Universidad de Ibagué.

Electrónica I.
Facultad de ingeniería.
Universidad de Ibagué, Cr 22 Calle 67, Ibagué, Colombia

INFORME: DISEÑO DE AMPLIFICADOR MULTIETAPA

Jonatan Polanco 2420171060, Juan Pablo Siachica 2420171040, Leisson Polo 2420171094.

Resumen
En este laboratorio se busca implementar todos los conocimientos adquiridos en el transcurso
de todo el plan académico, la finalidad de esto y el objetivo principal es aplicar toda la teoría
vista sobre transistores y sus diferentes configuraciones que nos permiten amplificar diversas
señales que posteriormente se empleara en un uso específico, en este caso en particular se
diseña y elabora un amplificador que trabaja en frecuencias de audio, el cual trabaja con tres
etapas previamente seleccionadas y enmarcada en los requerimiento solicitados.
Palabras clave: Diseño de amplificador, amplificador multietapa, BJT, amplificador clase
AB, FET, amplificador clase a, pre amplificador.

Abstract
This laboratory seeks to implement all the knowledge acquired in the course of the entire
academic plan, the purpose of this and the main objective is to apply all the theory seen on
transistors and their different configurations that allow us Amplify various signals that are
later used in a specific use, in this particular case is designed and produced an amplifier
that works on audio frequencies, which works with three stages previously selected and
framed in the Requested request.
Keywords : Amplifier design, multistage amplifier, BJT, class AB amplifier, FET, Class A
amplifier, pre-amp.

1. Introducción configuraciones como: Configuración por

Para empezar, el amplificador a diseñar se emisor común(Ec) puede otorgar al circuito
puede elaborar de tres maneras posibles o ganancia de voltaje(V) y corriente(I),
dicho de una mejor manera, configuraciones configuración por colector común(Cc) otorgar
con las cuales el amplificador puede mejorar al circuito ganancia de corriente(I). El
su eficiencia potencia y ganancia ya sea de voltaje(V) que ofrece es muy pequeño por lo
voltaje(V) o corriente(I) dependiendo de para tanto en este diseño se toma como 1,
que se tenga planeado el diseño. Retomando lo configuración por base común(Bc) esta
anterior, cada configuración de transistor lleva configuración solo ofrece ganancia de
consigo ventajas y desventajas ciertas voltaje(V) pero como pasa en el colector
común(Cc) su ganancia en corriente se tierra con punto positivo puede causar un corto
considera unitaria. Estas configuraciones y/o una avería parcial o total del sistema
sumadas a otros parámetros se podrían decir de circuital, he aquí una muestra de cómo se debe
polarización (Inductivas “Bobinas”, resistivas alimentar un transistor BJT o FET y el sentido
“Resistencias” y por transformación de sus corrientes.
“Transformadores”) también se encuentran
contemplados en este diseño el uso de FET
(transistor efecto de campo) este junto con las
configuraciones de BJT (transistor bijuntura),
son lo más relevante mencionados en un
Ilustración 6 Modelo BJT Ilustración 5 Modelo BJT Y
enfoque de diseño relacionados con la FET

amplificación.

Ilustración 1 Ilustración 7
Ilustración 2 configuración BJT clase Configuración BJT clase Ilustración 8 Modelo FET
configuración FET A. AB

C
C2 R5 R3 D
10k 10k R7
C4 10k
1uF
Q4
Q1 C5 NPN
C1 R9 2N3819 1uF
C3 Q2
1uF
D2
NPN DIODE
1M C5 C6
1uF 1uF
+ 1uF 1uF

D1
DIODE
Q3 LS1
R6 R4
AM FM
- R1 10k 10k PNP

10k
R8
10k SPEAKER

Ilustración 4 simulación Ilustración 3 simulación

"PROTEUS" clase A. Ilustración 9
“PROTEUS” FET channel.
Simulación "PROTEUS"
clase AB.

2. Marco Teórico
Para empezar, es importante que se sepa que Retomando la idea principal del párrafo dicho
se debe tener pleno conocimiento de la posteriormente, en los transistores hay
polarización de un transistor porque si se configuraciones y polarizaciones diferentes,
coloca mal las fuentes de (vcc o vee) y mescla con muchas formas de diseño posible, pero
pocas de estas configuraciones son las más
eficientes para este proceso de amplificación,
pero alguna de las configuraciones no son
recomendadas o las más aptas para un proceso
de amplificación como lo son: (la auto
polarización, realimentación de emisor y
Ilustración 12 Curva característica
realimentación de colector), exceptuando la FET.

autopolarización que se usa en la primera etapa

como un preamplificador, pero esta
polarización es la más adecuada cuando en
este caso en particular se utiliza FET. Las
polarizaciones posteriormente mencionas no
son las más aptas cuan se trabaja para
Ilustración 13 Curva característica
transistores BJT la mejor polarización la más FET.

usada y por ende la más recomendada para un

proceso de amplificador de señales, es un
divisor de voltaje el más efectivo para
mantener un transistor BJT en zona activa, por
ende, realizar las gráficas de las curvas
características de cada transistor es muy
importante una muestra de ellas son las
siguientes:
Luego de esto se aplican las formulas de
diseño, que nos permitiran que los calulos de
este diseño se vuelba mucho mas facil y
practico de realizar. Alguna de ellas son las
siguientes:
𝐸𝑚𝑖𝑠𝑜𝑟 𝑐𝑜𝑚𝑢𝑛

−𝑅𝑐//𝑅𝑙 𝑉𝑐𝑐
𝐴𝑉 = 𝐼𝐶𝑄 =
ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒 𝑅𝐴𝐶 + 𝑅𝐷𝐶
𝑉𝑡
ℎ𝑖𝑏 =
𝐼𝐶𝑞
𝑉𝑐𝑐 ∗ 𝑅1 𝑅1 ∗ 𝑅2
Ilustración 10 Curvas BJT.
𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ =
𝑅1 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
𝐴𝑣 ∗ 𝑅𝑙 𝑅𝑏
𝐴𝑖 = 𝑅𝑖𝑛 = 𝑅𝑒//(ℎ𝑖𝑏 + )
𝑅𝑖𝑛 𝛽

Estas son algunas de las muchas formulas

empleadas como un criterio fundamental de
Ilustración 11 curva característica diseño a la hora de hablar de amplificadores .
BJT.
otra de las herramientas empleadas es la
llamada “PROTEUS” que resulta realmente vendría siendo la resistencia del speaker o
util por que de esta herramienta se puede parlante.
determinar si nuestro diseño es 100%
funcional o no, por lo que si en esta
3.1. Diseño AB
herramienta muestra un correcto
Para comenzar con el diseño contamos con
funcionamiento se vera reflejado a la hora de
los siguientes datos: RL= 8Ω, Potencia
montar ese mismo dispositivo, en una
requerida = 11W, Beta =30.
protoboard o baquela.

3. Desarrollo Por formula de potencia:

Primero se analizó detalladamente el problema 𝐼2 ∗ 𝑅
𝑃=
a solucionar, en este caso, se requiere diseñar 2
un amplificador de audio que responda a la 𝐼2 ∗ 8
𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠: 11 =
2
topología mostrada en la Ilustración 14. El
22 = 𝐼 2 ∗ 8
amplificador debe garantizar almenos 11W
sobre un parlante sugerido de 8 ohmnios. 𝐼𝑚á𝑥 = √22⁄8 = 1.65 𝐴

Luego se calcula el voltaje de carga

𝑉𝑙 = √𝑃 ∗ 2𝑟
𝑉𝑙 = √11 ∗ 2 ∗ 8 = 13.26 𝑉
Ilustración 14
Como se quiere implementar SCCD en el
La topología mostrada anterior cuenta con
diseño de clase AB, se dice que el voltaje
tres etapas: una de pre-amplificación
que llega a cada transistor es de vcc/2.
(Fuente común o source común), un
Teniendo en cuenta lo anterior se calcula
amplificador de ganancia intermedia
el VCC con ley de ohm.
(clase A), y una etapa de potencia o
𝑉𝑐𝑐
amplificador de salida (clase AB); en este = 𝐼∗𝑅
2
caso con SCCD o simetría complementada 𝐸𝑛𝑡𝑜𝑛𝑐𝑒𝑠: 𝑉𝑐𝑐 = 2 ∗ 1.66 𝐴 ∗ 8Ω
y compensada por Diodos. 𝑉𝑐𝑐 = 30 𝑉
Para el desarrollo de este problema, se Hallamos la corriente Ib para poder hallar
comenzó a diseñar desde la última etapa la resistencia R2.
hasta la primera, ya que en la última etapa 𝐼𝑐
𝐼𝑏 =
conocemos la resistencia de carga, que 𝐵𝑒𝑡𝑎
 𝐼𝑏 = 1.65 𝐴⁄30 = 55 𝑚𝐴 𝑣 2 102
𝑃= = ≈ 12.5 𝑊
𝑅 8
𝑉𝑐𝑐
− 𝑉𝐷 − 𝑉𝑙 Si se toma el voltaje de entrada al amplificador
𝑅2 = 2
𝐼𝑏 como 150 mV, entonces la ganancia de voltaje
15 − 0.7 − 13.26 total que llega al parlante sería de
𝑅2 = = 19Ω
33𝑚𝐴 10
𝐴𝑣(𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙) = = 66.6
Ahora, calculamos la resistencia de 150 𝑚𝑉
entrada de esta etapa; hay que tener en Esta ganancia total se debe repartir
uniformemente por todas las tres etapas.
cuenta que la resistencia de entrada de esta
Ya que un transistor no resiste 66.6 de
etapa será la resistencia de carga de la
ganancia, se decide dividirse la etapa en dos
siguiente a diseñar.
semi-etapas para poder repartir la ganancia.
𝑅𝑖𝑛 = (𝑅𝑓 + 𝑅2)//((𝑅𝑓 + (𝑅2//ℎ𝑖𝑒
Teniendo en cuenta que las ganancias se
+ 𝑏𝑒𝑡𝑎 ∗ 𝑅𝑙)) multiplican, entonces se reparte de la siguiente
Para este cálculo se dice que Rf o la manera:
resistencia de los diodos es de 10 ohmnios, Primera etapa (Fc) →Av=1
y se desprecia hie ya que es mucho menor Segunda etapa (A) →Av=-6 y -11
a Rl. Tercera etapa(AB) → No tiene ganancia de
𝑉𝑜𝑙𝑡𝑎𝑗𝑒 𝑡𝑒𝑟𝑚𝑖𝑐𝑜 voltaje, por lo que se dice que es unitaria.
𝐻𝑖𝑒 =
𝐼𝑐𝑄
1 -6 -11 1
26 𝑚𝑉
𝐻𝑖𝑒 = 15,75𝑥103 ≪ 𝑅𝑙
1,65 Etapa 1 (FC) Etapa 2 (A) Etapa 3 (AB)
𝑅𝑖𝑛 = (10 + 19)//(10 + (19//30 ∗ 8))
𝑅𝑖𝑛 = 16.16Ω 3.2.1. Semi-etapa de ganancia -6
Como se desea máxima transferencia de
3.2. Diseño A potencia, entonces
Para comenzar este diseño tenemos la Rl 𝑅𝑐 = 𝑅𝑙
que vendría siendo la Rin de la etapa 𝑅𝑐 = 16,16Ω
anterior, y tenemos un transistor Tomando la fórmula de ganancia de
Darlington cuyo beta es de 25K. voltaje de la configuración emisor común
−𝑅𝑐//𝑅𝑙
𝐴𝑣 =
Se desea que lleguen 10 voltios a la etapa AB 𝑅𝑒 + ℎ𝑖𝑏
para obtener la potencia requerida (11W), −7.3
−6 =
porque 𝑅𝑒
 7.3 3.2.2. Semi-etapa de ganancia -11
𝑅𝑒 = = 1.216 Ω
6 Como se desea máxima transferencia de
Para garantizar estabilidad térmica
potencia, entonces
𝑅𝑏 = 0.1 ∗ 𝐵𝑒𝑡𝑎 ∗ 𝑅𝑒
𝑅𝑐 = 𝑅𝑙
𝑅𝑏 = 0.1 ∗ 25𝐾 ∗ 1.215
𝑅𝑐 = 3 𝐾
𝑅𝑏 = 3𝐾 Ω
Tomando la fórmula de ganancia de
Como se desea máxima excursión de
voltaje de la configuración emisor común
salida −𝑅𝑐//𝑅𝑙
𝑉𝑐𝑐 𝐴𝑣 =
𝐼𝑐𝑄 = 𝑅𝑒 + ℎ𝑖𝑏
𝑅𝑎𝑐 + 𝑅𝑑𝑐 −1.5 𝐾
30 −11 =
𝐼𝑐𝑄 = 𝑅𝑒
1.21 + 1.21 + 7.3 + 14.6 1.5 𝐾
𝐼𝑐𝑄 = 1.23 𝐴 𝑅𝑒 = = 136.36 Ω
11
Para calcular Vbb se usa el método de Para garantizar estabilidad térmica
mallas ( LVK B-E) 𝑅𝑏 = 0.1 ∗ 𝐵𝑒𝑡𝑎 ∗ 𝑅𝑒
3𝐾 ∗ 1.23 𝑅𝑏 = 0.1 ∗ 1150 ∗ 136.36
𝑉𝑏𝑏 =
25𝐾 𝑅𝑏 = 15𝐾 Ω
𝑉𝑏𝑏 = 2.3 𝑉
Como se desea máxima excursión de
Determinamos R1 y R2 por divisor de
salida
voltaje
𝑉𝑐𝑐
30 ∗ 3𝐾 𝐼𝑐𝑄 =
𝑅1 = = 39.2 𝐾 𝑅𝑎𝑐 + 𝑅𝑑𝑐
2.3 30
𝑅2 = 39.2𝐾 𝐼𝑐𝑄 =
136.36 + 136.36 + 3𝐾 + 1.5𝐾
39.2 𝐾 ∗ 3𝑘 𝐼𝑐𝑄 = 6.3 𝑚𝐴
𝑅2 =
93.2 𝐾 − 3𝐾 Para calcular Vbb se usa el método de
𝑅2 = 3.25𝐾
mallas ( LVK B-E)
Calculamos la resistencia de entrada con la
3𝐾 ∗ 1.23
fórmula del emisor común 𝑉𝑏𝑏 =
25𝐾
𝑅𝑏(ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒) 𝑉𝑏𝑏 = 2.3 𝑉
𝑅𝑖𝑛 =
𝑅𝑏
𝐵𝑒𝑡𝑎 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒
Determinamos R1 y R2 por divisor de

3𝐾(1.21) voltaje
𝑅𝑖𝑛 ≈
1.21 30 ∗ 15𝐾
𝑅1 =
𝑅𝑖𝑛 = 3𝐾 2.3
 𝑅1 = 195.65𝑘
195.65 𝐾 ∗ 15𝑘
𝑅2 =
195.65 𝐾 − 15𝐾
𝑅2 = 16.24𝐾
Calculamos la resistencia de entrada con la
fórmula del emisor común
𝑅𝑏(ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒)
𝑅𝑖𝑛 =
𝑅𝑏 Ilustración 16
𝐵𝑒𝑡𝑎 + ℎ𝑖𝑏 + 𝑅𝑒
15𝐾(1.21)
𝑅𝑖𝑛 ≈
1.21
𝑅𝑖𝑛 = 15𝐾

3.3. Diseño Fuente común

Para este diseño usamos la configuración
Drain común, ya que hay que hacer menos
cálculos.
Para máxima transferencia de potencia
𝑅𝑐 = 𝑅𝑙
𝑅𝑐 = 15𝐾
Para la resistencia del Gate seleccionamos
una resistencia de 5 megas, esto con el fin
de que el amplificador no consuma
corriente del dispositivo de entrada.
Ya finalizado el diseño, se procede a
Ilustración 17
CONCLUSION.
Para concluir, el proyecto tuvo en su mayoría
varias complicaciones muchas al implementar
en físico, debido a ciertos parámetros que no
se tuvieron en cuenta. Los parámetros
utilizados en el criterio de diseño fueron los de
repartir equitativamente la ganancia total en
las tres etapas, para que los transistores
trabajasen eficientemente sin que ningunas de
las etapas se sobrecalentara o generase una

simularse en Proteus (con valores perdida en la potencia, también, cabe resaltar

comerciales). la importancia de asegurarse que los cálculos

de cada resistencia sean correctos porque
debido a estos cálculos es que el transistor
funciona en una zona de amplificación. Y es
por ende a esta amplificación, que cualquier
Ilustración 15 señal de entrada contemplada en un espectro
de frecuencia de audio, valga la redundancia constante monitoreo del circuito con
amplifica a una mayor magnitud la señal herramientas como por ejemplo el
entrante, volviéndola mucho más potente y por osciloscopio y uso adecuado de la herramienta
ende más perceptible. También es importante “Proteus”. Indicara que se ha ejecutado
que las tres etapas estén bien interconectadas correctamente el diseño y los parámetros de
entre sí, una es parte fundamental de la otra ganancia previamente asignado. Dando como
porque entre ellas determinaran cuanta resultado Un amplificador seguro, funcional y
fidelidad puede otorgar al final del proceso fiable.
circuital. el buen cálculo de las etapas y el

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