tensiunea de ieşire este proporţională cu integrala


în timp a tensiunii de intrare.
Dacă la intrare se aplică o tensiune negativă şi constantă în timp
U0, tensiunea de ieşire va creşte până va atinge valoarea tensiunii de
saturaţie:

©Valeriu Blajã
172 Aplicaţii ale A.O.

C RN
iC i
R C
i iC
∞ DA ∞ DA

Uint. Uint.
Rp Uieş. Rp Uieş.

Fig.13.10. Circuit de integrare Fig.13.11. Circuit de derivare

U0
Uieş = − t + Uieş t =0
, (13.19)
RC
unde U ieş t =0 este tensiunea de ieşire a A.O. până la aplicarea
impulsului de intrare.
13.4.5 Circuit de derivare
În fig.13.11 este reprezentată schema unui A.O., conectat astfel
încât să realizeze operaţia de derivare. Ţinând cont, că Zint.→ ∞ şi
iint.→0, aplicăm regula de însumare a curenţilor la borna
neinversoare şi obţinem:
i + iC = 0 . (13.20)

dU int. U ieş
C + = 0, (13.21)
dt RN

dU int.
U ieş = − R N C . (13.22)
dt

©Valeriu Blajã
AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 173

13.4.6 Circuit de logaritmare


Un circuit de logaritmare
trebuie să furnizeze la ieşire o iD
VD
tensiune proporţională cu
logaritmul tensiunii de intrare. UD
Realizarea practică a unui circuit R
de logaritmare se face cu un i
∞ DA
amplificator operaţional inversor,
având în bucla de reacţie un
element cu caracteristica curent − Uint. Rp Uieş.
tensiune logaritmică. Cele mai
utilizate elemente de acest tip sunt
diodele, tranzistoarele, sau
reţelele, formate din diode şi Fig.13.12. Circuit de logaritmare
rezistenţe. Pentru circuitul de
logaritmare cu diodă, reprezentat în fig.13.12, se pot scrie relaţiile:
eU eU
iD = I 0 (exp D − 1) ≅ I 0exp D , (13.23)
kT kT
unde I0 este curentul termic al diodei,
UD − căderea de tensiune pe diodă,
e − sarcina electronului,
k − constanta Boltzmann (k=1,3806·10-23 J·K-1 ),
T − temperatura absolută a joncţiunii,
iar i − iD = 0 . (13.24)
Ţinând cont, că Uieş.=−UD , şi substituind expresiile respective pentru
curenţi în (13.24), vom avea:
U int. eU
- I 0exp(- ieş ) = 0 . (13.25)
R kT
Logaritmând relaţia (13.25), se obţine:
kT U int. kT U int.
U ieş = − ln = −2,3 lg . (13.26)
e I 0R e I 0R

©Valeriu Blajã
174 Semnale digitale şi circuite digitale

14. SEMNALE ŞI CIRCUITE DIGITALE

Semnale şi circuite digitale

În tehnica digitală modernă este folosit regimul de impulsuri.


Tehnica digitală stă la baza sistemelor moderne de comandă şi
reglare, sistemelor de măsură, transmitere şi afişare a informaţiei.
În circuitele electronice în afară de regimul continuu
(neîntrerupt) de funcţionare este posibil şi regimul de impulsuri,
care este caracterizat prin faptul, că tensiunile sau curenţii sunt
modificaţi rapid între nivelele prestabilite, în care pot rămâne un
timp nedeterminat oricât de mare.
Acest regim de funcţionare este folosit în circuitele
electronice ale televizoarelor, sistemelor de telecomunicaţii, în
circuitele digitale (tehnica de calcul şi automatica), în convertoarele
statice, etc.
Regimul de impulsuri este caracterizat prin câteva avantaje:
1. Se poate căpătata putere mult mai mare în timpul impulsului
într-un circuit de putere medie sau mică. Prin urmare, pot fi
micşorate gabaritele echipamentului, care sunt determinate de
puterea medie.
2. Tot de aici rezultă curenţi absorbiţi mici la un randament sporit.
3. Se poate micşorara influenţa temperaturii şi a variaţiilor
elementelor circuitului în timp. Acest fenomen este legat de
faptul, că puterea disipată în circuit este mai mică, deoarece
dispozitivele active funcţionează numai în două regimuri: în
conducţie sau blocat. Prin urmare, variaţiile parametrilor
elementelor în timp sau cu temperatura nu sunt atât de
importante.
4. În acelaşi mod se explică şi precizia mul mai înaltă.

©Valeriu Blajã
Semnale digitale şi circuite digitale 175
5. Datorită importanţei slabe a zgomotului acest regim este
caracterizat de viteză de transmitere a informaţiei şi
stabilitate la perturbaţi mult mai înalte.
6. Pentru realizarea circuitelor cu impulsuri şi, în primul rând,
a circuitelor digitale este necesar un număr mare de
elemente de acelaşi tip, care pot fi uşor realizate în
circuitele integrate prin tehnologia de grup. Prin urmare, pot
fi căpătate echipamente cu fiabilitate mai înaltă, gabarite
şi masă mici.
7. Metode bine aprobate şi relativ simple de prezentare şi
prelucrare a informaţiei în formă digitală.
Când un dispozitiv semiconductor este folosit într−un circuit
de comutaţie, se consideră, că el are două stări distincte, şi
anume:
• stare de conducţie, caracterizată printr−un curent
significant;
• stare de blocare, în care curentul prin dispozitiv este
considerat mic.
Prin impuls se înţelege o variere rapidă de tensiune sau
de curent, care durează un timp scurt în comparaţie cu
perioada de succesiune a acestor variaţii, precum şi cu durata
proceselor tranzitorii din circuit.
În tehnica digitală sunt folosite impulsuri de diverse forme
(vezi fig.14.1):
1. dreptunghiulare,
2. trapezoidale,
3. triunghiulare pantă dublă,
4. triunghiulare pantă simplă
(“dinte de ferestrău”),
5. tip clopot,
6. exponenţiale .

©Valeriu Blajã
176 Semnale digitale şi circuite digitale

u, i

1 2 3 4 5 6 t
Fig.14.1. Forme de impulsuri
Aceste impulsuri sunt numite impulsuri video. Ele pot fi,
atât pozitive, cât şi negative sau alternative. Impulsurile radio
sunt pachete de oscilaţii de înaltă frecvenţă anvelopa cărora
reprezintă impulsuri video.
Mai frecvent în practică sunt folosite impulsurile
dreptunghiulare (vezi fig.14.2), tP
care sunt caracterizate prin: u,i
• amplitudine A,
• durata impulsului ti ,
• durata pauzei tP , ti A
• perioada de succesiune T
T = ti + tP ,
• frecvenţa f = 1 ,
T T t
• factor de umplere
Fig.14.2.Parametrii impulsurilor
ti
γ = .
T
Atunci, când la intrarea unui circuit se aplică un impuls
dreptunghiular ideal, datorită acţiunii elementelor reactive din
circuit la ieşire se obţine un impuls deformat în modul,
reprezentat în fig. 14.3.

©Valeriu Blajã
Semnale digitale şi circuite digitale 177

u,i
0,9 A ΔA

0,1 A
t
tc td
ti

Fig.14.3.Forma impulsului cu distorsiuni

Acest impuls poate fi caracterizat cu ajutorul unor


parametri, dintre care cei mai importanţi sunt:
A − amplitudinea impulsului,
ti − durata impulsului − intervalul de timp între momentele,
corespunzătoare atingerii valorii 10 % din amplitudine,
tc − durata frontului anterior (timpul de creştere) − intervalul
de timp, de creştere a semnalului de la 10 % A la 90 % A,
td − durata frontului posterior (timpul de descreştere) −
intervalul de timp, de descreştere a semnalului de la 90 % A la
10 % A,
ΔA − descreşterea palierului − decalajul între valoarea maximă
şi cea minimă a palierului.

©Valeriu Blajã
178 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

15. APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII


DIGITALE
15.1. Sisteme de numeraţie
Sistem de numeraţie se numeşte sistemul de reprezentare a
numerelor cu ajutorul unui set limitat de simboluri. Sistemele de
numeraţie pot fi poziţionale (ca exemplu, sistemul zecimal) şi
apoziţionale (ca exemplu, sistemul roman).
Orice număr N, în formă generală, poate fi reprezentat ca un
polinom:
N = a n ⋅ p n + a n −1 ⋅ p n −1 + K + ai ⋅ p i + K + a1 ⋅ p1 + a 0 ⋅ p 0 +
(15.1)
+ a −1 ⋅ p −1 + a −2 ⋅ p −2 + K a −m ⋅ p −m
unde: a(i) sunt simbolurile (cifrele) care servesc la reprezentare;
p(i) – ponderea poziţieisimbolului i.
În această reprezentare (15.1) p se numeşte bază. Valoarea ei
numerică este egală cu numărul de simboluri care serveşte la
reprezentarea numerelor în sistemul de numeraţie.
În funcţie de bază (numărul de simboluri utilizate în sistemul
de numeraţie) pot exista o mulţime de sisteme poziţionale. Reieşind
din utilitatea şi simplitatea în utilizare (implementare), numărul
sistemelor de numeraţie este limitat la 4 sisteme:
ª zecimal ai∈{0,1,2,3,4,5,6,7,8,9};
ª binar ai∈{0,1};
ª octal ai∈{0,1,2,3,4,5,6,7};
ª hexazecimal ai∈{0,1,2,3,4,5,6,7,8,9,A,B,C,D,E,F}.
La sistemele de numeraţie cu baza mai mică de zece se
utilizează simbolurile cifrelor arabe, iar la cele cu baza mai mare
decât zece la ele se adaugă simboluri noi. De exemplu, pentru
sistemul hexazecimal (în baza 16) se adaugă următoarele simboluri:
A=10, B=11, C=12, D=13, E=14, F=15. Pentru a notifica sistemul
de numeraţie adeseori se adaugă la sfârşitul nuărului a loteră: pentru
numerele exprimate în hexazecimal se adaugă la urmă litera H, în
octal se adaugă Q, în binar B şi în zecimal D sau se omite orice
©Valeriu Blajã
Sisteme de numeraţie 179

literă. Ca alternativă se admite notarea bazei sistemului de


numeraţie indicând valorea bazei (p) la sfârşitul numărului în formă
de subscript.
Utilizarea sistemului binar în sistemele microprocesor se
explică prin simplitatea implementării tehnice a elementelor de
memorare şi procesare a datelor ăn forma binară. Majoritatea
elementelor, pe baza cărora se construiesc unităţile
microprocesoarelor, posedă două stări stabile: închisă sau deschisă,
potenţial înalt sau jos. Aceste două stări sunt suficiente pentru a
reprezenta cifrele 0 şi 1.
Exemple de numere, componente a diverselor sisteme de
numeraţie, descompuse în polinoame conform (15.1):
(p=2) → 1011.112=1⋅23+0⋅22+1⋅21+1⋅20+1⋅2-1+1⋅2-2
(p=8) → 2648=2⋅82+6⋅81+4⋅80
(p=16) → 2A7C16=2⋅163+10⋅162+7⋅161+12⋅160
Există algoritmi de conversie a unui număr dintr-un sistem de
numeraţie în altul. Algoritmul de conversie zecimal − binar, pentru
un număr întreg se deduce pornind de la expresia (1.1) sub forma:
N=an−1⋅2n−1+ an−2⋅2n−2 +…+ a3⋅23 +a2⋅22 + a1⋅21 +a0⋅20, (15.2)
prin împărţiri succesive la 2 se obţin resturile, care sunt tocmai biţii
numărului N exprimat în sistem binar.

N=2 ⋅ (an−1⋅2n−2+ an−2⋅2n−3 +…+ a3⋅22 +a2⋅21 + a1⋅20)+a0 ,


rest
N1
N1=2 ⋅ (an−1⋅2n−3+ an−2⋅2n−4 +…+ a3⋅21 +a2⋅20)+a1 ,
(15.3)
N2 rest

Nk=2 ⋅ (an−1⋅2n−k−2+ an−2⋅2n−k−3 +…+ ak+2⋅21 +ak+1⋅20)+ak .


Nk+1 rest

©Valeriu Blajã
180 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

N ⋅2= a−1+ a−2⋅2−1 + a−3⋅2−2 +…+ a−(m−1)⋅2−(m−2) +a−m⋅2−(m−1),


N−1
−1 −(m−3)
N−1 ⋅2= a−2+ a−3⋅2 +…+ a−(m−1)⋅2 +a−m⋅2−(m−2),
(15.4)
N−2

Nk−1⋅2 = a−k+ a−k−1⋅2−1 +…+ a−m⋅2−(m−k),


Nk
Spre exemplu, să convertim numărul N =89D din sistemul
zecimal în sistem binar:
LSB − bitul cel mai puţin semnificativ (Least Significant Bit)
MSB − bitul cel mai semnificativ (Most Significant Bit)
89 D = 1011001 B = 1⋅26+0⋅25+1⋅24+1⋅23+0⋅22+0⋅21+1⋅20.
Algoritmul de conversie din zecimal în binar pentru un număr
fracţionar (subunitar) se deduce pornind de la expresia:
N=a−1⋅2−1+ a−2⋅2−2 + a−3⋅2−3 +…+ a−(m−1)⋅2−(m−1) +a−m⋅2−m, (15.5)
prin înmulţiri succesive cu 2 se obţin părţi întregi (0 sau 1), care
sunt tocmai biţii numărului N exprimat în binar (înmulţirea se
termină, când partea fracţionară devine zero sau când se consideră
satisfăcător un număr de cifre binare pentru precizia stabilită).
LSB
89 : 2 = 44 rest 1
44 : 2 = 22 rest 0
22 : 2 = 11 rest 0
11 : 2 = 5 rest 1

5 : 2 = 2 rest 1
2 : 2 = 1 rest 0
1 : 2 = 0 rest 1 MSB
1 0 1 1 02 01 10
4 3
(26) (25) (2 ) (2 ) (2 ) (2 ) (2 )
©Valeriu Blajã
Sisteme de numeraţie 181

Spre exemplu, să convertim numărul N=0,44534D din


sistemul zecimal în sistem binar:

0,44534 ⋅ 2 = 0 + 0,89068 ⇒a−1 = 0

0,89068 ⋅ 2 = 1 + 0,78136 ⇒a−2 = 1

0,78136 ⋅ 2 = 1 + 0,56272 ⇒a−3 = 1

0,56272 ⋅ 2 = 1 + 0,12544 ⇒a−4 = 1

0,12544 ⋅ 2 = 0 + 0,25088 ⇒a−5 = 0

0, 25088⋅ 2 = 0 + 0,50176 ⇒a−6 = 0

0, 50176⋅ 2 = 1 + 0,00352 ⇒a−7 = 1

0,44534 D = 0,0111001…B

Pentru conversia zecimal - binară a unui număr care are atât


parte întreagă, cât şi parte fracţionară se combină cei doi algoritmi.
Din exemplele de mai sus se poate vedea, că pentru conversia binar
- zecimală, se adună puterile succesive ale lui 2, fiecare fiind
înmulţită cu bitul din poziţia respectivă a numărului binar.
Algoritmii (15.3) şi (15.5)de mai sus pot fi aplicaţi şi în cazul
conversiei zecimal - octal, zecimal - hexazecimal etc.
Conversiile directe octal − binar, hexazecimal − binar, cât şi
conversiile inverse binar − octal, binar − hexazecimal pot fi
efectuate într-un mod simplificat, deoarece bazele lor se deosebesc
prin puterile lui 2 (21, 23 şi 24). Un număr (mai mic decât baza) în
octal şi în hexazecimal poate fi exprimat prin trei cifre binare
(triada), respectiv prin patru cifre binare (tetradă). Astfel conversia
în ambele sensuri se bazează pe corespondenţa dintre tetrade în
sistemul binar şi numerele până la F (15) în sistemul cu baza 16,

©Valeriu Blajã
182 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

respectiv dintre triade în numărarea binară şi numerele până la şapte


în sistemul de numeraţie octal (vezi tabelul 15.1).
Conversiile inverse binar − hexazecimal, binar − octal se
realizează delimitând cuvântul binar de la dreapta spre stânga (sau
pornind de la virgulă în ambele sensuri) în tetrade sau triade
(completându−se dacă este cazul cu zerouri nesemnificative) şi
înlocuindu−le cu cifrele corespunzătoare din sistemul hexazecimal,
respectiv din sistemul octal.
Tabelul 15.1.
t e t r a d ă
Cifra Cifra
Cifra octală triadă
zecimală hexazecimală 3 2
2 2 21 20
0 0 0 0 0 0 0
1 1 1 0 0 0 1
2 2 2 0 0 1 0
3 3 3 0 0 1 1
4 4 4 0 1 0 0
5 5 5 0 1 0 1
6 6 6 0 1 1 0
7 7 7 0 1 1 1
8 8 1 0 0 0
9 9 1 0 0 1
A 1 0 1 0
B 1 0 1 1
C 1 1 0 0
D 1 1 0 1
E 1 1 1 0
F 1 1 1 1

Exemple:
110 001 011 100 (B) → 6 1 3 4 (Q)
4 1 2 7 (Q) → 100 001 010 111 (B)
1110 1010 0011 0010 (B) → B A 3 2 (H)

©Valeriu Blajã
Coduri 183

15.2. Coduri
În tehnica digitală orice informaţie este reprezentată în
sistemul de numeraţie binar. De aici rezultă necesitatea de a transla
informaţia externă (accesibilă omului) în informaţie internă
(accesibilă echipamentului digital) şi invers.
Această translare se realizează prin codificare-decodificare.
Se consideră două mulţimi de elemente A şi B.
A codifica elementele mulţimii A prin elementele mulţimii B
înseamnă a face să corespundă fiecărui element a∈A o secvenţă de
elemente b∈B.
Dacă notăm cu I mulţimea şirurilor de elemente din B, atunci
aplicaţia, care asociază fiecărui element din A un element din I, se
numeşte cod şi o notăm:
f:A→ I (15.6)
În tehnica digitală simbolurile mulţimii A se numesc caractere
(litere, cifre, semne de punctuaţie etc.).
Codurile în care sunt reprezentate numai numere se numesc
coduri numerice, iar cele care cuprind şi literele şi alte semne
speciale se numesc coduri alfanumerice. Un cod cuprinzând toate
combinaţiile posibile şi în care două combinaţii consecutive sunt
adiacente se numeşte cod continuu. Dacă în plus, ultima combinaţie
este adiacentă la prima, el se numeşte cod continuu ciclic.
Într-un cod natural cu bază B, cifrele de un acelaşi rang se
succed nedefinit în ordine naturală, fiecare dintre ele fiind repetată
de un număr de ori egal cu puterea rangului considerat. Într-un cod
reflectat, aceste şiruri se reprezintă alternativ în ordinea naturală şi
în ordinea inversă.
Codurile progresive sunt coduri continue aciclice în care nu
sunt utilizate toate combinaţiile posibile. Ele sunt utilizate îndeosebi
în circuitele secvenţiale din cauza uşurinţei trecerii de la o
combinaţie la cea următoare.
În continuare, va fi prezentată o serie de coduri mai frecvent
utilizate, codificarea realizându-se cu mulţimea B={0, 1}.

©Valeriu Blajã
184 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

Prima problemă, care se pune este: dacă mulţimea A are un


număr N de caractere, ce lungime trebuie să aibă secvenţa i∈I de
elemente din B pentru a putea fi posibilă codificarea tuturor celor N
caractere. Dacă n este lungimea secvenţei I, atunci combinaţiile
care se pot face cu două elemente (0 şi 1) luate câte n ori vor fi 2n.
Rezultă că n trebuie să îndeplinească condiţia:
N≤2n. (15.7)
În tehnica digitală mulţimea B este mulţimea binară {0, 1}.
Prin urmare, deci elementele mulţimii I sunt cuvinte de o anumită
lungime, în general de 8 biţi (un octet sau byte), 16 biţi, 24 biţi,
32 biţi etc.
Codurile, care asigură codificarea binară a cifrelor zecimale,
se numesc coduri binar-zecimale (BCD −Binary Coded Decimal).
În această clasă de coduri mulţimea A a sursei primare de
informaţie, care trebuie codificată este formată din simbolurile
cifrelor 0, 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, iar mulţimea cuvintelor de cod
trebuie să conţină cel puţin zece cuvinte distincte, prin urmare cu
lungimea de patru biţi. Aceste coduri pot fi ponderate sau
neponderate. Un cod ponderat asociază fiecărei cifre zecimale o
tetradă binară, iar ponderea fiecărui bit din tetradă este egală cu
valoarea cifrei din denumirea codului (vezi tabelul 15.2). Cifra
zecimală codificată se obţine prin suma biţilor din cuvântul de cod,
ponderaţi cu valoarea corespunzătoare din denumirea codului.
Pentru codul ponderat simbolizat prin 8421, în cuvântul de cod,
bitul zero (LSB) are ponderea 1(=20), bitul unu − ponderea 2 (=21),
bitul doi − ponderea 4(=22) şi bitul trei − ponderea 8(=23, MSB).
Aceeaşi regulă de fixare a ponderii bitului din cuvântul de
cod, egală cu cea din notaţia codului, se respectă la toate codurile
ponderate. De exemplu,
pentru codul 2421: 1011|2421=1⋅2+0⋅4+1⋅2+1⋅1=5|10;
pentru codul 4221: 1001|4221=1⋅4+0⋅2+0⋅2+1⋅1=5|10.
Codurile ponderate (codul Aiken) şi 4221 au pentru primele
patru cifre zecimale aceeaşi exprimare ca şi codul 8421. În
continuare, cuvântul corespunzător cifrei 5 se obţine din cel al cifrei
©Valeriu Blajã
Coduri 185

4 prin complementare (complement faţă de 1). Aceeaşi regulă se


aplică pentru obţinerea cuvântului de cod al cifrei 6 din cel al cifrei
3, respectiv 7 din 2, 8 din 1 şi 9 din 0. În cazul codului Aiken cifra 6
are două cuvinte 1100 şi 0110 s-a ales cuvântul de cod 1100 pentru
a rezulta simetria celor zece cifre în raport cu axa dintre cifrele 4 şi
5 (caracteristica de bază şi a codului 4221).
În tabelul 15.2 sunt prezentate şi câteva coduri neponderate.
Codul Gray are proprietatea de adiacenţă, în sensul că
trecerea de la o cifră zecimală la următoarea se face prin
modificarea unui singur bit din cuvântul de cod. Acest cod este util
pentru mărimile care cresc succesiv (ca exemplu: traductoare
unghiulare de poziţie). Codul Gray se obţine după regula (se începe
cu rangul de pondere minimă a codului binar natural B0): dacă bitul
cu rangul imediat superior (B1) este zero atunci bitul cu rangul
inferior se păstrează ca atare (G0=B0); dacă bitul de pe rangul
imediat superior este 1, atunci bitul cu rangul inferior se
(
completează G0 = B0 . .)
Codul Exces 3 se obţine din codul binar natural prin adunarea
la fiecare tetradă a cifrei 3 (0011) în binar. În codul Exces 3 se poate
face distincţie, pentru o locaţie de memorie sau un registru, între
lipsa unei informaţii înscrise şi înscrierea cu zero, deoarece zero
este codificat prin 0011 (a dispărut din cod cuvântul 0000, ceea ce
reprezintă lipsa unei informaţii).
Transmiterea informaţiei prin medii puternic influenţate de
zgomot, poate fi însoţită de erori. Verificarea transmiterii corecte a
datelor se poate face cu ajutorul unor coduri speciale, de exemplu
codul „2 din 5” sau coduri detectoare de erori. În codul „2 din 5”
fiecare cifră zecimală are un cod format din 5 cifre binare, din care
în mod obligatoriu 2 cifre sunt 1. Codul „2 din 5” este un cod
pseudoponderat deoarece pentru cifrele zecimale 1,2,…,9 se pot
asocia biţilor din secvenţă ponderile 74210; în schimb secvenţa
asociată cifrei zero nu mai respectă această regulă a ponderilor.

©Valeriu Blajã
186 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

©Valeriu Blajã
Coduri 187

În cazul codurilor alfanumerice, mulţimea A informaţia


primare este formată din cifre, litere, semne ortografice, comenzi
speciale, denumite în general caractere. Codificarea datelor
alfanumerice este foarte răspândită. Spre exemplu, este ea este
necesară pentru vehicularea diferitelor mesaje. Trebuiesc codificate
minim 88 caractere distincte (2 ×26 litere, 10 cifre, 26 de caractere
speciale), deci sunt necesari minimum 7 biţi.
Cel mai răspândit cod alfanumeric este codul ASCII
(American Standard Code for Information Interchange).
Codul ASCII codifică 128 de caractere (cele 52 de litere,
majuscule şi minuscule, ale alfabetului latin, cele 10 cifre zecimale,
un set de caractere speciale şi de caractere de comandă).
Codul EBCDIC (Extended Binary Coded Decimal
Interchange Code) codifică 136 de caractere. Există caractere
ASCII care nu au corespondent EBCDIC şi invers.
Codul ASCII, datorită succesiunii caracterelor majuscule şi
minuscule, poate fi utilizat pentru ordonări alfabetice.

Exemplu:
Caracterul „?" în codul ASCII are codul 3F, iar în EBCDIC
are codul 6F. Deasemenea, caracterele „0", „A", „a" au
reprezentările ASCII - 30, 41, 61 iar cele EBCDIC - F0, C1, 81.

©Valeriu Blajã
188 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

15.3. Algebra logică

Circuitele logice (digitale) sunt circuite capabile să realizeze


operaţii logice. Semnalul de ieşire reprezintă rezultatul unei operaţii
logice, aplicată semnalelor de intrare.
Mărimile, aplicate acestor circuite, pot avea doar două valori
distincte, reprezentate simbolic prin cifrele "0" şi "1" (spre
exemplu: nivel de tensiune aproape de zero şi nivel înalt de
tensiune), numite mărimi binare. În limbaj tehnic ne vom referi la
aceste două valori cu noţiunea de "bit" ( binary digit).
Bitul este o unitate minimală de măsură a cantităţii de
informaţie, echivalentă cu informaţia transmisă prin furnizarea unui
mesaj din două egal probabile.
Pentru descrierea operaţiilor logice este folosit aparatul
matematic, denumit algebră logică sau algebră booleană (în
cinstea matematicianului irlandez George Boole, care a elaborat-o).
Algebra booleană presupune, că expresia simplă poate conţine
numai două valori: adevărat sau fals (true, false), respectiv "0" sau
"1", prin urmare, expresia simplă este o funcţie binară.
După cum s-a menţionat, algebra booleană operează pe o
mulţime A = {x/x (0,1)}. În această mulţime binară se definesc trei
legi de compoziţie: complementarea (negare, "NU", "NOT",
inversare logică), disjuncţia (suma logică, "+", "SAU", "OR") şi
conjuncţia (produs logic, " ⋅ ", "SI", "AND" ), pentru care se dau în
continuare tabelele de adevăr, simbolurile grafice şi implementarea
tehnică prin elemente de comutare (figura 15.1).

NOT OR AND
y x y x y+x y x y⋅x
0 1 0 0 0 0 0 0
1 0 0 1 1 0 1 0
1 0 1 1 0 0
1 1 1 1 1 1

©Valeriu Blajã
Algebra logică 189

Fig. 15.1. Tabelele de adevăr, simbolurile grafice şi implementarea


prin elemente de comutare electrice pentru funcţiile complementare,
disjuncţie şi conjuncţie.

Operaţia inversia logică NU (NOT) transformă expresia


adevărată în falsă şi invers, y = x : y este egal cu x inversat.
Operaţia suma logică SAU (OR) (disjuncţia) este folosită
pentru formarea expresiilor sofisticate din expresii simple. În acest
caz rezultatul va fi adevărat, dacă cel puţin o expresie simplă este
adevărată
x1 ∨ x 2 = x1 + x 2 .
Operaţia produsul logic ŞI (AND) (conjuncţia) de asemenea
este folosită pentru formarea expresiilor sofisticate din expresii
simple. În acest caz rezultatul va fi adevărat numai în cazul când
toate expresiile simple sunt adevărate
x1 ∧ x 2 = x1 ⋅ x 2 .
Toate relaţiile definite pe mulţimea A au un caracter dual,
adică relaţiile rămân valabile dacă se fac schimbările: „+” cu „–” şi
respectiv „0” cu „1” (teorema dualităţii).
În mulţimea A se poate alege o structură de şase axiome duale
pe baza cărora se definesc teoremele şi proprietăţile care stau la
baza algebrei boolene. Acestea sunt prezentate în continuare.

©Valeriu Blajã
190 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

Axiome:
ˆ Mulţimea A este o mulţime închisă:
x, y aparţine mulţimii A => x+y aparţine mulţimii A;
x, y aparţine mulţimii A => x⋅y aparţine mulţimii A;
ˆ Asociativitatea:
x+(y+z) = (x+y)+z ; x ⋅ (y ⋅ z) = (x ⋅ y) ⋅ z ;
ˆ Comutativitatea:
x+y = y+x ; x⋅y=y⋅x;
ˆ Distributivitatea:
x + y ⋅ z = (x + y) ⋅ (x + z) ; x ⋅ (y+z) = x ⋅ y+x ⋅ z ;
ˆ Element neutru:
x+0=0+x=x; x⋅1=1⋅x=x;
ˆ Complementul:
x + x = 1; x ⋅ x = 1;
Teoreme (proprietăţi):
ˆ Idempotenţa:
x + x + ... + x = x ; x ⋅ x ⋅ ... ⋅ x = x ;
ˆ Elemente neutre:
x +1 = 1 ; x⋅0=0;
ˆ Involuţia:
( x) = x ;
ˆ Absorbţia:
x+x⋅y=x; x ⋅ ( x + y) = x ;

©Valeriu Blajã
Algebra logică 191

Relaţii booleene utile:


x + 1 = ( x + 1) ⋅1 = ( x + 1) ⋅ ( x + x ) = x ⋅ x + x ⋅ x + 1 ⋅ x + 1 ⋅ x =
1)
= x +0+ x + x = x + x =1
2) Proprietatea de absorbţie:
x + ( x ⋅ y) = x ⋅ (1 + y) = x
şi relaţia duală: x ⋅ ( x + y) = x ⋅ x + x ⋅ y = x + x ⋅ y = x

3) x + x ⋅ y = x + y
Demonstraţie:
x + y = ( x + y) ⋅ ( x + x ) ⋅ ( y + y) = ( x ⋅ x + x ⋅ x + y ⋅ x + y ⋅ x ) ⋅ ( y ⋅ y) =
= ( x + x ⋅ y + x ⋅ y) ⋅ ( y ⋅ y) = x ⋅ y + x ⋅ y + x ⋅ y ⋅ y + x ⋅ y + x ⋅ y ⋅ y =
= x ⋅ y + x ⋅ y + x ⋅ y = x ⋅ ( y + y) + x ⋅ y = x + x ⋅ y

4) x ⋅ ( x + y) = x ⋅ y (duala relaţiei precedente).

Legile principale ale algebrei booleene sunt reprezentate de


legile inversiei pentru disjuncţie şi conjuncţie − teoremele lui De
Morgan:
x1 + x 2 + x 3 = x 1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 ,
x1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 = x1 + x 2 + x 3 ,
Teoremele De Morgan pot fi generalizate în teorema
Shannon:
( )
F ( x1 , x2 , ..., xn ,+,⋅) = F x1 , x2 ,..., xn ,⋅,+ .
În aşa mod reprezentată teorema afirmă, că inversia funcţiei
poate fi obţinută prin înlocuirea fiecărei variabile cu valoarea sa
inversă şi concomitent înlocuirea reciprocă a operaţiilor de
conjuncţie şi disjuncţie.

©Valeriu Blajã
192 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

15.4. Funcţii logice

Analogic cu alte aparate matematice şi în algebra logică


relaţiile între informaţia de intrare şi informaţia de ieşire este
reprezentată prin funcţii.
Se numeşte funcţie logică funcţia F(x 1 , x 2 , x 3 , ... , x n ) , care
n
aplică mulţimea B2 în mulţimea {0,1}. Deoarece în fiecare din
aceste puncte funcţia poate căpăta numai valorile 0 sau 1, rezultă că
numărul total al funcţiilor logice distincte de n variabile este finit şi
2n
egal cu 2 . Există situaţii când pentru unele combinaţii ale
valorilor argumentelor funcţia logică să nu aibă valoarea
determinată. Astfel de funcţii se numesc funcţii logice incomplet
definite. În mod obişnuit în tabelele de definiţie ale acestor funcţii,
valorile nedeterminate sunt indicate cu asterisc (*).
După cum s-a mai menţionat funcţiile sofisticate pot fi
reprezentate ca combinaţii a unor funcţii elementare ale algebrei
booleene.

Funcţiile elementare principale, folosite în algebra logică,


sunt următoarele:
1. Constanta zero F1 (x1, x2) = 0,
2. Constanta unitate F2 (x1, x2) = 1,
3. Identitate F3 (x1, x2) = x1,
F4 (x1, x2) = x2,
4. NU (NOT) − negaţie (inversie)
F5(x1, x2) = F3 (x1 , x2 ) = x1 ,
F6(x1, x2) = F4 (x1 , x 2 ) = x 2 ,
5. ŞI (AND) − conjuncţie (produsul logic)
F7 (x1 , x2 , x3 , ..., xn ) = x1 ∧ x2 ∧ x3 ∧...∧ xn = x1 ∩x2 ∩x3 ∩...∩xn = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ ...⋅ xn,

6. SAU (OR) − disjuncţie (suma logică)


©Valeriu Blajã
Funcţii logice 193

F8(x1 , x2 , x3 , ..., xn )= x1 ∨ x2 ∨ x3 ∨...∨ xn = x1 ∪x2 ∪x3 ∪...∪xn = x1 + x2 + x3 +...+ xn,

7. COINCIDENŢĂ (XNOR) − echivalenţă


F9 (x1 , x2 , x3 , ... , xn ) = x1 ⊕ x2 ⊕ x3 ⊕ ...⊕ xn ,

8. ŞI −NU (NAND) − negarea conjuncţiei (funcţia Scheffer)


F10(x1 , x2 , x3 , ..., xn )= F7 (x1 , x2 , x3 , ..., xn )= x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ ...⋅ xn = x1 ↑ x2 ↑ x3 ↑...↑ xn ,

9. SAU −NU (NOR) − negarea disjuncţiei (funcţia Pierce)


F11(x1 ,x2 , x3 , ...,xn )=F8(x1 ,x2 , x3 , ...,xn )= x1 +x2 +x3 +...+xn = x1 ↓ x2 ↓x3 ↓...↓ xn ,

10. SAU −EXCLUSIV (XOR) − anticoincidenţă


F12(x1 , x2 , x3 , ..., xn ) = F9 (x1 , x2 , x3 , ..., xn ) = x1 ⊕ x2 ⊕ x3 ⊕ ...⊕ xn ,
11. implicaţie directă F13 (x1 , x2 ) = x1 → x2 = x1 + x2 ,
12. implicaţie inversă F14 (x1 , x 2 ) = x1 ← x 2 = x1 + x 2 ,
13. negaţia implicaţiei directe
F15 (x1 , x 2 ) = F13 (x1 , x 2 ) = x1 → x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 ,
14. negaţia implicaţiei inverse (interdicţie)
F16 (x1 , x 2 ) = F14 (x1 , x 2 ) = x1 ← x 2 = x1 + x 2 = x1 ⋅ x 2 .

©Valeriu Blajã
194 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

15.5. Moduri de prezentare a funcţiilor logice


Funcţiile logice pot fi descrise în diverse moduri, din care
vom menţiona:
ƒ tabel de adevăr,
ƒ expresie analitice (forma canonică disjunctivă, forma
canonică conjunctivă),
ƒ diagramă Karnaugh,
ƒ logigramă (circuit cu porţi logice),
ƒ diagrame de timp, etc.
15.5.1. Tabel de adevăr
Totalitatea valorilor posibile a unei funcţii logice se poate
urmări într-un tabel numit tabel de adevăr. Tabelul de adevăr
este un tabel al cărui număr de coloane coincide cu numărul de
variabile (mărimi de intrare) plus numărul de funcţii (mărimi de
ieşire), iar numărul de linii este determinat de numărul de
combinaţii posibile ale mărimilor de intrare. În tabelul de adevăr
pentru fiecare combinaţie a variabilelor este prezentată valoarea
funcţiei. Prin urmare, tabelul de adevăr este cel mai detaliat şi
complet mod de prezentare a funcţiei logice şi prezintă algoritmul
funcţionării circuitului logic respectiv.
15.5.2. Expresii analitice
Funcţiile logice pot fi redate, de asemenea, printr-o expresie
analitică. Funcţia logică poate fi reprezentată analitic prin diverse
combinaţii ale operaţiilor de adunare şi înmulţire logică a
variabilelor. Din punct de vedere practic (pentru implementarea
ulterioară a funcţiei logice într-un circuit logic) se acceptă în primul
rând formele analitice canonice în care funcţia logică este
reprezentată, sau prin suma produselor logice ale variabilelor, sau
prin produsul sumelor logice ale variabilelor.
În continuare vor fi prezentate formele canonice, care
operează cu termeni canonici. Un termen este canonic, dacă în
termenul respectiv sunt prezentate toate variabilele independente

©Valeriu Blajã
Moduri de prezentare a funcţiilor logice 195

sub formă directă sau negată. Se cunosc două asemenea forme


canonice:
Forma canonică disjunctivă (FCD) exprimă funcţia logică ca
o sumă logică (disjuncţie) de termeni canonici conjunctivi (TCC).
Un termen canonic conjunctiv (termen minimal, miniterm,
constituent al unităţii) este un produs, în care fiecare argument apare
o dată şi numai o dată în forma directă sau negată. Putem remarca
că un TCC este o funcţie logică, care ia valoarea „1” pentru o
singură combinaţie de valori ale variabilelor. O disjuncţie de
termeni canonici conjunctivi ia valoarea „1”, dacă cel puţin un
termen canonic conjunctiv capătă valoarea „1”. Prin urmare, pentru
FCD se ia suma logică a TCC, care corespund combinaţiilor de
valori ale argumentelor, pentru care funcţia ia valoarea „1”:
F(x1 , x2 , x3 , ..., xn ) = ∑Pk ,
k∈M1

unde n este numărul de variabile independente, iar M1 este


mulţimea numerelor combinaţiilor valorilor argumentelor, pentru
care funcţia ia valoarea „1”. Prin numărul combinaţiei k se înţelege
valoarea în sistem zecimal a combinaţiei valorilor în sistem binar a
argumentelor.
Forma canonică conjunctivă (FCC) exprimă funcţia logică ca
un produs logic (conjuncţie) de termeni canonici disjunctivi (TCD).
Un termen canonic disjunctiv (termen maximal, maxitermen,
constituent al lui zero) este o sumă în care fiecare argument apare o
dată şi numai o dată în forma directă sau negată. De remarcat că un
TCD este o funcţie logică, care capătă valoarea logică „0” pentru o
singură combinaţie de valori ale argumentelor, pentru toate alte
combinaţii luând valoarea „1”. Prin urmare, pentru FCC se ia
produsul acelor TCD, care corespund combinaţiilor de valori ale
argumentelor pentru care funcţia ia valoarea „0”:
F(x1 , x2 , x3 , ... , xn ) = IS , k
k∈M0

©Valeriu Blajã
196 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

unde n este numărul argumentelor, iar M0 este mulţimea numerelor


combinaţiilor valorilor argumentelor pentru care funcţia capătă
valoarea „0”.
Orice funcţie logică reprezentată în formă analitică poate fi
adusă la forma canonică disjunctivă sau conjunctivă aplicând
regulile algebrei booleene.
Să analizăm un exemplu, în care funcţia logică N x1 x2 x3 F
F este reprezentată prin tabelul de adevăr; din 1 0 0 0 0
care observăm că pentru combinaţiile 2, 7 şi 8 2 0 0 1 1
funcţia F este adevărată (F=1). Prin urmare, 3 0 1 0 0
produsele logice ce urmează sunt egale cu 1: 4 0 1 1 0
5 1 0 0 0
x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1, x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1, 6 1 0 1 0
x1 ⋅ x 2 ⋅ x3 = 1. 7 1 1 0 1
Combinaţia variabilelor, pentru care funcţia 8 1 1 1 1
capătă valoarea „1”, se numeşte constituent al unităţii sau
minitermen (miniterm), iar prezentarea funcţiei logice prin suma
logică a minitermenilor este forma canonică disjunctivă (FCD):
F = x1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x3 .
Funcţia prezentată prin tabel de adevăr poate fi reprezentată
nu numai de valorile sale unitare, dar şi de valorile nule. Prin
urmare, în exemplul analizat, din tabelul de adevăr rezultă că
funcţia este falsă (F=0 sau F = 1 ), dacă este adevărat fiecare din
produsele logice următoare:
x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1, x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1, x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1,
x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1, x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = 1.
Prin urmare, putem scrie:
F = x1 ⋅ x 2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 .
Aplicând teorema Shannon (regula inversiei) căpătăm:
(
F = (x 1 + x 2 + x 3 ) ⋅ x 1 + x 2 + x 3 ⋅ )
( )( )(
⋅ x1 + x 2 + x 3 ⋅ x1 + x 2 + x 3 ⋅ x1 + x 2 + x 3 . )
©Valeriu Blajã
Moduri de prezentare a funcţiilor logice 197

Fiecare termen al produsului în această expresie este o sumă


logică a variabilelor, pentru care funcţia capătă valoarea zero
conform tabelului de adevăr. Aceste sume sunt numite constituenţi
ai lui zero sau maxitermi, iar produsul maxitermilor este forma
canonică conjunctivă a funcţiei logice.
Cele două forme canonice, disjunctivă şi conjunctivă, sunt
unice pentru o funcţie logică complet definită. Alegerea unei forme
sau a celeilalte depinde de criteriul, care stă la baza dezvoltării
funcţiei în forma analitică. Dacă acest criteriu este cel al simplităţii
expresiei analitice, atunci alegerea FCC sau FCD depinde de tabelul
de adevăr al funcţiei respective. Astfel, dacă majoritatea valorilor
funcţiei sunt zero este preferată FCD, iar în cazul, când tabelul de
adevăr conţine mai puţine unităţi decât zerouri, este preferată FCC.

15.5.3. Diagrame Karnaugh


Reprezentarea grafică prin diagrame Karnaugh a funcţiilor
logice constă în a marca punctele domeniului de definiţie într-o
diagramă plană şi a preciza valoarea funcţiei în fiecare din aceste
puncte. În acelaşi timp, diagrama Karnaugh este o reprezentare
tabelară mai compactă (în comparaţie cu tabelul de adevăr) datorită
dispunerii bidirecţionale a valorilor argumentelor. În cazul general,
al unei funcţii logice de n argumente, diagrama Karnaugh conţine
2p coloane şi 2q linii, astfel încât p+q=n. Dacă n este par, p=q, iar
dacă n este impar q=p+1 (sau p=q+1).
Diagrama Karnaugh are 2p ⋅2q =2n câmpuri în care se trec
valorile funcţiei pentru combinaţiile corespunzătoare ale valorilor
argumentelor. Valorile argumentelor sunt indicate la capetele
liniilor şi coloanelor diagramei. Dispunerea combinaţiilor
argumentelor se face conform codului Gray (binar reflectat) care,
fiind un cod continuu şi ciclic, asigură adiacenţa între câmpurile
diagramei. În sistemul de numeraţie binar două numere sunt
adiacente, dacă diferă între ele printr-un singur bit.
Cu alte cuvinte diagrama Karnaugh este reprezentarea grafică
a tuturor combinaţiilor posibile ale variabilelor, sau diagrama
©Valeriu Blajã
198 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

Karnaugh este reprezentarea grafică a tuturor minitermelor pentru


numărul dat de argumente. Fiecare miniterm este reprezentat în
diagrama Karnaugh într-o celulă, iar diagrama este formată în aşa
mod încât celulele vecine atât pe verticală, cât şi pe orizontală se
deosebesc prin valoarea numai a unei variabile (vecine sunt
considerate de asemenea şi celulele extreme din fiecare linie sau
coloană). Unitatea simbolizează valoarea directă a argumentului, iar
zeroul − valoarea sa inversă. În tabelele
15.2, 15.3 şi 15.4 sunt reprezentate
diagramele Karnaugh pentru funcţii Tabelul 15.2.
logice cu două, trei şi patru variabile, x1 0 1
respectiv. x 2

0 x1 x 2 x1 x 2
1 x1 x 2 x1 x 2

Tabelul 15.3.
x1 x 2
00 01 11 10
x3
0 x1 x2 x3 x1 x2 x3 x1 x2 x3 x1 x2 x3
1 x1 x 2 x3 x1 x 2 x3 x1 x 2 x3 x1 x 2 x3

Tabelul 15.4.
x1 x 2
00 01 11 10
x3 x 4
00 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4
01 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x2 x3 x 4
11 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4
10 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4 x1 x 2 x3 x 4

©Valeriu Blajã
Moduri de prezentare a funcţiilor logice 199

15.5.4. Logigrame
Schema logică (logigrama) este o reprezentare grafică a
funcţiei logice obţinută prin adoptarea unor semne convenţionale
pentru operaţiile logice. Logigrama indică de fapt topologia unui
circuit logic care materializează funcţia logică. Logigrama
reprezintă schema conform cărei funcţia logică este realizată ca o
combinaţie a funcţiilor logice elementare. Prin urmare, simbolurile
grafice adoptate pentru operaţiile logice constituie o reprezentare a
circuitelor logice, care materializează funcţiile logice elementare.
Aceste simboluri vor fi studiate în tema următoare.

15.5.5. Diagrame de timp


Diagrama de timp reprezintă grafic o funcţie logică prin
forma semnalelor sincronizate corespunzătoare argumentelor şi
funcţiei. Cifrelor binare 0 şi 1 li se ataşează semnale de nivel
coborât şi, respectiv, ridicat, astfel încât să existe o diferenţiere
clară a acestora. Reprezentarea prin diagrame temporale este
deosebit de utilă pentru studiul sistemelor secvenţiale în a căror
evoluţie intervine timpul. De asemenea, folosind această
reprezentare, se pot studia fenomenele tranzitorii de comutare şi
fenomenele de hazard datorate funcţionării reale a elementelor, care
materializează variabile sau funcţii booleene.
Exemplu: Să se reprezinte prin diagrama de timp funcţia
logică dată în forma analitică:
F(x 1 , x 2 ) = x1 ⋅ x 2 + x 1 ⋅ x 2 = x1 ⊕ x 2 .
Să reprezentăm tabelul de adevăr:
x1
În diagramele de timp
x1 x2 F vom reprezenta evoluţia în
0 0 1 timp t
pentru fiecare x2
0 1 0 argument şi a funcţiei
1 0 0 logice. Toate diagramele f t
1 1 1 respective vor fi
sincronizate. t

©Valeriu Blajã
200 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

15.6. Minimizarea funcţiilor logice


În proiectarea sistemelor digitale, analiza şi sinteza circuitelor
numerice se bazează pe algebra booleană. Rezultă o legătura
firească între gradul de complexitate al circuitului, care se obţine şi
gradul de complexitate al funcţiei care îl descrie. Din acest motiv,
pentru sinteza circuitelor numerice, după etapa de definire a
funcţiei, urmează obligatoriu etapa de minimizare a funcţiei în
scopul obţinerii unei forme simplificate (forma minimală).
Minimizarea unei funcţii este procedeul prin care, pentru un
nivel dat, se obţine o expresie, care generează un cost minim pentru
un număr dat de nivele logice. Implementarea practică a circuitului
se realizează pe baza formei minimizate, ceea ce conduce la
configuraţia optimă de circuit.
Există mai multe metode de minimizare, câteva dintre acestea
fiind:
• metoda analitică
• metoda Veitch - Karnaugh
• metoda Quine - McCluskey

15.6.1. Metoda analitică de minimizare a funcţiilor logice

Aplicând sistematic axiomele, legile, teoremele, regulile şi


proprietăţile algebrei booleene, o funcţie logică dată sub forma
canonică disjunctivă sau sub forma canonică conjunctivă poate fi
scrisă, în general, sub o altă formă cu un număr mai mic de termeni,
respectiv termeni cu un număr redus de variabile. Această metodă
de minimizare a funcţiei necesită din partea proiectantului multă
îndemânare, ingeniozitate şi experienţă. Unul din principalele
dezavantaje ale metodei îl constituie faptul că, obţinându-se prin
transformări analitice o anumită expresie a funcţiei, nu se poate
stabili cu uşurinţă, dacă este expresia minimală sau se mai poate
simplifica. Pentru a elimina acest dezavantaj s-au conceput metode
sistematice pentru obţinerea expresiilor minimale.

©Valeriu Blajã
Minimizarea funcţiilor logice 201

Exemplu: Se dă următoarea funcţie sub forma canonică


disjunctivă:
f (x1 , x2 , x3 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 .
Asociind convenabil termenii şi aplicând apoi proprietatea de
distributivitate, se obţine:
( ) (
f (x1 , x2 , x3 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x3 . )
Deoarece x + x = 1 , ultima expresie se va mai simplifica:
( )
f (x1 ,x2 ,x3 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 + x1 ⋅ x2 = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 + x2 = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1.
Deoarece în forma iniţială a existat termenul x1⋅x2⋅x3, iar
x+x=x, se poate introduce în expresia funcţiei încă un astfel de
termen şi vom obţine:

( )
f (x1 , x2 , x3 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = x1 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 = x1 + x2 ⋅ x3 .
Cele două forme simplificate, obţinute din forma canonică,
sunt evident mai economice. Dintre ultimele două forme, evident că
ultima este cea mai simplă, având numărul minim de argumente.
15.6.2. Metoda Veitch - Karnaugh de minimizare a funcţiilor
logice
Metoda diagramelor Karnaugh este mult mai comodă şi mai
practică ca metoda analitică. În diagrama Karnaugh mintermenii
funcţiei logice minimizate sunt reprezentaţi prin unităţi în celulele
respective, iar celulele corespunzătoare valorilor nule ale funcţiei
logice sunt completate cu zerouri sau lăsate goale.
Deoarece x + x = 1 , doi minitermeni situaţi în celule vecine
pot fi înlocuiţi cu un produs care conţine cu o variabilă mai puţin.
Dacă vom avea două perechi de celule vecine, acest grup va putea fi
înlocuit cu un produs, care va conţine cu două variabile mai puţin,
n
etc. generalizând putem spune, că un grup format din 2 celule
vecine permite excluderea a n variabile. Menţionăm încă o dată, că
vecine sunt considerate de asemenea şi celulele extreme din fiecare
linie sau coloană.
©Valeriu Blajã
202 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

Exemplu: Se dă următoarea funcţie sub forma disjunctivă:


f (x 1 , x 2 , x 3 , x 4 ) = x 2 ⋅ x 3 ⋅ x 4 + x 1 ⋅ x 2 ⋅ x 4 + x 2 ⋅ x 3 ⋅ x 4 + x 1 ⋅ x 2 ⋅ x 3 +
+ x1 ⋅ x3 ⋅ x4 + x 2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x 2 ⋅ x3 ⋅ x4 .
Folosind aceeaşi proprietate x + x = 1 , vom aduce funcţia la
forma sa canonică disjunctivă:
( ) ( )
f ( x1 , x2 , x3 , x4 ) = x1 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x3 + x3 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x4 +
( ) ( ) (
+ x1 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 x4 + x4 + x2 + x2 ⋅ x1 ⋅ x3 ⋅ x4 +)
+ (x 1 + x )⋅ x ⋅ x ⋅ x + (x
1 2 3 4 1 )
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 =
= x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 .
Excludem termenii care se repetă şi vom căpăta forma
canonică disjunctivă:
f ( x1 , x2 , x3 , x4 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 .
Funcţia conţine 11 mintermeni şi, prin urmare, în diagrama
Karnaugh în cele 11 celule respective se vor înscrie unităţi (vezi
tabelul 15.5). Tabelul 15.5.
Determinăm celulele x1 x 2
vecine şi le grupăm − vom x3 x 4 00 01 11 10
găsi cel puţin trei grupe de
00 1 1
celule (vezi grupele în
01 1 1 1 1
tabelul 15.4, conturate cu
linii continue): 11 1 1 1 1
10 1
©Valeriu Blajã
Minimizarea funcţiilor logice 203

în primul grup intră două celule din partea de jos a coloanei secunde
− într-adevăr:
(
x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x4 = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 , )
prin urmare, variabila x4 este exclusă.
în grupul al doilea − două perechi de celule de sus din coloanele
exterioare:

x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 =
( )
= x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x4 = ( )
= x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 = (x + x )⋅ x ⋅ x = x ⋅ x ,
1 1 2 3 2 3

prin urmare, din acest grup sunt excluse variabilele x1 şi x4.


în grupul trei intră opt celule din liniile a doua şi a treia − variabilele
x1, x2 şi x3 intră, atât cu valorile sale directe, cât şi cu valorile
inverse:
x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 +
+ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 =
( )
= x1 ⋅ x3 ⋅ x4 ⋅ x2 + x2 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 ⋅ x2 + x2 + ( )
+ x ⋅ x ⋅ x ⋅ (x
1 3 4 2
+ x ) + x ⋅ x ⋅ x ⋅ (x
2 1 3 4 2
+ x )=
2

= x1 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 =
( ) ( )
= x1 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4 = x3 ⋅ x4 + x3 ⋅ x4 =
= (x + x )⋅ x
3 3 4
= x4 ,
prin urmare, aceste variabile se vor exclude şi va rămâne x4.
În aşa mod, căpătăm în rezultatul acestor operaţii din
diagrama Karnaugh forma disjunctivă minimizată a acestei funcţii
logice:
f ( x1 , x2 , x3 , x4 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 + x2 ⋅ x3 + x4 .

©Valeriu Blajã
204 APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE

Diagramele Karnaugh permit de asemenea efectuarea


operaţiilor de minimizare a funcţiei logice spre o formă conjunctivă,
operând cu maxitermenii, adică celulele goale (corespunzătoare
valorilor nule ale funcţiei), care determină funcţia inversă F .
Ordinea operaţiilor este analogică. Găsim pentru exemplul nostru
patru grupe (vezi grupele în tabelul 15.5, conturate cu linii
întrerupte):

f ( x1 , x2 , x3 , x4 ) = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x2 ⋅ x3 ⋅ x4 + x1 ⋅ x2 ⋅ x4 + x1 ⋅ x3 ⋅ x4.
Efectuăm operaţiile de inversie conform teoremei De Morgan
şi vom căpăta expresia analitică pentru funcţia directă − forma
conjunctivă:

(
f (x1 , x2 , x3 , x4 ) = x1 + x2 + x3 + x4 ⋅ )
( )( )(
⋅ x2 + x3 + x4 ⋅ x1 + x2 + x4 ⋅ x1 + x3 + x4 . )
Minimizările spre formă disjunctivă şi spre formă conjunctivă
sunt echivalente şi alegerea unei metode din cele două depinde de
tipul porţilor logice în baza cărora va fi implementată funcţia.

©Valeriu Blajã
Porţi logice 205

16. CIRCUITE LOGICE


16.1. Porţi logice
Circuitele logice sunt circuite capabile să realizeze
operaţii logice. Semnalul de ieşire reprezintă rezultatul unei
operaţii logice, aplicată semnalelor de intrare. Porţile logice sunt
dispozitive, care realizează o funcţie logică elementară sau o
combinaţie a câtorva funcţii logice elementare.
În tabelul 16.1 pentru porţile logice fundamentale, sunt
reprezentate semnele lor convenţionale (varianta cu două intrări)
conform standardelor URSS şi a celor americane. Trebuie de
menţionat că momentan standardele URSS, precum şi altele (de
exemplu, standardele DIN), sunt mai puţin utilizate în reprezentarea
circuitelor logice, prioritate o au standardele de profil din SUA.
Mărimile, aplicate acestor circuite, pot avea doar două
valori distincte, reprezentate simbolic prin cifrele ”0” şi ”1”
(respectiv: nivel de tensiune aproape de zero şi nivel înalt de
tensiune), numite mărimi binare. În funcţie de nivelul tensiunii,
pentru care este recepţionată sau furnizată informaţia, deosebesc
intrări (sau ieşiri) directe şi inverse ale porţilor logice. Intrarea
(ieşirea) este considerată directă, dacă variabila binară are valoarea
”1” atunci când tensiunea la această intrare (ieşire) corespunde
nivelului atribuit unităţii logice. Dacă variabila binară la intrare
(ieşire) are valoarea ”1” atunci când tensiunea la această intrare
(ieşire) corespunde nivelului atribuit zeroului, această intrare (ieşire
se numeşte inversă.
În principiu , un circuit logic poate fi realizat cu orice element
fizic, organ sau sistem care în funcţionarea sa poate avea două stări
distincte sub acţiunea unei comenzi exterioare. Celor două stări
distincte li se asociază cifrele binare ”0” şi ”1”.
Circuitele logice realizate cu contacte de relee au fost primele
tipuri şi mult timp − singurele. Cea mai utilizată convenţie de
ataşare a cifrelor binare ”0” şi ”1” celor două stări distincte ale
unor contacte de releu este următoarea: când înfăşurarea releului

©Valeriu Blajã
206 CIRCUITE LOGICE

este alimentată, contactelor închise li se atribuie cifra ”1”, iar celor


deschise cifra”0”. În figura 16.1 sunt prezentate schemele
circuitelor logice, care materializează funcţiile logice elementare.
Tabelul 16.1.

Semnele convenţionale ale porţilor logice


varianta
standard DIN
funcţia logică nume sovietică
simbol nume simbol
1
INVERSIE NU NOT (N)

DISJUNCŢIE SAU 1 OR

NEGARE
DISJUNCŢIE SAU−NU 1 NOR
funcţia Pierce
&
CONJUNCŢIE ŞI AND

NEGARE
&
CONJUNCŢIE ŞI−NU NAND
funcţia Scheffer
COINCI- =
ECHIVALENTA XNOR
DENŢĂ

ANTI- SAU − = XOR


COINCIDENTA EXCLUSIV

Primele circuite logice electronice au fost realizate cu


dispozitive semiconductoare şi alte elemente discrete: diode,
tranzistoare, rezistenţe. De regulă, cele două stări logice corespund
stărilor de conducţie sau de blocare a dispozitivului activ cu care
este realizat circuitul.
©Valeriu Blajã
Porţi logice 207

R R

E E
VD VD

a b
R R

E E
VD VD

c d
R

E
Fig.16.1. VD
Scheme de circuite logice
realizate cu contacte de relee
e
Mai târziu au apărut circuitele integrate, care au înlocuit
dispozitivele discrete. Circuitele, realizate cu elemente de acelaşi
tip, formează o familie logică şi sunt astfel proiectate, încât să
poată fi cuplate direct între ele. În funcţie de polaritatea tensiunii,
corespunzătoare nivelului "1" deosebesc logică pozitivă, în care
unităţii logice îi corespunde nivel înalt de potenţial, iar zeroului
logic îi corespunde nivel jos de potenţial, şi logică negativă, în care
zeroului logic îi corespunde nivel înalt te potenţial, iar unităţii
logice îi corespunde nivel jos de potenţial. Este evident, că intrările
şi ieşirile directe pentru logica pozitivă vor fi inverse pentru logica
negativă şi viceversa. La intrările circuitelor logice pot fi aplicate
impulsuri sau tensiuni continue corespunzătoare cifrelor ”0” şi ”1”.
Respectiv, deosebesc circuite logice dinamice şi potenţiale.

©Valeriu Blajã
208 CIRCUITE LOGICE

16.2. Caracteristicile şi parametrii porţilor logice

16.2.1. Caracteristica de transfer


Caracteristica de transfer este caracteristica principală a
porţii şi reprezintă dependenţa Uieş = f(Uint) la o intrare
pentru regim stabilit la celelalte intrări.
În fig. 16.2 este reprezentată caracteristica de transfer a
porţii inversoare (NOT). Domeniul I al caracteristicii de transfer
corespunde nivelului înalt la ieşire ("1"). Acest nivel va fi
menţinut până când tensiunea de intrare este sub nivelul U0prag.
(Uint < U0prag.), care este tensiunea de prag a nivelului "0".

Uieş
A
U1ieş

I II III

B
U0ieş

U0prag . U1prag. Uint

Fig. 16.2. Caracteristica de transfer a porţii NOT

Domeniul III al caracteristicii de transfer corespunde


nivelului "0" la ieşire, care va fi menţinut până când
Uint > U1prag. U1prag. este tensiunea de prag a nivelului înalt "1".
Domeniul II corespunde comutării porţii dintr-o stare în
alta. Trebuie să menţionăm, că aceste comutaţii în circuitele reale
nu au loc momentan.

©Valeriu Blajã
Caracteristicile şi parametrii porţilor logice 209

16.2.2. Parametrii porţilor logice

Parametrii principali ai circuitelor logice sau circuitelor


integrate digitale (chip-urilor digitale) sunt:
‰ posibilităţi funcţionale,
‰ viteza de funcţionare,
‰ parametrii nivelurilor loice,
‰ parametrii energetici,
‰ stabilitate la perturbaţii.

Posibilităţile funcţionale ale circuitului logic (parametri


funcţionali) sunt determinate de:
9 numărul de intrări m,
9 coeficientul de sortanţă (capacitatea maximă de
încărcare) n, este numărul maxim de sarcini
standard unitare pentru elemente, provenite din aceeaşi
serie de circuite integrate, pe care este capabilă
poarta să le comande la ieşire.
Viteza de funcţionare a circuitului logic este caracterizată de
parametrii dinamici şi în primul rând de timpul de întârziere (timpul
de propagare) la propagarea informaţiei logice prin poartă.
În fig. 16.3 sunt reprezentate diagramele temporale ale
tensiunilor de intrare şi ieşire ale porţii NOT, în care vedem
parametrii dinamici:
t10 − timpul de comutaţie de la nivelul "1" la
nivelul "0",
t01 − timpul de comutaţie de la nivelul "0" la
nivelul "1",
t10î − timpul de întârziere a comutaţiei de la nivelul
"1" la "0",
t01î − timpul de întârziere a comutaţiei de la nivelul
"0" la "1".

©Valeriu Blajã
210 CIRCUITE LOGICE

Uint.

Um 0,5Um

Uieş.
t10î t01î

t10 t01 t

Fig. 16.3. Diagrame temporale la comutarea porţii NOT

Timpul mediu de întârziere a comutaţiei este:


t 10î + t 01î
tm î = .
2
Alt parametru din categoria viteză de funcţionare este
frecvenţa de comutare − frecvenţa maximală a impulsurilor aplicate
la intrare, la care circuitul logic funcţionează corect.

©Valeriu Blajã
Caracteristicile şi parametrii porţilor logice 211

Parametrii energetici principali sunt:


9 puterea medie consumată
(în stare "0", stare "1" şi la comutaţie),
9 curentul mediu, consumat de la sursa de
alimentare.
Stabilitatea la perturbaţii caracterizează capacitatea circuitului
logic de a funcţiona corect în prezenţa unui zgomot sau perturbaţii.
Perturbaţiile, care pot fi prezente în circuitele de intrare ale porţii
logice, pot fi statice şi dinamice şi respectiv deosebesc stabilitate la
perturbaţii statice (rezerva de zgomot în curent continuu) şi
stabilitate la perturbaţii dinamice.
Perturbaţiile se numesc statice, dacă tensiunea perturbatoare
se menţine un timp mai mare ca durata proceselor tranzitorii în
circuitul logic. Deosebesc:
9 Rezerva de zgomot în curent continuu în starea "0",
este tensiunea maximală parazitară, care poate fi
suprapusă peste tensiunea semnalului şi nu scoate
poarta din starea "0" la ieşire.
9 Rezerva de zgomot în curent continuu în starea "1",
este tensiunea maximală parazitară, care poate fi
suprapusă peste tensiunea semnalului şi nu scoate
poarta din starea "1" la ieşire.
Perturbaţiile dinamice pot fi cauzate de dispozitivele,
care funcţionează în vecinătatea circuitelor logice, sau de alţi
factori. Stabilitatea la perturbaţii dinamice este caracterizată de
rezerva de zgomot dinamic − tensiunea maximală a impulsului
(care depinde de forma şi durata lui), care nu modifică funcţionarea
fidelă a circuitului logic.

©Valeriu Blajã
212 CIRCUITE LOGICE

16.3. Familii de circuite logice


Realizarea tuturor funcţiilor logice se face în prezent cu
ajutorul circuitelor integrate. Circuitele logice integrate se împart
în două grupe mari în funcţie de tehnologia fabricării: circuite
bipolare şi circuite unipolare (MOS).
Tehnica circuitelor logice integrate bipolare a evoluat rapid
de la familia:
RTL (Rezistor Tranzistor Logic − logica prin rezistenţe şi
tranzistoare), prin RCTL (Rezistor Capacitor
Tranzistor Logic − logica prin rezistenţe,
condensatoare şi tranzistoare) şi
DCTL (Direct Coupled Tranzistor Logic − logica cu
tranzistoare cuplate direct),
la actualele tipuri:
DTL (Diode Tranzistor Logic − logica cu diode şi
tranzistoare),
TTL (Tranzistor Tranzistor Logic − logica cu tranzistoare
cuplate),
STTL (Schottky Tranzistor Tranzistor Logic − logica cu
tranzistoare Schottky cuplate),
ECL (Emitter Coupled Logic − logica cuplată prin emitor),
I2L (logica integrată de injecţie).
Circuitele logice integrate unipolare sunt formate în baza
tranzistoarelor cu efect de câmp şi în comparaţie cu cele bipolare
sunt caracterizate prin grad mai înalt de integrare şi consum redus.
Principalele familii sunt:
PMOS (MOS canal P),
NMOS (MOS canal N),
CMOS (MOS complementar − logică cu tranzistoare cu efect
de câmp cu grilă izolată canal indus cu canale de
ambele tipuri).

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 213

16.3.1. Familia DTL


Circuitele logice din familia DTL sunt formate din celule
logice cu diode în combinaţie cu tranzistoare în calitate de
invertoare.
16.3.1.1. Poarta SAU (OR)
Poarta logică SAU realizează suma logică.
La ieşire vom avea nivelul "1", dacă: sau la prima, sau la a
doua, sau la oricare altă intrare va fi aplicat nivelul "1".
În fig. 16.4. este reprezentată schema electrică a circuitului
logic de tip SAU, iar în tabelul 16.2 − tabelul de adevăr al
unei porţi SAU cu trei intrări.
Tabelul 16.2.
x1 VD1 Tabelul de adevăr
pentru poarta SAU
VD2
x2 x1 x2 x3 F
VD3 0 0 0 0
x3 F 0 0 1 1
0 1 0 1
R0
0 1 1 1
1 0 0 1
Fig.16.4. 1 0 1 1
Poartă logică SAU 1 1 0 1
1 1 1 1
La aplicarea semnalului de intrare pe oricare din diode,
dioda conduce, determinând o cădere de tensiune pe rezistenţa
R egală cu amplitudinea semnalului de intrare, ceea ce
reprezintă nivelul logic "1". În cazul absenţei oricărui semnal,
aplicat la intrările x1, x2 şi x3 la ieşire nu se obţine tensiune,
deci se obţine nivelul logic "0". În practică sunt posibile cazuri,
când numărul de intrări a circuitului logic SAU este mai mare ca
numărul de semnale de intrare. Intrările neutilizate sunt puse la
pământ. În aşa mod este exclusă posibilitatea propagării
perturbaţiilor prin intrările neutilizate.
©Valeriu Blajã
214 CIRCUITE LOGICE

16.3.1.2. Poarta ŞI (AND)


Poarta ŞI realizează produsul logic.
La ieşirea porţii ŞI va fi nivelul "1" atunci, când şi la prima,
şi la a doua, şi la toate alte intrări este aplicat nivelul "1".
În fig. 16.5. este reprezentată schema electrică a circuitului
logic de tip ŞI, iar în tabelul 16.3 − tabelul de adevăr al unei
porţi ŞI cu trei intrări.
La aplicarea semnalului de comandă pe toate diodele,
acesta le blochează, împiedicând apariţia curentului prin
circuit. La ieşirea F apare întregul potenţial al sursei (+E):
R0
U ieş. = E ,
R − R0
adică semnalul de valoarea logică "1". Dacă cel puţin o diodă
conduce (în absenţa semnalelor), ea determină apariţia unei
căderi de tensiune pe R şi semnalul de ieşire devine "0".

+E Tabelul 16.3
Tabelul de adevăr
R pentru poarta ŞI
x1 VD1
x1 x2 x3 F
VD2 0 0 0 0
x2
0 0 1 0
x3 VD3 0 1 0 0
F
0 1 1 0
R0 1 0 0 0
1 0 1 0
1 1 0 0
1 1 1 1
Fig.16.5.
Poarta logică ŞI
Intrările neutilizate sunt conectate la bara de alimentare (+E),
prin urmare, pe aceste intrări este aplicat nivel înalt de tensiune
(unitate logică).

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 215

16.3.1.3. Poarta NU (NOT)


Circuitul logic corespunzător trebuie să nege semnalul
aplicat la intrare, deci să-i schimbe faza. Cel mai frecvent el
se realizează cu ajutorul unui tranzistor în montaj EC, căruia i se
aplică semnalul de intrare pe bază, iar semnalul de ieşire se culege
de pe colector (vezi figura 16.6). La aplicarea nivelului înalt
("1" ) la intrare tranzistorul este în conducţie (saturat).
Tensiunea E cade preponderent
pe rezistenţa din circuitul +E
colectorului şi la ieşire va fi
nivel mic ("0"). La aplicarea RC
nivelului mic ("0") la intrare RB F
tranzistorul este blocat şi x VT
tensiunea E preponderent cade
pe tranzistor şi la ieşire este
nivel înalt ("1"). Fig.16.6.Poartă logică NU

16.3.1.4. Poarta SAU-NU (NOR)


În fig. 16.7 este reprezentată schema electrică a circuitului
logic de tip SAU-NU, iar în tabelul 16.4 − tabelul de adevăr al
unei porţi SAU-NU cu trei intrări.
Tabelul 16.4
Funcţionarea circuitului DTL este
Tabelul de adevăr
clară, deoarece avem o combinaţie
pentru poarta SAU-NU
a două porţi: SAU şi NU.
x1 x2 x3 F
+E 0 0 0 1
x1 VD1
0 0 1 0
VD2 R C 0 1 0 0
x2
RB F 0 1 1 0
x3 VD 3 1 0 0 0
VT
1 0 1 0
Fig.16.7. Poartă logică SAU−NU 1 1 0 0
1 1 1 0

©Valeriu Blajã
216 CIRCUITE LOGICE

16.3.1.5. Poarta ŞI –NU (NAND)


În fig.16.8 este reprezentată schema electrică a circuitului
logic de tip ŞI−NU, iar în tabelul 16.5 − tabelul de adevăr al
unei porţi ŞI−NU cu trei intrări.
Circuitul DTL ŞI−NU este o combinaţie a porţii ŞI cu
diode şi a unui invertor (NU) pe baza unui tranzistor în montaj
EC. Dacă cel puţin pe una din intrări este aplicat nivel jos de
tensiune ("0"), dioda respectivă este în conducţie. Pe anozii
diodelor de intrare (VD1, VD2, VD3) este prezentă o tensiune
pozitivă formată din suma tensiunii de
intrare şi tensiunea pe dioda în Tabelul 16.5
conducţie. În absenţa diodelor VD01 şi Tabelul de adevăr
VD02 această tensiune s-ar aplica pe pentru poarta ŞI−NU
baza tranzistorului VT şi ar provoca x1 x2 x3 F
0 0 0 1
x1 VD1 +E
0 0 1 1
VD2 RB RC 0 1 0 1
x2
VD01 VD02 F 0 1 1 1
VD3 1 0 0 1
x3 VT
1 0 1 1
1 1 0 1
Fig.16.8. Poartă logică ŞI−NU 1 1 1 0

trecerea tranzistorului în conducţie saturată. În circuit această


tensiune cade pe diodele VD01 şi VD02. Astfel este exclusă
trecerea în conducţie a tranzistorului în această situaţie.
Dacă la toate intrările porţii logice sunt aplicate nivele înalte
("1"), toate diodele de intrare sunt blocate. Tot curentul format de
sursa de alimentare prin RB curge prin diodele VD01 şi VD02 spre
baza tranzistorului VT şi tranzistorul trece în conducţie saturată.
Prin urmare, la ieşire este format nivel jos de tensiune ("0").

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 217

16.3.2. Familia TTL


Circuitele logice integrate din familia TTL au fost elaborate
în anul 1964 la firma Texas Instruments şi au câştigat popularitate
datorită unui compromis reuşit între viteza de funcţionare şi
consumul de energie. Circuitele familiei TTL au în circuitul de
intrare un tranzistor multiemitor. După principiul de funcţionare şi
cel constructiv circuitele familiei TTL sunt aproape de circuitele
din familia DTL. Joncţiunile emitor-bază ale tranzistorului
multiemitor realizează funcţiile diodelor de intrare din cazul
familiei DTL, iar joncţiunea colectorului − rolul diodelor serie
(VD01 şi VD02). Elementele circuitelor TTL sunt mult mai compacte
în comparaţie cu elementele DTL − prin urmare, gradul de
integrare este mult mai înalt. Circuitele TTL au o viteză de
funcţionare, stabilitate la perturbaţii şi fiabilitate mai înaltă,
coeficient de sortanţă mai mare, şi consum mic de energie.
Elementul de bază al familiei TTL este poarta logică ŞI−NU
(vezi schema în fig. 16.9). Când se va aplica "1" pe toate intrările
porţii, toate joncţiunile de emitoare ale tranzistorului multiemitor
VT1 vor fi polarizate invers, iar joncţiunea de colector − direct.
+E
R1 R2 R4

VT
х1
х2 VT1 VT2
VD
х3 F
VD 1 VD 3
VT
VD 2 R3

Fig.16.9. Poartă logică TTL ŞI−NU

©Valeriu Blajã
218 CIRCUITE LOGICE

Curentul de colector al VT1 va circula prin baza VT2 şi, prin urmare,
VT2 trece în conducţie saturată. Pe rezistenţa R3 curentul emitorului
tranzistorului VT2 formează o tensiune pozitivă, care se aplică pe
baza VT4. Tranzistorul VT4 trece în conducţie, iar apoi în saturaţie.
Rezultă, că la ieşire se va forma nivel jos de tensiune ("0").
Când cel puţin la una din intrări se aplică "0", joncţiunea de
emitor respectivă a tranzistorului multiemitor VT1 va fi polarizată
direct şi curentul acestei joncţiuni va curge prin rezistenţa R1. Prin
urmare, curentul de colector al VT1 se va micşora brusc şi VT2 se va
bloca. Deci şi VT4 se va bloca. Tensiunea de nivel înalt de pe
colectorul VT2 se va aplica pe baza tranzistorului VT3, şi VT3 va
trece în conducţie. Curentul, care curge prin circuitul R4−VT3−VD
spre ieşire, va forma pe sarcină nivel înalt "1".
Saturarea simultană a tranzistoarelor VT3 şi VT4 trebuie
evitată deoarece de la sursa de alimentare +E se va consuma un
curent prea mare care va deteriora circuitul. Introducerea diodei VD
împiedică intrarea în conducţie a tranzistorului VT3, când
tranzistorul VT4 este saturat, deoarece potenţialul bazei
tranzistorului VT3 nu este suficient pentru deschiderea şi a
tranzistorului VT3, şi a diodei VD. Diodele VD1, VD2, VD3 etc.
realizează protecţia circuitului la tensiuni negative aplicate pe
intrări.
Observăm, că acest circuit logic are la ieşire un etaj în
contratimp, care asigură o posibilitate de încărcare (coeficient de
sortanţă) a circuitului mult mai mare. Acest se explică prin
impedanţa mică de ieşire, care este asigurată într-un caz de
tranzistorul saturat VT4, iar în alt caz de repetitorul pe emitor VT3.
Tanzistoarele VT3 şi VT4 se implementează fiind puternic
asimetrice în putere: puterea tranzistorului VT4 este mai mare ca
puterea tranzistorului VT3; deoarece se ţine cont de eventuala
conectare a mai multor intrări la ieşirea porii date.

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 219

16.3.3. Circuite logice TTL Schottky


Această subfamilie a apărut din necesitatea reducerii în
continuare a timpului de propagare. Elementul de circuit esenţial
este constituit din tranzistorul Schottky, format dintr-un tranzistor
bipolar şi o diodă Schottky, conectată între bază şi colector (vezi
fig. 16.10).

VD

VT VT

a b
Fig.16.10. Tranzistorul Shottky: structura (a) şi simbolul (b)

+E
R1 R2 R4

VT5
х1 VT3
х2 VT1 VT2
R5
х3 F
VD 1 VD 3
VT
VD 2 R6
R3

VT6

Fig.16.11. Poartă logică TTLȘ ŞI−NU

©Valeriu Blajã
220 CIRCUITE LOGICE

Caracteristicile diodei Schottky, care o fac utilă, sunt absenţa


purtătorilor de sarcină minoritari şi deci a sarcinii stocate şi o cădere
de tensiune în conducţie directă cu 0,1÷0,2 V mai mică ca
tensiunea de saturaţie a joncţiunii colectorului. Dioda Schottky
trecând în conducţie înainte de saturaţia tranzistorului, conduce
o parte de curent evitând acumularea purtătorilor minoritari în
bază. În plus, timpul de blocare al diodei fiind foarte mic, se ajunge
să se îmbunătăţească sensibil timpul de comutare al tranzistorului
bipolar.
ª Poarta fundamentală a familiei TTLȘ este prezentată în
fig.16.11. În acest circuit este folosită varianta rapidă TTL în
care tranzistoarele sunt de tip Schottky. Excepţie face
tranzistorul VT3, care nu este de tip Schottky deoarece nu
lucrează în regim de saturaţie. Varianta TTL rapidă se
deosebeşte de varianta standard prin următoarele modificări:
Sunt micşorate rezistenţele cu scopul de a micşora
constantele de timp de încărcare-descărcare a capacităţilor
parazite. Dezavantajul principal al acestei soluţii este
creşterea consumului de energie în regim staţionar.
ª Tranzistorul VT3 şi dioda VD din varianta standard sunt
înlocuite cu un repetitor pe emitor în montaj Darlington
(rolul diodei este preluat de joncţiunea emitorului VT3).
Avantajul acestei structuri este că impedanţa de ieşire a
montajului Darlington este mai mică decât a unui singur
tranzistor. În acest mod scade constanta de timp de încărcare
a capacităţii parazite care încarcă ieşirea.
ª Tranzistorul VT6 cu rezistenţele R3 şi R6 poate fi privit între
emitor şi colector ca o rezistenţă neliniară. Pentru tensiuni
B-E (VT4) mici, rezistenţa echivalentă este foarte mare,
efectul de şuntare a joncţiunii emitorului VT4 este redus şi ca
urmare intrarea în conducţie a VT4 este accelerată. Pentru
tensiuni B-E (VT4) corespunzătoare intrării în saturaţie a
tranzistorului VT4 rezistenţa echivalentă este mică,
joncţiunea emitorului tranzistorului VT4 este şuntată şi are
loc accelerarea comutaţiei.
©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 221

16.3.4. Circuite logice TTL cu trei stări


O alternativă bună la cuplarea mai multor porţi în paralel
pentru transmiterea bidirecţională, de exemplu, a informaţiei pe o
magistrală comună de date este dată de subfamilia TTL cu trei stări.
În fig.16.12 se prezintă un inversor cu trei stări împreună cu
simbolul, iar în tabelul 16.6 − tabelul de adevăr. Cele trei stări ale
circuitului sunt: starea "0", starea "1" şi a treia stare, de impedanţă
foarte mare (hz − high Z), în care ambele tranzistoare ale etajului de
ieşire în contratimp sunt blocate.
Circuitul este prevăzut cu o intrare
Tabelul 16.6. de autorizare (de permitere a funcţionării)
Tabelul de adevăr al − E (Enable). Pentru E ="0" , atunci
porţii cu trei stări B=”1” , dioda VD2 este blocată şi
E x F
circuitul funcţionează ca un inversor
0 0 1 TTL normal cu intrarea x şi ieşirea F.
0 1 0 Dacă E ="1" , atunci B=”0”, dioda VD2
1 * hz intră în conducţie, VT1 este saturat, iar
+E
F
R1 R2 R4 х

E b
VT

VT1 VT2
х VD 2 VD
F
VT
VD 1 R3

B a
E

Fig.16.12. Poartă logică TTL cu trei stări:


a − schema, b − simbol ©Valeriu Blajã
222 CIRCUITE LOGICE

VT2 şi VT4 –blocate. VT3 este blocat şi el deoarece prin dioda VD2
potenţialul bazei sale coboară. Între ieşire şi masă se află o
rezistenţă mare şi circuitul se prezintă la ieşire ca o impedanţă mare
(starea a treia).
Structura cu trei stări prezintă următoarele avantaje:
ª Permite legarea în paralel a ieşirilor mai multor circuite cu trei
stări, cu condiţia ca la orice moment să fie autorizat doar un
singur circuit. Celelalte circuite, care sunt în stare de
impedanţă mare (hz) nu încarcă circuitul, care este autorizat,
şi nu alterează nivelele logice din magistrală.
ª Oferă o impedanţă mică de ieşire în cele două stări ca şi la
poarta standard TTL.
16.3.5. Parametrii circuitelor TTL şi TTLS
Pentru toate circuitele TTL tensiunea de alimentare este de
5 V, iar tensiunile de prag pentru "0" şi "1" sunt, respectiv,
U0prag.=0,4 V şi U1prag. =2,7 V. Alţi parametri ai acestor circuite pot
fi cei prezentaţi în tabelul 16.7.
Tabelul 16.7.
TTL STTL
Parametrul De mică De mică
Standard Standard
putere putere
Număr de intrări, m 8 8 8 8
Coeficient de sortanţă, n 10 10 10 10
Timpul mediu de
10 30 3 10
întârziere, tm î, ns
Puterea medie consumată,
10 1 20 2
P, mW

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 223

16.3.6. Familia ECL


Circuitele integrate logice cuplate
+E
prin emitor (ECL) sunt cunoscute
R1 R2 datorită parametrilor înalţi de viteză.
F1 Circuitele ECL reprezintă o variantă de
F2 circuite integrate fără saturaţia
VT1 VT2 tranzistoarelor bipolare. Deoarece acest
x regim de funcţionare a etajului cu
-Uref. tranzistor bipolar (clasa A) este
caracterizat de cel mai mic randament,
I dezavantajul principal al acestei soluţii
este creşterea consumului de energie şi
scăderea fiabilităţii.
Fig.16.13. Elementul principal al circuitelor
Comutator de curent ECL îl constituie dispozitivele formate
pe baza comutatorului de curent. Cea
mai simplă schemă a comutatorului de curent este reprezentată în
fig.16.13.
Curentul sumă ale emitoarelor celor două tranzistoare VT1 şi
VT2 este stabilit de generatorul de curent I. Dacă pe baza VT1
(intrarea x) este aplicată o tensiune de nivel jos, atunci VT1 este
blocat şi tot curentul I circulă prin VT2. Pe baza VT2 se aplică
tensiunea de referinţă Uref., care este mai mare ca nivelul "0" şi mai
joasă ca nivelul "1". Prin urmare, VT2 este în conducţie şi la ieşirea
F2 este format "0", iar la ieşirea F1 − "1".
Dacă la intrare este aplicată tensiune corespunzătoare
nivelului "1", atunci VT1 este în conducţie şi la ieşirea F1 este
format nivelul "0", iar la ieşirea F2 este format "1" deoarece
Uref.<Uint. şi, respectiv, VT2 este blocat. Parametrii generatorului
sunt aleşi în aşa mod încât tranzistoarele VT1 şi VT2 nu ating
regimul de saturaţie. În aşa mod se capătă parametri de viteză mult
mai înalţi.
Poarta fundamentală a seriei ECL este circuitul, care
realizează atât funcţia SAU, cât şi funcţia SAU−NU(vezi fig.16.14).

©Valeriu Blajã
224 CIRCUITE LOGICE

+E
R3 R4 VT4 R7

VT6
VT5 F2 = x1 + x2
VT3
x1 VT1 VT2
VD1
F1= x1 + x2
x2
VD2

R1 R2 R5 R6 R8 R9

Fig.16.14. Schema porţii fundamentale ECL

Comutatorul de curent este realizat în baza tranzistoarelor


VT1, VT2 şi VT3. în calitate de generator de curent este folosit
rezistorul de mare rezistenţă R5. Sursa de tensiune de referinţă este
formată în baza elementelor: VT4, R6, VD1, VD2, R7 şi R8 în aşa
mod încât: U 0prag. < U ref. < U 1prag.. Prin urmare, dacă cel puţin la una
din intrări este aplicat nivel de tensiune "1", atunci VT3 este blocat,
iar dacă la toate intrările este aplicat nivel "0", atunci VT3 este în
conducţie. Informaţia logică de pe colectoarele tranzistoarelor VT2
şi VT3 se aplică la intrările repetitoarelor pe emitoare (VT6 şi VT5),
care servesc pentru îmbunătăţirea capacităţii de încărcare a
circuitului logic (este micşorată impedanţa de ieşire). Etajele
diferenţiale ale circuitelor logice ECL asigură:
9 stabilitate înaltă la perturbaţii,
9 stabilitatea parametrilor dinamici la variaţiile
temperaturii sau tensiunilor de alimentare,
9 curentul consumat nu depinde de frecvenţa
comutaţiilor.
©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 225

16.3.7. Circuite logice integrate unipolare


Spre deosebire de tranzistoarele bipolare, la cele unipolare
(tranzistoare cu efect de câmp − FET) conducţia curentului electric
este asigurată de un singur tip de purtători de sarcină. În
tranzistoarele FET curentul este controlat de un câmp electric, care
modulează conducţia canalului. Canalul poate fi cu conducţie de tip
p sau cu conducţie de tip n. Conducţia prin dispozitiv (mai concret
prin canal) începe la o anumită valoare numită tensiune de pragUGSP
(tipic pentru tranzistorul cu canal n UGSPn=+1,5 V, iar pentru
tranzistorul cu canal p UGSPp= −1,5 V). În circuitele integrate logice,
de regulă, sunt formate tranzistoare cu efect de câmp cu grilă
izolată, care au structura MOS −metal-oxid (izolator)-semiconductor.
Tranzistoarele FET prezintă faţă de tranzistoarele bipolare
următoarele avantaje:
ª au impedanţa de intrare foarte mare şi ele sunt dispozitive
comandate în tensiune (fără consum de curent de la sursa de
semnal);
ª lipseşte dezavantajul acumulării şi disipării purtătorilor
minoritari şi, prin urmare, timpii de comutare sunt
determinaţi numai de încărcarea şi descărcarea capacităţilor
tranzistorului;
ª probabilitatea proceselor de generare-recombinare este mult
mai mică ca în tranzistoarele bipolare. Prin urmare, lipseşte
zgomotul de generare-recombinare, fapt, care explică nivelul
foarte mic de zgomot propriu în comparaţie cu tranzistoarele
bipolare;
ª o integrabilitate superioară faţă de tranzistoarele bipolare.
Aria ocupată de un MOS FET în circuitul integrat este cu
câteva ordine mai mică ca cea ocupată de un tranzistor
bipolar.
ª Tranzistoarele MOS FET se prestează foarte bine pentru
utilizare ca element cu acţiune directă, deoarece semnalul
logic "0" este chiar 0 V.

©Valeriu Blajã
226 CIRCUITE LOGICE

Familiile de circuite logice cu tranzistoare unipolare se


realizează:
‰ familia PMOS − cu tranzistoare cu canal de tip p,
‰ familia NMOS− cu tranzistoare cu canal de tip n,
‰ familia CMOS− cu tranzistoare de ambele tipuri.
Aceste familii de circuite se deosebesc atât din punct de
vedere al parametrilor, cât şi din punct de vedere al tehnologiei
fabricaţiei, deci implicit şi al costului acestora. Circuitele de tip
PMOS au procesul de fabricaţie cel mai simplu, dar viteza de
comutaţie cea mai coborâtă datorită mobilităţii mici a golurilor.
Circuitele de tip NMOS au un proces de fabricaţie mai complicat, şi
o viteză de comutaţie mai ridicată. Circuitele de tip CMOS au
viteza de comutaţie medie dar permit realizarea unei structuri de
circuit, care nu consumă energie de la sursele de alimentare în nici
una din stările stabile, consumând curent numai în timpul tranziţiei
dintr-o stare în alta.
16.3.8. Circuite logice CMOS
CMOS este familia circuitelor logice cu tranzistoare MOS
complementare. În cadrul acestor circuite integrate, ambele
tranzistoare, MOS cu canal n şi MOS cu canal p, sunt fabricate în
acelaşi cristal. Principalul avantaj al acestor circuite logice (CMOS)
este consumul foarte mic de energie deoarece, indiferent de starea în
care se află, un tranzistor este în conducţie, iar complementarul
(conectat în serie) este blocat. Rezultă că +E
circuitul format dintr-un cuplu de
tranzistoare complementare este parcurs VT1
numai de curentul rezidual al tranzistorului
blocat. Alt avantaj al circuitelor din familia F
CMOS este posibilitatea funcţionării la VT2
tensiuni de alimentare aflate într-o plajă largă x
de valori. Încă un moment benefic pentru
aplicarea acestor circuite este faptul că, atât
tensiunea de alimentare, cât şi tensiunea de Fig. 16.15.
comandă au aceleaşi valori şi polaritate. Schema inversorului
logic CMOS-FET
©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 227

ID ID Uint.
E1 E2

t
Uieş.
E
UGS P UGS UGS P UGS
a b
Fig.16.16.Caracteristicile de t
transfer ale MOS−FET: Fig.16.17. Diagramele
a − cu canal de tip−p, temporale ale tensiunilor în
b − cu canal de tip−n inversorul CMOS−FET
În fig. 16.15 este prezentată schema unui inversor logic
CMOS. Constructiv, circuitul este format din două tranzistoare
MOS complementare: tranzistorul VT1 este cu canal de tip−p, iar
tranzistorul VT2 − cu canal de tip−n. Pentru a explica funcţionarea
circuitului în fig.16.16 sunt reprezentate caracteristicile de transfer
ale tranzistoarelor, iar în fig.16.17 − diagramele temporale ale
tensiunilor la comutaţie.
Când la intrare este aplicat nivel jos de tensiune ("0")
(Uint< U0prag.), tranzistorul VT2 (cu canal de tip−n) are tensiunea pe
grilă mai mică ca tensiunea de prag (Uint.=E1< UGS P) şi VT2 este
blocat, iar VT1 (cu canal de tip−p) în acest caz are tensiunea grilă-
sursă negativă (UGS= −E) şi va fi în conducţie. Tranzistorul VT1,
având rezistenţa cu mult mai mică ca a tranzistorului VT2 (blocat),
practic toată tensiunea sursei de alimentare E este aplicată pe VT2
(drenă−sursă) şi la ieşire vom avea: Uieş.≅+E, adică unitate logică.
Dacă la intrare este aplicat nivel înalt de tensiune (unitate
logică) (Uint> U1prag.), tranzistorul VT2 are pe grilă tensiune mai
mare ca cea de prag (Uint.=E2> UGS P) şi este în conducţie, iar VT1
are tensiunea grilă-sursă aproape de zero (mai mică ca tensiunea de
prag) şi este blocat. Prin urmare, practic toată tensiunea de
alimentare este aplicată pe VT1, iar la ieşire vom avea tensiune de
nivel jos ("0").
©Valeriu Blajã
228 CIRCUITE LOGICE

16.3.8.1. Poarta CMOS SAU−NU


În fig.16.18 este prezentată
+E schema electrică a circuitului logic
x1 CMOS de tip SAU−NU.
VT1
Tranzistoarele VT3 şi VT4 (cu canal
x2 n) sunt conectate în paralel şi sunt
VT2 tranzistoare de comandă, iar
F tranzistoarele VT1 şi VT2
VT4 VT3
(cu canal p ) sunt conectate în serie
şi sunt tranzistoare de sarcină.
Tensiunea de ieşire se culege din
divizorul de tensiune, în care braţul
Fig.16.18. Schema circuitului superior este format de
CMOS SAU−NU tranzistoarele VT 1 şi VT 2 , iar braţul
inferior este format de
tranzistoarele VT3 şi VT4.
Dacă pe toate intrările se aplică "0", tranzistoarele VT3 şi VT4
sunt blocate. Sursa tranzistorului VT1 este conectată direct la sursa
de alimentare +E. Prin urmare, pe grila VT1 tensiunea va fi negativă
şi ca valoare absolută mai mare ca tensiunea de prag
(⏐UGS⏐>⏐UGS P⏐). Deci VT1 este în conducţie şi rezistenţa sa
(drenă-sursă) este foarte mică. Atunci toată tensiunea sursei de
alimentare +E este aplicată pe sursa tranzistorului VT2, şi VT2 este
în conducţie. În aşa mod rezistenţa braţului superior al divizorului
devine mult mai mică ca rezistenţa braţului inferior, iar la ieşire se
stabileşte "1".
Dacă se aplică "1" cel puţin la una din intrări, tensiunea de
nivel înalt se aplică pe grilele unei perechi de tranzistoare
complementare (VT1 şi VT4 sau VT2 şi VT3), din care cel superior
este blocat, iar cel inferior trece în conducţie. În aşa mod la ieşire se
stabileşte "0".

©Valeriu Blajã
Familii de circuite logice 229

16.3.8.2. Poarta CMOS ŞI−NU


În fig.16.19 este
prezentată schema electrică a
circuitului logic CMOS de tip +E
VT1 VT2
ŞI−NU. Tranzistoarele VT3 şi
VT4 (cu canal n) sunt conectate în F
VT3
serie şi sunt tranzistoare de
comandă, iar tranzistoarele VT1 şi x1
VT2 (cu canal p) sunt conectate în VT4
paralel şi sunt tranzistoare de x2
sarcină. Tensiunea de ieşire se
culege din divizorul de tensiune,
Fig.16.19. Schema circuitului
în care braţul superior este format
CMOS ŞI−NU
de tranzistoarele VT1 şi VT2, iar
braţul inferior este format de
tranzistoarele VT3 şi VT4.
Dacă pe toate intrările se aplică "1", tranzistoarele VT3 şi VT4
sunt în conducţie. În aşa mod rezistenţa braţului inferior al
divizorului devine mult mai mică ca rezistenţa braţului superior, iar
la ieşire se stabileşte "0". Dacă se aplică "0" cel puţin la una din
intrări, nivel jos de tensiune se aplică pe grilele unei perechi de
tranzistoare complementare (VT1 şi VT4 sau VT2 şi VT3), din care
cel inferior este blocat, iar cel superior trece în conducţie. În aşa
mod rezistenţa braţului superior al divizorului devine mult mai mică
ca rezistenţa braţului inferior, iar la ieşire se stabileşte "1".

©Valeriu Blajã
230 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17. CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE


17.1. Noţiuni generale
La elaborarea diferitor tipuri de circuite digitale frecvent apare
necesitatea de a construi dispozitivul astfel, încât acţiunea lui de
gestiune să fie determinată de valorile semnalelor de intrare doar în
momentul curent de timp şi să nu depindă de valorile lor în
momentele de timp precedente. Astfel de dispozitive se numesc
circuite logice combinaţionale (CLC) sau automate fără memorie.
Prezentarea simbolică a CLC este dată în fig.17.1, unde:
x1, x2, x3,…, xn sunt variabilele de intrare (pentru n intrări),
y1, y2, y3,…, ym sunt funcţiile de ieşire (pentru m ieşiri).
În caz general fiecare mărime E
de ieşire este funcţie de toate x1 CLC y1
variabilele de intrare, iar CLC poate x2 y2
fi descris de următorul set de funcţii x3 y3
(funcţii proprii ale circuitului):
y1=f1(x1, x2, x3,…, xn)
y2=f2(x1, x2, x3,…, xn) xn ym
y3=f3(x1, x2, x3,…, xn) (17.1)
−−−−−−−−−−−−−−−
−−−−−−−−−−−− −−− Fig.17.1. Circuit numeric
ym=fm(x1, x2, x3,…, xn). combinaţional
Faptul, că expresiile (17.1) nu depind de timp, presupune că la
modificarea simultană variabilelor de intrare are loc şi modificarea
instantanee a mărimilor de ieşire. Această ipoteză nu este valabilă în
cazul CLC reale, datorită valorilor finite ale timpilor de propagare.
Pe durata procesului tranzitoriu de stabilire a mărimilor de ieşire
aceste mărimi pot căpăta valori intermediare diferite de cea finală,
determinată de expresia (17.1). Ordinea în care se stabilesc valorile
finale ale mărimilor de ieşire depinde de diferenţele dintre timpii de
propagare corespunzători circuitelor logice elementare, utilizate
pentru implementarea CLC. Acest fenomen este denumit hazard
combinaţional, iar influenţa lui asupra funcţionării sistemului
numeric, în care se încadrează CLC, trebuie avută în vedere la
proiectarea acestuia.
©Valeriu Blajã
Noţiuni generale 231

Numărul maximal de ieşiri distincte ale CLC m este


determinat de numărul variabilelor de intrare n, prin relaţia: m=2n.
Uneori este posibil de a solu’iona problema prin implementarea
unei variabile de autorizare ( Enable = E ), care comandă toate
funcţiile de ieşire. De exemplu, dacă E este inactiv, E = 1 (E=0),
ieşirile sunt inactive, adică atunci toate mărimile de ieşire capătă
valoarea "0", sau în cazul structurilor cu trei stări, în starea de înaltă
impedanţă.
În cazul problemelor de analiză a circuitelor logice
combinaţionale se cunoaşte structura (logigrama) circuitului şi se
cere să se stabilească valorile posibile la ieşiri pentru toate
combinaţiile posibile ale valorilor semnalelor de la intrări.
Problemele de analiză se soluţionează căutând expresiile funcţiilor
booleene corespunzătoare semnalelor de ieşire, ca apoi să se poată
stabili valorile lor pentru diferite combinaţii ale valorilor
argumentelor. În general, funcţiile proprii, care se stabilesc plecând
de la configuraţia circuitului se obţin sub forma normală. Pentru a
putea stabili toate valorile acestor funcţii pentru toate combinaţiile
valorilor argumentelor este necesară evidenţierea termenilor
canonici. Rezultă că din punct de vedere matematic problemele de
analiză conduc la necesitatea dezvoltării funcţiilor booleene în
forme canonice, pentru a le pune în evidenţă constituenţii. Din cele
expuse mai sus se pot formula etapele care trebuie parcurse în
rezolvarea problemelor de analiză:
1. Cunoscând logigrama circuitului se determină prin
iteraţii funcţiile corespunzătoare ieşirilor.
2. Se dezvoltă funcţiile proprii ale circuitului sub
forma canonică.
3. Folosind tabelul de adevăr sau diagrama
Karnaugh se stabilesc valorile funcţiilor pentru
toate combinaţiile posibile ale variabilelor de
intrare.

©Valeriu Blajã
232 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

4.Se stabilesc expresiile minimale ale funcţiilor


canonice în vederea unor posibile simplificări
(etapă opţională).
Problemele de sinteză ale circuitelor logice combinaţionale se
definesc în modul următor: cunoscând semnalele de ieşire
corespunzătoare diferitelor combinaţii ale semnalelor de intrare se
cere să se stabilească structura circuitului. Deosebesc două etape ale
problemelor de sinteză:
I Sinteza abstractă, care constă în stabilirea expresiilor
funcţiilor booleene ce corespund condiţiilor impuse
între semnalele de ieşire şi intrare. Pentru ca schemele
să fie cât mai simple şi deci mai economice, se caută
expresiile minime ale funcţiilor. Deci, din punct de
vedere matematic, problemele de sinteză conduc la
necesitatea minimizării funcţiilor booleene în sistemul
de funcţii elementare ales din considerente practice.
II Sinteza structurală, care constă în determinarea
structurii fizice a circuitului sintetizat. Sinteza
structurală se face în funcţie de tipul circuitelor logice
elementare (module) şi numărul de intrări ale acestora.
Din cele stabilite mai sus se poate defini algoritmul sintezei
circuitelor combinaţionale:
1. Din condiţiile problemei se stabilesc corespondenţele
între combinaţiile semnalelor de intrare şi ieşire folosind
tabelul de adevăr, diagrama Karnaugh, etc.
2. Se realizează minimizarea funcţiilor care rezultă din
etapa precedentă.
3. Se implementează, dacă este cazul, cu funcţiile
elementare impuse de realizarea practică.
4. Se stabileşte logigrama, plecând de la forma minimă
obţinută pentru funcţiile de ieşire în pasul anterior.

©Valeriu Blajã
Noţiuni generale 233

5. Se analizează circuitul obţinut, pentru a vedea dacă


corespunde condiţiilor iniţiale.
În cazul sintezei circuitelor combinaţionale cu circuite logice
elementare ŞI, SAU, NU este necesar ca expresiile minime să se
obţină sub forme disjunctivă sau conjunctivă. În etapa de sinteză
structurală mai intervine condiţia de a realiza circuitul sintetizat cu
module standard având un anumit număr de intrări şi care
îndeplineşte o funcţie booleană anumită. Dacă, corespunzător
expresiilor minime, sunt necesare mai multe intrări decât are un
modul, apare problema expandării intrărilor. Această operaţie se
realizează în conformitate cu proprietatea de asociativitate a
operaţiilor ŞI şi SAU, formând în expresiile minimale asocieri
cuprinzând un număr de argumente sau expresii egal cu numărul de
intrări ale circuitelor standard folosite.
Există circuite logice combinaţionale de mare extindere, care
pentru integrare au presupus mărirea peste valoarea curentă a
numărului de componente implementate pe un cip. Ele au fost
grupate în categoria circuitelor integrate pe scară medie (circa 1000
de componente pe cip). În această grupare intră multe circuite cu
funcţii tipizate:
ˆ codificatoare,
ˆ decodificatoare,
ˆ multiplexoare,
ˆ demultiplexoare,
ˆ convertoare de cod,
ˆ sumatoare,
ˆ comparatoare de cod, etc.

©Valeriu Blajã
234 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17.2. Codificatoare
Codificatoarele şi decodificatoarele aparţin categoriei
convertoarelor de cod. Codificatoarele au destinaţia “comprimării”
informaţiei, iar decodificatoarele realizează funcţia inversă.
Codificatoarele sunt circuite logice combinaţionale, care realizează
codificarea semnalelor (informaţiei). În fig. 17.2. sunt reprezentate
schema de principiu şi simbolul unui codificator, care codifică orice
cifră zecimală în cod binar. Prin apăsarea butonului respectiv cifrei
se va căpăta la ieşire codul binar al acestei cifre. De exemplu, fiind

23 22 21 20
0 0000

1 0001

2 0010 CD 1
0
1
3 0011
2 2
3
4 0100
4
5 4
5 0101
6
6 7
0110 8
8
7 9
0111

8 1000
b
9 1001
Fig. 17.2. Codificator 10×4:
+ a − schema de principiu,
E b − simbolul

a
©Valeriu Blajã
Codificatoare 235

apăsat butonul cifrei 9, tensiunea sursei de alimentare se va aplica la


ieşirile 1 (20) şi 8 (23), iar la ieşirile 2 (21) şi 4 (22) semnalul va fi
nul. Prin urmare, căpătăm codul 1001.
Să implementăm aceste funcţii. În tabelul 17.1 este prezentat
tabelul de adevăr pentru funcţiile de ieşire ale acestui codificator.
Tabelul 17.1. Din tabel rezultă prezentările
Intrarea analitice pentru funcţiile de ieşire:
a3 a2 a1 a0
activată a 0 = x1 ⋅ x3 ⋅ x5 ⋅ x7 ⋅ x9 ,
x0 0 0 0 0
a1 = x 2 ⋅ x3 ⋅ x6 ⋅ x7 ,
x1 0 0 0 1
x2 0 0 1 0 a 2 = x 4 ⋅ x5 ⋅ x6 ⋅ x7 ,
x3 0 0 1 1
a 3 = x8 ⋅ x 9 .
x4 0 1 0 0
x5 0 1 0 1 Prin urmare, aceste funcţii pot fi
x6 0 1 1 0 implementate prin circuitul prezentat în
fig. 17.3.
x7 0 1 1 1
x8 1 0 0 0
x9 1 0 0 1

x9 x 8 x 7 x 6 x5 x 4 x 3 x 2 x 1 x0

a0

a1

a2

a3

Fig.17.3. Schema de principiu a codificatorului 10×4


implementat cu porţi ŞI−NU
©Valeriu Blajã
236 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17.3. Decodificatoare
Decodificatorul (decodorul) este un circuit logic
combinaţional, care transformă codul, aplicat la intrare, în semnal la
o anumită ieşire (sau la câteva ieşiri). Numărul maxim de linii
distincte de ieşire m corespunde numărului de combinaţii posibile
ale celor n variabile binare de la intrare: m=2n. Dacă numărul de
intrări corespunde expresiei m=2n, decodificatorul se numeşte
complet, iar dacă m<2n, decodificatorul se numeşte incomplet.
Decodificarea este necesară în numeroase aplicaţii cum sunt
adresarea memoriilor, afişarea numerică, multiplexarea datelor, etc.
De regulă, pe intrările decodorului se aplică semnalul de la ieşirile
registrului sau numărătorului, în care este format (stocat) codul
numeric. Decodificatoarele sunt folosite:
ª în dispozitive de comandă a microprocesoarelor,
ª pentru convertizarea codului paralel în cod serie,
ª pentru formarea distribuitoarelor de impulsuri pe
diferite canale.
17.3.1. Decodificatoare de adresă
Decodificatoarele de adresă (spre exemplu, decodificatoare cu
trei intrări) sunt circuite logice combinaţionale, care activează linia
de ieşire a cărei adresă este prezentă pe intrări. Având în vedere, că
numărul cuvintelor de cod distincte de n biţi este 2n, rezultă că un
decodificator de adresă cu n intrări va avea 2n ieşiri distincte. Prin
urmare, decodorul cu trei intrări de adresă are 23=8 ieşiri. La fiecare
ieşire semnalul apare numai pentru o anumită combinaţie a
semnalelor de intrare. Starea fiecărei ieşiri este determinată
de funcţiile respective prezentate în tabelul de funcţionare (vezi
tabelul 17.2). Fiecare din aceste funcţii poate fi implementată cu
porţi AND cu trei intrări. În fig.17.4 sunt reprezentate schema
circuitului implementat cu porţi AND (a) şi simbolul
decodificatorului de adresă cu trei intrări (b).

©Valeriu Blajã
Decodificatoare 237

Tabelul 17.2.
Tabelul de funcţionare a decodificatorului de adresă cu trei intrări

x2 x1 x0 y0 y1 y2 y3 y4 y5 y6 y7

0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 y0 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 y1 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 y2 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 y3 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 y4 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 y5 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 y6 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2

1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 y7 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2
Decodificatorul analizat este de o treaptă (liniar). Avantajul
acestui decodificator este viteza înaltă de comutaţie, deoarece
timpul de propagare printr-un singur element este mic, iar
dezavantajul − necesitatea porţilor logice cu multe (trei) intrări şi
cerinţele înalte faţă de coeficienţii de sortanţă ai elementelor
componente ale registrului (circuitul logic precedent).

©Valeriu Blajã
238 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE
x2 x1 x0
x0 1 DC 0 y0
1 y1
x1 2 2 y2
3 y3
x2 x1 x0 4 y4
y0 x2 4 5 y5
6 y6
y1 7 y7

y2
b
y3

y4 Fig.17.4. Decodificator de
adresă cu trei intrări:
y5 a − schema de principiu,
b − simbolul
y6

y7

a
17.3.2. Decodificator BCD−Zecimal
În practică se întâlnesc frecvent situaţii, în care trebuie făcute
decodificări dintr-un alt cod decât cel binar natural, de exemplu din
codul BCD. În cele ce urmează va fi prezentat un astfel de
decodificator din BCD în zecimal. Semnalul de nivel înalt ("1") la
ieşirea respectivă a decodificatorului determină cifra zecimală, a
cărui cod binar a fost aplicat la intrare. Tabelul de funcţionare a
decodificatorului este reprezentat în tabelul 17.3, în care sunt
prezentate şi regulile de funcţionare a decodificatorului (funcţiile de
ieşire).
©Valeriu Blajã
Decodificatoare 239

Tabelul 17.3.
Tabelul de funcţionare a decodificatorului BCD−Zecimal

N x3 x2 x1 x0 y0 y1 y2 y3 y4 y5 y6 y7 y8 y9

0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 y0 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

1 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 y1 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

2 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 y2 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

3 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 y3 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

4 0 1 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 y4 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

5 0 1 0 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 y5 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

6 0 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 y6 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

7 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 y7 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

8 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 y8 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3

9 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 y9 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3
Funcţiile logice y0, y1, y2,…, y9 pot fi implementate cu porţi
AND cu patru intrări. Pentru a căpăta o structură mai simplă vom fi
nevoiţi să minimizăm funcţiile. Spre exemplu, expresia pentru
funcţia y9 conţine patru variabile: y9 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 , însă numai
pentru această ieşire (funcţie) este adevărată expresia x0=x3=1.
Prin urmare, pentru a seta unitatea la ieşirea y9 poate fi folosită
expresia y9=x0⋅ x3.
Minimizarea funcţiilor decodificatorului este comod de
efectuat prin metoda diagramei Karnaugh, care, în acest caz, este
completată pentru patru variabile şi pentru toate zece mărimi
(funcţii) de ieşire (vezi tabelul 17.4).
©Valeriu Blajã
240 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

Contururile de
Tabelul 17.4. minimizare sunt trasate
x3 x2 pentru fiecare funcţie
x1 x0 00 01 11 10 separat folosind
00 y0 y4 y8 celulele goale. În aşa
mod, din diagrama
01 y1 y5 y9
Karnaugh găsim
11 y3 y7
expresiile minimizate
10 y2 y6 pentru funcţiile de
ieşire:
y0 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 , y1 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 , y2 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ,
y3 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 , y4 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 , y5 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 , y6 = x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ,
y7 = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 , y8 = x0 ⋅ x3 , y9 = x0 ⋅ x3 .
Conform acestor expresii putem realiza schema
decodificatorului (vezi fig.17.5).

17.3.3. Decodificator BCD−7 segmente

Decodificatorul este deseori folosit pentru reprezentarea


vizuală a cifrelor (informaţiei digitale), de exemplu, de la ieşirea
unui numărător sau registru. Decodificatorul, reprezentat în fig.17.5,
este folosit în cazul tuburilor indicatoare, iar în cazul indicatoarelor
cu 7 segmente luminoase sunt folosite decodificatoare cu şapte
ieşiri.
Decodificatorul BCD-7 segmente este un circuit logic
combinaţional cu patru intrări şi şapte ieşiri: a, b, c, d, e, f şi g.
Tabelul de funcţionare a decodificatorului este reprezentat în
tabelul 17.5. Pe cele patru intrări ale circuitului se aplică cuvântul
de cod (codul BCD), iar semnalele de ieşire comandă segmentele
indicatorului (a, b, c, d, e, f, g). Pe baza tabelului 17.5 se pot
completa diagramele Karnaugh (vezi tabelele 17.6.1 –17.6.7).

©Valeriu Blajã
Decodificatoare 241

x 3 x3 x 2 x2 x1 x1 x 0 x0

y0

y1

y2
y0
DC
1 y1
y3 x0
1
2 y2
x0 3
x1 2 y3
4
y4 x1 5 y4
x2 4 6 y5
x2 7 y6
y5 x 8 8
3 y7
x3 9
y8
y6 y9

y7 b

y8
Fig. 17.5. Decodificator
BCD-Zecimal:
y9 a − schema de principiu,
b − simbolul
a

©Valeriu Blajã
242 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

Tabelul 17.5.
Tabelul de funcţionare a decodificatorului BCD−7 segmente

I n t r ă r i I e ş i r i
N
x3 x2 x1 x0 a b c d e f g
0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0
1 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0
2 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1
3 0 0 1 1 1 1 1 1 0 0 1
4 0 1 0 0 0 1 1 0 0 1 1
5 0 1 0 1 1 0 1 1 0 1 1
6 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1
7 0 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0
8 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1
9 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1

Tabelul 17.6.1. Tabelul 17.6.2.


Diagrama Karnaugh Diagrama Karnaugh
pentru ieşirea a pentru ieşirea b
x0 x1 x0 x1
x2 x3 00 01 11 10 x2 x3 00 01 11 10
00 1 1 1 0 00 1 1 1 1
01 1 * * 1 01 1 * * 1
11 * * * * 11 * * * *
10 0 1 1 1 10 1 0 1 0

©Valeriu Blajã
Decodificatoare 243

Tabelul 17.6.3. Tabelul 17.6.4.


Diagrama Karnaugh Diagrama Karnaugh
pentru ieşirea c pentru ieşirea d
x0 x1 x0 x1
x2 x3 00 01 11 10 x2 x3 00 01 11 10
00 1 0 1 1 00 1 1 1 0
01 1 * * 1 01 1 * * 1
11 * * * * 11 * * * *
10 1 1 1 1 10 0 1 0 1

Tabelul 17.6.5. Tabelul 17.6.6.


Diagrama Karnaugh Diagrama Karnaugh
pentru ieşirea e pentru ieşirea f
x0 x1 x0 x1
x2 x3 00 01 11 10 x2 x3 00 01 11 10
00 1 1 0 0 00 1 0 0 0
01 1 * * 0 01 1 * * 1
11 * * * * 11 * * * *
10 0 1 0 0 10 1 1 0 1

Tabelul 17.6.7.
Diagrama Karnaugh
pentru ieşirea g
x0 x1
x2 x3 00 01 11 10
00 0 1 1 0
01 1 * * 1
11 * * * *
10 1 1 0 1

©Valeriu Blajã
244 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

Grupând în mod convenabil x3 x 2 x 1 x0


câmpurile cu zerouri se obţin
expresiile minimale disjunctive
implementate cu porţi NAND:

( )(
a = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 , ) a

b = (x ⋅ x ⋅ x )⋅ (x
0 1 2 0 ⋅x ⋅x ),
1 2

c = (x ⋅ x ⋅ x ) ,
b
0 1 2

( )( )( )
d = x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x3 ⋅ x0 ⋅ x1 ⋅ x2 ⋅ x0 ⋅ x1 ⋅ x2 , c

(
e = x0 ⋅ x1 ⋅ x 2 , )
( ) ( )
f = x1 ⋅ x2 ⋅ (x0 ⋅ x1 ) ⋅ x0 ⋅ x2 ⋅ x3 ,
d

g = (x ⋅ x ⋅ x )⋅ ( x ⋅ x ⋅ x ).
1 2 3 0 1 2
e
În figura 17.6 este
reprezentată schema logică a
decodificatorului
BCD−7 segmente.
f

Fig.17.6. Decodificator
BCD−7 segmente

©Valeriu Blajã
Decodificatoare 245

17.3.4. Decodificatoare în trepte


Perfecţionarea structurii decodificatoarelor este posibilă prin
reunirea intrărilor în cascadă în decodificatoarele în trepte.
Decodificatoarele în trepte pot fi piramidale sau matriciale. Spre
exemplu, în decodificatorul de adrese piramidal cu trei intrări (vezi
fig.17.7.) funcţiile de ieşire y0, y1, y2, y3, y4, y5, y6, y7 sunt
identice cu cele din decodificatorul liniar, însă aici sunt utilizate
porţi AND cu două intrări. În decodificatoarele mai sofisticate (cu
mai multe funcţii de ieşire) creşte numărul de trepte (cascade).
În decodificatoarele matriciale codul de intrare este divizat în
câteva coduri mai simple, care sunt decodificate în decodificatoare
x2 x1 x0

y0

y1

y2

y3
y4

y5

y6

y7

Fig.17.7. Decodificator de
adresă piramidal cu trei intrări

©Valeriu Blajã
246 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

liniare. Spre exemplu, în fig. 17.8. este reprezentată schema


decodificatorului cu 10 intrări şi, respectiv, 210=1024 ieşiri.

0 0 0 0 0
DC 1 1 DC 1 1 DC 1
x0 1 2 2 2 2 2
3 3 3 3 3
4 4 4 4 4
5 5 5 5 5
x1 2
6 6 6 6 6
7 7 7 7 7
8 8 . . .
x2 4 9 9 . . .
10 10 . . .
11 11 . . .
x3 8 12 12 . . .
13 13 . . .
14 14 . . .
15 15 . . .
. . .
. . .
0 16 . . .
DC 1 17 . . .
x4 1 2 18 . . .
3 19 . . .
4 20 . . .
5 21 . . .
x5 2
6 22 . . .
7 23 . . .
8 24 248 248 .
x6 4 9 25 249 249 .
10 26 250 250 .
11 27 251 251 .
12 28 252 252 .
x7 8
13 253 253 .
29
14 30 254 254 .
15 31 255 255 .
.
.
0 256 .
x8 1 DC 257
1021
1 1022
2 258 1023
1024
x9 2 3 259

Fig.17.8. Decodificator matricial cu 10 intrări


©Valeriu Blajã
Multiplexoare 247

17.4. Multiplexoare
Multiplexoarele sunt circuite logice combinaţionale, care
permit trecerea datelor de la una din cele n intrări la o ieşire unică.
Selectarea intrării se face prin aplicarea cuvântului de cod (de
adresă) de m biţi la intrările de adresă. Între numărul de
intrări informaţionale n (D0, D1,…, Dn-1) şi cel de
adrese m (A0, A1,…, Am-1) există relaţia n=2m.
Pentru fiecare intrare informaţională este rezervat un cod de
adresă. Atunci când pe intrarea de autorizare Enable se aplică
nivelul zero logic E = 0 , multiplexorul selectează intrarea
informaţională, a cărei cod de adresă este aplicat la intrările de
adresă, şi o conectează la ieşirea Q.
În aşa mod formând diferite coduri de adresă pot fi transmise
datele de pe diferite intrări informaţionale la ieşirea Q.

17.4.1. Multiplexorul cu două intrări


Acest circuit permite comutarea
Tabelul 17.7. datelor de pe intrarea x0 (bitul de adresă
a0=0) sau de pe intrarea x1 (bitul de adresă
a0 x 0 x 1 y a0=1) spre borna de ieşire y (Q). În tabelul
E
17.7 este reprezentat tabelul de funcţionare,
1 * * * 0 iar în tabelul 17.8 − diagrama Karnaugh
0 0 0 0 0 pentru multiplexorul cu două intrări.
0 0 0 1 0 Tabelul 17.8.
0 0 1 0 1 x0 x1
0 0 1 1 1 a 00 01 11 10
0 0 0 1 1
0 1 0 0 0
1 0 1 1 0
0 1 0 1 1
Din diagrama Karnaugh rezultă
0 1 1 0 0 forma analitică a funcţiei de ieşire:
0 1 1 1 1 y = E (a 0 x 0 + a 0 x1 ).

©Valeriu Blajã
248 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

Simbolul şi schema logică a circuitului multiplexorului sunt


reprezentate în fig.17.9.

E E E MUX y
Q
a0 a0 A0
x0 y x0 D0
x1 D1
x1

Fig.17.9. Multiplexorul cu două intrări

17.4.2. Multiplexorul cu patru intrări


Acest circuit permite comutarea datelor de la una din cele
patru intrări spre ieşirea unică. Selectarea intrării se realizează prin
intermediul a doi biţi de adresă.
În tabelul 17.9
Tabelul 17.9. este reprezentat tabelul de
Adresă Intrări funcţionare, iar în
fig. 17.10 − simbolul
E a0 a1 x 0 x 1 x 2 x 3 y multiplexorului cu patru
1 * * * * * * 0 intrări.
0 0 0 0 * * * 0 E E MUX
0 0 0 1 * * * 1 y
a0 A0 Q
0 0 1 * 0 * * 0 a1 A1
0 0 1 * 1 * * 1 x0 D0
0 1 0 * * 0 * 0 x1 D1
x2 D2
0 1 0 * * 1 * 1 x3 D3
0 1 1 * * * 0 0
0 1 1 * * * 1 1 Fig.17.10.

©Valeriu Blajã
Multiplexoare 249

Din tabelul de funcţionare rezultă forma analitică a funcţiei de


ieşire:
y = E (a 0 a1 x 0 + a 0 a1 x1 + a 0 a1 x 2 + a 0 a1 x 3 ).
Schema logică a circuitului multiplexorului cu patru intrări
este reprezentată în fig.17.11.

E
a0

a1
x0
x1
x2
x3
y

Fig.17.11. Multiplexorul cu patru intrări

În cazurile de transmitere a datelor cu câţiva biţi se utilizează


conexiunea în paralel a câtorva multiplexoare (pe fiecare bit câte
unul). Extinderea capacităţii de multiplexare (selecţie) se obţine
folosind un număr corespunzător de multiplexoare standard,
validate succesiv prin intermediul unui decodificator, ale căror ieşiri
sunt însumate. În fig 17.12 este exemplificată extinderea capacităţii
de multiplexare a unui multiplexor de la 16 la 48 căi. Se constată că
extinderea capacităţii de selecţie de 4=22 ori necesită 2 linii de
selecţie suplimentare (A4, A5), respectiv un decodificator cu 4=22
linii de ieşire.

©Valeriu Blajã
250 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

0
a4 1 DC
a5 1
2
2
Enable 3
3

E MUX
0
a0 A0
a1 A1 Q0
a2 A2
a3 A3
x0 D0
x1 D1

… …
… …

x14 D14
x15 D15

E MUX
1
A0 Q
A1 Q1
A2
A3
x16 D16
x17 D17

… …
… …

x30 D30
x31 D31

E MUX
2
A0
A1 Q2
A2
A3
x32 D32
x33 Fig.17.12.
… D33

… …


x46 D46
x47 D47
©Valeriu Blajã
Demultiplexoare 251

17.5. Demultiplexoare
Demultiplexoarele sunt circuite logice combinaţionale, care
permit transmiterea datelor de pe o intrare de date comună pe una
din cele n ieşiri selectate. Selectarea ieşirii se face prin aplicarea
cuvântului de cod (de adresă) de m biţi la intrările de selecţie(de
adresă). Între numărul de ieşiri n (Y0, Y1,…, Yn-1) şi cel de adrese m
(A0, A1,…, Am-1) există relaţia n=2m.
Pentru fiecare ieşire este rezervat un cod de adresă. Atunci
când pe intrarea de autorizare Enable se aplică nivelul zero logic
E = 0 , demultiplexorul selectează ieşirea, a cărei cod de adresă este
aplicat la intrările de adresă, şi o conectează la intrarea D.
În aşa mod formând diferite coduri de adresă pot fi transmise
datele pe diferite ieşiri de pe intrarea informaţională D.

17.5.1. Demultiplexorul cu două ieşiri

Acest circuit permite comutarea


Tabelul 17.10. fluxului de date de pe intrarea comună D
(x0) sau spre borna de ieşire Y0 (bitul de
a 0 x 0 y 0 y1 adresă a0=0) sau spre borna de ieşire Y1
E
(bitul de adresă a0=1). În tabelul 17.10 este
1 * * * 0 reprezentat tabelul de funcţionare pentru
0 0 0 0 0 demultiplexorul cu două ieşiri, din care
rezultă forma analitică a funcţiilor de ieşire:
0 0 1 1 0
y0 = E⋅ a0 ⋅ x0,
0 1 0 0 0
y1 = E⋅ a0 ⋅ x0.
0 1 1 0 1

Simbolul şi schema logică a


demultiplexorului cu două ieşiri sunt reprezentate în fig.17.13.

©Valeriu Blajã
252 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

E E DMUX
E
Y0 y0
a0 x0 D
y0
x0
a0 A0 Y1 y1
y1

Fig.17.13. Demultiplexorul cu două ieşiri

17.5.2. Demultiplexorul cu patru ieşiri


Acest circuit permite
comutarea fluxului de date Tabelul 17.11.
de pe intrarea comună D Adresă Ieşiri
(x0) spre una din cele patru E
ieşiri selectate. În tabelul a0 a1 x0 y0 y1 y2 y3
17.11 este reprezentat 1 * * * 0 0 0 0
tabelul de funcţionare
pentru demultiplexorul cu 0 0 0 0 0 0 0 0
patru ieşiri, din care rezultă 0 0 0 1 1 0 0 0
forma analitică a funcţiilor
0 0 1 0 0 0 0 0
de ieşire:
0 0 1 1 0 1 0 0
y0 = E ⋅ a0 ⋅ a1 ⋅ x0 ,
0 1 0 0 0 0 0 0
y1 = E ⋅ a 0 ⋅ a1 ⋅ x 0 ,
0 1 0 1 0 0 1 0
y 2 = E ⋅ a 0 ⋅ a1 ⋅ x 0 ,
0 1 1 0 0 0 0 0
y3 = E ⋅ a0 ⋅ a1 ⋅ x0 .
0 1 1 1 0 0 0 1
Simbolul şi schema logică a demultiplexorului cu patru ieşiri
sunt reprezentate în fig.17.14.

©Valeriu Blajã
Circuite de deplasare a codului 253

y0
E E E DMUX Y0 y0
a0 a0 A0 y1
y1 Y1
a1 A1
a1 Y2 y2
x0 D
y2
Y3 y3
x0

y3

Fig.17.14. Demultiplexorul cu patru ieşiri

17.6. Circuite de deplasare a codului


Procedura de deplasare a codului spre dreapta sau spre stânga
este folosită la executarea diferitelor operaţii matematice cu coduri
numerice. În registrul de deplasare operaţia de deplasare poate fi
executată numai după stocarea completă a codului în registru.
Folosirea multiplexoarelor simplifică mult procedura de deplasare a
codului deoarece nu necesită dispozitivul de comandă folosit la
stocarea datelor în registru.
Să analizăm circuitul logic combinaţional de deplasare a
codului, format din multiplexoare, a cărui schemă este reprezentată
în fig.17.15. trecerea biţilor numărului x3 x2 x1 x0 x-1 x-2 x-3 spre
ieşirile (y3 y2 y1 y0) multiplexoarelor este determinată de biţii
codului de adresă, aplicaţi pe intrările a0 şi a1.
Când a0=a1=0, spre ieşirile multiplexoarelor pătrund biţii
direcţi ai numărului iniţial de la intrare, adică biţii aplicaţi pe
intrările D0 ale multiplexoarelor:
y0=x0, y1=x1, y2=x2, y3=x3.

©Valeriu Blajã
254 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

Când a0=0 şi a1=1 (cod de adresă 01), spre ieşirile


multiplexoarelor se aplică biţii numărului aplicaţi pe intrările D1 ale
multiplexoarelor:
y0=x-1, y1=x0, y2=x1, y3=x2,
Prin urmare, pentru codul de adresă 01 codul numărului este
deplasat spre stânga cu un bit.
Când a0=1 şi a1=0 (cod de adresă 10), spre ieşirile
multiplexoarelor se aplică biţii numărului aplicaţi pe intrările D2 ale
multiplexoarelor:
y0=x-2, y1=x-1, y2=x0, y3=x1,
Prin urmare, pentru codul de adresă 10 codul numărului este
deplasat spre stânga cu doi biţi.
Când a0=1 şi a1=1 (cod de adresă 11), spre ieşirile
multiplexoarelor se aplică biţii numărului aplicaţi pe intrările D3 ale
multiplexoarelor:
y0=x-3, y1=x-2, y2=x-1, y3=x0,
Prin urmare, pentru codul de adresă 11 codul numărului este
deplasat spre stânga cu trei biţi.
Pentru ca să nu aibă loc pierderea informaţiei (biţii superiori)
la deplasarea codului spre stânga este necesar ca în faţa
multiplexorului MUX0 să mai fie conectat încă circuit analogic celui
analizat.

17.7. Comparatoare de cod


Determinarea valorii relative a două numere binare A şi B se
face utilizând circuitul logic combinaţional numit comparator
numeric. Mărimile de intrare ale comparatorului sunt cei n biţi ai
fiecărui din ele două numere, iar cele trei ieşiri au rolul de a indica
care dintre relaţiile A=B, A>B sau A<B, este adevărată.

©Valeriu Blajã
Circuite de deplasare a codului 255

Enable E MUX
0 Q y0
a0 A0 0

a1 A1
x0 D0
x-1 D1
x-2 D2
x-3 D3

E MUX y1
1 Q
A0 1

A1
x1 D0
D1
D2
D3

E MUX y2
2 Q
A0 2

A1
x2 D0
D1
D2
D3

E MUX
3 Q
3
y3
A0
A1
x3 D0
D1
D2
D3

Fig.17.15. Schema circuitului logic combinaţional


de deplasare a codului cu multiplexoare

©Valeriu Blajã
256 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17.7.1. Comparatorul numeric de un bit


Acest circuit permite compararea a două numere de câte un
bit, indicând la ieşire situaţiile de mai mare, egal sau mai mic.
Considerând că A şi B sunt numere cu un singur bit, stabilirea
egalităţii dintre ele se poate face cu o poartă XNOR, care
îndeplineşte funcţia logică COINCIDENŢĂ.
În tabelul 17.12 este
Tabelul 17.12. reprezentat tabelul de funcţionare
Coduri Ieşiri pentru comparatorul numeric de
un bit, din care rezultă forma
A B A>B A=B A<B analitică a funcţiilor de ieşire:
a0 b0 ys ye yi
ys = a0 ⋅ b0 , ye = a0 ⊕ b0 , yi = a0 ⋅ b0 .
0 0 0 1 0 Simbolul şi schema logică a
0 1 0 0 1 comparatorului numeric de un bit
1 0 1 0 0
sunt reprezentate în fig.17.16.
Acest circuit constituie
1 1 0 1 0 celula de bază a comparatorului
pentru numere cu mai mulţi biţi.

ys (A>B) =
A> ys
a0 a0 A0
ye (A=B) A= ye
b0
b0 B0
ys (A<B) A< yi

Fig.17.16. Comparatorul numeric de un bit

17.7.2. Comparatorul numeric de doi biţi


Prin interconectarea a două comparatoare numerice de câte un
bit se poate realiza un comparator numeric de doi biţi, aşa cum este
reprezentat în fig. 17.17.
Cele două numere de doi biţi se scriu astfel:
A=A1⋅21+A0⋅20 , B=B1⋅21+B0⋅20 .

©Valeriu Blajã
Comparatoare de cod 257

Procesul de comparare începe cu compararea biţilor cei mai


semnificativi A1 cu B1. Dacă avem A1 > B1 sau A1 < B1, acest
lucru implică faptul că A > B sau A < B indiferent de valoarea
biţilor inferiori. În logigramă acest lucru se materializează prin
legarea ieşirilor porţilor DD11 şi, respectiv, DD13 direct la intrările
porţilor DD31 şi, respectiv, DD33.
Dacă A1 = B1, pentru determinarea relaţiei dintre numerele A
şi B se impune şi examinarea biţilor A0 şi B0, situaţie în care ieşirea
porţii DD12 asigură deschiderea porţilor DD21 şi DD23.
DD11
DD31
A1 >B1
ys (A>B)
DD12
a1 A1 =B1 DD32
b1 ye (A=B)
A1 <B1 DD33
ys (A<B)
DD13 DD21
A0 >B0 =
a0 A0 ys
A>
a0 A0 =B0 a1 A1
b0 A= ye
DD22
A0 <B0 b0 B0
A< yi
b1 B1
DD23

Fig.17.17. Comparatorul numeric de doi biţi

Dacă avem A0 > B0 sau A0 < B0, rezultă că sunt valabile


relaţiile A > B sau A < B, ceea ce se obţine prin legarea ieşirilor
porţilor DD21 şi, respectiv, DD23 la intrările porţilor DD31 şi,
respectiv, DD33. În cazul în care pentru A1 = B1 şi A0 = B0
rezultă că cele două numere sunt egale A=B şi se activează
ieşirea porţii DD32.
În baza celor expuse mai sus prin interconectarea mai multor
comparatoare de doi biţi se pot realiza comparatoare numerice de
mai mulţi biţi.
©Valeriu Blajã
258 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17.8. Sumatoare
Operaţia fundamentală efectuată de calculatoare şi sisteme cu
microprocesoare este adunarea. Operaţia de scădere se reduce la
adunarea primului termen (al descăzutului) cu complementul (în
binar) al celui de al doilea termen (al scăzătorului). Înmulţirea se
face prin adunări succesive, iar împărţirea prin scăderi succesive.
Orice problemă sau operaţie matematică mai complexă se poate
reduce(printr-o programare adecvată) la cele patru operaţii
fundamentale, deci în ultimă instanţă la adunare. Iată de ce blocul,
care efectuază adunarea în sistemele digitale, aşa-numitul sumator,
reprezintă unul din blocurile cele mai importante ale unităţii de
calcul aritmetic şi logic (ALU).
Conform sistemului de numeraţie şi codificare folosit în
sistemul cu microprocesor sumatoarele sunt clasificate în
sumatoare:
9 binare,
9 zecimale,
9 binar-zecimale.
Conform sistemului de organizare a procedurii de adunare
sumatoarele sunt clasificate în sumatoare:
9 combinaţionale − în care rezultatul nu este memorizat,
9 acumulatoare − în care rezultatul este memorizat.
Conform metodei de efectuare a operaţiei de adunare
sumatoarele sunt clasificate în sumatoare:
9 serie,
9 paralel,
9 paralel-serie.
În sumatoarele serie operaţia de adunare este efectuată
consecutiv începând de la biţii inferiori (LSB) spre biţii superiori
(MSB), iar în sumatoarele paralel adunarea se face concomitent pe
toţi biţii. În sumatoarele paralel-serie numerele sunt divizate în
grupe de biţi în care adunarea se face paralel, iar sumele parţiale
sunt adunate în serie.

©Valeriu Blajã
Sumatoare 259

17.8.1. Semisumatorul elementar


Cel mai simplu sumator este semisumatorul elementar, care
realizează suma cifrelor de pe ultima poziţie (rang 0) a două numere
binare. Deoarece în acest sumator nu se ţine cont de transportul din
bitul inferior, el este numit semisumator. Deoarece la adunarea a
două numere egale cu unitate se formează unitatea de transport spre
bitul superior, sumatorul are două ieşiri: pe ieşirea S0 este formată
suma parţială (pe bitul 0) şi pe ieşirea P1 este format transportul
către bitul superior. În tabelul 17.13 este reprezentat tabelul de
funcţionare pentru semisumatorul elementar, din care rezultă forma
analitică a funcţiilor de ieşire:
S0 = a0 ⋅ b0 + a0 ⋅ b0 = a0 ⊕ b0 ,

Tabelul 17.13.
P1 = a0 ⋅b0.
Din aceste expresii rezultă, că
a0 b0 S0 P1 transportul este format în poartă logică
0 0 0 0 AND, iar suma parţială este formată în
poarta logică XOR.
0 1 1 0
Simbolul şi schema logică a
1 0 1 0 semisumatorului elementar sunt
1 1 0 1 reprezentate în fig.17.18.

a0 SM S0
S0 a0 S
b0

P1 b0 P1
P

Fig.17.18. Semisumatorul elementar

©Valeriu Blajã
260 CIRCUITE LOGICE COMBINAŢIONALE

17.8.2. Sumatorul elementar


Pentru sumarea a două numere binare de mai mulţi biţi se
adună succesiv biţii de acelaşi rang, adăugând şi transportul rezultat
din operaţia de adunare precedentă, conform următoarei proceduri:

rangul n rangul n-1 … rangul 1 rangul 0


an an-1 … a1 a0
bn bn-1 … b1 b0
tn tn-1 … t1 −
Sn Pn Sn-1 Pn-1 … P2 S1 P1 S0

Prin urmare, structura sumatorului este repetitivă: pentru


fiecare rang se poate folosi o celulă elementară. Această celulă
elementară poartă numele de sumator complet. Ţinând cont de
transportul din rangul precedent sumatorul complet are trei semnale
de intrare: câte una pentru biţii numerelor adunate şi una pentru
transportul din rangul precedent. Sumarea va fi deci realizată prin
conectarea în cascadă a celulelor
elementare. În tabelul 17.14 este Tabelul 17.14.
prezentată corespondenţa între Intrări Ieşiri
semnalele unui sumator elementar ai b i P i S i Pi+1
pentru două cifre de pe poziţia i (ai şi 0 0 0 0 0
0 1 0 1 0
bi) şi care furnizează la ieşire suma
1 0 0 1 0
lor (Si) şi transportul către rangul
1 1 0 0 1
superior (Pi+1), în funcţie de
0 0 1 1 0
transportul de la rangul inferior (Pi), 0 1 1 0 1
din care rezultă forma analitică a 1 0 1 0 1
funcţiilor de ieşire: 1 1 1 1 1
S i = ai ⊕ bi ⊕ Pi ,
Pi +1 = ai ⋅ bi + (ai ⊕ bi ) ⋅ Pi .
Simbolul şi schema logică a sumatorului elementar sunt
reprezentate în fig.17.19.

©Valeriu Blajã
Sumatoare 261

Pi Si ai SM S Si

ai bi
bi Pi P Pi+1
Pi+1

Fig.17.19. Sumatorul elementar

Adunarea a două numere


de n biţi necesită sumatoare a0 SM S S0
complete, transportul considerat b0
la sumarea biţilor cei mai puţin
P P1
semnificativi fiind “0”, iar
fiecare transport rezultat în urma
unei sumări aplicându-se biţilor
cu ponderea imediat superioară, a1 SM S S1
ca în figura 17.20.
b1
Dacă pentru bitul inferior
este folosit tot sumator complet, P1 P P2
apare posibilitatea creşterii
numărului de biţi ai sumatorului.
Dezavantajul sumatorului a2 SM S S2
analizat cu transport succesiv îl
constituie viteza mică de b2
efectuare a operaţiei de adunare, P2 P P3
care scade odată cu creşterea
numărului de biţi sumaţi.
an SM S Sn

bn
Pn P Pn+1

Fig. 17.20
©Valeriu Blajã
262 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE

18. CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE


18.1. Noţiuni generale
Circuitul logic secvenţial (CLS) constituie modelul fizic al
automatelor finite cu memorie. Existenţa memoriei la aceste
automate face ca evoluţia lor în timp să nu fie bine definită prin
stările succesive în care se pot afla. Ca urmare, semnalele la ieşirea
unui CLS vor fi funcţii, atât de semnalele aplicate la intrare la un
anumit moment, cât şi de semnalele aplicate la momente de timp
anterioare. Astfel, spre deosebire de circuitele combinaţionale,
existenţa stărilor interne face ca timpul să intervină explicit în
funcţionarea circuitelor secvenţiale de comandă.
Schema bloc a unui CLS poate fi reprezentată ca în figura 18.1.
Sunt evidenţiate partea x1 q1
combinaţională C, care x 2 q2
asigură funcţiile de transfer x qm
f(s,x) şi de ieşire g(s,x) şi z
n
C y
partea de memorie M, care z12 y2
1

determină stările
zk yk
circuitului. În cazul
sistemului binar, evident,
atât variabilele, cât şi M
funcţiile caracteristice ale
CLS căpăta una din două Fig.18.1.Schema bloc a CLS
valori: zero logic („0”) sau
unu logic („1”).
În structura CLS, prezentată în fig.4.1 deosebim:
x1, x2,…, xn – semnale de intrare (semnale primare);
y1, y2,…, yk – semnale de excitaţie (de intrare) a memoriei;
z1, z2,…, zk – semnale secundare de stare (semnale de ieşire a
circuitului de memorie);
q1, q2,…, qm – semnale de ieşire.
Stările circuitului logic secvenţial la momentul de timp t sunt
definite prin mulţimea semnalelor secundare de stare, iar la
momentul t+1 de semnalele secundare de excitaţie a memoriei.
©Valeriu Blajã
Noţiuni generale 263

Funcţionarea CLS poate fi descrisă prin următoarele relaţii


între semnalele de intrare, starea curentă, starea viitoare şi
semnalele de ieşire:
q1=g1(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),
q2=g2(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),
---------------------------------------------
--------------------------------------------- (18.1)
-----------------------------------------------
qm=gm(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),

y1=f1(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),


y2=f2(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),
---------------------------------------------
--------------------------------------------- (18.2)
-----------------------------------------------
yk=fk(x1, x2,…, xn, z1, z2,…, zk),
Conform modului de funcţionare, circuitele logice secvenţiale
se pot împărţi în două clase mari:
‰ CLS asincrone,
‰ CLS sincrone.
În circuitele secvenţiale asincrone procesele de comutare au
loc în momente arbitrare de timp. Elementele cu rol de memorie
trebuie să reţină semnalele aplicate lor un timp relativ scurt,
corespunzător intervalului de timp dintre două comutări succesive
ale elementelor combinaţionale.
În circuitele secvenţiale sincrone procesele de comutare sunt
declanşate la momente de timp bine determinate, denumite tacte,
marcate prin impulsuri furnizate de un generator de tact sau de
sincronizare. Aceste circuite folosesc ca elemente de memorie
circuite basculante bistabile sincrone, deoarece elementele de
memorie trebuie să reţină semnalele aplicate un interval lung de
timp, egal cu cel puţin intervalul dintre două tacte.
Circuitele asincrone sunt mai simple, dar prezintă
dezavantajul, că pot să apară fenomene de concurs (hazard) între
semnalele secundare. Circuitele sincrone au un cost mai ridicat, dar
elimină complet fenomenele de concurs.

©Valeriu Blajã
264 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
18.2. Circuite basculante bistabile
Circuitul, care are două stări stabile distincte, iar trecerea dintr-o
stare în alta are loc rapid prin procese basculante amorsate de semnale de
comandă, aplicate din exterior, se numeşte circuit basculant bistabil
(CBB sau bistabil). Într-un proces de basculare se produce o variaţie
rapidă a mărimilor electrice (tensiune sau curent), datorită unei bucle de
reacţie pozitivă. Procesul de basculare este un proces cumulativ care,
odată amorsat, se dezvoltă în avalanşă. Prin urmare, semnalul de
comandă determină intervalele de timp între treptele tensiunii de ieşire.
Celor două nivele de tensiune la ieşirea bistabilului pot fi atribuite
codurile „0” şi „1”. Caracteristica principală este că bistabilul poate
folosit ca celulă de memorie.
După criteriul posibilităţilor funcţionale deosebesc bistabile: RS,
D, T, JK, iar în funcţie de modul de comandă: asincrone şi sincrone.
Bistabilele asincrone au numai intrări informaţionale şi pot fi
folosite ca comutatoare, numărătoare de impulsuri, divizoare de
frecvenţă. Bistabilele sincrone au şi intrare de comandă (de tact)
Clock (C), iar informaţia la intrări este analizată numai în prezenţa
impulsului de comandă la intrarea de tact C. Bistabilele sincrone pot
avea şi intrări informaţionale asincrone pentru stabilirea bistabilului în
starea iniţială. În tehnica de calcul, de regulă, sunt folosite CBB sincrone.
Bistabilele pot fi comandate, atât prin aplicarea unui anumit nivel de
tensiune la intrare, cât şi prin aplicarea unei anumite trepte de tensiune.
În primul caz avem bistabil cu comandă statică, iar în cazul doi − bistabil
cu comandă dinamică.
Pe simbolul bistabilului (vezi fig.18.2.a) intrările informaţionale
sunt indicate prin litera respectivă, iar ieşirea inversă Q , spre deosebire
de cea directă Q, este simbolizată printr-un inel (de negaţie). Starea
bistabilului este apreciată după starea ieşirii directe. Intrarea dinamică
directă, care provoacă bascularea bistabilului la treaptă pozitivă
(semnalul de intrare se schimbă de la „0” la „1”) este simbolizată
printr-un triunghi orientat spre înăuntru (vezi fig.18.2.b), iar intrarea
dinamică inversă, care provoacă bascularea bistabilului la treaptă
negativă (semnalul de intrare se schimbă de la „1” la „0”) − printr-un
triunghi orientat invers (vezi fig. 18.2.c).
©Valeriu Blajã
Circuite basculante bistabile 265
Q Q Q
S T T T
Q Q Q
R
a b c
Fig. 18.2. Simbolul bistabilului

Structura unică a A S' Q


circuitelor basculate bistabile B
CC R' T
poate fi reprezentată ca în
V Q
fig.18.3. Bistabilul poate avea
câteva intrări, pot fi deosebite C
prin modul de aplicare a S
informaţiei de intrare. Pentru R Fig. 18.3.
convertizarea informaţiei de
intrare în combinaţia necesară
de semnale logice CBB este completat cu un circuit de comandă CC.
Acest circuit permite lărgirea posibilităţilor funcţionale ale
bistabilului. Semnalele de intrare A, B, V, C, S şi R sunt determinate
de tipul funcţional al CBB şi pot fi divizate în: informaţionale
(logice) şi de comandă. Intrările informaţionale, spre deosebire de
cele de comandă, sunt obligatorii şi pot fi:
S – instalarea CBB în starea „1”,
R – instalarea CBB în starea „0”,
J – instalarea CBB JK în starea „1”,
K – instalarea CBB JK în starea „0”,
D – bascularea CBB D,
T – bascularea CBB T.
Intrările de comandă pot fi:
C – intrare de tact,
V – intrare de autorizare.
Bistabilele pot avea intrări reunite în grupe prin operaţii logice
AND sau OR. Pe simbolul CBB intrările grupate cu operaţia AND
sunt indicate cu simbolul &, iar intrările grupate cu operaţia OR nu
sunt menţionate special.
©Valeriu Blajã
266 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
18.2.1. Circuite basculante bistabile RS asincrone
Denumirea circuitelor provine de la iniţialele cuvintelor engleze
set - a stabili şi reset - a restabili, care indică funcţia, realizată de intrările
respective S şi R. Bistabilul are două intrări informaţionale R şi S, pe
care sunt posibile patru combinaţii de semnal logic. Acestor combinaţii
le corespund anumite semnale la ieşirile Q şi Q , care sunt reprezentate
în tabelul de adevăr (vezi tabelul 18.1). În acest tabel tn este momentul de
timp, în care se aplică combinaţia respectivă, iar tn+1 este momentul, în
care s-a stabilit semnalul corespunzător la ieşirea bistabilului.
Din tabel observăm, că aplicarea nivelului
Tabelul 18.1. „1” la intrarea S stabileşte bistabilul în starea „1”,
tn tn+1 iar aplicarea nivelului „1” la intrarea R restabileşte
S R Q Q CBB în starea „0”. Combinaţia R=0 şi S=0 nu
schimbă starea bistabilului, iar combinaţia R=1 şi
1 0 1 0 S=1 este interzisă, deoarece starea bistabilului în
0 1 0 1 momentul, ce urmează, va fi nedeterminată şi în
0 0 Qn tabelul de adevăr este indicată prin X.
1 1 X În fig.18.4 sunt reprezentate schemele şi
simbolurile a două bistabile RS asincrone cu porţi NOR (a, b) şi
NAND (c, d). Ultimul bistabil este cu intrări complementare: aplicarea
nivelului „0” la intrarea S stabileşte bistabilul în starea „1”, iar
aplicarea nivelului „0” la intrarea R restabileşte CBB în starea „0”;
combinaţia R=0 şi S=0 este neutră, iar combinaţia R=1 şi S=1 este
interzisă. Prin punerea în faţă a câte un invertor circuitul se transformă
în bistabil cu intrări directe.
R S Q
Q Q Q
S T S T
Q Q
R Q R
S R
b c
a d
Fig. 18.4. Bistabile RS asincrone

©Valeriu Blajã
Circuite basculante bistabile 267

18.2.2. Circuite basculante bistabile RS sincrone


În circuitul bistabilului RS sincron (vezi fig.18.5.b) sunt
introduse la intrarea fiecărui braţ câte o poartă NAND cu câte două
intrări, care unite formează intrarea Clock (C). Diagramele
temporale sunt reprezentate în fig.18.5.c. Celula de memorie este
formată din porţile DD21 şi DD22, iar porţile DD11 şi DD12 formează
circuitul de comandă. Intrarea de tact C este legată de intrările
informaţionale prin funcţii NAND. Prin urmare, informaţia este
transmisă în bistabil numai în condiţia C=1. Bistabilul este setat prin
semnalele asincrone S şi R , iar pe porţile DD11 şi DD12 este
realizată inversia încât intrările CBB sunt directe.
Să analizăm funcţionarea CBB RS sincron. În cazul Q=1, dacă
S=1, R=0 şi C=0 porţile DD11 şi DD12 sunt blocate – S = 1 şi R = 1 .
Această combinaţie a semnalelor interne asincrone este neutră şi
bistabilul îşi păstrează starea precedentă. Starea nu se va schimbă
pentru orice alte combinaţii atâta timp cât C=0. Când se aplică
impuls de tact (C=1), semnalele informaţionale pot străpunge porţile
DD11 şi DD12 şi în forma sa complementară şi în rest funcţionarea
CBB sincron este analogică celui asincron.

Q C
S T
C a S t
Q
R

DD11 DD21 R t
S
Q
t
C Q
Q
R
c t
DD12 DD22 b
Fig. 18.5. Bistabil RS sincron: a −simbol,
b −schema cu porţi NAND, c −diagrame temporale
©Valeriu Blajã
268 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
18.2.3. Circuite basculante bistabile de tip D
Denumirea circuitului provine de la cuvântul englez delay –
reţinere. Circuitele bistabile de tip D au o singură intrare informaţională
− D. Nivelul de tensiune la ieşire corespunde nivelului de tensiune la
intrarea D, dar cu o întârziere în timp. Circuitele bistabile D pot fi
sincrone şi asincrone.
Mai frecvent sunt folosite bistabilele D cu o intrare
informaţională D şi una de tact C, formate în baza porţilor logice
NAND (vezi fig. 18.6). Aici bascularea bistabilului are loc la aplicarea
impulsului de tact (Clock). Porţile DD11 şi DD12 formează circuitul de
comandă, iar porţile DD21 şi DD22 – celula de memorie. În lipsa
impulsului de tact (C=0) porţile DD11 şi DD12 sunt blocate şi la ieşirea
bistabilului se păstrează starea precedentă ("1" sau "0"). În acest caz
semnalul de comandă, aplicat la intrarea D, nu schimbă starea
bistabilului. Dacă la intrarea C se aplică impulsul de tact, semnalul de
la ieşirea bistabilului va repeta valoarea semnalului de la intrarea D.
Bistabilele D sunt folosite ca elemente de memorie în registre,
numărătoare etc.
Q
D T
Q a C
C
D t
DD11 DD21
D
Q
Q t

Q t
C
DD12 DD22 b c

Fig. 18.6. Bistabil D sincron: a −simbol,


b −schema cu porţi NAND, c −diagrame temporale

©Valeriu Blajã
Circuite basculante bistabile 269
18.2.4. Circuite basculante bistabile de tip JK asincrone
Circuite basculante bistabile de tip JK constituie o variantă
îmbunătăţită şi mai complexă a CBB de tip RS, în care este exclusă starea
interzisă la intrare. Rolul intrării S îl joacă intrarea J, iar rolul intrării R –
intrarea K. Aplicarea simultană a impulsurilor pe J şi pe K determină
bascularea circuitului în starea complementară celei în care se afla
anterior.
Spre exemplu, în fig.18.7 sunt reprezentate simbolul şi schema unui
bistabil JK asincron. Porţile DD31 şi DD32 formează celula de memorie,
care reprezintă un bistabil RS asincron. Porţile DD11 şi DD12 formează
circuitul de comandă, iar elementele DD21 şi DD22 sunt elemente de
întârziere. Prezenţa buclelor de reacţie aduce la faptul, că starea CBB
depinde nu numai de semnalul de la intrările bistabilului, dar şi de
semnalul de la ieşiri.
Dacă la intrări se aplică „0” (J=K=0), indiferent de starea ieşirilor Q şi
Q , la ieşirile porţilor DD11 şi DD12 va fi starea „1” şi se va păstra
informaţia memorizată în celula de memorie.
În cazul J=1 şi K=0 la ieşirea porţii DD12 se păstrează „1”, iar la ieşirea
porţii DD11 semnalul depinde de starea celulei de memorie:
9 în cazul Q=1 şi Q =0 la ieşirea DD11 va fi „1” şi starea celulei
de memorie nu se va schimba;
9 iar în cazul Q=0 şi Q =1 la ieşirea DD11 va fi „0” şi la ieşirile
bistabilului vom avea Q=1 şi Q =0.

DD11 DD21 DD31


Q
J T J Q
Q
K
K Q
a
DD12 DD22 DD32 b

Fig. 18.7. Bistabil JK asincron: a −simbol,


b −schema cu porţi NAND ©Valeriu Blajã
270 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
În mod analogic pentru combinaţia J=0 şi K=1 în celula de
memorie se confirmă starea zero, dacă ea a existat deja (Q=0 şi
Q =1), şi se memorează zero, dacă starea precedentă a fost unitate
(Q=1 şi Q =0).
Să analizăm cazul J=K=1 şi Q=1 ( Q =0). La ieşirea porţii
DD12 se formează „0” şi la ieşirea CBB se stabileşte Q=0 ( Q =1).
În cazul J=K=1 şi Q=0 ( Q =1) la ieşirea porţii DD11 se
formează „0” şi la ieşirea bistabilului se stabileşte Q=1 ( Q =1).
Prin urmare, indiferent de starea precedentă a circuitului
basculant bistabil JK, la aplicarea a două unităţi la intrările J şi K
CBB basculează în starea inversă.
Elementele de întârziere DD21 şi DD22 servesc pentru reţinerea
în timp a momentului apariţiei semnalului de reacţie de la ieşirile
bistabilului la intrările porţilor DD11 şi DD12 până la sfârşitul
impulsurilor de intrare, adică până la momentul, când J=K=0. În
lipsa elementelor de întârziere CBB ar bascula permanent dintr-o
stare în alta (regim astabil).
Prin urmare, semnalele de intrare
trebuie să fie de scurtă durată, iar bistabilul
Tabelul 18.2. are intrări dinamice (vezi simbolul în
tn tn+1 fig.18.7.a).
Succint funcţionarea bistabilului
J K Q Q analizat poate fi reprezentată în tabelul de
1 0 1 0 adevăr (vezi tabelul 18.2).
0 1 0 1 Bistabilul JK asincron n-a găsit
0 0 Qn aplicare în practică, deoarece elementele de
1 1 Qn întârziere necesită o tehnologie sofisticată,
şi, de regulă, sunt folosite bistabile JK,
formate în două trepte – cu structura de tip
master-slave.

©Valeriu Blajã
Circuite basculante bistabile 271
18.2.5. CBB de tip JK cu structură master-slave
Aceste bistabile au structura formată din două trepte, ele sunt
numite master-slave (stăpân-sclav). Bistabilul JK cu structură MS
este format din două bistabile conectate în serie, după cum este
reprezentată în figura 18.8:
™ bistabil RS sincron la intrare T1 − prima treaptă (master),
™ bistabil RS sincron T2 − a două treaptă (slave),
™ invertor NOT – DD1.
M S
Q Q
& T1 S T2 J TT
J S
C C C
R Q Q
K
& R K

C a b
DD1
Fig. 18.8. Bistabil JK – M-S: a − schema, b − simbol
Stocarea informaţiei are loc în bistabilul T1 odată cu aplicarea
impulsului de tact (C=1). După dispariţia semnalului de tact C=0
informaţia este transmisă din bistabilul T1 în bistabilul T2. Prin
urmare, întârzierea transmiterii informaţiei dintr-un bistabil în
altul (din T1 în T2) este determinată de durata impulsului, aplicat la
intrarea de tact C. În rest funcţionarea corespunde cu cazul
bistabilului JK asincron.
Bistabilele JK sunt universale, deoarece prin combinaţii
simple pot fi formate bistabile de tip RS, D, T. Spre exemplu, prin
ataşarea unui invertor poate fi format bistabil D (vezi fig.18.9).
Când D=0 şi C=0, vom avea J=0 şi K=1. Prin urmare, impulsul de
tact C=1 va aduce la bascularea CBB în (spre) starea Q=0 şi Q =1.
Dacă D=1 (J=0 şi K=1), aplicarea impulsului de tact C=1 va
aduce la bascularea bistabilului în (spre) starea Q=1 şi Q =0.
Folosind intrările celulei de memorie din bistabilul T2 vom
avea un bistabil RS asincron (vezi fig.18.10).
©Valeriu Blajã
272 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
Q
Q S TT
D J TT J
C
C C K Q
Q
K R

Fig. 18.9. Bistabil D Fig. 18.10. Bistabil RS


pe baza bistabilului JK asincron

18.2.6. Circuite basculante bistabile de tip T


Circuitele basculante bistabile de tip T au o singură intrare de
date (informaţională) şi o intrare de tact, care în regim asincron
poate lipsi. Dacă intrarea de date este pe nivel „0”, ieşirea CBB îşi
păstrează starea precedentă, iar dacă intrarea de date este pe nivel
„1” starea CBB se schimbă. Prin urmare, bistabilul de tip T îşi
schimbă starea la fiecare impuls aplicat la intrarea T. Aceste
bistabile nu se produc atare, deoarece pot fi uşor căpătate prin
conversia altor bistabile (RS, JK sau D).
În fig.18.11 este
reprezentată conversia Q
a două bistabile de tip S T1 S T2
RS într-un CBB de tip C C
Q
T. Dacă Q=1 ( Q =0) şi R R
se aplică S=1 (R=0),
odată cu impulsul de T
tact (C=1) bistabilul DD1
RS T1 se stabileşte în
starea „1” şi după acest Fig.18.11. Bistabile RS – în T
impuls de tact al
doilea bistabil RS T2 se stabileşte în starea „1”. La aplicarea
impulsului de tact următor are loc bascularea primului bistabil RS
în starea „0”, iar după acest impuls bistabilul T2 basculează în
starea „0”. În acest mod bistabilul T basculează la fiecare impuls de
tact.
©Valeriu Blajã
Numărătoare de impulsuri 273
În fig.18.12 este reprezentată conversia bistabilelor de tip JK
sau de tip D în CBB de tip T :
¾ bistabil T asincron în baza unui bistabil JK − fig.18.12.a,
¾ bistabil T sincron în baza unui bistabil JK − fig.18.12.b,
¾ bistabil T în baza unui bistabil D cu comandă dinamică −
fig.18.12.c.
„1” J TT Q T J TT Q D TT Q

T C C C
Q Q T Q
K K C

a b c
Fig. 18.12. Conversia bistabilelor JK şi D în T

18.3. Numărătoare de impulsuri


Numărătoarele de impulsuri sunt circuite digitale, care
permit stabilirea numărului de impulsuri, aplicate la intrarea lor
şi care menţin acest număr în absenţa aplicării unor alte
impulsuri la intrare.
Numărătoarele de impulsuri sunt folosite pentru divizarea
frecvenţei, analiza numerică a unui anumit proces ş. a.
Numărătoarele sunt folosite în echipamente de măsurări şi de
prelucrare digitală a informaţiei. De exemplu, în circuite de
achiziţie de date. În tehnica de calcul numărătoarele servesc
pentru formarea adreselor, numărarea ciclurilor în realizarea
programei, numărarea paşilor la efectuarea operaţiilor de
înmulţire şi împărţire.
Numărătoarele sunt formate din bistabile. Fiecărui bistabil
component îi corespunde un rang adică un bit.
Parametri principali ai numărătoarelor de impulsuri sunt:
1. N - modulul de numărare este numărul maximal de
impulsuri, care poate fi numărat de acest numărător şi
depinde de numărul de biţi ai numărătorului.
2. Frecvenţa maximă a impulsurilor, la care numărătorul
funcţionează fără pierdere de informaţie.
©Valeriu Blajã
274 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
Toată varietatea de numărătoare poate fi clasificată în modul
următor:
¾ Numărătoarele pot fi
♦ simple (unidirecţionale) sau
♦ reversibile (bidirecţionale).
♦ Numărătoarele simple la rândul lor pot fi:
• directe (cu adunare),
• inverse (cu scădere).
♦ Numărătoarele reversibile pot funcţiona în
ambele regimuri: cu adunare sau cu
scădere.
¾ În funcţie de modul de comandă numărătoarele pot fi
♦ asincrone,
♦ sincrone.
¾ În funcţie de valoarea modulului de numărare deosebesc
numărătoare
♦ binare,
♦ abinare.
¾ În funcţie de modul, în care este realizat transportul
informaţiei între bistabile deosebesc numărătoare
♦ cu transport succesiv ,
♦ cu transport paralel,
♦ cu transport paralel-serie.
18.3.1. Numărător binar direct cu 4 biţi
cu transport succesiv
Prin interconectarea mai multor bistabile de tip T în care
legăm ieşirea Q a unui bistabil cu intrarea de tact a următorului,
obţinem schema unui numărător binar asincron direct.
Numărătorul binar asincron funcţionează sub comanda unei serii de
N impulsuri, care sunt înscrise treptat în numărător sub forma unor
combinaţii de cod echivalente numerelor. Numărarea are loc în cod
binar.
În fig.18.13 este reprezentată schema (a) şi simbolul (b) unui
numărător binar direct cu patru biţi cu transport succesiv, format în

©Valeriu Blajã
Numărătoare de impulsuri 275
baza bistabilelor de tip JK (T), iar în fig.18.14 prin diagramele
temporale este explicată funcţionarea acestui numărător.
Iniţial are loc anularea tuturor bistabilelor prin aplicarea unui
impuls pe intrările asincrone R . Impulsul, aplicat la intrarea T a
bistabilului, îi schimbă starea în inversă. Impulsurile de ieşire ale
bistabilului precedent sunt impulsuri de intrare pentru bistabilul
„1 Q0 Q1 Q2 Q3

S TT0 S TT1 S TT2 S TT3
Intrare J J J J
C C C C
K K K K
R R R R

Anulare Q0
a CT 1
Q1
2
Fig. 18.13. Numărător binar direct
cu transport succesiv Q2
cu patru biţi: 4
a – schema, b – simbolul Q3
8
R b
R
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 t
Intrare
t
Q0
t
Q1

Q2 t

t
Q3

Fig. 18. 14. Diagrame temporale în


numărător binar direct asincron cu 4 biţi
©Valeriu Blajã
276 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
următor. În aşa mod:
După primul impuls bistabilul TT0 se stabileşte în starea „1”,
iar restul bistabilelor rămân în fără modificări de stare;
După al doilea impuls bistabilul TT0 se stabileşte în starea
„0”, bistabilul TT1 se stabileşte în starea „1”, iar restul bistabilelor
rămân în fără modificări de stare;
După al treilea impuls bistabilul TT0 se stabileşte în starea
„1”, iar restul bistabilelor rămân în fără modificări de stare;
După al patrulea impuls bistabilul TT0 se stabileşte în starea
„0”, bistabilul TT1 se stabileşte în starea „0”, bistabilul TT2 se
stabileşte în starea „1”, iar bistabilul TT3 rămâne în fără modificări
Tabelul 18.3. de stare; etc.
m Q3 Q2 Q1 Q0 Prin urmare:
0 0 0 0 0 9 bistabilul TT0 îşi schimbă starea
1 0 0 0 1 după fiecare impuls,
2 0 0 1 0 9 bistabilul TT1 îşi schimbă starea
3 0 0 1 1 după fiecare al doilea impuls,
4 0 1 0 0 9 bistabilul TT2 îşi schimbă starea
5 0 1 0 1 după fiecare al patrulea impuls,
6 0 1 1 0 9 bistabilul TT3 îşi schimbă starea
7 0 1 1 1 după fiecare al optălea impuls;
8 1 0 0 0 şi frecvenţa impulsurilor la ieşirea
9 1 0 0 1 fiecărui bistabil este de două ori mai
10 1 0 1 0 mică ca la intrarea sa.
11 1 0 1 1 Să analizăm tabelul de
12 1 1 0 0 comutaţii al numărătorului (vezi
13 1 1 0 1 tabelul 18.3), unde m este numărul de
14 1 1 1 0 impulsuri, aplicate la intrare. Din
15 1 1 1 1 tabel vedem, că la ieşirile bistabilelor
16 0 0 0 0 (Q0, Q1, Q2, Q3) vom avea numărul de
impulsuri, aplicate la intrare,
reprezentat în cod binar:
¾ la ieşirea Q0 avem reprezentat bitul 0, adică LSB,
¾ la ieşirea Q1 avem reprezentat bitul 1,
¾ la ieşirea Q2 avem reprezentat bitul 2,
¾ la ieşirea Q3 avem reprezentat bitul 3, adică MSB.

©Valeriu Blajã
Numărătoare de impulsuri 277
După al şaisprezecelea impuls toate bistabilele revin în starea
zero – modulul de numărare a acestui numărător este 16.
Dezavantajul numărătoarelor cu transport succesiv îl
constituie timpul mare de întârziere, cauzat de faptul că codul de
ieşire este stabilit cu o întârziere determinată de timpul sumar de
propagare a impulsurilor prin toate bistabilele consecutiv:
tî = tî0+ tî1+ tî2+ tî3+…
Dacă tî va depăşi valoarea pauzei impulsurilor de intrare, vor
apărea discontinuităţi (adică greşeli) în procesul de numărare. Acest
fenomen este principala condiţie de limitare de sus a frecvenţei
impulsurilor de intrare.
18.3.2. Numărător binar invers cu transport succesiv cu 4 biţi
„1”
Q0 Q1 Q2 Q3

S TT0 S TT1 S TT2 S TT3


Intrare J J J J
C C C C
K K K K
R R R R

Fig. 18.15. Numărător binar invers cu transport succesiv cu patru biţi

S
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 t
Intrare
t
Q0

t
Q1

Q2 t

t
Q3

Fig. 18. 16. Diagrame temporale în numărător binar invers

©Valeriu Blajã
278 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
Tabelul 18.4. În acest caz impulsul iniţial,
m Q3 Q2 Q1 Q0 aplica t la intrarea S, stabileşte în
0 1 1 1 1 numărător codul maximal, după care
1 1 1 1 0 fiecare impuls de tact micşorează
2 1 1 0 1 codul cu o unitate. Bascularea
3 1 1 0 0 bistabilului din bitul următor are loc
4 1 0 1 1
după bascularea bistabilului precedent
5 1 0 1 0
6 1 0 0 1 (la ieşirea sa directă) din „0” în „1”.
7 1 0 0 0 Pentru a realiza circuitul unui
8 0 1 1 1 numărător cu scădere intrarea de tact a
9 0 1 1 0 bistabilului următor este conectată la
10 0 1 0 1 ieşirea inversă a bistabilului precedent.
11 0 1 0 0 În fig.18.15 este reprezentată
12 0 0 1 1 schema unui numărător binar asincron
13 0 0 1 0
cu patru biţi cu transport succesiv cu
14 0 0 0 1
15 0 0 0 0 scădere, format în baza bistabilelor de
16 1 1 1 1 tip JK (T), iar în fig.18.16 prin
diagramele temporale este explicată
funcţionarea acestui numărător. Tabelul de comutaţii al numărătorului
binar invers asincron cu patru biţi este reprezentat în tabelul 18.4. După
al şaisprezecelea impuls toate bistabilele revin în starea „1”.
Numărătoarele reversibile au două intrări de tact T(+) şi T(−)
(vezi simbolul în fig.18.17). Dacă impulsurile Q0
de intrare vor fi aplicate la intrarea +1 se va CT
R
efectua numărarea directă, iar dacă 1 Q0
impulsurile vor fi aplicate la intrarea -1 se va Q1
efectua numărarea inversă. Intrările de C 2 Q1
instalare iniţială sunt R şi S , respectiv. Spre Q2
exemplu, dacă la intrările fiecărui bit +1
(bistabil) ale unui numărător asincron (cu 4 Q2
transport succesiv) se va forma un circuit de − 1
Q3
comandă, care va comuta intrările de la 8 Q
ieşirile directe la cele inverse ale bistabilelor S 3
precedente, se va căpăta un numărător
reversibil (bidirecţional). Circuitul de Fig. 18.17. Numărător
comandă poate fi format din două porţi binar reversibil
NAND. cu 4 biţi
©Valeriu Blajã
Numărătoare de impulsuri 279
18.3.3. Numărătoare cu transport paralel-serie
Pentru micşorarea timpilor de propagare şi îmbunătăţirea
caracteristicilor de viteză ale numărătoarelor sunt realizate
numărătoarele sincrone cu transport paralel-serie sau cu transport
paralel. Din analiza funcţionării numărătoarelor asincrone se vede,
că bascularea bistabilului are loc numai după sfârşitul proceselor
tranzitorii în toate bistabilele biţilor precedenţi cu condiţia că toate
aceste bistabile s-au aflat în starea „1”.
În numărătoarele cu transport paralel-serie (vezi fig.18.18) la
intrările bistabilelor (începând cu bitul 2) sunt introduse circuite de
coincidenţă. Prin urmare, bascularea bistabilelor are loc cu condiţia
că pe intrările J şi K este aplicat simultan semnalul „1” şi:
ƒ TT2 basculează când Q1=1;
ƒ TT3 basculează când Q1=1 şi Q2=1;
ƒ TT4 basculează când Q1=1, Q2=1 şi Q3=1.
Prin urmare, în numărătoarele cu transport paralel-serie codul
de ieşire este stabilit cu o întârziere determinată numai de timpul
de propagare a impulsurilor printr-un bistabil şi porţile logice
respective: tî = tîB+(n-2) tîPL,
tîB este timpul de propagare printr-un bistabil,
tîPL este timpul de propagare printr-o poartă logică,
n este numărul de biţi ai numărătorului.
„1” Q0 Q1 DD11 Q2 DD21 Q3

Intrare

S TT0 S TT1 S TT2 S TT3


J J J J
C C C C
K K K K
R R R R

Anulare

Fig. 18.18. Numărător cu transport paralel-serie cu patru biţi

©Valeriu Blajã
280 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
18.3.4. Numărătoare cu transport paralel
O stabilitate mai bună la perturbaţii şi un timp mai mic de
propagare prezintă numărătoarele cu transport paralel (sincrone). În
aceste numărătoare semnalul de intrare (de tact) se aplică în paralel
(simultan) pe intrările de tact ale bistabilelor din toţi biţii. Pe
intrările J şi K ale bistabilului următor prin porţi logice AND se
aplică semnalele de ieşire din toţi biţii inferiori (ieşirile directe ale
tuturor bistabilelor precedente).
Prin urmare, în numărătoarele cu transport paralel codul de
ieşire este stabilit cu o întârziere determinată numai de timpul de
propagare a impulsurilor prin circuitul unui bit.

„1” Q0 Q1 Q2 Q3
Int.

S TT0 S TT1 S TT2 S TT3


J J J
C C C C
K K K K
R R R R

Anulare
Fig. 18.19. Numărător cu transport paralel patru biţi

18.3.5. Numărătoare abinare. Numărătoare binar-zecimale.


Divizoare de frecvenţă
Numărătoarele analizate până aici sunt binare. Numărătoarele de
impulsuri ale căror modul de numărare este diferit de 2n se numesc
numărătoare abinare.
Din analiza funcţionării numărătoarelor prezentate mai sus este
clar că frecvenţa impulsurilor la ieşirea fiecărui bit este de două ori mai
mică ca frecvenţa la intrarea bitului. Prin urmare fiecare bit al
numărătorului binar efectuează divizarea frecvenţei la doi, iar factorul de
divizare al numărătorului este egal cu modulul de numărare.

©Valeriu Blajã
Numărătoare de impulsuri 281
Numărătoarele abinare sunt create în baza unor numărătoare
binare în care se realizează bucle de reacţie serie, paralele sau mixte.
Mai frecvent este folosită reacţia paralelă. Spre exemplu, reacţia paralelă
aplicată de la ieşirea bistabilului superior spre bistabilul inferior
provoacă bascularea bistabilului inferior odată cu apariţia semnalului
prin această buclă, adică la apariţia semnalului la ieşirea bistabilului
superior. Prin urmare, o anulare suplimentară a numărătorului cu n-biţi
va avea loc după 2n–1 impulsuri. Acest fapt este echivalent cu
micşorarea modulului de numărare cu o unitate. Dacă reacţia va fi
realizată între bistabilul superior şi bistabilul bitului doi, modulul de
numărare se va micşorare cu două unităţi, etc. Pentru formarea unui
numărător cu modulul de numărare N se procedează în modul următor:
♦ Se găseşte numărul necesar de bistabile n, reieşind din condiţia:
2n−1 ≤ N ≤ 2n,
♦ Se leagă toate bistabilele într-un circuit de numărător asincron
cu transport succesiv.
♦ Se găseşte numărul M=2n−N, care este transferat în sistem binar,
Biţii codului găsit (M) reprezentaţi prin unităţi indică numerele de
ordine ale bistabilelor, care sunt legate prin bucle paralele de reacţie cu
bistabilul bitului superior.
Tabelul 18.5.
O categorie specială de numărătoare o
m Q3 Q 2 Q 1 Q 0
reprezintă numărătoarele binar-zecimale. 0 0 0 0 0
Numărătoarele binar-zecimale sunt folosite pe 1 0 0 0 1
larg în aparatele digitale de măsură şi alte 2 0 0 1 0
echipamente de afişare a informaţiei digitale în 3 0 0 1 1
cod zecimal. Aceste numărătoare au căpătat 4 0 1 0 0
denumirea de decadă. Ele se produc în formă 5 0 1 0 1
de circuite integrate sau pot fi realizate cu 6 0 1 1 0
7 0 1 1 1
circuite basculante bistabile.
8 1 0 0 0
Altă metodă de creare a numărătoarelor 9 1 0 0 1
abinare este exemplificată prin formarea unui 10 1/0 1/0 1/0 0
numărător binar-zecimal, adică cu modulul de
numărare N=10, este reprezentată în fig.18.20,
iar tabelul de comutaţii − în tabelul 18.5. Se procedează astfel:
♦ Se găseşte numărul necesar de bistabile n, reieşind din condiţia:
2n−1 ≤ N ≤ 2n,

©Valeriu Blajã
282 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
(pentru N=10 n=4).
♦ Se leagă toate bistabilele într-un circuit de numărător asincron cu
transport succesiv.
♦ Se leagă toate ieşirile bistabilelor, care sunt în starea „1” la
momentul m=N−1, la intrările unei porţi logice NAND. Se
aplică, de asemenea, tactul pe una din intrările neutilizate ale
aceleaşi porţi.
La momentul N−1=9 Q0=1 şi Q3=1.
♦ Se leagă ieşirea porţii NAND la intrările R ale tuturor
bistabilelor, pentru care Q=0 la momentul m=N−1.
La momentul N−1=9 vom avea: Q1=Q2=0.
„1” Q0 Q1 Q2 Q3

S TT0 S TT1 S TT2 S TT3


Intrare J J J J
C C C C
K K K K
R R R R

DD1

Fig. 18.20. Numărător binar-zecimal

Numărătoarele binar-zecimale sunt legate în cascadă în aşa mod


încât fiecare numărător va prezenta codul binar al unei cifre zecimale.
Cu acest scop semnalul de pe bitul superior al numărătorului precedent
este aplicat pe intrarea numărătorului următor.
Divizoarele de frecvenţă sunt circuite care formează la ieşire tot
aşa o serie de impulsuri dreptunghiulare ca şi cele aplicate la intrare dar
cu o frecvenţă de câteva ori mai mică. Divizoarele de frecvenţă se
deosebesc de numărătoare. În numărătoare semnalele la ieşirile
bistabilelor reprezintă codul necesar conform sistemului de numeraţie
şi numărul de impulsuri aplicate la intrarea numărătoarelor. În
divizoarele de frecvenţă consecutivitatea stărilor bistabilelor nu este
importantă. Este important numai raportul între frecvenţa la ieşire şi la
intrare. Consecutivitatea se alege reieşind din simplitatea legăturilor
între bistabile.
©Valeriu Blajã
Registre 283

18.4. Registre
Registre sunt circuite logice secvenţiale, care permit
memorarea (stocarea), transferul, deplasarea şi convertizarea
informaţiei prezentate în cod binar. Fiecărui bit al codului binar îi
corespunde o celulă de memorie în circuitul registrului. Registrele
permit efectuarea unor operaţii logice (suma şi produsul logic pe
biţi, etc.) şi operaţii de convertizare a codurilor binare (spre
exemplu transformarea codului serie în cod paralel sau invers).
Registrul este format dintr-o serie de bistabile interconectate
reciproc şi un dispozitiv de comandă semnalelor de intrare şi ieşire.
Numărul de bistabile este determinat de numărul de biţi ai
registrului. Fiind folosite ieşirile directe sau inverse ale bistabilelor
informaţia din registru se poate citi, atât în cod direct, cât şi în cod
invers.
Clasificarea registrelor se face în funcţie de modul de stocare
şi modul de citire a informaţiei. În funcţie de modul de stocare şi
modul de citire a informaţiei deosebim:
™ registre de memorie (cu acces paralel),
™ registre de deplasare (cu acces serial),
™ registre combinate (paralel-serie).
În funcţie de prezentare a informaţiei stocate sau citite
deosebim:
™ registre monofazice şi
™ registre parafazice.
În registrele monofazice informaţia este stocată numai în cod
direct sau numai în cod invers, iar în registrele parafazice informaţia
este stocată simultan, atât în cod direct, cât şi în cod invers. Citirea
informaţiei, atât din registrele monofazice, cât şi din registrele
parafazice se poate face atât în cod direct, cât şi în cod invers.
Registrele pot fi simple sau universale (reversibile).

©Valeriu Blajã
284 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE

18.4.1. Registre de memorie


Registrele de memorie sunt utilizate pentru stocarea
informaţiei binare în cod paralel (stocare simultană în toţi biţii
registrului). Informaţia poate fi citită din registru de mai multe ori şi
se păstrează în registru un timp nelimitat.
În figura 18.21 este prezentată schema unui registru de
memorie cu patru biţi monofazic, realizat cu bistabile RS. Comanda
procedurilor de stocare şi citire a informaţiei este realizată cu porţile
logice DD1 (stocare), DD2 (citire cod direct), DD3 (citire cod invers).
Intrările a0, a1, a2 şi a3 corespund biţilor codului stocat.

a0 DD1.0 DD2.0
S T0 Q0=a0
DD3.0
Q 0 = a0
R
DD1.1 DD2.1
a1
S T1 Q1=a1
DD3.1
Q1 = a1
R
DD1.2 DD2.2
a2
S T2 Q2=a2
DD3.2
Q 2 = a2
R
DD1.3 DD2.3
a3
S T3 Q3=a3
DD3.3
R Q 3 = a3

Stocare Resetare Citire Citire


cod direct cod invers
Fig.18.21. Registru paralel cu patru biţi

©Valeriu Blajã
Registre 285

Iniţial toate bistabilele sunt resetate prin aplicarea unui impuls


pe intrarea „Resetare” (unitate logică pe intrările R). Stocarea
informaţiei în registru este realizată când se aplică semnal de
comandă pe intrarea „Stocare”. În acest caz unităţile logice de pe
intrările porţilor logice DD1 se aplică pe intrările S ale bistabilelor
şi, prin urmare, codul de la intrare este stocat în registru. Informaţia
se va păstra în registru până la următoarea procedură de anulare.
Dezavantajul registrului de memorie analizat îl constituie
necesitatea procedurii de anulare, fapt care micşorează viteza de
funcţionare. Pentru a evita acest dezavantaj sunt folosite registre cu
stocare parafazică (vezi fig. 18.22). Registrul parafazic este realizat
printr-o serie de porţi logice suplimentare.

a0 DD2.0 DD3.0
S T0 Q0=a0
a0 DD1.0 DD3.0
Q 0 = a0
R
DD2.1 DD3.1
a1
S T1 Q1=a1
a1
DD1.1 DD3.1
Q1 = a1
R
DD2.2 DD3.2
a2
S T2 Q2=a2
a2 DD1.2 DD3.2
Q 2 = a2
R
DD2.3 DD3.3
a3
S T3 Q3=a3
a3 DD1.3 DD3.3
R Q 3 = a3

Stocare Citire Citire


cod direct cod invers
Fig.18.22. Registru paralel cu stocare parafazică, cu patru biţi
©Valeriu Blajã
286 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE

DD01 Comanda cu procedura de


a0 DD03 stocare a informaţiei este realizată
prin porţile logice DD1 (stocare cod
b0 direct), DD2 (stocare cod invers) prin
aplicarea semnalului de comandă pe
DD02 intrarea „Stocare” şi aplicarea
simultană a codului direct (a0a1a2a3)
prin DD1 pe intrările S ale bistabilelor
DDn1 şi a codului invers ( a0 a1a2 a3 ) prin
an DD n 3 DD2 pe intrările R ale bistabilelor. În
aşa mod, indiferent de starea
bn precedentă a bistabilelor ele vor fi
stabilite în stările corespunzătoare
DDn 2
biţilor codului de intrare.
Fig.18.23. În registrele analizate mai sus
Circuit de comandă – stocarea se face de pe un singur canal
stocare de pe două canale informaţional. Pentru stocarea
informaţiei de pe câteva canale poate
fi folosit un sistem de comandă de
tipul celui prezentat în fig.18.23.
18.4.2. Registre de deplasare
Registrele de deplasare sunt circuite numerice, care la fiecare
impuls de tact aplicat îşi deplasează conţinutul spre dreapta sau spre
stânga (de la LSB spre MSB sau invers) cu câte o celulă. Aceste
registre se realizează cu CBB de tipul D „master-slave”, conectate
în cascadă. Ieşirea fiecărui bistabil este legată la intrarea bistabilului
următor, în timp ce tuturor bistabilelor li se aplică un semnal de tact
comun, funcţionarea lor fiind sincronă.
În figura 18.24 este reprezentată schema funcţională unui
registru de deplasare cu patru biţi cu bistabile D „master-slave”.
Stocarea informaţiei în registru este realizată în cod direct serie, biţii
cărui se aplică pe intrarea D a bistabilului TT0 sincron (simultan) cu
impulsurile de tact aplicate pe intrarea C a tuturor bistabilelor.

©Valeriu Blajã
Registre 287

Aceleaşi impulsuri de tact comandă deplasarea codului stocat în


registru spre dreapta. În timpul impulsului de tact în treptele
„master” ale bistabilelor se stabileşte informaţia de la intrarea
bistabilului (starea bistabilului precedent), iar după impulsul de tact
(în pauze) starea respectivă se stabileşte în treapta a doua a
bistabilelor.
După cum se observă, la fiecare impuls de tact conţinutul
registrului se mută cu câte o poziţie spre dreapta (deplasare dinspre
LSB spre MSB). În consecinţă, semnalul de ieşire va fi identic cu
cel de la intrare, dar întârziat cu un număr de perioade de tact egal
cu numărul de celule din care a fost format registrul.
Informaţia stocată în registru poate fi citită în cod serie (direct
sau invers) prin ieşirea bistabilului de rangul superior; sau în cod
paralel (direct sau invers) – prin ieşirile tuturor bistabilelor
simultan. Prin urmare, registrele de deplasare pot fi folosite pentru
convertizarea codului serie în cod paralel.

Ieşire cod paralel

Intrare
D TT0 D TT1 D TT2 D TT3
cod serie Ieşire
C C C C cod serie
C

Fig.18.24. Registru simplu de deplasare cu patru biţi

©Valeriu Blajã
288 CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE

18.4.3. Registre combinate


Registrele combinate (paralel-serie) pot realiza transformarea,
atât a codului serie în cod paralel, cât şi a codului paralel în cod
serie. Schema unui registru combinat cu trei biţi realizat cu
bistabile de tip D „master-slave” este reprezentată în figura 18.25.
Intrările asincrone R şi S ale bistabilelor sunt folosite,
respectiv, pentru resetarea registrului (prin R ) şi pentru stocarea în
registru a informaţiei prezentate în cod paralel (prin S ). Pentru
stocare – cod paralel se aplică un impuls de tact pe intrarea C2, iar
codul direct paralel de intrare se aplică pe intrările a0, a1, a2. În
acest caz pe ieşirile porţilor logice NAND (DD0, DD1, DD2…) sunt
formate valorile inverse ale biţilor codului paralel de intrare, care se
aplică pe intrările S şi stabilesc bistabilele în mod direct în stările
corespunzătoare codului de intrare.
Pentru stocare – cod serie se aplică impulsuri de tact pe
intrarea C1, iar codul direct serie de intrare se aplică pe intrarea D.
Prin urmare, procedura de stocare serie este identică cu cea
prezentată în 18.4.2. Citirea în cod serie se face prin ieşirea
bistabilului superior printr-o serie de impulsuri de tact, iar citirea în
cod paralel se face în direct de pe ieşirile bistabilelor.
Q0 Q1 Q2

C2 a 0 a1 a2

DD 0 DD 1 DD 2

S TT0 S TT1 S TT 2
D D D D
C C C
R R R
C1

R (resetare)
Fig.18.25. Registru combinat cu trei biţi
©Valeriu Blajã
Registre 289

18.4.4. Registre reversibile


Registrele reversibile permit deplasarea codului stocat, atât
spre dreapta, cât şi spre stânga. Această proprietate se capătă prin
utilizarea unui circuit de comandă la intrarea fiecărei celule de
memorie. În figura 18.26 este reprezentată schema unui fragment
de trei biţi a unui registru reversibil. În acest exemplu circuitul de
comandă este realizat din trei porţi NAND. Pentru deplasare spre
dreapta, simultan cu impulsul de tact (aplicat pe C), se aplică un
impuls pe bara Dr. În acest timp pe intrările D ale bistabilelor
următoare se aplică stările bistabilelor precedente (prin DDi2 şi
DDi3). Aceste stări sunt stabilite în treapta a doua a bistabilelor
următoare după sfârşitul impulsului de tact (în pauză).
Pentru deplasare spre stânga, simultan cu impulsul de tact, se
aplică un impuls pe bara St. În acest timp pe intrările D ale
bistabilelor precedente se aplică stările bistabilelor următoare (prin
DDi1 şi DDi3). Aceste stări sunt stabilite în treapta a doua a
bistabilelor următoare în pauză.
Registrele universale implementează funcţiile tuturor
registrelor prezentate mai sus. Prin urmare, vor fi îmbinate schema
registrului paralel-serie cu schema registrului reversibil.

©Valeriu Blajã
290

©Valeriu Blajã
St
Dr
Spre DDj-2.1 Qj+1
DDj-1.1 DDj.1 DDj+1.1
DDj-1.3 DDj.3 DDj+1.3

Qj-2 S TTj-1 S TTj S TTj+1 Spre DDj-2.1


DDj-1.2 DDj.2 D Qj DDj+1.2 D
D Qj-1 Qj+1
C C C
R R R
C

Fig.18.26. Registru reversibil


CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE
BIBLIOGRAFIE 291
1. Dănilă Th., Reus N., Boiciu V. Dispozitive si circuite
electronice. – Bucureşti: Editura Didactică şi Pedagogică, 1982.
–488 p.
2. Vasilescu G., Lungu Ş. Electronică. – Bucureşti: Editura
Didactică şi Pedagogică, 1993.–427 p.
3. Dănilă Th., Ionescu–Vaida M. Componente şi circuite
electronice. – Bucureşti: Editura Didactică şi Pedagogică, 1993
4. Ionescu F. Diode semiconductoare şi redresoare de putere. –
Bucureşti: Editura Didactică şi Pedagogică, 1995
5. Sandu D. Electronica fizică şi aplicată. – Iaşi: Editura A.I.Cuza,
1994. – V.1– 615 p.
6. Dispozitive şi circuite electronice /D.Dascălu, A.Rusu,
M.Profirescu, I.Costea//–Bucureşti:Editura Didactică şi
Pedagogică, 1982. – 679 p.
7. Niculescu E. Composants electroniques, – Craiova:Reduta, 1996.
–236 p.
8. Cerbulescu D. Electronica şi microprocesoare. – Craiova: 1988.
–337 p.
9. Cerbulescu D. Dispozitive şi circuite electronice. Culegere de
probleme. – Bucureşti:Editura Didactică şi Pedagogică, 1995. –
191 p.
10. Rusu A. Modelarea componenteler microelectronice. Bucureşti:
Editura Academiei Române, 1990. – 189 p.
11. Забродин Ю. С. Промышленная электроника. – M.: Высшая
школа, 1982. –495 с.
12. Галкин В.И. Промышленная электроника. Минск:
Вышэйшая школа, 1989. –336 с.
13. Руденко В. С., Сенько В. И., Трифонюк В. В. Основы
промышленной электроники. – Киев: Вища школа, 1985
14. Полонников Д. Е. Операционные усилители. Принципы
построения, теория, схемотехника. – М.: Энергоатомиздат,
1983. –213 с.

©Valeriu Blajã
292 BIBLIOGRAFIE
15. Руководство к лабораторным работам по основам
промышленной электроники./ под ред. Л. П. Мелешкиной–
М.: Высшая школа, 1977. –254 с.
16. Лабораторные работы по основам промышленной
электроники./ под ред. В. Г. Герасимова – М.: Высшая
школа, 1986. –173 с.
17. Пасынков В.В. Полупроводниковые приборы. – М.: Высшая
школа, 1981.– 432 с.
18. Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.:Советское
радио , 1980. 427 с.
19. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник/
под ред. Н. Н. Горюнова. – М.: Энергоатомиздат, 1985.–864 с.
20. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым
приборам. – Киев: Техника, 1984. – 419 с.
21. 14.Зи С. Физика полупроводниковых приборов. В 2–х
книгах. – М. Мир, 1984. – 912 c.
22. Варакин Л. Е. Бестрансформаторные усилители мощности. –
М.: Радио и связь, 1984. – 128 с.
23. Войшвилло Г. В. Усилительные устройства. –М.:Радио и
связь,1983. – 264 с.
24. Цыкина А. В. Электронные усилители.– М.: Радио и связь,
1982. – 288 с.
25. Кубицкий А. А. Задачи и упражнения по электронным
усилителям. – М.: Радио и связь, 1986. – 176 с.
26. Gh. Baluţă. Circuite numerice. – Iaşi, 1997.
27. N. Secrieru, A. Gremalschi, I. Cornea. Arhitectura şi organizarea
microprocesoarelor. – Chişinău, 1994.
28. Gh. Toacşe. Introducere în microprocesoare. - Bucureşti, 1995.
29. T.R. Blakeslee. Proiectarea cu circuite logice MSI şi LSI standard. -
Bucureşti, 1988.
30. V. Dobrota, E. Meciu, M. Giurgiu. Aplicaţii în sisteme cu
microprocesoare din familia INTEL 80x86. Vol. 1,2. Cluj-Napoca,
1992.

©Valeriu Blajã
BIBLIOGRAFIE 293
31. C. Rădoi, A. T. Murgan, G. Nelepcu, P. Constantin, V. Lăzărescu, N.
Drăgulănescu, O. Radu. Circuite şi echipamente electronice
industriale. – Bucureşti, 1986.
32. Liviu Kreindler, Răducu Giuclea. Bazele microprocesoarelor. –
Bucureşti, 1997.
33. Б. А. Калабеков, И. А. Мамзелев Цифровые устройства и
микропроцессорные системы. - Москва, 1987.
34. Е. П. Угрюмов, Проектирование элементов и узлов ЭВМ. -
Москва, 1987.
35. Цифровая и вычислительная техника. под ред. Л. Евреинова. -
Москва, 1991.
36. Каган Б. М. Электронно-вычислительные машины и системы. -
Москва, 1989.
37. Д. Гивоне, Р. Россер. Микропроцессоры и микрокомпьютеры. -
Москва, 1983.
38. Микропроцессоры. т. 1, 2, 3. Под ред. Л. Преснухина. - Москва,
1987.
39. Р. Холленд. Микропроцессоры и операционные системы.
Справочник. - Москва, 1991.
40. Справочные пособие по микропроцессоры и микро ЭВМ. Под.
ред. Л. Преснухина. - Москва, 1994.
41. Популярные цифровые ИМС. Под .ред. В. Шило. - Москва, 1992.
42. Артюхов В. Т. «Проектирование ЭВА на МП». - Киев, 1992.
43. Справочник по МП и МП комплексам. Под ред. Шахнова. -
Москва, 1985.
44.

©Valeriu Blajã
294
INTRODUCERE 3
1. SEMICONDUCTOARE 5
1.1.Diagrama energetică a cristalului 5
1.2.Conductivitatea semiconductorului intrinsec 7
1.3.Conductivitatea semiconductoarelor cu impurităţi 11
1.4.Curenţii de drift şi de difuzie 14
2. DIODE SEMICONDUCTOARE 16
2.1.Procesele fizice în joncţiunea p-n în absenţa tensiunii 16
2.2.Procesele fizice în joncţiunea p-n la polarizare 19
2.3.Caracteristica statică a joncţiunii p-n 21
2.4.Străpungerea joncţiunii p-n. Dioda Zener 22
2.5.Capacitatea joncţiunii p-n. Diodă varicap 24
2.6.Diode tunel 27
2.7.Fotoconductivitate. Fotorezistor. Fotodiodă 31
2.8.Diode luminiscente 36
3. TRANZISTOARE BIPOLARE 39
3.1. Structura şi principiul de funcţionare a tranzistorului bipolar 39
3.2.Conexiunile a tranzistorului bipolar 46
17.3.1. Conexiune bază comună 47
17.3.2. Conexiune emitor comun 48
17.3.3. Conexiune colector comun 49
3.3.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar 50
17.4.1. Caracteristicile statice în montaj BC 50
17.4.2. Caracteristicile statice în montaj EC 52
3.4.Circuite echivalente cu parametri naturali 54
3.5. Tranzistorul ca cuadripol activ. 56
Parametrii hibrizi ai tranzistorului.
3.6.Relaţiile între parametrii naturali şi cei hibrizi 58
17.7.1. Montaj BC 58
17.7.2. Montaj EC 60
3.7.Parametrii de exploatare ai tranzistorului bipolar 62
4. TRANZISTOARE CU EFECT DE CAMP 65
18.1. FET grilă-joncţiune 66
18.2. Caracteristicile statice ale FET grilă-joncţiune 68
18.3. FET grilă izolată 69

©Valeriu Blajã
CUPRINS 295

18.4. Parametrii tranzistoarelor cu efect de câmp 73


5. FOTOTRANZISTOR 75
6. TIRISTOARE 77
6.1.Noţiuni generale 77
6.2.Principiul de funcţionare şi caracteristicile tiristorului 78
6.3.Modelul tiristorului “cu două tranzistoare” 81
6.4.Parametrii tiristorului 84
6.5.Modificările principale ale tiristoarelor 86
6.5.1. Fototiristor 86
6.5.2. Tiristoare GTO 86
6.5.3. Diacul şi triacul 87
7. CIRCUITE INTEGRATE 88
7.1. Noţiuni generale 88
7.2. Codificarea circuitelor integrate 91
7.3. Tehnologia circuitelor integrate 94
7.3.1. Tehnologia circuitelor integrate bipolare 94
7.3.2. Tehnologia circuitelor integrate unipolare 98
7.3.3. Tehnologia circuitelor integrate hibride 100
8. AMPLIFICATOARE 102
8.1.Noţiuni generale 102
8.2.Clasificarea amplificatoarelor 105
8.3.Structura etajului amplificator 107
8.4.Etaj amplificator cu tranzistor bipolar în montaj EC 108
8.5.Analiza etajului EC în curent continuu 110
8.6.Clasele de funcţionare a etajelor amplificatoare 111
8.7.Analiza etajului EC pentru semnal variabil 114
8.8.Repetitor pe emitor 117
9. REACŢIA ÎN AMPLIFICATOARE 119
9.1.Noţiuni generale. 119
9.2.Corecţia caracteristicilor amplitudine−frecvenţă 124
10. AMPLIFICATOARE SELECTIVE 130
11. AMPLIFICATOARE DE PUTERE 133
11.1. Noţiuni generale 133
11.2. Amplificatoare de putere clasa A 134
11.3. A. P. în contratimp cu cuplaj prin transformator 136
11.4. A. P.în contratimp fără transformator 138

©Valeriu Blajã
296
11.5. A. P.cu intrare paralelă a tranzistoarelor de ieşire 140
12. AMPLIFICATOARE DE CURENT CONTINUU 142
12.1. Noţiuni generale 142
12.2. A.C.C. cu cuplaj direct 145
12.3. Amplificatoare simetrice 148
12.4. Amplificatoare diferenţiale 151
12.5. Generator de curent stabil 155
12.6. Amplificatoare cu modulare-demodulare 158
13. AMPLIFICATOARE OPERAŢIONALE 161
13.1. Noţiuni generale 161
13.2. Parametrii principali ai A.O. 163
13.3. Amplificator operaţional К140УД1 165
13.4. Aplicaţii ale amplificatoarelor operaţionale 168
13.4.1. Comparator de tensiune 168
13.4.2. Multiplicarea cu o constantă 169
13.4.3. Circuit de însumare ponderată 170
13.4.4. Circuit de integrare 171
13.4.5. Circuit de derivare 172
13.4.6. Circuit de logaritmare 173
14. Semnale şi circuite digitale 174
15. APARATUL MATEMATIC AL TEHNICII DIGITALE 178
15.1. Sisteme de numeraţie 178
15.2. Coduri 183
15.3. Algebra logică 188
15.4. Funcţii logice 192
15.5. Moduri de prezentare a funcţiilor logice 194
15.5.1. Tabel de adevăr 194
15.5.2. Expresii analitice 194
15.5.3. Diagrame Karnaugh 197
15.5.4. Logigrame 199
15.5.5. Diagrame de timp 199
15.6. Minimizarea funcţiilor logice 200
15.6.1. Metoda analitică de minimizare a funcţiilor 200
logice
15.6.2. Metoda Veitch-Karnaugh de minimizare a
funcţiilor logice 201

©Valeriu Blajã
CUPRINS 297

16. CIRCUITE LOGICE 205


16.1. Porţi logice 205
16.2. Caracteristicile şi parametrii porţilor logice 208
16.2.1. Caracteristica de transfer 208
16.2.2. Parametrii porţilor logice 209
16.3. Familii de circuite logice 212
16.3.1. Familia DTL 213
16.3.1.1. Poarta SAU (OR) 213
16.3.1.2. Poarta ŞI (AND) 214
16.3.1.3. Poarta NU (NOT) 215
16.3.1.4. Poarta SAU-NU (NOR) 215
16.3.1.5. Poarta ŞI –NU (NAND) 216
16.3.2. Familia TTL 217
16.3.3. Circuite logice TTL Schottky 219
16.3.4. Circuite logice TTL cu trei stări 221
16.3.5. Parametrii circuitelor TTL şi TTLS 222
16.3.6. Familia ECL 223
16.3.7. Circuite logice integrate unipolare 225
16.3.8. Circuite logice CMOS 226
2.3.8.1. Poarta CMOS SAU−NU 228
2.3.8.2. Poarta CMOS ŞI−NU 229
17. CIRCUITE LOGICE COMBINATIONALE 230
17.1. Noţiuni generale 230
17.2. Codificatoare 234
17.3. Decodificatoare 236
17.3.1. Decodificatoare de adresă 236
17.3.2. Decodificator BCD−Zecimal 238
17.3.3. Decodificator BCD−7 segmente 240
17.3.4. Decodificatoare în trepte 245
17.4. Multiplexoare 247
17.4.3. Multiplexorul cu două intrări 247
17.4.4. Multiplexorul cu patru intrări 248
17.5. Demultiplexoare 251
17.5.1. Demultiplexorul cu două ieşiri 251
17.5.2. Demultiplexorul cu patru ieşiri 252
17.6. Circuite de deplasare a codului 253

©Valeriu Blajã
298
17.7. Comparatoare de cod 254
17.7.3. Comparatorul numeric de un bit 256
17.7.4. Comparatorul numeric de doi biţi 256
17.8. Sumatoare 258
17.8.1. Semisumatorul elementar 259
17.8.2. Sumatorul elementar 260
18. CIRCUITE LOGICE SECVENŢIALE 262
18.1. Noţiuni generale 262
18.2. Circuite basculante bistabile 264
18.2.1. Circuite basculante bistabile RS asincrone 266
18.2.2. Circuite basculante bistabile RS sincrone 267
18.2.3. Circuite basculante bistabile de tip D 268
18.2.4. Circuite basculante bistabile de tip JK 269
18.2.5. CBB de tip JK cu structură master-slave 271
18.2.6. Circuite basculante bistabile de tip T 272
18.3. Numărătoare de impulsuri 273
18.3.1. Numărător binar direct cu transport succesiv 276
18.3.2. Numărător binar invers cu transport succesiv 277
18.3.3. Numărătoare cu transport paralel-serie 279
18.3.4. Numărătoare cu transport paralel 280
18.3.5. Numărătoare abinare. Numărătoare binar-
zecimale. Divizoare de frecvenţă 280
18.4. Registre 283
18.4.1. Registre de memorie 284
18.4.2. Registre de deplasare 286
18.4.3. Registre combinate 288
18.4.4. Registre reversibile 289
BIBLIOGRAFIE 291

©Valeriu Blajã